《中子捕获治疗系统.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《中子捕获治疗系统.pdf（12页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201721141409.0 (22)申请日 2017.09.07 (73)专利权人 南京中硼联康医疗科技有限公司 地址 211112 江苏省南京市江宁区江宁科 学园龙眠大道568号 (72)发明人 刘渊豪 (51)Int.Cl. A61N 5/10(2006.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (54)实用新型名称 中子捕获治疗系统 (57)摘要 本实用新型的中子捕获治疗系统， 包括加速 器、 射束传输部和中子束生成部， 加速器对带电 粒子进行加速产生带电粒子束。
2、， 射束传输部将加 速器产生的带电粒子束传输至中子束生成部， 中 子束生成部产生治疗用中子束， 中子束生成部和 加速器之间设置屏蔽壁， 以免于操作人员在加速 器检修和维护时受到从中子束生成部泄漏的中 子及其他辐射线的照射和降低加速器被活化的 反应。 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 CN 208114946 U 2018.11.20 CN 208114946 U 1.一种中子捕获治疗系统， 包括加速器、 射束传输部和第一中子束生成部， 所述加速器 对带电粒子进行加速产生带电粒子束， 所述射束传输部将所述加速器产生的带电粒子束传 输至所述第一中子束生成部， 所述第一中子束生成部产生治疗用中子。
3、束， 其特征在于， 所述 第一中子束生成部和所述加速器之间设置第一屏蔽壁， 以免于操作人员在加速器检修和维 护时受到从第一中子束生成部泄漏的中子及其他辐射线的照射和降低加速器被活化的反 应。 2.如权利要求1所述的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述中子捕获治疗系统还包括 治疗台， 所述第一中子束生成部包括靶材、 射束整形体和准直器， 所述靶材设置在所述射束 传输部和所述射束整形体之间， 所述加速器产生的带电粒子束经所述射束传输部照射到所 述靶材并与所述靶材作用产生中子， 所述产生的中子依次通过所述射束整形体和准直器形 成治疗用中子束并照射向所述治疗台上的患者。 3.如权利要求2所述的中子捕。
4、获治疗系统， 其特征在于， 所述射束整形体包括反射体、 缓速体、 热中子吸收体、 辐射屏蔽体和射束出口， 所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速 至超热中子能区， 所述反射体包围所述缓速体并将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超 热中子射束强度， 所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过 多剂量， 所述辐射屏蔽体围绕所述射束出口设置在所述反射体后部用于屏蔽渗漏的中子和 光子以减少非照射区的正常组织剂量， 所述准直器设置在所述射束出口后部以汇聚中子 束， 所述患者和射束出口之间设置辐射屏蔽装置以屏蔽从所述射束出口出来的射束对患者 正常组织的辐射。 4.如权利要求3所述的中子捕获。
