掩模板的存放方法及掩模板的存放装置 【技术领域】
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及掩模板的存放方法及掩模板的存放装置。
背景技术
半导体制造技术中的光刻工艺是通过光学成像的方法将掩模板上图案转移到半导体晶片表面的光刻胶上的过程，然后通过所述光刻胶上已经定义好的图案进行刻蚀或离子注入。由于光刻工艺对污染很敏感，需要严格控制光刻工艺环境的洁净度。通常光刻工艺的掩模板都需要存放于掩模盒(Reticle Pod)中，以避免在传送和存放过程受到外部环境的污染。专利号为US5296893的美国专利公开了一种掩模盒，用于存放掩模板。
但是由于目前掩模盒不是密封，因此空气中的化学物质会附着在掩模板表面，测试后发现在掩模板表面会形成雾状缺陷，从而影响掩模板的后期使用。
【发明内容】
本发明的掩模板的存放方法及掩模板的存放装置，解决了掩模板被污染形成雾状缺陷的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种掩模板的存放方法，包括步骤：将掩模板放于掩模盒内，在掩模盒外或掩模盒内放置能够吸收NH3的物质；将所述掩模盒和所述能够吸收NH3的物质密封。
可选的，所述能够吸收NH3的物质包括CaCl2。
可选的，所述能够吸收NH3的物质还包括H2SiO3。
可选的，并且所述能够吸收NH3的物质中H2SiO3和CaCl2的摩尔比率是1∶9～8∶2。
可选的，所述密封为用塑料材料密封。
可选的，在所述塑料材料密封之前将掩模板用静电材料包装。
可选的，在所述塑料材料密封之后用泡沫防震材料包装。
相应本发明还提供了一种掩模板的存放装置，包括存放掩模板的掩模盒和掩膜盒外的密封装置，所述密封装置用于将掩模盒与所述密封装置外的空气隔离，在所述密封装置内具有吸收NH3的物质。
可选的，所述能够吸收NH3的物质包括CaCl2。
可选的，所述能够吸收NH3的物质还包括H2SiO3。
上述技术方案的优点是：
上述技术方案包括步骤：将掩模板放于掩模盒内，在掩模盒外或掩模盒内放置能够吸收NH3的物质；将所述掩模盒和所述能够吸收NH3的物质密封。这样使得掩模板周围的环境中NH3的含量减少，从而减少了NH3和硫酸H2SO4生成硫酸氨(NH4)2SO4附着在掩模板上，形成雾状缺陷的可能，提高了掩模板的质量。
【附图说明】
图1为本发明的掩模板的存放方法第一实施例的流程图；
图2为本发明的掩模板的存放方法第一实施例的示意图；
图3为本发明的掩模板的存放方法第二实施例的流程图；
图4为本发明的掩模板的存放方法第二实施例的示意图。
【具体实施方式】
为使本发明的上述目地、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
由于目前掩模盒不是密封，因此空气中化学物质会附着在掩模板表面形成雾状缺陷。发明人研究后认为存在上述问题的原因是空气中存在氨气、含有硫的酸根、水等物质，因此含有硫的酸根可以和水发生化学反应，例如(1)、(2)和(3)所示。
H2O+SO2→H2SO4 (1)
SO2+SO2→SO+SO3 (2)
SO3+H2O→H2SO4 (3)
进一步的硫酸H2SO4和氨气NH3发生如(4)所示化学反应。
NH3+H2SO4→(NH4)2SO4 (4)
硫酸氨(NH4)2SO4附着在掩模板上，形成雾状缺陷，由于掩模板上的掩膜图形的尺寸很小，所以微量的物质也会有很大影响。
本发明提供了一种掩模板的存放方法，包括步骤：
将掩模板放于掩模盒内，在掩模盒外或掩模盒内放置能够吸收NH3的物质；
将所述掩模盒和所述能够吸收NH3的物质密封。
可选的，所述能够吸收NH3的物质包括CaCl2。
可选的，所述能够吸收NH3的物质还包括H2SiO3。
可选的，并且H2SiO3和CaCl2的摩尔比率是1∶9～8∶2。
可选的，所述密封为用塑料材料密封。
可选的，在所述塑料材料密封之前将掩模板用静电材料包装。
可选的，在所述塑料材料密封之后用泡沫防震材料包装。
相应本发明还提供了一种掩模板的存放装置，包括存放掩模板的掩模盒和掩膜盒外的密封装置，所述密封装置用于将掩模盒与所述密封装置外的空气隔离，在所述密封装置内具有吸收NH3的物质。
可选的，所述能够吸收NH3的物质包括CaCl2。
可选的，所述能够吸收NH3的物质还包括H2SiO3。
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
如图1所示的掩模板的存放方法第一实施例的流程图，在该实施例中，掩模板的存放方法，包括步骤：
S10：将掩模板放于掩模盒内。
