调节器以及使用该调节器的有机发光二极管显示器.pdf

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1、10申请公布号CN102023667A43申请公布日20110420CN102023667ACN102023667A21申请号201010287774922申请日20100916102009008853820090918KRG05F1/575200601G09G3/3220060171申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔72发明人李炫宰全玚训金镇亨孙在成74专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国王金宝54发明名称调节器以及使用该调节器的有机发光二极管显示器57摘要本发明公开一种调节器以及使用该调节器的有机发光二极管显示器。该调节器包括参考电压产生单元，用于从输入电压产。

2、生参考电压；分压电阻电路，用于划分该调节器的输出端的电压以产生反馈电压；比较器，用于比较该参考电压与该反馈电压；晶体管，其基于该比较器的输出而导通或者截止，并且用于接通或者切断提供至该输出端的所述输入电压；以及反向电流阻断电路，用于将流入该输出端的反向电流放电至接地电平电压源。30优先权数据51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书9页附图11页CN102023681A1/1页21一种调节器，包括参考电压产生单元，用于从输入电压产生参考电压；分压电阻电路，用于划分该调节器的输出端的电压以产生反馈电压；比较器，用于比较该参考电压与该反馈电压；晶体管，其基于。

3、该比较器的输出而导通或者截止，并且用于接通或者切断提供至该输出端的所述输入电压；以及反向电流阻断电路，用于将流入该输出端的反向电流放电至接地电平电压源。2如权利要求1所述的调节器，其中所述反向电流阻断电路包括连接在该分压电阻电路与输出端之间的缓冲器。3如权利要求2所述的调节器，其中所述缓冲器包括P型金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，该P型金属氧化物半导体场效晶体管连接在该输出端与接地电平电压源之间并且将该反向电流放电至接地电平电压源。4如权利要求1所述的调节器，其中所述反向电流阻断电路包括第一晶体管，连接在该输出端与接地电平电压源之间；以及反向控制器，用于在该分压电阻电路的输出节点与比较。

4、器之间的电压上升时导通该第一晶体管。5一种有机发光二极管显示器，包括显示面板，在该显示面板上数据线和扫描线彼此交叉设置并且发光单元以矩阵方式布置，每个发光单元包括有机发光二极管和驱动薄膜晶体管；数据驱动器，用于向数据线提供数据电压；扫描驱动器，用于向扫描线提供扫描脉冲；以及调节器，包括参考电压产生单元，用于从输入电压产生参考电压；分压电阻电路，用于划分该调节器的输出端的电压以产生反馈电压；比较器，用于比较该参考电压与该反馈电压；晶体管，其基于该比较器的输出而导通或者截止，并且用于接通或者切断提供至该输出端的所述输入电压；以及反向电流阻断电路，用于将流入该输出端的反向电流放电至接地电平电压源，其。

5、中该调节器将用于补偿该驱动薄膜晶体管的阈值电压的参考电压提供至该显示面板。6如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述反向电流阻断电路包括连接在该分压电阻电路与输出端之间的缓冲器。7如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述缓冲器包括P型金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，该P型金属氧化物半导体场效晶体管连接在该输出端与接地电平电压源之间并且将该反向电流放电至接地电平电压源。8如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述反向电流阻断电路包括第一晶体管，连接在该输出端与接地电平电压源之间；以及反向控制器，用于在该分压电阻电路的输出节点与比较器之间的电压上升时导通该第一晶体管。。

6、权利要求书CN102023667ACN102023681A1/9页3调节器以及使用该调节器的有机发光二极管显示器0001本申请要求于2009年9月18日提交的韩国专利申请NO1020090088538的权益，在此为各种目的通过参考的方式援引该专利申请的全部内容，如同在此完全阐述。技术领域0002本发明的典型实施例涉及一种具有稳定输出的调节器以及使用该调节器的有机发光二极管显示器。背景技术0003已经开发了能够减小阴极射线管的重量和尺寸的各种平板显示器FPD。平板显示器的实例包括液晶显示器LCD、场致发射显示器FED、等离子体显示器PDP和电致发光器件。0004根据发光层的材料，电致发光器件分为。