5、治疗系统， 其特征在于， 所述射束传输部具有对带电粒 子束进行加速或传输的真空管， 所述真空管沿带电粒子束方向伸入所述射束整形体， 并依 次穿过所述反射体和缓速体， 所述靶材设置在所述缓速体内并位于所述真空管的端部。 5.如权利要求1所述的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述中子捕获治疗系统还包括 带电粒子束生成室和第一照射室， 所述带电粒子束生成室容纳所述加速器和至少部分所述 射束传输部， 患者在所述第一照射室中进行中子束照射的治疗， 所述第一中子束生成部的 至少一部分埋入于所述第一照射室和带电粒子束生成室的第一分隔壁， 所述第一屏蔽壁设 置在所述带电粒子束生成室内。 6.如权利要求5所述。
6、的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述带电粒子束生成室包括加 速器室和射束传输室， 所述射束传输部包括与所述加速器连接并从所述加速器室延伸到所 述射束传输室的第一传输部和从所述射束传输室延伸到所述第一中子束生成部并将带电 粒子束传输到所述第一中子束生成部的第二传输部， 所述第一分隔壁为所述第一照射室和 射束传输室的分隔壁， 所述第一屏蔽壁为所述加速器室和所述射束传输室之间的分隔壁， 所述第一传输部穿过所述第一屏蔽壁。 7.如权利要求6所述的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述第一传输部包括切换带电 粒子束行进方向的第一、 第二射束方向切换器、 连接所述加速器和第一射束方向切换器的 第三传输。
7、部、 连接所述第一、 第二射束方向切换器的第四传输部和连接所述第二传输部和 所述第二射束方向切换器的第五传输部， 所述第一屏蔽壁设置在所述加速器和所述第一射 束方向切换器之间， 所述第三传输部穿过所述第一屏蔽壁； 或所述第一屏蔽壁设置在所述 第二射束方向切换器和所述第一中子束生成部之间， 所述第五传输部穿过所述第一屏蔽 权利要求书 1/2 页 2 CN 208114946 U 2 壁； 或所述第一屏蔽壁设置在所述第一、 第二射束方向切换器之间， 所述第四传输部穿过所 述第一屏蔽壁。 8.如权利要求7所述的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述中子捕获治疗系统还包括 第二中子束生成部及第二照射室。
8、， 所述第二中子束生成部的至少一部分埋入于所述第二照 射室和射束传输室的第二分隔壁， 所述射束传输部还包括从所述射束传输室延伸到所述第 二中子束生成部并将带电粒子束传输到所述第二中子束生成部的第六传输部， 所述第一传 输部还包括连接所述第六传输部和所述第二射束方向切换器的第七传输部， 当所述第一屏 蔽壁设置在所述第二射束方向切换器和所述第一中子束生成部之间时， 所述第七传输部也 穿过所述第一屏蔽壁， 所述第一、 第二射束方向切换器包括使带电粒子束方向偏转的偏转 电磁铁及控制带电粒子束行进方向的开关电磁铁， 所述中子捕获治疗系统还包括用于在治 疗前进行带电粒子束的输出确认的射束收集器， 所述第一。
9、或 第二射束方向切换器引向所述射束收集器， 所述第一、 第二、 第六传输部包括用于带电 粒子束的射束调整部， 所述第二、 第六传输部包括电流监视器和带电粒子束扫描部。 9.如权利要求5所述的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述第一分隔壁与所述第一屏 蔽壁之间设置第二屏蔽壁。 10.如权利要求1所述的中子捕获治疗系统， 其特征在于， 所述第一屏蔽壁上设置有屏 蔽门， 所述屏蔽门由两层独立的主屏蔽门和次屏蔽门组成或仅由主屏蔽门或次屏蔽门组 成。 权利要求书 2/2 页 3 CN 208114946 U 3 中子捕获治疗系统 技术领域 0001 本实用新型涉及一种辐射线照射系统， 尤其涉及一种中子。
