CN200810091394.0
2008.05.08
CN101576681A
2009.11.11
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授权|||专利申请权的转移IPC(主分类):G02F 1/1335变更事项:申请人变更前权利人:奇美电子股份有限公司变更后权利人:奇美电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾台南县变更后权利人:中国台湾苗栗县登记生效日:20130725|||著录事项变更IPC(主分类):G02F 1/1335变更事项:申请人变更前:奇美电子股份有限公司变更后:群创光电股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾苗栗县变更后:中国台湾苗栗县|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1335申请日:20080508|||公开
G02F1/1335; G02F1/133; G09G3/36
G02F1/1335
奇美电子股份有限公司
李宜锦; 杨长浩; 陈建宏
中国台湾台南县
永新专利商标代理有限公司
蹇 炜
一种半透射半反射显示单元与其驱动方法,上述半透射半反射显示单元包括第一反射区与透射区,其中透射区中具有第二反射区。通过调整第二反射区与第一反射区的面积比例,来调整半透射半反射显示单元的反射率,使其符合透射率与驱动电压的变化关系。
1、 一种半透射半反射显示单元,包括:第一反射区,用于显示第一影像,所述第一反射区至少包括第一反射电极以及第一绝缘层,其中所述第一反射电极形成于第一基板之上,所述第一绝缘层则形成于所述第一反射电极的上下两侧或形成于所述第一反射电极与所述第一基板之间;以及透射区,用于显示第二影像,所述透射区至少包括透明电极与第二反射电极,所述透明电极电连接至所述第二反射电极并形成于所述第一基板之上;其中,所述第一反射区与所述透射区分别具有第二基板、共用电极以及液晶层,所述共用电极形成于所述第二基板之上并邻近于所述液晶层,所述液晶层位于所述第一电极与所述第二基板之间,所述第一反射区与所述透射区相邻,且所述第二反射电极形成第二反射区。2、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述透射区还包括:第二绝缘层,形成于所述第二基板与所述透明电极之间。3、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述第二基板为彩色滤光片的玻璃基板。4、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述第一反射电极与所述第二反射电极由铝所形成。5、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述第一反射区的相位延迟量为四分之一个光波长。6、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述透射区的相位延迟量为二分之一个光波长。7、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述第一反射区与所述透射区的液晶厚度相同。8、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述第一反射区包括:第一反射区电容;以及绝缘层电容。9、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述第一反射区包括第一反射区电容。10、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,其中所述透射区包括:透射区电容;以及第二反射区电容,由所述第二反射区形成。11、 如权利要求1所述的半透射半反射显示单元,还包括:第一晶体管,耦接至所述第一反射区与数据线之间;以及第二晶体管,耦接至所述透射区与所述数据线之间;其中,所述第一晶体管与所述第二晶体管的栅极耦接于扫描线。