线锯的再次开始运转方法及线锯 技术领域 本发明涉及一种线锯, 一边对钢线供给浆液一边压抵半导体晶棒等的工件来进行 切断 ; 特别涉及一种利用钢线进行切断时的线锯的再次开始运转方法及其线锯。
背景技术 以往, 作为从半导体晶棒等的工件切出芯片的装置, 已知有线锯。在该线锯中, 切 断用钢线多数次地卷绕在多个带凹槽滚筒的周围而形成钢线列, 该切断用钢线往轴向被高 速驱动, 且一边适当地供给浆液一边相对于钢线列切入进给工件, 由此, 该工件可在各钢线 位置同时地被切断。
另外, 线锯的钢线采用一种拥有耐磨耗性、 耐张力性而且高硬度的线材, 例如钢琴 线等 ; 另外, 为了防止钢线的损伤, 带凹槽滚筒使用一种规定硬度的树脂滚筒, 但是由于钢 线持续地磨耗或金属疲劳等, 在切断工件时, 钢线会发生断线, 而有无法继续切断芯片的情 况。
此种情况, 以往, 在进行使工件的切入从钢线脱离的脱离作业之后, 以手动的方 式将钢线拉出, 或利用手控的方式来操作带凹槽滚筒驱动装置, 将钢线的断线处拉至其中 一方的带凹槽滚筒的适当外侧位置为止, 然后将该断线部彼此连结起来, 之后, 进行拉出作 业, 将断线后的钢线的连接部, 再次拉至不与工件的切断直接相关的位置, 或着在不能使用 的情况, 进行交换作业而换成新的钢线。
而且, 此种钢线修补处理之后, 使工件的各切入处对应于钢线列的各列, 并使其卡 合来进行恢复原状作业, 然后使工件的切断再次开始 ( 再开 ), 由此, 来进行使工件的切片 切断完成这样的恢复原状作业。
但是, 除了从开始进行钢线的恢复原状作业至再次开始工件的切断为止所需要的 时间极短的情况, 例如, 当钢线的断线并不是发生在与带凹槽滚筒嵌合之处, 则只要连接钢 线的两断线之间, 便能完成钢线处理 ; 在钢线修补处理需要长时间 (1 小时以上 ) 的情况下, 由于上述带凹槽滚筒的轴承部和钢线等的摩擦热, 原本热膨胀中的带凹槽滚筒会冷却而收 缩, 由于钢线列的间距 (pitch) 会比原先进行切断的状态更狭窄, 所以在此状态下, 若再次 开始工件的切断, 则在切出来的芯片的切断面, 会有产生无法修正的段差这样的问题。
对于此种问题, 公开了一种再次开始运转方法及装置, 在带凹槽滚筒的至少轴承 部内, 形成用以导入热交换介质的通路, 在钢线断裂时, 先停止带凹槽滚筒的旋转及浆液的 供给, 并将用以限制热收缩的热交换介质导入上述热交换介质的通路内, 之后, 进行钢线恢 复原状作业 ( 参照专利文献 1)。
若根据此种方法及装置, 即便在钢线修补处理需要长时间的情况下, 也可以将芯 片的段差, 降低至 1/4 以内的程度, 该芯片的段差是切断中断后的滚筒的收缩造成钢线间 距偏移而引起的。
专利文献 1 : 日本特开平 10-202497 号公报。
发明内容 然而, 近年来, 由于半导体组件的微细化而对于半导体芯片的质量要求变高, 伴随 着此趋势, 芯片检查方法也高灵敏度化, 于是, 在刚利用线锯切断后的段差测定中无法检测 出来的微小段差, 也会在芯片加工后的纳米形貌 ( 纳米级形貌 ) 测定中被检测出来。
而且, 利用上述以往的方法, 并无法完全地避免此种微小段差。因此, 要求更进一 步的质量改善。
本发明是鉴于上述问题而开发出来的, 其目的在于提供一种线锯的再次开始 运转方法及其线锯, 在根据线锯而实行的半导体晶棒等的工件切断中, 即便在由于钢线 的断线等而使工件的切断在途中被中断的情况下, 也能抑制加工后的芯片的纳米形貌 (Nanotopography) 的恶化, 制品芯片不会发生质量的问题, 并能使切断再次开始 ( 再开 ) 而 完成切断。