10、捕获治疗系统。 背景技术 0002 随着原子科学的发展， 例如钴六十、 直线加速器、 电子射束等放射线治疗已成为癌 症治疗的主要手段之一。 然而传统光子或电子治疗受到放射线本身物理条件的限制， 在杀 死肿瘤细胞的同时， 也会对射束途径上大量的正常组织造成伤害； 另外由于肿瘤细胞对放 射线敏感程度的不同， 传统放射治疗对于较具抗辐射性的恶性肿瘤(如： 多行性胶质母细胞 瘤(glioblastoma multiforme)、 黑色素细胞瘤(melanoma)的治疗成效往往不佳。 0003 为了减少肿瘤周边正常组织的辐射伤害， 化学治疗(chemotherapy)中的标靶治疗 概念便被应用于放射线治。
11、疗中； 而针对高抗辐射性的肿瘤细胞， 目前也积极发展具有高相 对生物效应(relative biological effectiveness,RBE)的辐射源， 如质子治疗、 重粒子治 疗、 中子捕获治疗等。 其中， 中子捕获治疗便是结合上述两种概念， 如硼中子捕获治疗， 借由 含硼药物在肿瘤细胞的特异性集聚， 配合精准的中子射束调控， 提供比传统放射线更好的 癌症治疗选择。 0004 放射线治疗过程中会产生各种放射线， 如硼中子捕获治疗过程产生低能至高能的 中子、 光子， 这些放射线可能会对人体正常组织造成不同程度的损伤。 因此在放射线治疗领 域， 如何在达到有效治疗的同时减少对外界环境、 。
12、医务人员或患者正常组织的辐射污染是 一个极为重要的课题。 同时， 目前在加速器硼中子捕获治疗中， 不能同时治疗多个患者， 或 多个照射室布局不合理， 带电粒子束的传输路径较长， 产生损耗。 0005 因此， 有必要提出一种新的技术方案以解决上述问题。 实用新型内容 0006 为了解决上述问题， 本实用新型一方面提供了一种中子捕获治疗系统， 包括加速 器、 射束传输部和第一中子束生成部， 所述加速器对带电粒子进行加速产生带电粒子束， 所 述射束传输部将所述加速器产生的带电粒子束传输至所述第一中子束生成部， 所述第一中 子束生成部产生治疗用中子束， 所述第一中子束生成部和所述加速器之间设置第一屏蔽。
13、 壁， 以免于操作人员在加速器检修和维护时受到从第一中子束生成部泄漏的中子及其他辐 射线的照射和降低加速器被活化的反应。 0007 优选地， 所述中子捕获治疗系统还包括治疗台， 所述第一中子束生成部包括靶材、 射束整形体和准直器， 所述靶材设置在所述射束传输部和所述射束整形体之间， 所述加速 器产生的带电粒子束经所述射束传输部照射到所述靶材并与所述靶材作用产生中子， 所述 产生的中子依次通过所述射束整形体和准直器形成治疗用中子束并照射向所述治疗台上 的患者。 0008 进一步地， 所述射束整形体包括反射体、 缓速体、 热中子吸收体、 辐射屏蔽体和射 束出口， 所述缓速体将自所述靶材产生的中子减。
14、速至超热中子能区， 所述反射体包围所述 说明书 1/7 页 4 CN 208114946 U 4 缓速体并将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度， 所述热中子吸收体用 于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量， 所述辐射屏蔽体围绕所述射束 出口设置在所述反射体后部用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量， 所述准直器设置在所述射束出口后部以汇聚中子束， 所述患者和射束出口之间设置辐射屏 蔽装置以屏蔽从所述射束出口出来的射束对患者正常组织的辐射。 0009 更进一步地， 所述射束传输部具有对带电粒子束进行加速或传输的真空管， 所述 真空管沿带电粒子束方向伸入所述。
