光刻装置及器件制造方法.pdf

本发明公开一种湿浸式光刻装置的基底台，包括用于收集液体的阻挡构件。该阻挡构件环绕基底并与基底分隔开。按照这种方式，可以收集从供液系统溢出的任何液体，并降低光刻投影装置的精密部件受污染的危险。

1.  一种光刻装置，包括：
用于保持构图部件的支撑结构，所述构图部件用于给辐射光束的截面赋予图案；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到所述基底的目标部分上的投影系统；以及
用于向基底的局部区域、基底台或其两者供应液体的供液系统，以至少部分地填充所述投影系统与所述基底、所述基底台或其两者之间的空间，
其中所述基底台包括用于收集液体的阻挡构件，所述阻挡构件环绕所述基底并与所述基底分隔开，且所述阻挡构件位于环绕所述基底外围边缘的排水沟的径向外侧。

2.  根据权利要求1所述的装置，其中所述阻挡构件包括伸出到所述基底台上表面之外的突出物。

3.  根据权利要求1或2所述的装置，其中所述阻挡构件包括凹进到所述基底台的上表面中的槽。

4.  根据权利要求3所述的装置，其中所述基底台进一步包括室，所述室经由所述槽与所述上表面发生液体接触。

5.  根据权利要求4所述的装置，其中所述室至少部分地形成在所述突出物中。

6.  根据权利要求1或2所述的装置，进一步包括用于在所述阻挡构件中产生表面声波的表面声波发生器，以有利于沿所述阻挡构件输送液体。

7.  一种光刻装置，包括：
用于保持构图部件的支撑结构，所述构图部件用于给辐射光束的截面赋予图案；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到所述基底的目标部分上的投影系统；
用于向所述基底的局部区域、所述基底台或其两者供应液体的供液系统，以至少部分地填充所述投影系统与所述基底、所述基底台或其两者之间的空间；以及
用于在所述阻挡构件中产生表面声波的表面声波发生器，以有利于沿所述阻挡构件输送液体，
其中所述基底台包括用于收集液体的阻挡构件，所述阻挡构件环绕所述基底并与所述基底分隔开。

8.  一种光刻装置，包括：
用于保持构图部件的支撑结构，所述构图部件用于给辐射光束的截面赋予图案；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到所述基底的目标部分上的投影系统；
用于向所述基底的局部区域、所述基底台或其两者供应液体的供液系统，以至少部分地填充所述投影系统与所述基底、所述基底台或其两者之间的空间；以及
其中所述基底台包括用于收集液体的阻挡构件，所述阻挡构件环绕所述基底并与所述基底分隔开，且所述阻挡构件另外环绕安装在所述基底台的上表面上的至少一个传感器和/或用于密封所述供液系统的封闭元件。

9.  一种器件制造方法，包括：
向基底的局部区域、基底台或其两者提供液体，以至少部分地填充投影系统与所述基底、所述基底台或其两者之间的空间；
利用所述投影系统将带图案的辐射光束通过所述液体投射到所述基底的目标部分上；
利用阻挡构件收集液体，所述阻挡构件环绕所述基底并与所述基底分隔开；以及
利用排水沟排出液体，所述排水沟环绕所述基底的外围边缘并位于所述阻挡构件径向内侧。

10.  一种器件制造方法，包括：
向基底的局部区域、基底台或其两者提供液体，以至少部分地填充投影系统与所述基底、所述基底台或其两者之间的空间；
利用所述投影系统将带图案的辐射光束通过所述液体投射到所述基底的目标部分上；
利用阻挡构件收集液体，所述阻挡构件环绕基底并与所述基底分隔开；以及
在所述阻挡构件中产生表面声波，以有利于沿所述阻挡构件输送液体。