7、无机电致发光器件和有机发光二极管OLED显示器。电致发光器件是一种自发光显示器器件，并且具有诸如响应时间快、发光效率高、亮度高以及视角宽的优点。0005OLED显示器可以通过诸如电压驱动方法、电压补偿驱动方法、电流驱动方法、数字驱动方法和外部补偿驱动方法的驱动方法被驱动。近年来，最常选用电压补偿驱动方法。这种电压补偿驱动方法是一种使用预定参考电压来补偿驱动元件的阈值电压的方法，所述驱动元件将电流提供至OLED元件。0006所述参考电压由能够相对稳定地输出DC电压的调节器产生。这种调节器在将电流提供至OLED显示器的每个发光单元的源电流性能方面表现卓越，但是在从OLED显示器的每个发光单元反向流。

8、出的反向电流方面表现不佳。例如，当反向电流通常在调节器中流动时，调节器的输入电压和输出电压增大。当从调节器输出的参考电压变化时，则不能均匀地补偿OLED显示器的每个发光单元中的驱动元件的阈值电压。因此，OLED显示器的显示质量降低。发明内容0007本发明的典型实施例提供一种调节器和有机发光二极管OLED显示器，即使反向电流反向流动，该调节器能够提供稳定的输出，并且所述有机发光二极管显示器通过使用由该调节器产生的稳定的参考电压来补偿阈值电压，从而能够提高显示质量。0008在一个方案中，一种调节器包括参考电压产生单元，用于从输入电压产生参考电压；分压电阻电路，用于划分该调节器的输出端的电压以产生反。

9、馈电压；比较器，用于比较该参考电压与该反馈电压；晶体管，其基于该比较器的输出而导通或者截止，并且用于接通或者切断提供至该输出端的输入电压；以及反向电流阻断电路，用于将流入该输出端的反向电流放电至接地电平电压源。0009所述反向电流阻断电路包括连接在该分压电阻电路与输出端之间的缓冲器。所述缓冲器包括P型金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，该P型金属氧化物半导体场说明书CN102023667ACN102023681A2/9页4效晶体管连接在该输出端与接地电平电压源之间，并且将该反向电流放电至接地电平电压源。0010所述反向电流阻断电路包括第一晶体管，连接在该输出端与接地电平电压源之间；以及反向。

10、控制器，用于在该分压电阻电路的输出节点与比较器之间的电压上升时导通该第一晶体管。0011在另一方案中，一种有机发光二极管显示器包括显示面板，在该显示面板上数据线和扫描线彼此交叉设置并且发光单元以矩阵方式布置，每个发光单元包括有机发光二极管和驱动薄膜晶体管；数据驱动器，用于向数据线提供数据电压；扫描驱动器，用于向扫描线提供扫描脉冲；以及调节器，该调节器包括参考电压产生单元，用于从输入电压产生参考电压；分压电阻电路，用于划分该调节器的输出端的电压以产生反馈电压；比较器，用于比较该参考电压与该反馈电压；晶体管，其基于该比较器的输出而导通或者截止，并且用于接通或者切断提供至该输出端的输入电压；以及反向。

11、电流阻断电路，用于将流入该输出端的反向电流放电至接地电平电压源；其中该调节器将用于补偿该驱动薄膜晶体管的阈值电压的参考电压提供至该显示面板。附图说明0012给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中0013图1是根据本发明典型实施例的有机发光二极管OLED显示器的方框图；0014图2是示出在根据本发明典型实施例的发光单元中在周期T1期间电流的电路图；0015图3是示出在根据本发明典型实施例的发光单元中在周期T2和T3期间电流的电路图；0016图4是示出在根据本发明典型实施例的发光单元中在周期T4期间电流的电路图；0017图5是。