15、射束整形体， 并依次穿过所述反射体和缓速体， 所述靶 材设置在所述缓速体内并位于所述真空管的端部。 0010 作为另一种优选地， 所述中子捕获治疗系统还包括带电粒子束生成室和第一照射 室， 所述带电粒子束生成室容纳所述加速器和至少部分所述射束传输部， 患者在所述第一 照射室中进行中子束照射的治疗， 所述第一中子束生成部的至少一部分埋入于所述第一照 射室和带电粒子束生成室的第一分隔壁， 所述第一屏蔽壁设置在所述带电粒子束生成室 内。 0011 进一步地， 所述带电粒子束生成室包括加速器室和射束传输室， 所述射束传输部 包括与所述加速器连接并从所述加速器室延伸到所述射束传输室的第一传输部和从所述 。
16、射束传输室延伸到所述第一中子束生成部并将带电粒子束传输到所述第一中子束生成部 的第二传输部， 所述第一分隔壁为所述第一照射室和射束传输室的分隔壁， 所述第一屏蔽 壁为所述加速器室和所述射束传输室之间的分隔壁， 所述第一传输部穿过所述第一屏蔽 壁。 0012 更进一步地， 所述第一传输部包括切换带电粒子束行进方向的第一、 第二射束方 向切换器、 连接所述加速器和第一射束方向切换器的第三传输部、 连接所述第一、 第二射束 方向切换器的第四传输部和连接所述第二传输部和所述第二射束方向切换器的第五传输 部， 所述第一屏蔽壁设置在所述加速器和所述第一射束方向切换器之间， 所述第三传输部 穿过所述第一屏蔽。
17、壁； 或所述第一屏蔽壁设置在所述第二射束方向切换器和所述第一中子 束生成部之间， 所述第五传输部穿过所述第一屏蔽壁； 或所述第一屏蔽壁设置在所述第一、 第二射束方向切换器之间， 所述第四传输部穿过所述第一屏蔽壁。 所述中子捕获治疗系统 还包括第二中子束生成部及第二照射室， 所述第二中子束生成部的至少一部分埋入于所述 第二照射室和射束传输室的第二分隔壁， 所述射束传输部还包括从所述射束传输室延伸到 所述第二中子束生成部并将带电粒子束传输到所述第二中子束生成部的第六传输部， 所述 第一传输部还包括连接所述第六传输部和所述第二射束方向切换器的第七传输部， 当所述 第一屏蔽壁设置在所述第二射束方向切换。
18、器和所述第一中子束生成部之间时， 所述第七传 输部也穿过所述第一屏蔽壁， 所述第一、 第二射束方向切换器包括使带电粒子束方向偏转 的偏转电磁铁及控制带电粒子束行进方向的开关电磁铁， 所述中子捕获治疗系统还包括用 于在治疗前进行带电粒子束的输出确认的射束收集器， 所述第一或第二射束方向切换器引 向所述射束收集器， 所述第一、 第二、 第六传输部包括用于带电粒子束的射束调整部， 所述 第二、 第六传输部包括电流监视器和带电粒子束扫描部。 0013 进一步地， 所述第一分隔壁与所述第一蔽壁之间设置第二屏蔽壁。 0014 作为另一种优选地， 所述第一屏蔽壁上设置有屏蔽门， 所述屏蔽门由两层独立的 主屏。
19、蔽门和次屏蔽门组成或仅由主屏蔽门或次屏蔽门组成。 说明书 2/7 页 5 CN 208114946 U 5 0015 本实用新型的中子捕获治疗系统， 在加速器检修和维护时操作人员免于从中子束 生成部泄漏的中子及其他辐射线的照射， 同时降低加速器被中子活化的反应。 附图说明 0016 图1为本实用新型实施例中的中子捕获治疗系统结构示意图； 0017 图2为本实用新型实施例中的中子捕获治疗系统在XY平面的布局示意图； 0018 图3为图2在A-A剖面的示意图。 具体实施方式 0019 下面结合附图对本实用新型的实施例做进一步的详细说明， 以令本领域技术人员 参照说明书文字能够据以实施。 设定将后述。
20、的加速器射出的带电粒子束P的方向作为X轴、 将与加速器射出的带电粒子束P的方向正交的方向作为Y轴、 将相对于地面垂直的方向作为 Z轴的 XYZ坐标系(参考图2和图3)， 并在各构成要件的位置关系的说明中使用X、 Y、 Z。 0020 如图1， 本实施例中的中子捕获治疗系统优选为硼中子捕获治疗系统100， 硼中子 捕获治疗系统100是利用硼中子捕获疗法进行癌症治疗的装置。 硼中子捕获疗法通过对注 射有硼 (B-10)的患者200照射中子束N来进行癌症治疗， 患者200服用或注射含硼(B-10)药 物后， 含硼药物选择性地聚集在肿瘤细胞M中， 然后利用含硼(B-10)药物对热中子具有高捕 获截面的。