为了达成上述目的, 根据本发明提供一种线锯的再次开始运转方法, 在使卷绕在 二个以上的带凹槽滚筒上的钢线在轴向上作往复行进, 一边将切断用浆液供给至上述钢 线, 一边将工件相对地压下, 使其压抵作往复行进的上述钢线来进行切入进给, 将上述工件 切断成芯片状的线锯的运转中, 在切断途中暂时中断上述工件的切断之后, 再次开始该切 断, 其特征在于, 在上述工件的切断中, 一边测定上述带凹槽滚筒的轴向的变位量和上述工 件的温度并加以记录, 一边切断上述工件 ; 在中断上述工件的切断之后, 在再次开始上述工 件的切断之前, 通过对上述带凹槽滚筒与上述工件供给分别独立地控制温度后的温度调整 介质, 将上述带凹槽滚筒的轴向的变位量与上述工件的温度, 以分别与中断上述工件的切 断时所记录的上述变位量和温度成为相同的方式来进行调整, 之后, 再次开始进行切断。
如此, 在上述工件的切断中, 一边测定上述带凹槽滚筒的轴向的变位量和上述工 件的温度并加以记录, 一边切断上述工件, 而在中断上述工件的切断之后, 在再次开始上述 工件的切断之前, 通过对上述带凹槽滚筒与上述工件供给分别独立地控制温度后的温度调 整介质, 将上述带凹槽滚筒的轴向的变位量与上述工件的温度, 以分别与中断上述工件的 切断时所记录的变位量和温度成为相同的方式来进行调整, 之后, 再次开始进行切断。 若如 此进行则带凹槽滚筒与工件的热膨胀的状态, 在中断切断之前与再次开始之后, 并不会成 为不连续的状态, 因而能一边抑制在切断后的芯片的表面上产生段差、 纳米形貌恶化等, 一 边完成工件的切断。
此时, 优选作为供给至上述带凹槽滚筒与上述工件上的温度调整介质采用在切断 上述工件时所使用的浆液。
如此, 若作为供给至带凹槽滚筒与工件上的温度调整介质是在切断工件时所使用 的浆液, 则不用另外准备温度调整介质, 所以能使装置的构成简单化, 并且在调整带凹槽滚 筒的轴向的变位量与工件的温度后, 不用停止供给浆液, 而能迅速地再次开始切断工件, 并 能有效地抑制在切断后的芯片表面上发生段差或是纳米形貌恶化等的情况。
另外, 此时, 优选作为供给至上述带凹槽滚筒上的温度调整介质采用在切断上述 工件时所使用的浆液 ; 作为供给至上述工件上的温度调整介质使用气体。
如此, 若作为供给至上述带凹槽滚筒上的温度调整介质是在切断上述工件时所使 用的浆液, 而且, 作为供给至上述工件上的温度调整介质使用气体, 由此, 则不用新增加往 工件的浆液供给管路, 能使用更简单的装置来作温度调整, 且在调整带凹槽滚筒的轴向的
变位量与工件的温度后, 能迅速地再次开始切断工件, 并能更有效地抑制在切断后的芯片 表面上发生段差或是纳米形貌恶化等的情况。
另外, 根据本发明提供一种线锯, 使卷绕在二个以上的带凹槽滚筒上的钢线在轴 向上作往复行进, 一边将切断用浆液供给至上述钢线, 一边将工件相对地压下, 使其压抵作 往复行进的上述钢线来进行切入进给, 将上述工件切断成芯片状, 其特征在于, 具有 : 测定 上述工件切断中的上述带凹槽滚筒的轴向的变位量并加以记录的装置 ; 测定切断中的上述 工件的温度并加以记录的装置 ; 对上述带凹槽滚筒与上述工件供给分别独立地控制温度后 的温度调整介质的装置 ; 其中, 在上述工件的切断中, 根据上述变位量的记录装置与上述温 度的记录装置, 一边测定上述带凹槽滚筒的轴向的变位量和上述工件的温度并加以记录, 一边切断上述工件 ; 在切断途中暂时中断上述工件的切断之后, 在再次开始该切断之前, 利 用上述温度调整介质的供给装置, 将上述介质供给至上述带凹槽滚筒与上述工件上, 由此, 将上述带凹槽滚筒的轴向的变位量与上述工件的温度, 以分别与中断上述工件的切断时所 记录的变位量和温度成为相同的方式来进行调整, 之后, 再次开始进行切断。