12、 一种半透射半反射显示单元的驱动方法,所述半透射半反射显示单元包括透射区与第一反射区,所述驱动方法包括下列步骤:提供像素驱动电压至所述透射区与所述第一反射区;提供耦合电压,经由存储电容耦合至所述第一反射区;以及调整所述耦合电压,以调整所述第一反射区两端的电压差。13、 如权利要求12所述的驱动方法,其中在调整所述耦合电压的步骤中包括:当所述像素驱动电压为正极性驱动时,使所述耦合电压小于共用电压;以及当所述像素驱动电压为负极性驱动时,使所述耦合电压大于所述共用电压。14、 如权利要求12所述的驱动方法,其中在调整所述耦合电压的步骤中还包括:当所述像素驱动电压为正极性驱动时,使所述耦合电压大于共用电压;以及当所述像素驱动电压为负极性驱动时,使所述耦合电压小于所述共用电压。15、 如权利要求12所述的驱动方法,其中所述透射区还包括第二反射区,且所述第一反射区与所述透射区的液晶厚度相同。16、 一种半透射半反射液晶显示装置,包括:第一基板,包括:反射显示区,包括第一反射电极;以及透射显示区,包括透明电极与第二反射电极,其中所述第二反射电极位于所述透明电极之中;第二基板,包括共用电极;以及液晶层,形成于所述第一基板与所述第二基板之间。17、 如权利要求16所述的半透射半反射液晶显示装置,还包括:绝缘层,形成于所述第一反射电极的上下两侧或形成于所述第一反射电极与所述第一基板之间。18、 如权利要求16所述的半透射半反射液晶显示装置,还包括:绝缘层,形成于所述第一基板与所述透明电极之间。
半透射半反射显示单元与其驱动方法 技术领域 本发明涉及一种半透射半反射显示器(Transflective Display),且尤其涉及一种液晶厚度相同的半透射半反射显示器的显示单元。 背景技术 一般液晶显示器可分为透射式、反射式,以及半透射半反射式三大类。其中半透射半反射式液晶显示器可同时在光线充足与光线不足的情形下使用,因此可应用的范围较广。 在半透射半反射液晶显示器中,通常会在一个像素内分成透射区和反射区。透射区的光源来自背光板,反射区的光源则来自环境光。当外加电压于液晶层,改变液晶层对相位的延迟量,再通过偏光板而有亮暗的变化。由于光线在反射区的液晶层中的传输距离大约是光线在透射区的液晶层中的传输距离的两倍,因此自反射区及透射区的液晶层对光线造成不同的相位延迟量,所以反射区亮度对电压变化的趋势跟透射区不同。如图1所示,图1为根据传统技术的光线强度与电压关系曲线。此液晶为垂直配向,其中曲线C1表示反射区的光线相对强度,曲线C2表示透射区的光线相对强度。当外加电压到3伏特时,反射率已经达到100%,但是透射率仅到60%而已。在这种情形下,半透射半反射式液晶显示器的显示效果不佳。 因此,若想达到较佳的显示效果,则需将反射区与透射区的光线强度曲线调整至相近的位置,使其与电压的变化关系相近。 发明内容 本发明提供一种半透射半反射显示单元,适用于半透射半反射显示器,通过在反射区增加一层绝缘层与在透射区增加新的反射区来调整光线反射率,使其与光线透射率的电压关系相近。 本发明提供一种半透射半反射显示单元的驱动方法,利用电压耦合的方式,调整反射区的液晶跨压,使反射率与透射率与电压之间的关系曲线相近,以改善显示质量。 本发明提出一种半透射半反射显示单元,包括第一反射区与透射区,其中透射区中具有第二反射区。第一反射区用于显示第一影像,透射区则用于显示第二影像,其中第一反射区至少包括第一反射电极以及第一绝缘层,其中上述第一反射电极形成于第一基板之上,该第一绝缘层则形成于该第一反射电极的上下两侧或形成于该第一反射电极与该第一基板之间。透射区至少包括透明电极与第二反射电极,上述透明电极与第二反射电极相邻并形成于第一基板之上。其中,第一反射区与透射区分别具有第二基板、共用电极以及液晶层,该共用电极形成于该第二基板之上并邻近于该液晶层,该液晶层位于该共用电极与该第一基板之间,该第一反射区与该透射区相邻,且该第二反射电极形成第二反射区。 在本发明一实施例中,上述透射区还包括第二绝缘层与共用电极,上述第二绝缘层形成于第一基板与透明电极之间。 在本发明另一实施例中,上述第二反射电极由铝所形成,而第二基板由彩色滤光片所形成。 