21、特性， 借由10B(n, )7Li中子捕获及核分裂反应产生4He和7Li两个重荷电粒子。 两荷 电粒子的平均能量约为2.33MeV， 具有高线性转移(Linear Energy Transfer,LET)、 短射程 特征， 短粒子的线性能量转移与射程分别为150keV/ m、 8 m， 而7Li重荷粒子则为 175keV/ m、 5 m， 两粒子的总射程约相当于一个细胞大小， 因此对于生物体造成的辐射伤害能局限 在细胞层级， 便能在不对正常组织造成太大伤害的前提下， 达到局部杀死肿瘤细胞的目的。 0021 硼中子捕获治疗系统100包括加速器10、 射束传输部20、 中子束生成部30和治疗台 4。
22、0。 加速器10对带电粒子(如质子、 氘核等)进行加速， 产生如质子束的带电粒子束P； 射束传 输部20， 将加速器10产生的带电粒子束P传输至中子束生成部30； 中子束生成部30产生治疗 用中子束N并照射向治疗台40上的患者200。 0022 中子束生成部30包括靶材T、 射束整形体31、 准直器32， 加速器10产生的带电粒子 束 P经射束传输部20照射到靶材T并与靶材T作用产生中子， 产生的中子依次通过射束整形 体 31和准直器32形成治疗用中子束N并照射向治疗台40上的患者200。 靶材T优选为金属靶 材。 依据所需的中子产率与能量、 可提供的加速带电粒子能量与电流大小、 金属靶材的物。
23、化 性等特性来挑选合适的核反应， 常被讨论的核反应有7Li(p,n)7Be及9Be(p,n)9B， 这两种反 应皆为吸热反应。 两种核反应的能量阀值分别为1.881MeV和2.055MeV， 由于硼中子捕获治 疗的理想中子源为keV能量等级的超热中子， 理论上若使用能量仅稍高于阀值的质子轰击 金属锂靶材， 可产生相对低能的中子， 不需太多的缓速处理便可用于临床， 然而锂金属(Li) 和铍金属(Be)两种靶材与阀值能量的质子作用截面不高， 为产生足够大的中子通量， 通常 选用较高能量的质子来引发核反应。 理想的靶材应具备高中子产率、 产生的中子能量分布 接近超热中子能区(将在下文详细描述)、 无。
24、太多强穿辐射产生、 安全便宜易于操作且耐高 温等特性， 但实际上并无法找到符合所有要求的核反应。 本领域技术人员熟知的， 靶材T也 可以由Li、 Be之外的金属材料制成， 例如由Ta或W及其合金等形成。 加速器10可以是直线加 说明书 3/7 页 6 CN 208114946 U 6 速器、 回旋加速器、 同步加速器、 同步回旋加速器。 0023 射束整形体31能够调整带电粒子束P与靶材T作用产生的中子束N的射束品质， 准 直器32用以汇聚中子束N， 使中子束N在进行治疗的过程中具有较高的靶向性。 射束整形体 31进一步包括反射体311、 缓速体312、 热中子吸收体313、 辐射屏蔽体314。
25、和射束出口315， 带 电粒子束P与靶材T作用生成的中子由于能谱很广， 除了超热中子满足治疗需要以外， 需要 尽可能的减少其他种类的中子及光子含量以避免对操作人员或患者造成伤害， 因此从靶材 T出来的中子需要经过缓速体312将其中的快中子能量(40keV)调整到超热中子能区 (0.5eV-40keV)并尽可能减少热中子(0.5eV)， 缓速体312由与快中子作用截面大、 超热中 子作用截面小的材料制成， 本实施例中， 缓速体312由D2O、 AlF3、 Fluental、 CaF2、 Li2CO3、 MgF2和Al2O3中的至少一种制成； 反射体311包围缓速体312， 并将穿过缓速体312向。