12、示出在根据本发明典型实施例的发光单元中在周期T5和T6期间电流的电路图；0018图6是示出在根据本发明典型实施例的发光单元中在周期T7和T8期间电流的电路图；0019图7是示出在根据本发明典型实施例的发光单元中在周期T9期间电流的电路图；0020图8是示出根据本发明典型实施例的发光单元的驱动信号波形的波形图；0021图9是示出根据本发明典型实施例的发光单元的另一结构的电路图；0022图10是示出图9中所示的发光单元的驱动信号波形的波形图；0023图11是示出根据本发明典型实施例的调节器的结构的电路图；0024图12是示出图11中所示的调节器的输出端的电路图；以及0025图13是示出根据本发明典。

13、型实施例的调节器的另一结构的电路图。具体实施方式0026以下将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出本发明的典型实施例。但说明书CN102023667ACN102023681A3/9页5是，本发明可以许多不同的方式实施，并且不应被解释为限于这里所阐述的实施例。在整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。在下文的描述中，如果确定对与本发明相关的公知功能或结构的详细描述使得本发明的主题不清楚，则省略该详细描述。0027现在将介绍在附图中图示的发明实例的具体实施例。0028如图1至图4中所示，根据本发明典型实施例的有机发光二极管OLED显示器包括显示面板10，在该显示面板10上数据线20和第一至第。

14、三扫描线21至23彼此交叉设置并且发光单元以矩阵方式布置；数据驱动器13，用于向数据线20提供数据电压；第一扫描驱动器14，用于向第一扫描线21顺序地提供第一扫描脉冲；第二扫描驱动器15，用于向第二扫描线22顺序地提供第二扫描脉冲；第三扫描驱动器16，用于向第三扫描线23顺序地提供发光控制脉冲；时序控制器12，用于控制驱动器13至16；以及产生预定参考电压VREF的调节器11。0029发光单元由数据线20和扫描线21至23的交叉结构限定的像素区域形成。高电势电源电压VDD、低电势电源电压或接地电平电压GND、参考电压VREF等共同提供至显示面板10的发光单元。参考电压VREF被设定为小于有机发。

15、光二极管OLED元件OLED的阈值电压。例如，参考电压VREF可以设定为02V和2V之间的电压。参考电压VREF可以设定为负电压，从而在用于驱动OLED元件OLED的驱动薄膜晶体管TFT的初始状态中，将反向偏压施加给OLED元件OLED。在这种情况下，由于反向偏压周期性地施加给OLED元件OLED，所以减小了OLED元件OLED的降级。因此，能够增加OLED元件OLED的寿命。0030数据驱动器13将数字视频数据RGB转换为模拟数据电压，并将模拟数据电压提供至数据线20。0031第一扫描驱动器14将图8和图10中所示的第一扫描脉冲SCAN顺序地提供至第一扫描线21。第二扫描驱动器15将图8和图。

16、10中所示的第二扫描脉冲SRO顺序地提供至第二扫描线22。第三扫描驱动器16将图8和图10中所示的发光控制脉冲EM顺序地提供至第三扫描线23。0032时序控制器12将数字视频数据RGB提供至数据驱动器13。时序控制器12使用从外部接收的例如垂直同步信号VSYNC、水平同步信号HSYNC、数据使能DE和时钟CLK的时序信号，以产生用于控制数据驱动器13和第一至第三扫描驱动器14至16的每个驱动器的工作时序的时序控制信号CS和CG1至CG3。0033调节器11产生预定参考电压VREF，将该预定参考电压VREF提供至所有放电单元，并将从这些放电单元反向流出的反向电流放电至接地电平电压源GND。参照图。