在本发明另一实施例中,上述第一反射区与透射区的液晶厚度相同,且透射区操作于第一电压区间,第一反射区操作于第二电压区间,第二电压区间的电压差小于第一电压区间的电压差。 在本发明另一实施例中,上述第一反射区的相位延迟量为四分之一个光波长。上述透射区的相位延迟量为二分之一个光波长。 从另一个观点来看,本案又提出一种半透射半反射液晶显示装置,包括第一基板与第二基板,其中第一基板包括反射显示区与透射显示区。反射显示区包括第一反射电极,而透射显示区则包括透明电极与第二反射电极,其中第二反射电极位于透明电极之中。第二基板包括共用电极以及液晶层,上述液晶层形成于第一基板与第二基板之间。 在本发明一实施例中,上述第一基板还包括绝缘层,形成于第一反射电极的上下两侧或形成于第一反射电极与第一基板之间。 本发明另提出一种半透射半反射显示单元的驱动方法,可应用于上述半透射半反射显示单元以及一般半透射半反射显示单元,此驱动方法包括下列步骤:提供像素驱动电压至透射区与第一反射区;提供一耦合电压,经由存储电容耦合至第一反射区;以及调整耦合电压,以调整第一反射区两端的电压差。 在本发明一实施例中,上述的驱动方法,其中在调整该耦合电压的步骤中包括:当像素驱动电压为正极性驱动时,使该耦合电压小于共用电压;以及当像素驱动电压为负极性驱动时,使耦合电压大于共用电压。 在本发明一实施例中,上述的驱动方法,其中在调整该耦合电压的步骤中包括:当像素驱动电压为正极性驱动时,使该耦合电压大于共用电压;以及当像素驱动电压为负极性驱动时,使耦合电压小于共用电压。 在本发明一实施例中,上述的驱动方法,其中在提供耦合电压的步骤中,还包括提供透射区耦合电压,经由透射区耦合电容,耦合至透射区。 本发明在原先透射区的部分面积镀上铝板,增加一个第二反射区,再借着第二反射区和原先设计相位延迟量为λ/4(λ为光波长)的第一反射区,以不同的面积比例,来补偿反射率对电压关系的中间亮度部份,使其更符合透射率对电压关系图,进而达到改善半透射半反射液晶显示器的显示效果。 为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举本发明的优选实施例,并结合附图,作详细说明如下。 附图说明 图1为根据传统技术的光线强度与电压关系曲线; 图2A为根据本发明第一实施例的半透射半反射显示单元的结构图; 图2B为根据图2A的光线相对强度与电压关系曲线图; 图2C为根据本发明第一实施例的半透射半反射显示单元的结构示意图; 图2D为根据图2C的等效像素电路图; 图3A为根据本发明第二实施例的半透射半反射显示单元的结构示意图; 图3B为根据图3A的等效像素电路图; 图4A为根据本发明第三实施例的半透射半反射显示单元的驱动方法; 图4B为根据第三实施例的信号波形图; 图4C为根据本发明第三实施例的光线相对强度与电压关系曲线图。 具体实施方式 第一实施例 图2A为根据本发明第一实施例的半透射半反射显示单元的结构示意图。半透射半反射显示单元200包括第一反射区201与透射区203,其中透射区203中具有第二反射区204。第一反射区201由第一基板210、第一反射电极220、绝缘层230、液晶层260、共用电极270以及第二基板280所构成。第一反射电极220形成于第一基板210之上,绝缘层230形成于第一反射电极220之上,而液晶层260则配置于绝缘层230与共用电极270之间,共用电极270形成于第二基板280之上。透射区203由第一基板210、绝缘层240、透明电极250、液晶层260、共用电极270以及第二基板280所构成。绝缘层240形成于第一基板210与透明电极250之间,而液晶层260则配置于透明电极250与共用电极270之间,共用电极270形成于第二基板280之上。此外,透明电极250的区域中还包括第二反射电极225以形成第二反射区204。 此外,值得注意的是,绝缘层230可形成于第一反射电极220的上下两侧或形成于第一反射电极220与第一基板210之间。绝缘层230、240则可利用同一道工艺形成或是利用不同道工艺来形成,也就是说,绝缘层230、240可为同一层绝缘层或独立形成的绝缘层,本实施例并不受限。 在本实施例中,第二基板280与第一基板210例如为玻璃基板,第二基板280则可由彩色滤光片(未绘示)的玻璃基板所取代,共用电极270可直接形成在彩色滤光片的玻璃基板上,并邻近于液晶层。