如此, 如果一种线锯具备 : 测定上述工件切断中的上述带凹槽滚筒的轴向的变位 量并加以记录的装置 ; 测定切断中的上述工件的温度并加以记录的装置 ; 对上述带凹槽滚 筒与上述工件, 供给分别独立地控制温度后的温度调整介质的装置 ; 且在上述工件的切断 中, 根据上述变位量的记录装置与上述温度的记录装置, 一边测定上述带凹槽滚筒的轴向 的变位量和上述工件的温度并加以记录, 一边切断上述工件 ; 在切断途中暂时中断上述工 件的切断之后, 在再次开始该切断之前, 利用上述温度调整介质的供给装置, 将上述介质供 给至上述带凹槽滚筒与上述工件上, 由此, 将上述带凹槽滚筒的轴向的变位量与上述工件 的温度, 以分别与中断上述工件的切断时所记录的变位量和温度成为相同的方式来进行调 整, 之后, 再次开始进行切断。由此, 成为一种装置, 其带凹槽滚筒与工件的热膨胀的状态, 在中断切断之前与再次开始之后, 并不会成为不连续的状态, 因而能一边抑制在切断后的 芯片的表面上产生段差、 纳米形貌恶化等, 一边完成工件的切断。
此时, 优选作为供给至上述带凹槽滚筒与上述工件上的温度调整介质采用在切断 上述工件时所使用的浆液。
如此, 若一种装置, 其供给至带凹槽滚筒与工件上的温度调整介质是在切断工件 时所使用的浆液, 则能使构成简单化, 并且在调整带凹槽滚筒的轴向的变位量与工件的温 度后, 能迅速地再次开始切断工件, 并能有效地抑制在切断后的芯片表面上发生段差或是 纳米形貌恶化等的情况。
另外, 此时, 优选供给至上述带凹槽滚筒上的温度调整介质采用在切断上述工件 时所使用的浆液 ; 供给至上述工件上的温度调整介质是气体。
如此, 若供给至上述带凹槽滚筒上的温度调整介质是在切断上述工件时所使用的 浆液, 而且, 供给至上述工件上的温度调整介质是气体, 由此, 则成为一种装置, 不用新增加 往工件的浆液供给管路, 能构成更简单的装置, 且在调整带凹槽滚筒的轴向的变位量与工 件的温度后, 能迅速地再次开始切断工件, 并能更有效地抑制在切断后的芯片表面上发生 段差或是纳米形貌恶化等的情况。
在本发明中, 针对线锯, 在工件的切断中, 根据变位量的测定装置与温度的记录装 置, 一边测定带凹槽滚筒的轴向的变位量和工件的温度并加以记录, 一边切断工件, 而在中断上述工件的切断之后, 在再次开始上述工件的切断之前, 利用温度调整介质的供给装置, 对带凹槽滚筒与工件, 供给温度调整介质, 由此, 将带凹槽滚筒的轴向的变位量与工件的温 度, 以分别与中断上述工件的切断时所记录的变位量和温度成为相同的方式来进行调整, 之后, 再次开始进行切断, 所以, 带凹槽滚筒与工件的热膨胀的状态, 在中断切断之前与再 次开始之后, 并不会成为不连续的状态, 因而能一边抑制在切断后的芯片的表面上产生段 差、 纳米形貌恶化等, 一边完成工件的切断。 附图说明
图 1 是表示本发明的线锯的一例的概略图。
图 2 是表示本发明的线锯的另一例的概略图。
图 3 是本发明的线锯的再次开始运转方法的流程图。
图 4 是表示实施例 1、 实施例 2、 比较例 1、 比较例 2 的结果的图。
图 5 是表示以往 ( 比较例 1) 的线锯的一例的概略图。 具体实施方式 以下, 说明本发明的实施方式, 但本发明不限定于此实施方式。
以往, 根据线锯而实行的半导体芯片等的工件的切断, 例如在由于钢线的断线等, 切断途中暂时中断工件的切断, 先进行恢复原状处理, 之后再次开始 ( 再开 ) 该切断的情况 下, 若直到再次开始切断为止需要长时间 (1 小时以上 ) 的情况, 由于带凹槽滚筒的轴承部 和钢线等的摩擦热, 原本热膨胀中的带凹槽滚筒和工件会冷却而收缩, 由于钢线列的间距 会比原先进行切断的状态更狭窄, 所以在此状态下, 若再次开始工件的切断, 则会有在切出 来的芯片的切断面产生无法修正的段差这样的问题。