17、11至图13详细说明调节器11。0034图2至图7是详细示出根据本发明典型实施例的发光单元的电路图。图8是示出图2至图7中所示的发光单元的驱动信号波形的波形图。0035如图2至图8中所示，发光单元包括第一至第五TFTT1至T5、驱动TFTDTFT、存储电容器CSTG、和OLED元件OLED。用P型金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET实现第一至第五TFTT1至T5和驱动TFTDTFT。0036第一TFTT1是用于响应第二扫描脉冲SRO向第一节点N1提供数据电压DATA的开关TFT。第一TFTT1在提供第二扫描脉冲SRO的第三至第六周期T3至T6期间导说明书CN102023667ACN10202。

18、3681A4/9页6通，并且在数据线20与第一节点N1之间形成电流路径。第一TFTT1的漏极连接至第一节点N1，第一TFTT1的源极连接至数据线20，并且第一TFTT1的栅极连接至第二扫描线22。0037第二TFTT2在第四周期T4和第五周期T5期间，响应发光控制脉冲EM以阻断第一节点N1与调节器11之间的电流路径。第二TFTT2在第一周期T1至第四周期T4和第七周期T7至第九周期T9期间导通，在这些周期中第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压，并且第二TFTT2将来自调节器11的参考电压VREF提供至第一节点N1。参考电压VREF被提供至第二TFTT2的漏极，第二TFTT2的源极连接至第一节点。

19、N1，并且第二TFTT2的栅极连接至第三扫描线23。0038第三TFTT3在第三周期T3至第六周期T6期间，响应第二扫描脉冲SRO以将第二节点N2的电压提供至第四TFTT4的源极。第三TFTT3的源极连接至第二节点N2，第三TFTT3的漏极连接至第四TFTT4的源极和驱动TFTDTFT的漏极，并且第三TFTT3的栅极连接至第二扫描线22。0039第四TFTT4在第四周期T4和第五周期T5期间，响应发光控制脉冲EM以阻断驱动TFTDTFT和第三TFTT3与OLED元件OLED之间的电流路径。第四TFTT4在第一周期T1至第四周期T4和第七周期T7至第九周期T9期间导通并且在驱动TFTDTFT和第。

20、三TFTT3与OLED元件OLED之间形成电流路径；在这些周期中第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压。第四TFTT4的漏极连接至OLED元件OLED的阳极，第四TFTT4的源极连接至驱动TFTDTFT的漏极和第三TFTT3的漏极，并且第四TFTT4的栅极连接至第三扫描线23。0040第五TFTT5在第一周期T1至第八周期T8期间响应第一扫描脉冲SCAN而导通，并且在第三节点N3与调节器11之间形成电流路径。第一扫描脉冲SCAN的脉冲宽度大于第二扫描脉冲SRO的脉冲宽度。第一扫描脉冲SCAN的上升时间早于第二扫描脉冲SRO的上升时间。第一扫描脉冲SCAN的下降时间晚于第二扫描脉冲SRO的下降时间。

21、。第五TFTT5的漏极连接至第三节点N3，第五TFTT5的源极连接至调节器11，并且第五TFTT5的栅极连接至第一扫描线21。0041驱动TFTDTFT将来自高电势电压源VDD的电流提供至OLED元件OLED，并且使用驱动TFTDTFT的栅源电压以控制来自高电势电压源VDD的电流。驱动TFTDTFT的漏极连接至第三TFTT3的漏极和第四TFTT4的源极，驱动TFTDTFT的源极连接至高电势电压源VDD，并且驱动TFTDTFT的栅极连接至第二节点N2。0042存储电容器CSTG连接在第一节点N1与第二节点N2之间，并且保持在驱动TFTDTFT的栅电压。0043在OLED元件OLED的阳极与阴极之。