绝缘层230例如为透明材质,光线可透射绝缘层230,再经由第一反射电极220反射后,再经过液晶层260显示相对应的光线强度。共用电极270与透明电极250则例如是氧化铟锡(ITO)或是透明的导电材质(如:ITO、TiO2、Ti及TiN等材料),其中共用电极270通常耦接至共用电压(common voltage,或简称为VCOM)。第一反射电极220与在第二反射区域204中的第二反射电极225则例如是铝板。第二反射电极225的面积大小则可依设计需求而定,经由调整第二反射电极225与第一反射电极220的面积比例,即可调整反射区所造成的光线强度与电压关系曲线,即反射率。 透射区203的光源来自背光板(未绘示),第一反射区201的光源则来自环境光。当外加电压于液晶层时,会改变液晶层的相位延迟量(retardation),再通过上偏光板(通常设置在第二基板280之上)而有亮暗的变化。光线的行进路线则如图2A中的箭头所标示一般,在透射区203中直接由背光源透射液晶层260。在第一反射区201与第二反射区204,光线则经由反射所形成。 由于绝缘层230会使得第一反射区201中的液晶层260所受到的实质跨压(共用电极270至绝缘层230表面的电压差)下降,因此在相同的驱动电压(通常由数据线所提供的像素驱动电压)下,其反射率较低。而结合反射率较高的第二反射区,所形成的反射率则可与透射区的光线透射率具有相近的电压关系曲线。 在本实施例中,将反射区(包括第一反射区201与第二反射区204)所产生的光线相对强度与电压的关系称之为反射率,将透射区(扣除第二反射区204的透射区203)所产生的光线相对强度与电压的关系称之为透射率。参照图2B,图2B为根据图2A的光线相对强度与电压关系曲线图。曲线C201表示第一反射区201的光线反射率与电压之间的关系曲线,曲线C204则表示第二反射区204所造成的反射率与电压之间的关系曲线,而曲线C20则表示综合第一反射区201与第二反射区204的光线反射率与电压之间的关系曲线。曲线C203则表示透射区203的光线透射率与电压之间的关系曲线。由于本实施例中,在透明电极250上,利用铝板形成第二反射电极225,因此增加了光线反射的效果。综合第一反射区201与第二反射区204的光线强度所形成的曲线C20,其与电压之间的变化曲线相近于曲线C203(虚线部分)。换言之,在所需的电压操作区间,半透射半反射显示单元200的反射率与透射率相近,其显示质量较佳。 在本实施例中,透射区203与第一反射区201的液晶厚度相同,绝缘层230可使第一反射区201中的液晶层260产生较小的相位延迟量,例如为透射区203的一半。由于光线在第一反射区201中需要穿越两次液晶层260,因此若令光波长为λ,则可设计透射区203的相位延迟量为λ/2,第一反射区201的相位延迟量为λ/4,如此便可使第一反射区201与透射区203所造成的相位延迟量相同,进而使透射率与反射率两者对电压的关系一致。此外,通过调整第二反射区204与第一反射区201的面积比例,可改变半透射半反射显示单元200整体的反射率,而第二反射区204的配置并不限定于图2B中的位置及其数量,亦可由多个分散区域所形成,同样具有调整反射率的功效。 由于不同的像素设计会对应到不同的像素结构,同时也会设置对应的开关元件(如晶体管)以及存储电容,因此上述图2A仅绘示像素结构中的主要电容结构,用于说明本实施例主要的技术手段,也就是在透射区中设置第二反射区。本实施例并不限定于上述图2A的架构,本实施例可配合不同的像素设计,在透射区中设置所需的第二反射区。 接下来,参照图2C,图2C为根据本发明第一实施例的半透射半反射显示单元的结构示意图。图2C与图2A主要不同在于更进一步绘示晶体管M201与存储电容CST的设置位置以及更详细绘示第一反射区电容CR1、绝缘层电容COG、第二反射区电容CR2、透射区电容CT以及存储电容CST1在实际工艺中的结构。 第一反射区201的第一反射电极220是由第三金属层(例如铝板)M3所形成,并位于绝缘层230之中(即绝缘层230形成于第一反射电极的220的上下两侧),可通过第一反射电极220形成的位置调整绝缘层电容COG的电容值,同时也可以调整第一反射区201中的液晶跨压(即第一反射区电容CR1两端的电压差)与数据线DL所传送的像素驱动电压之间的比例关系。