26、四周扩散 的中子反射回中子射束N以提高中子的利用率， 由具有中子反射能力强的材料制成， 本实施 例中， 反射体311由Pb或Ni中的至少一种制成； 缓速体312后部有一个热中子吸收体 313， 由 与热中子作用截面大的材料制成， 本实施例中， 热中子吸收体313由Li-6制成， 热中子吸收 体313用于吸收穿过缓速体312的热中子以减少中子束N中热中子的含量， 避免治疗时与浅 层正常组织造成过多剂量； 辐射屏蔽体314围绕射束出口315设置在反射体后部， 用于屏蔽 从射束出口315以外部分渗漏的中子和光子， 辐射屏蔽体314的材料包括光子屏蔽材料和中 子屏蔽材料中的至少一种， 本实施例中， 辐。
27、射屏蔽体314的材料包括光子屏蔽材料铅 (Pb) 和中子屏蔽材料聚乙烯(PE)。 可以理解， 射束整形体31还可以有其他的构造， 只要能够获得 治疗所需超热中子束即可。 准直器32设置在射束出口315后部， 从准直器32出来的超热中子 束向患者200照射， 经浅层正常组织后被缓速为热中子到达肿瘤细胞M， 可以理解， 准直器32 也可以取消或由其他结构代替， 中子束从射束出口315出来直接向患者200照射。 本实施例 中， 患者200和射束出口315之间还设置了辐射屏蔽装置50， 屏蔽从射束出口 315出来的射 束对患者正常组织的辐射， 可以理解， 也可以不设置辐射屏蔽装置50。 靶材T 设置在。
28、射束传 输部20和射束整形体31之间， 射束传输部20具有对带电粒子束P进行加速或传输的真空管 C， 本实施例中， 真空管C沿带电粒子束P方向伸入射束整形体31， 并依次穿过反射体311和缓 速体312， 靶材T设置在缓速体312内并位于真空管C的端部， 以得到较好的中子射束品质。 可 以理解， 靶材可以有其他的设置方式， 还可以相对加速器或射束整形体是可运动的， 以方便 换靶或使带电粒子束与靶材均匀作用。 0024 结合图2和图3， 硼中子捕获治疗系统100整体配置在两层楼L1和L2的空间， 硼中子 捕获治疗系统100还包括照射室101(101A、 101B、 101C)和带电粒子束生成室1。
29、02， 治疗台40 上的患者200在照射室101(101A、 101B、 101C)中进行中子束N照射的治疗， 带电粒子束生成 室102容纳加速器10及至少部分射束传输部20。 中子束生成部30可以有一个或多个， 以生成 一个或多个治疗用中子束N， 射束传输部20可选择地向一个或几个中子束生成部30传输带 电粒子束P或同时向多个中子束生成部30传输带电粒子束P， 每个中子束生成部30对应一个 照射室101。 本实施例中中子束生成部及照射室各有3个， 分别为中子束生成部30A、 30B、 30C 和照射室101A、 101B、 101C。 射束传输部20包括： 第一传输部21， 与加速器10连接。
30、； 第一、 第二 射束方向切换器22、 23， 切换带电粒子束P的行进方向； 第二传输部24， 连接第一、 第二射束 方向切换器22、 23； 第三、 第四、 第五传输部25A、 25B、 25C， 分别将带电粒子束P从第一射束方 向切换器22或第二射束方向切换器23传输到中子束生成部30A、 30B、 30C， 生成的中子束N 说明书 4/7 页 7 CN 208114946 U 7 再分别照射向照射室101A、 101B、 101C内的患者。 第三传输部25A连接第一射束方向切换器 22及中子束生成部30A， 第四传输部25B连接第二射束方向切换器23 及中子束生成部30B， 第五传输部2。