光刻装置及器件制造方法
本申请为2005年4月13日递交的发明名称为“光刻装置及器件制造方法”的专利申请200510064163.7的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。
背景技术
光刻装置是将所需图案施加于基底目标部分上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件例如掩模可用于产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底(例如硅晶片)的目标部分上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。一般地，单一的基底将包含相继曝光的相邻目标部分的整个网格。已知的光刻装置包括所谓步进器，通过将整个图案一次曝光到目标部分上而辐射每一目标部分，已知的光刻装置还包括所谓扫描器，通过在投射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一目标部分。
已经提出将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后元件与基底之间的空间。这样能够对较小的特征成像，因为曝光辐射在液体中具有较短的波长。(液体的作用也可以被认为是增大系统的有效NA，也增大焦深。)还提议使用其他浸液，包括有固体颗粒(例如石英)悬浮在其中的水。
但是，使基底或者基底和基底台浸没在液池中(例如参见美国专利US4,509,852，该文献整体在此引入作为参考)意味着存在大量在扫描曝光过程中必须被加速的液体。这可能需要附加的或更大功率的电动机，并且液体中的湍流可能导致不希望且不可预知的结果。
所提出的解决方案之一是对于供液系统来说，利用供液系统只在基底的局部区域上以及在投影系统的最后元件和基底中间提供液体(基底通常具有比投影系统的最后元件更大的表面积)。已经提出的用于这种方案的一种布置在公开PCT专利申请WO99/49504中公开，该文献整体在此引入作为参考。如图2和3中所示，优选通过至少一个入口IN沿着基底相对于最后元件的运动方向将液体供应到基底上，并且在流过投影系统下面之后通过至少一个出口OUT排出。也就是，当沿-X方向扫描元件之下的基底时，在元件的+X侧供应液体，并在-X侧收集。图2示意性地示出这种装置，其中经入口IN供应液体，并且通过与低压源相连的出口OUT在元件的另一侧收集液体。在图2的图解中，沿着基底相对于最后元件移动的方向供应液体，尽管不必是这种情况。位于最后元件周围的入口和出口的各种定位和数量都是可以的，图3示出的一个实施例中，在任一侧以环绕最后元件的规则图案设置四组入口和出口。
如果浸液污染装置的敏感部件，那么浸液在光刻装置内部可能产生一些问题。特别是具有局部区域供液系统的情况，因为如果这种供液系统出故障，那么浸液很容易漏出。而且，如果局部区域供液系统无效，则浸液可能遗留在基底台上，那么在基底台加速所产生的力的作用下可能留在基底台上。
发明内容
因此，例如降低由湿浸式光刻投影装置中部件的液体引起的污染危险是有利的。
根据一个方面，提供一种光刻装置，包括：
用于提供辐射光束的照射器；
用于保持构图部件的支撑结构，所述构图部件给光束的截面赋予图案；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统；以及
用于向基底的局部区域，基底台或其两者供应液体的供液系统，以便至少部分地填充投影系统与基底，基底台或其两者之间的空间。
其中基底台包括用于收集液体的阻挡构件，该阻挡构件环绕基底并与基底分隔开。
利用阻挡构件，由供液系统溢出或者从供液系统漏出的液体可以被收集起来，并且再循环，或者排出，而装置中的部件不会被漏出的液体污染。阻挡构件不需要占据基底台上很大的空间。这是有利的，因为基底台上的空间有限，基底台做得尽可能小从而需要加速尽可能小的质量。
在一个实施方案中，阻挡构件包括伸出到基底台上表面之外的突出物。这是一个简单的物理阻挡构件，防止因基底台的加速度或者供液系统(例如根据这里描述的任一种解决方案)的灾难性故障所产生的作用力使液体飞离基底台。
在一个实施方案中，至少一部分阻挡构件包括亲液材料或涂层。用这种材料构成阻挡构件，或者将这种涂层涂敷到阻挡构件上增强了液体的收集，所述涂层粘住阻挡构件。
在一个实施方案中，阻挡构件包括凹进到基底台的上表面中的槽。这具有以下优点，即基底台的横截面轮廓的上表面一般与基底上表面在同一水平面上。那么不需要在投影系统的光轴方向上移动基底台或供液系统，从而避免例如在基底交换过程中在基底台和供液系统和/或投影系统之间的碰撞。