当第一反射电极220与液晶层260之间的绝缘层230越薄时,第一反射区电容CR1两端的电压差(可由电场分布以及液晶层260的厚度推知)则越接近数据线DL所传送的像素驱动电压,通过调整第一反射电极220与液晶层260之间的绝缘层230厚度亦可调整第一反射区201中的反射率。 第二反射电极225同样由第三金属层M3所形成并电连接至透明电极250,用于在透射区203中形成第二反射区204,其中第二反射电极225与透明电极250因为相互电连接而具有相同的电位。当扫描线SL导通晶体管M201时,数据线DL会经由晶体管M201传送像素驱动电压至半透射半反射显示单元290并使第一反射电极220、第二反射电极225以及透明电极250具有相同的像素驱动电压。在本实施例中,可利用第二反射电极225的面积大小来调整半透射半反射显示单元290的反射率与透射率,使两者的电压变化曲线较为相近以提高画面显示质量。 在半透射半反射显示单元的像素驱动电路方面,晶体管M201的栅极端GT耦接于扫描线,其漏极端DT耦接于数据线,其源极端则经由第二金属层M2、第三金属层M3电连接至第一反射电极220、第二反射电极225以及透明电极250。而存储电容CST的端点P1除了可耦接于共用电压以外,亦可应用于改善半透射半反射显示单元的驱动效果,例如将存储电容CST的端点P1耦接于耦合电压,经由调整耦合电压以达到过驱动(overdriving)的驱动效果。 此外,值得注意的是,上述利用第二反射电极225的面积大小与调整第一反射电极220与液晶层260之间的绝缘层230厚度两种技术手段可单独使用或合并使用,可更有效调整半透射半反射显示单元290的反射率与透射率。 图2D为根据图2C的等效像素电路图。以下说明同时参照图2A、图2C,像素电路295包括晶体管M201、第一反射区电容CR1、绝缘层电容COG、第二反射区电容CR2、透射区电容CT以及存储电容CST。第一反射区201主要包括第一反射区电容CR1以及绝缘层电容COG,透射区203主要包括透射区电容CT。在一般液晶显示面板的工艺中,晶体管M201与存储电容CST通常由第一金属层M1、第二金属层M2、半导体层(semiconductor electrode,简称SE)以及隔离层所构成,如图2C所示。 其中第二反射区电容CR2、透射区电容CT以及存储电容CST的一端(即共用电极270)耦接于共用电压VCOM,另一端(即第一反射电极220、第二反射电极225以及透明电极250)耦接于晶体管M201,第一反射区电容CR1与绝缘层电容COG则串联耦接于晶体管M201与共用电压VCOM之间。晶体管M201耦接于数据线DL与扫描线SL,当晶体管M201被扫描线SL导通时,数据线DL可经由晶体管对像素电路295中的电容充电。 对应图2D与图2C,因为第一反射电极220与共用电极270之间具有绝缘层230与液晶层260,因此形成绝缘层电容COG与第一反射区电容CR1。透明电极250与共用电极270则形成透射区电容CT,第二反射电极225与共用电极270则形成第二反射区电容CR2。关于图2D与图2C中元件的对应位置,请直接参照图中标示与元件名称,在此不再详细描述。 在本实施例中,半透射半反射显示单元200表示液晶显示面板中的一个像素结构,其中第一反射区201用于显示第一影像,而透射区203则用于显示第二影像,结合第一影像与第二影像则形成一个像素影像。由于透射区203中尚包括第二反射区204,因此可用来加强整体像素的反射效果。就像素结构而言,可将第一反射电极视为反射显示区,而透明电极与第二反射电极则视为透射显示区。 第二实施例 图3A为根据本发明第二实施例的半透射半反射显示单元的结构示意图。在本实施例中的半透射半反射显示单元300同样包括透射区203与第一反射区201,且透射区203中尚包括第二反射区204。图3A与图2C主要差异在于图3A中的第一反射区20与1透射区203分别由晶体管M301、M303所控制,且第一反射电极220设置于绝缘层230之上,因此在第一反射区201中没有等效的绝缘层电容。 