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1、10申请公布号CN102053481A43申请公布日20110511CN102053481ACN102053481A21申请号200910211884422申请日20091109G03F1/1420060171申请人无锡华润上华半导体有限公司地址214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号申请人无锡华润上华科技有限公司72发明人谢宝强朱旋杨兆宇肖玉洁74专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人李丽54发明名称修复图形损伤的方法57摘要一种修复图形损伤的方法，包括将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，。
2、形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。本发明避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图2页CN102053488A1/1页21一种修复图形损伤的方法，其特征在于，包括将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后，将测试布线图形与测试布线的临界尺。
3、寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。2根据权利要求1所述修复图形损伤的方法，其特征在于，所述控片为空白晶圆。3根据权利要求1所述修复图形损伤的方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行烘烤为紫外线烘烤。4根据权利要求1所述修复图形损伤的方法，其特征在于，所述增大测试布线图形在光学近距修正软件中进行。权利要求书CN102053481ACN102053488A1/3页3修复图形损伤的方法技术领域0001本发明涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种修复图形损伤的方法。背景技术0002图形化工艺是一种用于半导。
4、体组件的制作中常见的工艺或技术。通常一个半导体衬底会被涂上一层光敏材料LIGHTSENSITIVEMATERIAL，如一光刻胶层；然后使用一个图形化掩模版，将半导体衬底暴露于射线下而显露一种光化学效应PHOTOCHEMICALEFFECT于光刻胶层上，以产生印于光刻胶层上的一种光刻胶层图案。0003现有在半导体器件制作过程中，用多次采用图形化的工艺。尤其在制作功率器件时，如专利申请号为200710094354的中国专利申请中提及的通常采用厚铝一般2微米以上作为顶层布线，在形成厚铝布线的过程中，在定义布线图形时，厚铝上的光刻胶在紫外硬烘烤后会产生严重缩胶的现象，致使布线图形尺寸产生变化，在经过刻。
5、蚀工艺后，在厚铝布线边沿处的通孔会被曝露出来，这样的结果会导致电路断开，对电性造成严重影响。发明内容0004本发明解决的问题是提供一种修复图形损伤的方法，防止光刻胶层在烘烤后缩胶，使厚铝布线图形尺寸产生变化，在刻蚀后导致通孔露出，而致使电路断开。0005为解决上述问题，本发明一种修复图形损伤的方法，包括将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标。
6、尺寸的厚铝布线。0006可选的，所述控片为空白晶圆。0007可选的，所述对光刻胶层进行烘烤为紫外线烘烤。0008可选的，所述增大测试布线图形在光学近距修正软件中进行。0009与现有技术相比，本发明具有以下优点将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形。最后形成的厚铝布线的临界尺寸与目标尺寸一致，有效解决了图形化工艺中光刻胶被紫外硬烘烤后会产生严重缩胶而致使布线图形尺寸产生变化的情况，使刻。
7、蚀后的厚铝布线边沿完全覆盖住通孔，避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。另外，采用OPC光学近距修正工艺对图形进行修复，成本低，效率高。附图说明0010图1是本发明修复图形损伤的具体实施方式流程图；说明书CN102053481ACN102053488A2/3页40011图2至图7是本发明修复图形损伤的实施例示意图。具体实施方式0012目前，业界为了实现微小的CD临界尺寸，必须使光掩膜上更加精细的图像聚焦在半导体衬底的光刻胶上，并且必须增加光学分辨率，以制造接近光掩膜工艺中光学分辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括OPC光学近距修正方法。光学近距修正方法是预先修正光掩膜上的图形，例如在光掩。