31、5C连接第二射束方向切换器23及中子束生成部30C。 即， 第一传输部21在第一 射束方向切换器22中分支为第二传输部24和第三传输部25A， 第二传输部24又在第二射束 方向切换器23中分支为第四传输部25B和第五传输部25C。 第一、 第二传输部21、 24沿X轴方 向传输， 第三传输部25A沿Z轴方向传输， 第四、 第五传输部25B、 25C 的传输方向在XY平面内 并与第一、 第二传输部21、 24的传输方向呈 “Y” 型， 中子束生成部30A、 30B、 30C及相应的照射 室101A、 101B、 101C分别沿第三、 第四、 第五传输部 25A、 25B、 25C的传输方向设置，。
32、 产生的中 子束N方向分别与第三、 第四、 第五传输部 25A、 25B、 25C的传输方向相同， 从而中子束生成 部30B、 30C产生的中子束方向在同一平面内， 中子束生成部30A产生的中子束方向与该平面 垂直。 采用这样的排布方式， 可以有效地利用空间， 同时对多个患者进行治疗， 且没有过于 延长射束传输的线路， 损耗较小。 可以理解， 中子束生成部30A(30B、 30C)产生的中子束N方 向与第三(第四、 第五)传输部 25A(25B、 25C)的传输方向也可以不同； 第一、 第二传输部21、 24的传输方向也可以不同， 第二传输部24还可以取消， 仅具有一个射束方向切换器， 将射束。
33、 分支为2个及2个以上传输部分； 第四、 第五传输部25B、 25C的传输方向与第一传输部21的传 输方向形成的 “Y” 型， 也可以是 “Y” 的变形， 例如第四传输部25B或第五传输部25C的传输方 向与第一传输部 21的传输方向相同， 第四、 第五传输部25B、 25C的传输方向与第一传输部 21的传输方向也可以呈其他形状， 如 “T” 型或箭头型， 只要第四、 第五传输部25B、 25C的传输 方向在XY 平面形成大于0度的夹角即可； 第四、 第五传输部25B、 25C的传输方向也不限于XY 平面， 第三传输部25A的传输方向也可以不是沿Z轴， 只要第四传输部25B的传输方向、 第五 。
34、传输部 25C的传输方向和第一传输部21的传输方向其中的两个在同一平面(第一平面)内， 第一传输部21的传输方向与第三传输部25A的传输方向也在同一平面(第二平面)内， 且第 一平面和第二平面不同； 第三传输部25A、 中子束生成部30A及照射室101A也可以取消， 这样 仅具有XY平面内的射束传输。 0025 第一、 第二射束方向切换器22、 23包括使带电粒子束P方向偏转的偏转电磁铁及控 制带电粒子束P行进方向的开关电磁铁， 硼中子捕获治疗系统100还可以包括射束收集器 (未图示)， 在治疗前等进行带电粒子束P的输出确认， 第一或第二射束方向切换器22、 23能 够使带电粒子束P脱离正规轨。
35、道而引向射束收集器。 0026 第一传输部21、 第二传输部24及第三、 第四、 第五传输部25A、 25B、 25C均由真空管 C构造， 可以分别由多个子传输部连接形成， 多个子传输部的传输方向可以相同也可以不 同， 如通过偏转电磁铁进行射束传输方向的偏转， 所说的第一、 第二、 第三、 第四、 第五传输 部 21、 24、 25A、 25B、 25C的传输方向可以为其任一子传输部的传输方向， 上述形成的第一平 面和第二平面为与射束方向切换器直接相连的子传输部之间形成的平面； 还可以分别包括 用于带电粒子束P的射束调整部(未图示)， 射束调整部包括用于调整带电粒子束P的轴的水 平型转向器及水。
36、平垂直型转向器、 用于抑制带电粒子束P的发散的四极电磁铁、 以及用于带 电粒子束P的整形的四向切割器等。 第三、 第四、 第五传输部25A、 25B、 25C可根据需要包括电 流监视器(未图示)和带电粒子束扫描部(未图示)。 电流监视器实时测定照射于靶T的带电 粒子束P的电流值(即， 电荷、 照射剂量率)。 带电粒子束扫描部扫描带电粒子束P， 进行带电 粒子束P相对于靶T的照射控制， 如控制带电粒子束P相对于靶T的照射位置。 说明书 5/7 页 8 CN 208114946 U 8 0027 带电粒子束生成室102可以包括加速器室1021和射束传输室1022， 加速器室1021 为两层， 加速。