透射区203的透射区电容CT、第二反射区电容CR2以及存储电容CST2的一端会耦接于晶体管M303的源极端,而第一反射区201中的第一反射区电容CR1与存储电容CST1的一端会耦接于晶体管M301的源极端。晶体管M301、M303的漏极端DT耦接于数据线,其栅极端GT则均耦接于扫描线。换言之,即是将半透射半反射显示单元300分为两个子像素结构,分别为第一反射区201与透射区203。因为第一反射区201与透射区203两区域的像素电极由晶体管M301、M303分开,因此可通过存储电容CST1与CST2分别调整其驱动时的液晶跨压。其中存储电容CST1、CST2可由液晶面板工艺中的第一金属层M1与第二金属层M2所构成。 当扫描线致能时,晶体管M301、M303会导通,数据线便可对第一反射区电容CR1、存储电容CST1、透射区电容CT、第二反射区电容以及存储电容CST2进行充电。本实施例可通过调整第二反射电极222的面积大小来调整整个半透射半反射显示单元300的平均反射率,使其与透射率的电压变化曲线相近。此外,由于第一反射区201与透射区203分别由晶体管M301、M303所控制,因此本实施例亦可分别经由存储电容CST1、CST2的端点P2、P3调整第一反射区201与透射区203中的液晶跨压,使半透射半反射显示单元300的反射率与透射率相近。 接下来,同时参照图3A、图3B,图3B为根据图3A的等效像素电路图。像素电路310包括晶体管M301、M303,第一反射区电容CR1、存储电容CST1、透射区电容CT、第二反射区电容CR2以及存储电容CST2。其中第一反射区电容CR1、存储电容CST1表示第一反射区201中的等效电路,透射区电容CT、第二反射区电容CR2以及存储电容CST2表示透射区203中的等效电路。图3A与图3B中元件的对应位置请直接参照图中标号与元件名称,在此不再详细描述。 晶体管M301耦接于第一反射区电容CR1、存储电容CST1与数据线DL之间,晶体管M303则耦接于透射区电容CT、第二反射区电容CR2、存储电容CST2与数据线DL之间,晶体管M301、M303的栅极均耦接于扫描线SL。第一反射区电容CR1的另一端(共用电极270)耦接于共用电压VCOM,存储电容CST1的另一端(端点P2)则耦接于耦合电压VST。透射区电容CT与第二反射区电容CR2的另一端(共用电极270)均耦接于共用电压VCOM,而存储电容CST2的另一端(端点P3)则同样耦接于共用电压VCOM。 在本实施例中,除了可利用第二反射区204的设置面积来调整反射率的外,也可利用耦合电压VST来调整第一反射区201的反射率。经由存储电容CST1,耦合电压VST可耦合至第一反射区201中的像素电极,以调整其驱动电压V2。由此,便可调整第一反射区201中的光线相对强度与电压关系曲线(即反射率),使反射率与透射率的关系曲线相近,以提高画面显示质量。此外,因为实际的像素结构会因液晶面板工艺、阵列(array)设计而有所不同,因此本发明并不限定于上述图2C与图3A的结构。且关于上述图2C与图3A中其余结构细节,本领域技术人员,经由本发明的公开应可轻易推知,在此不加累述。 第三实施例 从另一个观点来看,上述实施例可归纳出一种改善半透射半反射显示单元反射率与透射率不对称的驱动方法。图4A为根据本发明第三实施例的半透射半反射显示单元的驱动方法。本实施例的驱动方法适用于驱动上述图3A实施例中的半透射半反射显示单元300。本驱动方法包括下列步骤:步骤S410提供像素驱动电压至透射区与第一反射区;步骤S420提供耦合电压,经由存储电容耦合至第一反射区,以及步骤S430调整耦合电压,以调整第一反射区的液晶跨压。 调整耦合电压主要的用意在于使半透射半反射显示单元300的反射率与透射率在同样的像素驱动电压下相近。因此,配合半透射半反射显示单元300的结构,步骤S430调整耦合电压的步骤中还包括:当像素驱动电压为正极性驱动时,使该耦合电压小于共用电压;以及当像素驱动电压为负极性驱动时,使耦合电压大于共用电压。共用电压为透射区203与第一反射区201在驱动时的共用电压电位,可为特定电压电位或是接地电压电位。在相同的像素驱动电压下,通过调整耦合电压,可改变第一反射区201中的液晶跨压,使半透射半反射显示单元300的透射率与反射率两者对电压的关系一致。