8、膜上使用亚衍射极限辅助散射条SRAF作为辅助图形的方法。本发明采用OPC光学近距修正工艺在解决光学近距效应问题的同时，有效解决了图形化工艺中光刻胶被紫外硬烘烤后会产生严重缩胶而致使布线图形尺寸产生变化的情况，使刻蚀后的厚铝布线边沿完全覆盖住通孔，避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。0013本发明修复图形损伤的流程如图1所示，执行步骤S11，将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致。0014所述控片为空白晶圆，在控片上只涂覆有光刻胶层，其中此光刻胶层与后续在厚铝上形成的光刻胶层厚度、材料等参数一致。0015经过曝光显影工艺后，在光刻胶层上形成的布线图。
9、形的临界尺寸与测试布线图形是一致的。0016所述测试布线图形可以是OPC软件中定义好的布局图形。0017执行步骤S12，对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线。0018对光刻胶进行的烘烤为紫外线硬烘烤，经过烘烤后的光刻胶层产生缩胶现象，使光刻胶层上的布线图形临界尺寸发生变化，即形成临界尺寸小于目标尺寸的测试布线。0019执行步骤S13，将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系。0020所述软件为光学近距修正软件。0021上述得到的缩减关系说明了光刻胶层经过紫外线硬烘烤后的缩胶程度。0022执行步骤S14，通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形。0023根据缩减关系，采用。
10、光学近距修正的方法，对测试布线图形的临界尺寸进行修正，以使后续经过紫外线硬烘烤后形成的厚铝布线的临界尺寸与目标尺寸一致。0024执行步骤S15，将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。0025下面结合附图和较佳实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。0026图2至图7是本发明修复图形损伤的实施例示意图。如图2所示，形成测试布线图形10，所述测试布线图形10的临界尺寸L与目标尺寸一致，其中测试布线图形10可以由OPC软件进行定义。0027如图3所示，提供一个控片100，在控片100上旋涂第一光刻胶层，所述第一光刻胶层的厚度及材料与后续在厚铝上形成的光刻胶层厚度和材料一致。然后。
11、，将图2所示的测试布线图形10通过曝光显影工艺转移至第一光刻胶层上，形成第一光刻胶测试布线图形。接着，对第一光刻胶测试布线图形进行紫外线硬烘烤，经过烘烤后，光刻胶层产生缩胶现象，使光刻胶测试布线图形的临界尺寸缩短，形成测试布线102；经过测量后，所形成的测试布线102的临界尺寸为L。0028本实施例中，所述控片100为空白晶圆。说明书CN102053481ACN102053488A3/3页50029本实施例中，经过光刻工艺后的第一光刻胶测试布线图形的临界尺寸仍为L。0030接着，将图2中测试布线图形10的临界尺寸L与图3中的测试布线102的临界尺寸L输入OPC软件可以得出之间的缩减关系。003。
12、1如图4所示，通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形20。0032如图5所示，提供半导体衬底200，所述半导体衬底200上已形成有例如MOS晶体管、金属布线、填充有导电物质的通孔等半导体器件；用化学气相沉积法在半导体衬底200上形成厚铝202，所述厚铝的厚度大于2微米；在厚铝202上旋涂第二光刻胶层204，对第二光刻胶层204进行曝光显影工艺，将图4中的修正后的测试布线图形20转移至第二光刻胶层204上，形成第二光刻胶测试布线图形。0033参考图6，对第二光刻胶层204进行紫外线硬烘烤，使第二光刻胶层204达到固化效果。经过烘烤后，第二光刻胶层204产生缩胶现象，即第二光刻胶测试布。
13、线图形的临界尺寸缩短至L。0034如图7所示，以烘烤后的第二光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀法刻蚀厚铝至露出半导体衬底200，形成厚铝布线202A；所述厚铝布线202A的临界尺寸为L，与目标尺寸一致。接着，灰化法或湿法刻蚀法去除第二光刻胶层。0035本实施例中，形成的厚铝布线202A的临界尺寸L与目标尺寸一致，有效解决了图形化工艺中光刻胶被紫外硬烘烤后会产生严重缩胶而致使布线图形尺寸产生变化的情况，使刻蚀后的厚铝布线202A边沿完全覆盖住其下方的填充有导电物质的通孔，避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。0036本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。说明书CN102053481ACN102053488A1/2页6图1图2图3说明书附图CN102053481ACN102053488A2/2页7图4图5图6图7说明书附图CN102053481A。