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1、10申请公布号CN102002676A43申请公布日20110406CN102002676ACN102002676A21申请号200910090663622申请日20090903C23C14/48200601C23C14/5420060171申请人北京中科信电子装备有限公司地址101111北京市中关村科技园通州园光机电一体化产业基地兴光二街6号北京中科信电子装备有限公司72发明人罗宏洋孙勇王迪平谢均宇周文龙54发明名称离子源腔体送气时的真空冲击保护方法57摘要本发明公开了一种离子注入机用的离子源真空腔体送入工艺气体时的真空冲击防护方法，使用了离子源真空高规、送气管路压力传感器、送气隔离阀、支路。
2、隔离阀、质量流量计，属于半导体器件制造领域。具体实现方法为选择工艺指定的SDS低压气瓶，设置质量流量计为零，打开气瓶对应的支路隔离阀，打开送气隔离阀一段时间，再关闭送气隔离阀一段时间，开关时监测离子源真空高规，防止离子源真空破坏，如此反复开关直到打开送气隔离阀时压力传感器检测值小于设定值，再设置质量流量计到工艺设定初始值，这样可以防止送气管路残余和质量流量计泄露的气体对离子源真空的冲击破坏。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图2页CN102002688A1/1页21一种离子注入机用的向离子源真空腔体送入工艺气体时的真空冲击防护方法，使用了离。
3、子源真空高规、送气管路压力传感器、送气隔离阀、支路隔离阀、质量流量计等控制部件，方法如下1真空冲击防护方法开始；2选择工艺菜单指定的工艺气体对应的SDS低压气瓶，设置气瓶对应的质量流量计以下简称MFG为零，打开气瓶对应的支路隔离阀；3打开离子源送气隔离阀以下简称VS一段时间；4如果送气管路压力传感器以下简称SP的检测值小于设定值以对高真空形成冲击破坏为要求则防护方法结束否则继续；5关闭VS一段时间，直到离子源恢复较高的真空值；6重复多次，直到SP检测值满足要求；7将MFG设定为工艺菜单指定值；8真空冲击防护方法结束。权利要求书CN102002676ACN102002688A1/2页3离子源腔体。
4、送气时的真空冲击保护方法技术领域0001本发明涉及一种真空腔体送气防冲击方法，尤其设计离子源真空腔体送入工艺气体时的真空冲击防护方法，属于半导体器件制造领域。背景技术0002离子注入机工作时需要向离子源腔体送入工艺气体，一般工艺气体在3种以上，工艺气体使用SDS低压气瓶或者工厂统一送气管供气，工艺气体由支路送气阀门控制，具体送入的气体流量由对应的质量流量计控制，由于质量流量计不具备截止能力，所以新选择的气瓶支路压力可能达到20PSI，在开启离子源送气隔离阀时会对真空腔体产生很大的冲击，甚至可能破坏离子源高真空，影响真空泵、离子源的使用寿命，需要一种可靠的方法降低对真空的冲击破坏。发明内容000。
5、3本发明针对管路残余工艺气体对高真空形成冲击破坏的情况，提出一种防止冲击的阀门开启方法，操作简单，效果显著。0004本发明通过以下技术方法实现一种离子注入机用的离子源真空腔体送入工艺气体时的真空冲击防护方法，使用了离子源真空高规、送气管路压力传感器、送气隔离阀、支路隔离阀、质量流量计等控制部件，方法如下00051真空冲击防护方法开始。00062选择工艺菜单指定的工艺气体对应的SDS低压气瓶，设置气瓶对应的质量流量计以下简称MFG为零，打开气瓶对应的支路隔离阀。00073打开离子源送气隔离阀以下简称VS一段时间00084如果送气管路压力传感器以下简称SP的检测值小于设定值以对高真空形成冲击破坏为。
6、要求则防护方法结束否则继续00095关闭VS一段时间，直到离子源恢复较高的真空值00106重复多次，直到SP检测值满足要求00117将MFG设定为工艺菜单指定值00128真空冲击防护方法结束。0013本发明具有如下显著优点00141方法简单、实用、不需要增加新的硬件、易于操作。00152效果显著，彻底杜绝冲击现象。附图说明0016图1离子源送气结构示意图0017图2真空冲击防护方法流程图说明书CN102002676ACN102002688A2/2页4具体实施方式0018下面结合附图2，对本发明所述的束流传输控制方法作进一步的描述。0019图2所述的控制流程由计算机自动完成，具体步骤如下0020。
7、1真空冲击防护方法开始。00212选择工艺菜单指定的工艺气体对应的SDS低压气瓶，设置气瓶对应的质量流量计为零，打开气瓶对应的支路隔离阀。00223监测离子源真空高规以下简称GS，如果离子源真空以下简称PS高于设定值PON，则进入5否则进入4。00234监测时间大于等于高真空超时时间，则进入11否则返回3。00245打开离子源送气隔离阀以下简称VS。00256监测GS，如果PS低于设定值POFF，则进入9否则进入7。00267VS连续开启时间大于等于阀门开启时间设定值，则进入8否则返回6。00278检测送气管路压力传感器SP，如果压力传感器检测值小于设定值PGASIN，则进入12否则进入9。0。
8、0289关闭离子源送气隔离阀VS，重复次数计数器C1加1。002910重复次数计数器C1大于重复次数设定值，则进入11否则进入3。003011启动报警离子源送气真空保护错误，进入13。003112设置MFG为工艺菜单中指定的设定值。003213真空冲击防护方法结束。0033其中由于打开VS时，GS反应和获取时间较长，步骤6主要用于防止意外情况，实际保护判定由步骤7完成，7的阀门开启时间设置的很小，一般在毫秒级。0034PON指离子源真空设定值，如果离子源真空高于此设定值，则此时打开送气隔离阀开始送入气体时对离子源高真空不存在破坏性的影响。0035POFF指离子源真空设定值，如果离子源真空低于此设定值，则此时必须关闭送气隔离阀，否则离子源高真空会受到破坏性的影响。0036PGASIN指送气管路压力传感器的设定值，如果送气管路压力小于此设定值，则表示管路内的残余气体已经清理完毕，可以持续打开。0037本发明的特定实施例已对本发明的工作原理、应用范围作了详细的说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明的工作原理和应用前提下对它所做的任何显而易见的改动，都不会超出本申请说明书描述和所附权利要求规范的保护范围。说明书CN102002676ACN102002688A1/2页5图1说明书附图CN102002676ACN102002688A2/2页6图2说明书附图CN102002676A。