根据以往的方法, 此种段差虽然能降低至某种程度, 但是并无法完全地避免在芯 片加工后的纳米形貌测定中会被检测出来的微小段差的发生。因此, 要求更进一步改善切 断芯片的质量。
对此, 本发明人为了解决此种问题而进行深入的研究。 其结果, 想到了以下的技术 内容而完成本发明, 即, 当再次开始工件的切断时, 如果使带凹槽滚筒的变位量与切断的中 断前的状态相同, 并且使晶棒的热膨胀状态也与中断前相同, 则能更靠近断线前的状态, 而 能改善切断后的芯片的纳米形貌。
图 1 是表示本发明的线锯的一例的概略图。
如图 1 所示, 本发明的线锯 1 主要包括用以切断工件 W 的钢线 2、 卷绕有钢线 2 的 带凹槽滚筒 3、 用以赋予钢线 2 张力的钢线张力赋予机构 4、 将要切断的工件 W 相对地向下 方送出的工件进给机构 5、 在切断时用以供给浆液至钢线 2 上的浆液槽 10、 浆液冷却器 11 及喷嘴 12 等。
钢线 2 从一侧的线滚动条 7 送出, 经由移车台 8, 再经过由粉粒离合器 ( 定转矩马 达 9) 或上下跳动滚筒 ( 静重 (deadweight))( 未图示 ) 等所组成的钢线张力赋予机构 4, 进入带凹槽滚筒 3。钢线 2 通过卷绕于此带凹槽滚筒 3 上约 300 ~ 400 次, 而形成钢线列。 钢线 2 经过另一侧的钢线张力赋予机构 4’ 而被卷绕在线滚动条 7’ 上。
另外, 在工件切断时, 通过钢线张力赋予机构 4, 能对钢线 2 赋予适当的张力。
工件 W 粘接于抵板上, 并经由抵板和用以保持该抵板的工件板, 而通过工件进给 机构 5 而被保持。此工件进给机构 5 可利用计算机控制而以预先程序化的进给速度将保持 着的工件 W 推送。
另外, 具备一种记录装置 15, 其测定切断中的工件 W 的温度并加以记录。 记录装置 15 具有用以测定切断中的工件 W 的温度的温度计 13。此处, 作为温度计 13, 例如能使用放 射式温度计。如此, 若使用放射式温度计来测定工件 W 的温度, 则能以非接触的方式进行高 精度的测定, 所以优选放射式温度计。
当进行切断时, 工件 W 通过工件进给机构 5, 往位于下方的钢线 2 进给。此工件进 给机构 5 通过将工件 W 相对地往下方推压, 直到钢线 2 到达抵板 14, 从而使工件 W 压抵钢 线 2 来进行切入进给。而且, 完成工件 W 的切断之后, 通过使工件 W 的推送方向相反, 将切 断结束的工件 W 从钢线列拔出。
另外, 带凹槽滚筒 3 是在钢铁制圆筒的周边压入聚胺酯树脂并于其表面以恒定的 间距切出凹沟而成的滚筒, 卷绕的钢线 2 可被驱动用马达 ( 未图标 ) 驱动, 而在往复方向上 作移动 ( 运动 )。
另外, 如图 1 所示, 线锯 1 具备记录装置 16, 用以测定带凹槽滚筒 3 的轴向的变位 量并加以记录。此记录装置 16 具有变位传感器 14, 用以测定带凹槽滚筒 3 的轴向的变位 量。此处, 作为变位传感器 14 例如能使用涡电流式变位传感器。如此, 若使用涡电流式变 位传感器来进行带凹槽滚筒 3 的变位的测定, 则能以非接触的方式进行高精度的测定, 所 以优选涡电流式变位传感器。 另外, 工件温度的记录装置 15 和带凹槽滚筒的变位量的记录装置 16 与控制装置 17 连接 ; 控制装置 17 能读取在记录装置 15、 16 中所记录的规定时间内的温度与变位量。
另外, 喷嘴 12 被配置在钢线 2 的上方, 该钢线 2 被卷绕于带凹槽滚筒 3 上, 在切断 时, 在轴向上作往复行进 ; 当进行工件 W 的切断时, 可供给切断用浆液至钢线 2 上。此喷嘴 12 通过浆液冷却器 11 而被连接至浆液槽 10, 所供给的浆液通过浆液冷却器 11 而被控制供 给温度, 并能从喷嘴 12 供给至带凹槽滚筒 3( 钢线 2) 上。