在一个实施方案中，将槽的尺寸设置为可以在毛细管作用下沿着槽输送液体。这样确定尺寸可以有利于将阻挡构件收集的液体输送到将液体从阻挡构件排出的低压源，而不需要任何附加的部件。基底台可以包括一个室，该室经由槽与上表面发生液体接触。槽可以制成为连续的。利用所述室，在槽的整个长度上的真空流量相等。那么在一个实施方案中，可能需要只使用一些分立的出口。
在一个实施方案中，可以提供一低压源使液体从阻挡构件排出。低压源可以包括提供给槽或室的各个分立的低压出口。
在一个实施方案中，低压源独立于供液系统工作。按照这种方式，如果供液系统出故障，并且因此液体溢出，那么阻挡构件仍然能够工作。
沿着阻挡构件输送液体的一种方式是提供声波发生器，该声波发生器用于在阻挡构件中产生表面声波。在一个实施方案中，可以通过利用压电致动器来提供这种发生器，其优点在于可以制造得非常小。
在一个实施方案中，阻挡构件包括槽以及伸出到基底台上表面之外的突出物。这种组合的优点例如是可以沿着基底台上表面以高速排出液体。该突出物实质上充当挡板，当液体汇集到挡板时，经由槽将该液体排出。与室结合，可以形成特别有效的阻挡构件，所述室任选地可以至少部分地形成在突出物中，经槽与上表面发生液体接触。
在一个实施方案中，阻挡构件置于环绕基底外围边缘的排水沟或阻挡构件的径向向外的位置。提供这种环绕基底外围边缘的排水沟或阻挡构件，使曝光基底的边缘部分，并且局部区域供液系统向基底和基底台上的区域同时供应液体时，减少由基底和基底台之间的间隙漏出的液体量。环绕外围边缘的排水沟或阻挡构件的实施例例如可以在美国专利申请第10/705,804中得到，该文献整体在此引入作为参考。偶尔从排水沟或阻挡构件漏出的液体可以由阻挡构件收集。阻挡构件基本上在基底台的外缘或基底台的一部分的周围延伸。这样，根据供液系统在基底台上的任何相对位置，可以利用阻挡构件来收集溢出的液体。另外，阻挡构件可环绕基底台上表面上没有被基底覆盖的区域。并且，阻挡构件另外可环绕安装在基底台上表面上的至少一个传感器和/或用于密封供液系统的封闭元件。传感器可以是用于对准的透射图像传感器。封闭元件可以呈圆盘形，设计成与供液系统底部相连，以便例如在一个基底曝光之后且下一个基底曝光之前的基底交换过程中容纳供液系统中的液体。封闭元件的典型实施例在美国专利申请US10/705785中公开，该文献整体在此引入作为参考。
根据另一方面，提供一种器件制造方法，包括：
向基底的局部区域，基底台或其两者提供液体，从而至少部分地填充投影系统与基底，基底台或其两者之间的空间；
利用投影系统将带图案的辐射束通过液体投射到基底的目标部分上；以及
利用阻挡构件收集液体，该阻挡构件环绕基底并与基底分隔开。
在本申请中，本发明的光刻装置具体用于制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别与更普通的术语“基底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨道(通常将抗蚀剂层涂敷于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)或者计量工具或检验工具对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是包含多个已处理层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给投射光束赋予带图案的截面的装置，从而在基底的目标部分中形成图案。应该注意，赋予投射光束的图案可以不与基底目标部分中的所需图案精确一致。一般地，赋予投射光束的图案与在目标部分中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射束；按照这种方式，对反射的光束进行构图。在构图部件的每个示例中，支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的，并且可以确保构图部件例如相对于投影系统位于所需的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。
这里所用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用浸液或使用真空。这里任何术语“透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