22、间形成多层有机化合物层。多层有机化合物层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。OLED元件OLED在第九周期T9期间，基于在驱动TFTDTFT的控制下提供的电流发光。OLED元件OLED的阳极连接至第三节点N3，并且OLED元件OLED的阴极连接至低电势电压源或接地电平电压源GND。0044下面参照图2至图8分阶段说明发光单元的工作。0045在第一周期T1期间，由于第二扫描线22的电压保持在高逻辑电压，所以第一和说明书CN102023667ACN102023681A5/9页7第三TFTT1和T3保持截止状态。由于第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压，所以第二和第四TFTT。

23、2和T4保持在导通状态。第五TFTT5响应提供至第一扫描线21的第一扫描脉冲SCAN而导通，因此从截止状态变成导通状态。第一节点N1被充电到通过第二TFTT2提供的参考电压VREF，第二节点N2被充电到VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3被充电到VDDVTHT4的VTH电压，其中“VTH”是驱动TFTDTFT的阈值电压，并且“T4的VTH”是第四TFTT4的阈值电压。当第五TFTT5是截止状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD通过第四TFTT4流入OLED元件OLED，由此导通OLED元件OLED。0046在第二周期T2期间，由于第二扫描线22的电压保持在高逻辑电压，所以第。

24、一和第三TFTT1和T3保持截止状态。由于第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压，所以第二和第四TFTT2和T4保持导通状态。由于低逻辑电压的第一扫描脉冲SCAN，所以第五TFTT5保持导通状态。第一节点N1的电压保持在参考电压VREF，第二节点N2的电压保持在VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3被充电到OLED元件OLED的电压VOLED。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD经由第四TFTT4、第五TFTT5和第二TFTT2流入第一节点N1，并且OLED元件OLED截止。0047在第三周期T3期间，低逻辑电压的第二扫描脉冲SRO提供至第二扫描线22。

25、。由于第二扫描线22的电压从高逻辑电压变成低逻辑电压，所以第一和第三TFTT1和T3导通，从而从截止状态变成导通状态。由于第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压，所以第二和第四TFTT2和T4保持导通状态。由于第一扫描线21的电压保持在低逻辑电压，所以第五TFTT5保持导通状态。第一节点N1的电压保持在参考电压VREF，第二节点N2的电压保持在VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD经由第四TFTT4、第五TFTT5和第二TFTT2流入第一节点N1，并且OLED元件OL。

26、ED截止。0048在第四周期T4期间，高逻辑电压的发光控制脉冲EM提供至第三扫描线23。由于第二扫描线22的电压保持在低逻辑电压，所以第一和第三TFTT1和T3保持导通状态。由于第三扫描线23的电压从低逻辑电压变成高逻辑电压，所以第二和第四TFTT2和T4截止，因此从导通状态变成截止状态。由于第一扫描线21的电压保持在低逻辑电压，所以第五TFTT5保持导通状态。第一节点N1的电压保持在参考电压VREF，第二节点N2的电压变成VDDVTH电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。当第三TFTT3导通时，驱动TFTDTFT的栅极和漏极短路，因此驱动TFTDTFT作为二。

27、极管工作。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD经由第四TFTT4和第五TFTT5流入调节器11，并且OLED元件OLED截止。当数据电压为DATAVREF黑灰级时，在调节器11中反向流动的反向电流具有最大值。0049在第五周期T5期间，第一、第三和第五TFTT1、T3和T5保持导通状态，并且第二和第四TFTT2和T4保持截止状态。第一节点N1被充电到数据电压VDATA，第二节点N2的电压变成VDDVTHVDATEVREF电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。在这种情况下，根据电荷守恒定律，存储电容器CSTG的电压说明书CN1020。

28、23667ACN102023681A6/9页8具有恒定的电荷量。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD经由第三TFTT3流入第二节点N2，并且OLED元件OLED截止。0050在第六周期T6期间，第一、第三和第五TFTT1、T3和T5保持导通状态。由于第三扫描线23的电压从高逻辑电压变成低逻辑电压，所以第二和第四TFTT2和T4导通，由此从截止状态变成导通状态。第一节点N1的电压保持在数据电压VDATA，第二节点N2的电压保持在VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动T。