此处, 在切断中所使用的浆液的种类并无特别限定, 可使用与以往相同的浆液, 例 如可为将 GC( 碳化硅 ) 磨粒分散于液体而成者。
另外, 如图 1 所示, 线锯 1 具备一种分别对带凹槽滚筒 3 与工件 W 供给温度控制后 的温度调整介质的装置 6。
通过这些温度调整介质的供给装置 6, 对带凹槽滚筒 3 与工件 W 供给温度控制后的 介质, 而能调整带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度。
另外, 此供给装置 6 与控制装置 17 连接, 通过此控制装置 17, 能够将带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度控制为分别与控制装置 17 读取的在记录装置 15、 16 中所 记录的带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度相同。 例如, 利用控制浆液冷却器 11、 11’ , 将已调整温度后的浆液从喷嘴 12、 12’ 供给至带凹槽滚筒 3 和工件 W 等处, 便能调整带 凹槽滚筒 3 的轴向的变位量、 工件 W 的温度。
而且, 本发明的线锯, 在工件 W 的切断中, 通过记录装置 15、 16, 以规定的时间间隔 来测定带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量和工件 W 的温度, 并一边做记录一边切断工件 W, 而在 切断途中暂时中断工件 W 的切断之后, 在再次开始 ( 再开 ) 该切断之前, 利用温度调整介质
的供给装置 6, 将介质供给至带凹槽滚筒 3 与工件 W 上, 由此, 将带凹槽滚筒 3 的轴向的变位 量与工件 W 的温度, 以分别与中断工件 W 的切断时所记录的变位量和温度成为相同的方式 来进行调整后, 再次开始进行切断。
若是此种线锯, 带凹槽滚筒 3 与工件 W 的热膨胀的状态, 在中断切断之前与再次开 始之后, 并不会成为不连续的状态, 因而能一边抑制在切断后的芯片的表面上产生段差、 纳 米形貌恶化等, 一边完成工件的切断。
此处, 将带凹槽滚筒 3 的变位量与工件 W 的温度, 以分别与中断工件 W 的切断时所 记录的变位量和温度相同的方式来进行调整时, 优选调整后的变位量与中断时所记录的变 位量的误差在 ±1μm 以内, 且调整后的温度与中断时所记录的温度的误差在 ±1℃以内。 若是在此设定范围内, 对于在切断后的芯片表面上发生段差或纳米形貌恶化的情况, 本发 明能充分地发挥抑制这些缺陷的效果。
此时, 如图 1 所示, 优选供给至带凹槽滚筒 3 与工件 W 上的温度调整介质是在切断 工件 W 时所使用的浆液。
如此, 若供给至带凹槽滚筒 3 与工件 W 上的温度调整介质是在切断工件 W 时所使 用的浆液, 则不用另外准备温度调整介质, 所以能使装置的构成简单化, 并且在调整带凹槽 滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度后, 不用停止供给浆液, 而能在该状态下迅速地再次 开始切断工件 W, 并能有效地抑制在切断后的芯片表面上发生段差或是纳米形貌恶化等的 情况。 或者, 如图 2 所示, 可以将供给至带凹槽滚筒 3 上的温度调整介质, 设为在切断工 件 W 时所使用的浆液, 并可以设置一种用以将温度控制后的气体供给至工件 W 上的调温气 体供给装置 18, 而将从调温气体供给装置 18 所供给的气体, 作为要供给至工件 W 上的温度 调整介质。