如图2所示，在本实施例中掩模盒100可以包括盒体110、盒盖120和位于盒体110上的用于支撑掩模板的支撑部130。将掩模板140放置在掩模盒100的支撑部130上，支撑部130可以固定掩模板140。将盒体110与盒盖120扣合。
S20：在掩模盒100外放置能够吸收NH3的物质155。
在掩模盒100外放置能够吸收NH3的物质155。因为雾状缺陷是由于NH3和硫酸根结合生成的硫酸氨(NH4)2SO4，因此利用能够吸收NH3的物质155将NH3有效吸收就可以阻止(NH4)2SO4的生成。在本实施例中，能够吸收NH3的物质155包括CaCl2，具体为H2SiO3和CaCl2摩尔比率是1∶9～8∶2的物质。因为CaCl2是很好的干燥剂，而且成本非常低。CaCl2可以和NH3发生如(5)所示化学反应，
CaCl2+NH3→CaCl2·8NH3， (6)
CaCl2·8NH3是稳定的化合物，而且CaCl2还可以吸收空气中的水，阻止硫酸的生成。H2SiO3也是很好的干燥剂，而且成本非常低。而且发明人经过实验发现在H2SiO3和CaCl2摩尔比率是1∶9～8∶2时可以使掩模板140周围的环境成弱碱性，而且通过实验证明弱碱性可以降低雾状缺陷的发生。在本实施例中，利用手工将H2SiO3和CaCl2均匀混合，均匀散布在掩模盒100周围，例如放置于掩模盒100外的角部的外侧位置、或者撒在掩模盒的表面。
S30：将掩模盒100和所述能够吸收NH3的物质155密封。
首先将掩模盒100和其周围能够吸收NH3的物质155一起用静电材料包装，防止由于静电带来的对掩模板周围环境的污染。之后用塑料材料的密封装置160密封，这样使得掩模盒100与用塑料材料外部的空气隔离，减少了被空气污染的可能。其中，塑料材料密封可以采用本领域技术人员熟知的方式，例如用不透气的塑料材料薄膜包裹然后将开口部用密封胶封严，也可以装进塑料盒，塑料盒的开口部具有密封圈，将塑料盒扣紧利用密封圈密封。当然也可以将能够吸收NH3的物质155放置于静电材料和密封装置160之间。
进一步的还可以将掩模盒在所述塑料材料密封之后用泡沫防震材料包装，减少运输过程带来的损害。
在其它的实施例中，也可以在密封装置160的内侧壁上设置存放装置，将吸收NH3的物质放入其中，然后将存放有掩模板的掩模盒100放在密封装置160内，然后将密封装置160的口部密封。
实验证明不使用本发明的方法在存放掩模板时添加吸收NH3的物质通常90天就会发现出现大于5微米的雾状缺陷，而使用本发明的方法后150天后才出现。
如图3所示的掩模板的存放方法第二实施例的流程图，在该实施例中，掩模板的存放方法，包括步骤：
S110：将掩模板和能够吸收NH3的物质放于掩模盒内。
如图4所示，在本实施例中掩模盒100可以和实施例一中的相同。包括盒体110、盒盖120和位于盒体110上的用于支撑掩模板140的支撑部130。将掩模板140放置在掩模盒的支撑部130上，支撑部130可以固定掩模板140。将H2SiO3和CaCl2按摩尔比率1∶9～8∶2混合，均匀分布在掩模板140周围，或者放置于掩模盒100内的角落处，例如可以在掩模盒的角落处的内侧壁上设置存放装置，用来存放H2SiO3和CaCl2混合物，这样使得在盒体颠倒时，H2SiO3和CaCl2混合物不会和掩模板接触。然后将盒体110与盒盖120扣合。
S120：将在掩模盒100和所述能够吸收NH3的物质155密封。
将掩模盒100用塑料材料密封，其中，塑料材料密封可以采用本领域技术人员熟知的方式，例如用不透气的塑料材料薄膜包裹然后将开口部用密封胶封严，也可以装进塑料盒，塑料盒的开口部具有密封圈，将塑料盒扣紧利用密封圈密封。在用塑料材料密封之前还可以将掩模盒100用静电材料包装，进一步的还可以将掩模盒100在所述塑料材料密封之后用泡沫防震材料包装。
参考图2所示，本发明还提供了一种掩模板的存放装置，包括存放掩模板的掩模盒100和掩膜盒100外的密封装置160，所述密封装置160用于将掩模盒100与所述密封装置160外的空气隔离，在所述密封装置160内具有吸收NH3的物质。
其中所述能够吸收NH3的物质可以放置于掩模盒100外，且位于密封装置160内。具体的可以在密封装置160的内侧壁上设置存放装置，也可以将吸收NH3的物质均匀的撒在掩模盒表面。
在另一个实施例中，能够吸收NH3的物质也可以放置于掩模盒100内，具体的可以在掩模盒100内的角落处的内侧壁上设置存放装置，将吸收NH3的物质放在存放装置内。
其中，所述能够吸收NH3的物质包括CaCl2，还包括H2SiO3。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人体员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。