29、FTDTFT的源漏电流ISD经由第三TFTT3流入第二节点N2，并且OLED元件OLED截止。0051在第七周期T7期间，由于第二扫描线22的电压从低逻辑电压变成高逻辑电压，所以第一和第三TFTT1和T3截止，因此从导通状态变成截止状态。第二、第四和第五TFTT2、T4和T5保持导通状态。第一和第三TFTT1和T3在第二和第四TFTT2和T4导通时截止。第一节点N1的电压从数据电压VDATA变成参考电压VREF，第二节点N2的电压保持在VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电。

30、流ISD经由第四TFTT4、第五TFTT5和第二TFTT2流入第一节点N1，并且OLED元件OLED截止。0052在第八周期T8期间，第一和第三TFTT1和T3保持截止状态，并且第二和第四TFTT2和T4保持导通状态。由于第一扫描线21的电压从低逻辑电压变成高逻辑电压，所以第五TFTT5截止，因此从导通状态变成截止状态。第一节点N1的电压保持在参考电压VREF，第二节点N2的电压保持在VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD经由第四TFTT4、第五TFTT5和第二TF。

31、TT2流入第一节点N1，并且OLED元件OLED截止。0053在第九周期T9期间，第一、第三和第五TFTT1、T3和T5保持截止状态，并且第二和第四TFTT2和T4保持导通状态。第一节点N1的电压保持在参考电压VREF，第二节点N2的电压保持在VDDVTHVDATAVREF电压，并且第三节点N3的电压保持在OLED元件OLED的电压VOLED。当第五TFTT5处于导通状态时，驱动TFTDTFT的源漏电流ISD经由第四TFTT4流入OLED元件OLED，并且OLED元件OLED导通。在第九周期T9期间，电流IOLED流入OLED元件OLED，该IOLED不受驱动TFTDTFT的阈值电压VTH的影。

32、响，如下面的公式1所表示0054公式1005500560057在公式1中，K是包含驱动TFTDTFT的迁移率和寄生电容COX的函数的常数，L是驱动TFTDTFT的沟道长度，并且W是驱动TFTDTFT的沟道宽度。0058图9是示出根据本发明典型实施例的发光单元的另一结构的电路图。图10是示出图9中所示的发光单元的驱动信号波形的波形图。说明书CN102023667ACN102023681A7/9页90059如图9和图10中所示，发光单元包括第一至第五TFTT11至T15、驱动TFTDTFT、存储电容器CSTG和OLED元件OLED。用P型MOSFET实现第一至第五TFTT11至T15和驱动TFTD。

33、TFT。0060第一TFTT11是用于响应第二扫描脉冲SRO向第一节点N1提供数据电压DATA的开关TFT。第一TFTT11在提供第二扫描脉冲SRO的第三和第四周期T13和T14期间导通，并且在数据线20与第一节点N1之间形成电流路径。第一TFTT11的漏极连接至第一节点N1，第一TFTT11的源极连接至数据线20，并且第一TFTT11的栅极连接至第二扫描线22。0061第二TFTT12在第四周期T14期间，响应发光控制脉冲EM以阻断第一节点N1与调节器11之间的电流路径。第二TFTT12在第一周期T11至第三周期T13和第五周期T15期间导通，在这些周期中第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压。

34、，并且第二TFTT12将来自调节器11的参考电压VREF提供至第一节点N1。参考电压VREF被提供至第二TFTT12的源极，第二TFTT12的漏极连接至第一节点N1，并且第二TFTT12的栅极连接至第三扫描线23。0062第三TFTT13在第三周期T13和第四周期T14期间，响应第二扫描脉冲SRO将第二节点N2的电压提供至第四TFTT14的源极。第三TFTT13的源极连接至第二节点N2，第三TFTT13的漏极连接至第四TFTT14的源极和驱动TFTDTFT的漏极，并且第三TFTT13的栅极连接至第二扫描线22。0063第四TFTT14在第四周期T14期间，响应发光控制脉冲EM以阻断驱动TFTD。