如此, 若供给至带凹槽滚筒 3 上的温度调整介质是在切断工件 W 时所使用的浆液, 而且, 供给至工件 W 上的温度调整介质是气体, 则不用新增加往工件 W 的浆液供给管路, 能 作成更简单的装置, 且在调整带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度后, 不用停止供 给浆液, 而能在该状态下迅速地再次开始切断工件 W, 并能更有效地抑制在切断后的芯片表 面上发生段差或是纳米形貌恶化等的情况。
接着, 说明有关本发明的线锯的再次开始运转方法。
此处, 图 3 是表示有关本发明的线锯的再次开始运转方法的流程图。
作为前提, 为了进行工件 W 的切断, 首先, 将抵板粘接于工件 W 上, 并通过工件板来 保持该抵板。而且, 经由这些抵板、 工件板, 并通过工件进给机构 5 来保持工件 W。
接着, 对钢线 2 赋予张力并使其往轴向作往复行进, 在已进行对钢线 2 供给浆液的 状态下, 使被保持在工件进给机构 5 上的工件 W 相对地下降, 而使该工件 W 相对地往钢线列 切入进给, 来切断工件 W。
此处, 本发明, 在进行工件 W 的切断时, 通过记录装置 15、 16, 以规定的时间间隔来 测定带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度。
而且, 在由于钢线 2 发生断线等, 中断工件 W 的切断, 要再次开始该切断时, 在切断 中断后, 首先, 去除中断的原因来进行恢复原状作业。例如, 在发生钢线 2 的断线的情况, 进 行钢线 2 的修补作业, 之后, 使工件的各切入处对应于钢线列的各列, 并使其卡合来进行恢
复原状作业。 此恢复原状作业完成后, 将分别独立地控制温度后的温度调整介质, 供给至带 凹槽滚筒 3 与工件 W 上。
而且, 根据控制装置 17, 以将带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度, 控制 成与工件 W 的切断中断时所记录的变位量和温度分别相同的方式, 来进行调整。
此处, 优选调整后的变位量与中断时所记录的变位量的误差在 ±1μm 以内, 且调 整后的温度与中断时所记录的温度的误差在 ±1℃以内。
如此, 当带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度都调整完成后, 再次开始工 件 W 的切断。此情况, 优选在再次开始切断前, 保持恒定时间, 使工件 W 的温度、 带凹槽滚筒 3 的变位量安定。
如此, 在工件 W 的切断中, 一边测定带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量和工件 W 的温度 并加以记录, 一边切断工件 W, 而且, 在中断工件 W 的切断后, 且在再次开始工件 W 的切断前, 通过将分别独立控制温度后的温度调整介质供给至温度调整介质与工件 W 上, 将带凹槽滚 筒 3 的轴向的变位量与工件 W 的温度, 调整成与在中断工件 W 的切断时所记录的变位量与 温度分别相同, 之后, 再次开始进行切断, 由此带凹槽滚筒 3 与工件 W 的热膨胀状态在中断 切断之前与再次开始之后并不会成为不连续的状态, 因而能一边抑制在切断后的芯片的表 面上产生段差、 纳米形貌恶化等, 一边完成工件的切断。
此时, 优选作为供给至带凹槽滚筒 3 与工件 W 上的温度调整介质采用在切断工件 W 时所使用的浆液。
如此, 若作为供给至带凹槽滚筒 3 与工件 W 上的温度调整介质采用在切断工件 W 时所使用的浆液, 则不用另外准备介质, 所以能简单地实施, 并且在调整带凹槽滚筒 3 的轴 向的变位量与工件 W 的温度后, 不用停止供给浆液, 而能在该状态下迅速地再次开始切断 工件 W, 并能更有效地抑制在切断后的芯片表面上发生段差或是纳米形貌恶化等的情况。