照射系统还可以包括各种类型的光学部件，包括用于引导、整形或者控制辐射投射光束的折射，反射和反折射光学部件，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。
光刻装置可以具有两个(二台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
附图说明
现在仅仅通过例子的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实施方案，其中对应的附图标记表示对应的部件，其中：
图1示出根据本发明一个实施方案的光刻装置；
图2示出依照本发明使用的供液系统的横截面；
图3示出图2的供液系统的平面图；
图4示出根据本发明一个实施方案的供液系统密封元件的一个示例；
图5示出根据本发明第一实施方案的阻挡构件的横截面；
图6示出根据本发明第二实施方案的阻挡构件的平面图；
图7示出根据本发明第三实施方案的阻挡构件的横截面；
图8示出根据本发明第四实施方案的阻挡构件的横截面。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻装置。该装置包括：
-照射系统(照射器)IL，用于提供辐射投射光束PB(例如UV辐射)。
-第一支撑结构(例如掩模台)MT，用于支撑构图部件(例如掩模)MA，并与用于将该构图部件相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
-基底台(例如晶片台)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接；以及
-投影系统(例如折射投影透镜)PL，用于将通过构图部件MA赋予投射光束PB的图案成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里指出的，该装置属于透射型(例如采用透射掩模)。另外，该装置可以属于反射型(例如采用上面提到的一种类型的可编程反射镜阵列)。
照射器IL接收来自辐射源的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源是构成光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送系统从源传输到照射器IL，所述光束输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源和照射器IL，如果需要的话连同光束输送系统可被称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置AM，用于调节光束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳面上强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器提供辐射的调节光束，称为投射光束PB，该光束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。
投射光束PB入射到保持在掩模台MT上的掩模MA上。横向穿过掩模MA后，投射光束PB通过透镜PL，该透镜将光束聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量装置)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库中机械地取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT和WT的移动，这两个目标台构成定位装置PM和PW的一部分。可是，在步进器(与扫描装置相对)的情况下，掩模台MT只与短行程致动装置连接，或者固定。掩模MA与基底W可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2进行对准。
所示的装置可以按照下面优选的模式使用：
1.在步进模式中，掩模台WT和基底台WT基本保持不动，赋予投射光束的整个图案被一次投射到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，从而可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场(exposure field)的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，当赋予投射光束的图案被投射到目标部分C时(即单次动态曝光)，同步扫描掩模台MT和基底台WT。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PL的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定目标部分的高度(沿扫描方向)。