35、TFT和第三TFTT13与OLED元件OLED之间的电流路径。第四TFTT14在第一周期T11至第三周期T13和第五周期T15期间导通，在这些周期中第三扫描线23的电压保持在低逻辑电压，并且第四TFTT14在驱动TFTDTFT和第三TFTT13与OLED元件OLED之间形成电流路径。第四TFTT14的漏极连接至OLED元件OLED的阳极，第四TFTT14的源极连接至驱动TFTDTFT的漏极和第三TFTT13的漏极，并且第四TFTT14的栅极连接至第三扫描线23。0064第五TFTT15在第二周期T12至第四周期T14期间响应第一扫描脉冲SCAN而导通，并且在第三节点N3与调节器11之间形成电流。

36、路径。第一扫描脉冲SCAN的脉冲宽度大于第二扫描脉冲SRO的脉冲宽度。第一扫描脉冲SCAN的上升时间早于第二扫描脉冲SRO的上升时间，并且第一扫描脉冲SCAN的下降时间与第二扫描脉冲SRO的下降时间相同。第五TFTT15的漏极连接至第三节点N3，第五TFTT15的源极连接至调节器11，并且第五TFTT15的栅极连接至第一扫描线21。0065驱动TFTDTFT将来自高电势电压源VDD的电流提供至OLED元件OLED，并且使用驱动TFTDTFT的栅源电压以控制来自高电势电压源VDD的电流。驱动TFTDTFT的漏极连接至第三TFTT13的漏极和第四TFTT14的源极，驱动TFTDTFT的源极连接至高。

37、电势电压源VDD，并且驱动TFTDTFT的栅极连接至第二节点N2。0066存储电容器CSTG连接在第一节点N1与第二节点N2之间，并且保持在驱动TFTDTFT的栅电压。0067在OLED元件OLED的阳极与阴极之间形成多层有机化合物层。多层有机化合物层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。OLED元件说明书CN102023667ACN102023681A8/9页10OLED在第五周期T15期间，基于在驱动TFTDTFT的控制下提供的电流而发光。OLED元件OLED的阳极连接至第三节点N3，并且OLED元件OLED的阴极连接至低电势电压源或接地电平电压源GND。0068在图。

38、9中所示的发光单元中，在第一至第三扫描线21至23的电压保持在低逻辑电压的第三周期T13期间，反向电流可以按图9的箭头所示的方向流入调节器11。0069图11是示出根据本发明典型实施例的调节器的结构的电路图。图12是示出图11中所示的调节器的输出端的电路图。0070如图14中所示，根据本发明典型实施例的调节器11包括参考电压产生单元131、比较器132、TFTT134、分压电阻电路R1R2和缓冲器133。0071参考电压产生单元131包括电阻器R和齐纳二极管DZ，并且输出参考电压VR。比较器132比较参考电压VR与比较器132的输出端的电压的反馈电压VF。当反馈电压VF小于参考电压VR时，比较。

39、器132使TFTT134导通，由此均匀地保持通过调节器11的输出端输出的参考电压VREF。TFTT134在比较器132的控制下导通或者截止，并且接通或者切断输入电压VIN与分压电阻电路R1和R2之间的电流路径。输入电压VIN提供至TFTT134的漏极，TFTT134的源极连接至分压电阻电路R1R2的第一电阻器R1，并且TFTT134的栅极连接至比较器132的输出端。在图11中，DP表示TFTT134的寄生二极管。分压电阻电路R1R2包括彼此串联连接的第一电阻器R1和第二电阻器R2。分压电阻电路R1R2对调节器的输出端的电压进行分压以产生反馈电压VF，并将反馈电压VF通过第一电阻器R1和第二电阻。