另外, 此时, 优选作为供给至带凹槽滚筒 3 上的温度调整介质采用在切断工件 W 时 所使用的浆液 ; 优选作为供给至工件 W 上的温度调整介质使用气体。
如此, 作为供给至带凹槽滚筒 3 上的温度调整介质采用在切断工件 W 时所使用的 浆液, 而作为供给至工件 W 上的温度调整介质使用气体, 由此, 不用新增加往工件 W 的浆液 供给管路, 便能使用更简单的装置来调整温度, 且在调整带凹槽滚筒 3 的轴向的变位量与 工件 W 的温度后, 也能迅速地再次开始切断工件 W, 并能更有效地抑制在切断后的芯片表面 上发生段差或是纳米形貌恶化等的情况。
以下, 表示本发明的实施例及比较例, 更具体地说明本发明, 但本发明不限定于这 些例子。
( 实施例 1)
使用图 1 所示的本发明的线锯, 切断直径 300mm 的硅晶棒, 在该切断的途中, 使切 断中断, 而在 1 小时后, 利用图 3 所示的本发明的再次开始运转方法, 再次开始切断, 而得到 232 片硅芯片。然后, 将以此种方法而得到的切断后的芯片, 进行磨光、 抛光加工后, 测定纳 米形貌来进行评价。
测定而得到的纳米形貌的结果表示于图 4 中。如图 4 所示, 纳米形貌的平均值是 13.71nm, 相较于后述的比较例 1、 比较例 2 的结果, 得知纳米形貌会被改善。
另外, 纳米形貌的不良率也能抑制在 5 ~ 10%的低值。如此, 本发明的线锯的再次开始运转方法及线锯, 已经确认能一边抑制在切断后 的芯片表面上发生段差或是纳米形貌恶化, 一边完成工件的切断。
( 实施例 2)
除了使用图 2 所示的本发明的线锯, 与实施例 1 同样地进行工件切断的中断、 再次 开始, 并进行与实施例 1 同样的评价。
测定而得到的纳米形貌的结果, 表示于图 4 中。如图 4 所示, 纳米形貌的平均值是 13.96nm, 相较于后述的比较例 1、 比较例 2 的结果, 得知纳米形貌会被改善。
另外, 纳米形貌的不良率也能抑制在 5 ~ 10%的低值。
如此, 本发明的线锯的再次开始运转方法及线锯, 已经确认能一边抑制在切断后 的芯片表面上发生段差或是纳米形貌恶化, 一边完成工件的切断。
( 比较例 1)
使用图 5 所示的以往的线锯, 切断直径 300mm 的硅晶棒, 在该切断的途中, 使切断 中断, 而在 1 小时后, 没有调整带凹槽滚筒的轴向的变位量与工件的温度, 便直接再次开始 进行切断, 而得到 231 片硅芯片。然后, 将以此种方法而得到的切断后的芯片, 进行磨光、 抛 光加工后, 测定纳米形貌来进行评价。 将结果表示于图 4 中。如图 4 所示, 纳米形貌的平均值是 20.86nm, 相较于实施例 1、 实施例 2 的结果, 得知纳米形貌恶化。
另外, 在切断后的芯片表面上会发生段差, 全部芯片的纳米形貌成为不良。
( 比较例 2)
将用以供给浆液至带凹槽滚筒上的供给路径, 增设在图 5 所示的以往的线锯中, 利用在再次开始切断前供给浆液, 将带凹槽滚筒的变位量调整成切断中断前的状态, 但是 并没有对工件供给温度调整介质, 并且, 与比较例 1 同样地切出芯片, 且进行与比较例 1 同 样的评价。
其结果, 如图 4 所示, 纳米形貌的平均值是 19.43nm, 相较于实施例 1、 实施例 2 的 结果, 得知纳米形貌恶化。
另外, 在切断后的芯片表面上会发生微小的段差。
另外, 本发明不限定于上述实施方式。 上述实施方式仅为例示, 凡是具有与本发明 的权利要求书中所记载的技术思想实质上相同的构成且都能产生相同的效果, 不论为如何 的形态, 皆应包含于本发明的技术范围内。