3.在其他模式中，当赋予投射光束的图案投射到目标部分C上时，掩模台MT基本保持不动，支撑可编程构图部件，而此时基底台WT被移动或扫描。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在基底台WT每次移动之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更换可编程构图部件。这种操作模式可以很容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件如上面提到的一种类型的可编程反射镜阵列。
参考图5描述本发明的第一实施方案。该图示出支撑基底W的基底台WT。该基底台WT可以是任何种类的基底台，包括分为(come in)上部和下部的类型，其中，下部相对于该装置移动，并且设计为粗调定位移动，上部相对于下部移动，并设计为精确的“短行程”定位。此外，基底台WT可以是卡盘可释放地连接在基底台WT上并由基底台WT支撑的一种类型。在下面的描述中，基底台WT的不同类型之间没有区别，对基底台WT的描述是通用的。
用于湿浸式光刻中的基底台WT可以具有环绕基底W的外围边缘的排水沟或阻挡构件40。排水沟或阻挡构件40与低压源相连，从而可以回收在基底W的边缘部分的曝光过程中从基底W溢出的浸液。这种排水沟或阻挡构件40的例子可以在美国专利申请第10/705,804中得到，该文献整体在此引入作为参考。
此外，其他物体20设置在基底台的上表面上，该表面基本上位于与基底W的上表面相同的平面。其他物体20可包括传感器24(例如包括透射图像传感器(TIS)和/或点(剂量)传感器)或者所谓的圆盖盘22，如图6中所示。透射图像传感器24在基底W相对于基底台WT的对准过程中使用，并且一般通过投影系统由投射光束PB照射。圆盖盘22通常在基底交换过程中使用。在基底曝光之后，将其从基底台WT取下，并用新的未曝光的基底W代替。在这期间，有利的是，保持投影系统的最后元件浸入在液体中以避免最后元件上的标记变干。为此，提供圆盖盘22，该圆盖盘与供液系统的下侧相连，从而使供液系统可以保持工作状态，而没有严重的液体损耗。美国专利申请US10/705,785中有对圆盖盘的详细描述，该文献整体在此引入作为参考。
阻挡构件100环绕基底W，排水沟40和圆盖盘22以及透射图像传感器24。阻挡构件100也环绕基底台WT的上表面的其他区域。阻挡构件100是连续的，并基本上位于基底台上表面的外边缘或基底台上表面的一部分。阻挡构件100物理上位于基底台WT(和基底W)的上表面的平面之外。对于包括基底卡盘以及台的基底台WT的这种类型，阻挡构件100可以置于卡盘之外的周围或者置于基底台之外的周围。
在第一实施方案中，阻挡构件100包括凹进到基底台WT的上表面中的槽110。槽110是连续回路(圆形的或者非圆形的)，但也不一定是这样。槽110可以附有突出物140，该突出物140突出到基底台WT的上表面之上。在一个实施方案中，突出物140位于槽110径向外侧。低压源与多个分立的出口120相连。在一个实施方案中，多个分立的出口120与独立于供液系统的低压源相连，从而可以排出阻挡构件100收集的任何液体，用于清除所述液体或可选择地将其用于再循环。在一个实施方案中，出口120可以是连续回路(圆形的或非圆形的)。
阻挡构件100有利地由亲液材料制成，或者具有亲液涂层，从而使接触阻挡构件100的任何液体与阻挡构件100相连，那么能够在收集液体时更有效地工作。
在一个实施方案中，槽100形成为U形横截面，并将尺寸设置为毛细作用力作用于槽中的液体，从而可将液体输送到一个(或多个)出口120，并从基底台WT排出。
将液体沿着阻挡构件100输送的可替换实施方案是产生表面声波，所述波在表面上和/或刚好在阻挡构件的表面下面(例如槽)随时间变化而变形或者振动。通过随时间变化的表面变形输送液体。表面声波可由表面声波发生器产生，该表面声波发生器可包括压电致动器。这种设计非常紧凑，表面声波能够在表面上局部地产生。因此，表面声波仅仅沿着阻挡构件100的材料的表面传播，使基底台(或卡盘)不发生机械变形。