40、器R2之间的节点输入至比较器132的倒相输入端。0072从调节器11输出的参考电压VREF取决于齐纳二极管DZ的电压VZ。因为分压电阻电路R1R2的电压总是恒定的，所以如果齐纳二极管DZ的电压VZ不改变，则分压电阻电路R1R2输出恒定的反馈电压VF。0073缓冲器133使用运算放大器OPAMP将通过TFTT134输入的参考电压VREF发送至调节器11的输出端，而不损失参考电压VREF。缓冲器133将来自放电单元的反向电流ISK放电至接地电平电压源GND，由此防止由于反向电流ISK造成输入电压VIN的摆动而产生参考电压VREF的改变。如图12中所示，缓冲器133的输出端具有这样的结构N型TFTT。

41、141和P型TFTT142以逆变器推挽方式连接。从发光单元反向流入调节器11中的反向电流ISK通过P型TFTT142的源漏极放电至接地电平电压源GND。0074图13是示出根据本发明典型实施例的调节器的另一结构的电路图。0075如图13中所示，根据本发明典型实施例的调节器11包括参考电压产生单元131、比较器132、TFTT134、分压电阻电路R1R2、反向控制器141和TFTT142。由于图13中的参考电压产生单元131、比较器132、TFTT134和分压电阻电压R1R2的结构与图11中所示的基本相同，因此可以简要地或完全省略其进一步说明。0076反向控制器141和TFTT142将反向电流I。

42、SK放电至接地电平电压源GND，从而从放电单元反向流出的反向电流ISK不影响输入电压VIN。当反向电流ISK流入调节器11中时，由分压电阻电路R1R2的第二电阻器R2感测的反馈电压VF上升。当由第二电阻器R2感测的反馈电压VF等于或者大于参考电压VR时，反向控制器141使TFTT142导通，并且将反向电流ISK放电至接地电平电压源GND。当反馈电压VF未上升，并且保持在恒定电压时，反向控制器141使TFTT142截止。可以用P型MOSTFT实现TFT说明书CN102023667ACN102023681A9/9页11T142。TFTT142的源极连接至调节器11的输出端，TFTT142的漏极连接。

43、至接地电平电压源GND，并且TFTT142的栅极连接至反向控制器141的输出端。0077在图11和图12中所示的电路中，能够使反向电流迅速放电的电路可以一起应用在一个调节器11中。0078如上所述，本发明典型实施例添加了能够阻断反向电流流入调节器的电路，由此即使反向电流反向流入调节器，也能够保持参考电压恒定。此外，本发明典型实施例使用调节器保持提供至像素电路的参考电压恒定，该参考电压补偿发光单元的驱动TFT的阈值电压，由此提高OLED显示器的显示质量。0079尽管已经参考其多个说明性实施例描述了实施例，但是应理解本领域的技术人员可以设计出落入本说明书原理的保护范围之内的许多其它的修改和实施例。。

44、更具体地，可以在本说明书、附图和权利要求书的范围内的组成部件和/或主题组合配置结构内进行多种改变和修改。除了组成部件和/或配置的改变和修改之外，对于本领域的技术人员来说替代使用也是显而易见的。说明书CN102023667ACN102023681A1/11页12图1说明书附图CN102023667ACN102023681A2/11页13图2说明书附图CN102023667ACN102023681A3/11页14图3说明书附图CN102023667ACN102023681A4/11页15图4说明书附图CN102023667ACN102023681A5/11页16图5说明书附图CN102023667ACN102023681A6/11页17图6说明书附图CN102023667ACN102023681A7/11页18图7说明书附图CN102023667ACN102023681A8/11页19图8说明书附图CN102023667ACN102023681A9/11页20图9图10说明书附图CN102023667ACN102023681A10/11页21图11说明书附图CN102023667ACN102023681A11/11页22图12图13说明书附图CN102023667A。