在本发明另一实施例中,亦可经由透射区的耦合电容(端点P3),提供耦合电压至透射区的像素电极以调整透射区中的液晶跨压,将透射率调整至接近反射率。而耦合电压的大小,则根据透射率与反射率原先的曲线位置而定,本领域技术人员,经由本发明的公开应可轻易推知,在此不加累述。 为更清楚说明本实施例的驱动方法,以下说明同时参照图3A、3B。在面板中,半透射半反射显示单元通常以阵列式排列,图3B中则仅以单一半透射半反射显示单元的等效像素电路。在数据线DL输出像素驱动电压至第一反射区201与透射区203的像素电极(即第一反射电极220、第二反射电极225以及透明电极250)之后,扫描线SL会关闭晶体管M301、M303。此时,耦合电VST会随着像素驱动电压的驱动极性,改变其电压电位,使第一反射区电容CR1两端的电压差小于透射区电容CT两端的电压差。当像素驱动电压为正极性驱动时,耦合电压VST会小于共用电压VCOM,当像素驱动电压为负极性驱动时,耦合电压VST会大于共用电压VCOM,而耦合电压VST改变的量会影响驱动电压V2,可以下式表示: ΔV2=Cst1CR1+Cst1+Cgs2*ΔVst]]> 其中,Cst1表示存储电容CST 1的电容值,CR1表示第一反射电容CR1的电容值,Cgs2表示晶体管M301的栅-源极之间寄生电容(请确认Cgs2的说明)。 接下来,以波形图进一步说明本实施例的驱动方法,图4B为根据第三实施例的信号波形图。数据线DL所对应的信号表示像素驱动信号,当扫描线SL致能时,数据线DL即输出相对应的像素驱动电压至相对应的半透射半反射显示单元,以为上述像素电路310为例。数据线DL会对第一反射区201与透射区203进行充电,在透射区203与第一反射区201两边的电压分别以驱动电压V1、V2表示。若耦合电压VST等于共用电压VCOM,则驱动电压V1、V2相等。在本实施例中,耦合电压VST会在正极性驱动期间T1中下降至低于共用电压VCOM,在为负极性驱动期间T2中上升至高于共用电压VCOM。因此,驱动电压V2会因为耦合电压VST而在正极性驱动期间T1低于驱动电压V1,在负极性驱动期间T2中高于驱动电压V2。 经由耦合电压VST的影响,使第一反射区201中的液晶所受到的实质跨压较低,所以第一反射区201的曲线C201会往右移,进一步影响整体半透射半反射显示单元200的反射率,如图4C所示。图4C为根据本发明第三实施例的光线相对强度与电压关系曲线图。通过调整耦合电压VST的电压电位,便可微调曲线C20的位置。同时比较图4C与图2B,便可明显看出经耦接电压VST修正后的曲线C20会更接近曲线C203。换言之,整合第二实施例的半透射半反射显示单元结构与第三实施例的驱动方法将可更有效拟合曲线C20与曲线C203,使半透射半反射显示单元的光线反射率与透射率具有相近的电压变化关系。 此外,在本发明另一实施例中,耦合电压VST亦可施加在透射区,经由透射区的存储电容CST1耦合至驱动电压V1,但其电压电位需反相调整,同样具有拟合曲线的效果。综合言之,利用耦合电压VST可调整反射区或透射区的液晶跨压,让同一半透射半反射显示单元的光线反射率与光线透射率相近,而达到改善显示质量的效果。本领域技术人员,经由本发明的公开,应可轻易推知其余应用的方式,在此不加累述。 本发明在透射区增设第二反射区,并配耦合电压调整反射区的像素驱动电压,使半透射半反射显示单元中的光线反射率与光线透射率曲线更为相近,有效改善半透射半反射液晶显示器的显示效果。 虽然本发明已以优选实施例公开如上,然其并非用于限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
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一种半透射半反射显示单元与其驱动方法,上述半透射半反射显示单元包括第一反射区与透射区,其中透射区中具有第二反射区。通过调整第二反射区与第一反射区的面积比例,来调整半透射半反射显示单元的反射率,使其符合透射率与驱动电压的变化关系。 。
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