参考图6描述第二实施方案，该实施方案除了下面所描述的内容之外与第一实施方案相同。在该实施方案中，在阻挡构件100相对的转角处提供两个收集凹进部分122。该收集凹进部分122呈半球形，并且在它们最深的凹进点处具有出口120。槽110可以沿其长度稍微倾斜，从而使槽110中的任何液体可以在重力作用下朝收集凹进部分122流动。当然，槽110的尺寸可设置为毛细作用力将液体朝收集凹进部分122移动，或者为此目的而采用表面声波发生器。
参考图7描述第三实施方案，该实施方案除了下面所描述的内容之外与第一实施方案相同。在该实施方案中，阻挡构件100包括在基底台WT的外边缘或基底台WT的一部分的四周延伸的连续槽110。连续槽110与连续环形室130流体连通，该环形室形成在基底台上，且其横截面积大于槽的横截面积。与低压源相连的多个分立的出口120(或者单个连续出口120)与环形室130流体连通。按照这种方式，槽110中的负压在槽的整个长度上是均等的，因此使液体进入排水系统的作用力在阻挡构件100的整个长度上也是相等的。
如在其他实施方案中，但是与排水沟40相反，当基底W置于基底台WT上为基底W指定的区域中时，阻挡构件100与基底W分隔开。
参考图8描述第四实施方案，该实施方案除了下面所描述的内容之外与第三实施方案相同。该第四实施方案例如设计为使液体的排出最优化，所述液体在基底台WT的上表面上具有高速度。当基底台在与投影系统的光轴正交的平面内高速移动时，液体可以在该基底台上形成高速度。
第四实施方案的阻挡构件100包括突出物140，该突出物140伸出到基底台WT的上表面之上，并在基底台WT的外边缘或基底台WT的一部分周围，基本上在基底台WT的外边缘或基底台WT的一部分处延伸。槽110形成在突出物140中。与基本上垂直于基底台WT的上表面的前面实施方案中的槽相反，该实施方案中的槽110基本上平行于基底台WT的上表面水平延伸。但是，在第四实施方案中，如同其他实施方案一样，槽110可以与基底台WT的上表面成任何角度。在第四实施方案中，槽110的水平角是优选的，因为当迫使液体面临突出物140的径向内表面时，图8中所示的基底台WT从左向右的加速度产生作用于液体的力，对于迫使液体通过槽110是有效的。
突出物140的内表面示出为垂直于基底台WT的上表面。对于机加工来说这或许是最容易加工的形状，尽管导致突出物140伸出基底台WT的上表面的角度(即向内成角度)可能是有利的，当液体聚集在径向内表面时不大可能使液体位于突出物140的顶部。
第四实施方案的室130至少部分地形成在突出物140中。不一定需要是这种情况，但是这确实使制造更容易。实际上，室130可以完全形成在突出物140中。按照这种方式，阻挡构件100例如可以由U形横截面的环形圈形成，所述环形圈用胶或其他方式连接到基底台WT的上表面上。显而易见，其他形状和横截面也是可能的。
还可以采用上述所用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的模式。
已经提出另一种湿浸式光刻解决方案，为供液系统提供密封元件，该密封元件沿着投影系统的最后元件和基底台之间的空间的至少一部分边界延伸。该密封元件相对于投影系统在XY平面内基本上是固定的，尽管沿Z方向(沿光轴方向)可能有一定的相对运动。在密封元件和基底表面之间形成密封。优选的是，该密封是不接触的密封，如气封。这样一种系统在例如美国专利申请US10/705,783中公开，该文献整体在此引入作为参考。
图4中示出具有局部供液系统的另一个湿浸式光刻解决方案。通过投影系统PL两侧的两个槽入口IN供应液体，并且通过入口IN径向向外排列的多个分立的出口OUT排出液体。入口IN和出口OUT可以设置在中心有孔的板上，投影系统通过该孔伸出。通过投影系统PL一侧的一个槽入口IN供应液体，并且通过投影系统PL另一侧的多个分立的出口OUT排出液体，导致投影系统PL和基底W之间液体薄膜的流动。对所用的入口IN和出口OUT的组合的选择可取决于基底W的运动方向(入口IN和出口OUT的其他组合不起作用)。
在欧洲专利申请第03257072.3中，公开了成对的或二台湿浸式光刻装置的构思，该文献整体在此引入作为参考。这种装置具有支撑基底的两个基底台。利用第一位置的基底台进行水平测量，不使用浸液，利用第二位置的基底台进行曝光，这里存在浸液。可替换的是，该装置可以只有一个在第一和第二位置之间移动的基底台。
本发明可以应用于任何湿浸式光刻装置，特别是，但不专用于上述那些类型。
尽管上面已经描述了本发明的各个特定实施方案，但是应该理解，本发明可以按照不同于所述的方式实施。说明书不意味着限制本发明。