37、器10从L2延伸到L1。 射束传输室1022位于L2， 第一传输部21从加速器室1021 延伸到射束传输室1022。 照射室101B、 101C位于L2， 照射室101A位于L1。 本实施例中L1 在L2 下方， 即L2的地板为L1的天花板， 可以理解， 也可以为相反的配置。 地板(天花板) S的材料 可以为厚度0.5m以上的混凝土或含硼重晶石混凝土。 照射室101A、 101B、 101C和射束传输室 1022具备被屏蔽壁W1包围的屏蔽空间， 屏蔽壁W1可以为厚度1m以上、 密度 3g/c.c.的含硼 重晶石混凝土制壁， 包括隔开射束传输室1022与照射室101B、 101C的第一分隔屏蔽壁。
38、W2和 在L1隔开加速器室1021和射束传输室1022的第二分隔屏蔽壁W3、 在L2 隔开加速器室1021 和照射室101A的第三分隔屏蔽壁W4。 加速器室1021由厚度为1m以上的混凝土壁W和第二分 隔屏蔽壁W3、 第三分隔屏蔽壁W4包围。 中子束生成部30B、 30C 的至少一部分埋入于第一分 隔屏蔽壁W2， 第四、 第五传输部25B、 25C从射束传输室1022 延伸到中子束生成部30B、 30C； 中子束生成部30A位于照射室101A内， 第三传输部25A从射束传输室1022穿过地板S延伸到 照射室101A。 照射室101A、 101B、 101C分别具有供治疗台40和医师出入的屏蔽门。
39、D1、 D2、 D3， 加速器室1021在L1和L2分别具有进出加速器 1021室对加速器10进行维护的屏蔽门D4、 D5， 射束传输室1022具有从加速器室1021进出射束传输室1022对射束传输部20进行维护的屏 蔽门D6， 屏蔽门D6设置在第二分隔屏蔽壁 W3上。 照射室101A、 101B、 101C的室内还具有内屏 蔽壁W5， 以形成从屏蔽门D1、 D2、 D3到射束出口的迷宫型通道， 防止屏蔽门D1、 D2、 D3意外打 开时辐射线的直接照射， 根据照射室的不同布局内屏蔽壁W5可以设置在不同的位置， 在内 屏蔽壁W5与屏蔽壁W1或第三分隔屏蔽壁W4之间还可以设置照射室内部的屏蔽门D。
40、7， 形成在 进行中子束照射治疗时的二次防护。 内屏蔽壁W5可以为厚度0.5m以上、 密度为3g/c.c.的含 硼重晶石混凝土制壁； 屏蔽门D1、 D2、 D3、 D4、 D5、 D6、 D7可以由两层独立的主屏蔽门D和次屏 蔽门D 组成或仅由主屏蔽门D或次屏蔽门D 组成， 可根据实际的情况决定， 主屏蔽门D可以 是相同材料的厚度为0.5m以上、 密度6g/c.c.的含硼的PE或重晶石混凝土或铅， 次屏蔽门D 可以是相同材料的厚度为0.2m以上、 密度6g/c.c.的含硼的PE或重晶石混凝土或铅。 本实施 例中， 屏蔽门D1、 D4、 D5、 D6由主屏蔽门D和次屏蔽门D 组成， 屏蔽门D1、。
41、 D2、 D3仅包括主屏蔽 门D， 屏蔽门D7仅包括次屏蔽门D 。 屏蔽壁及屏蔽门形成屏蔽空间， 抑制放射线从照射室 101A、 101B、 101C和射束传输室1022的室外侵入到室内及放射线从室内放射到室外的现象。 本实施例中， 隔开加速器室1021和射束传输室1022的第二分隔屏蔽壁W3设置在加速器10和 第一射束方向切换器22之间， 即第一传输部21穿过第二分隔屏蔽壁W3， 可以理解， 第二分隔 屏蔽壁W3及屏蔽门D6可以取消， 也可以设置在其他位置， 如第一、 第二射束方向切换器22、 23之间或第二射束方向切换器23和中子束生成部30B、 30C之间； 或在第二分隔屏蔽壁W3及 第。
42、一分隔屏蔽壁W2之间设置附加的分隔屏蔽壁和屏蔽门。 也就是说， 在中子束生成部和加 速器之间设置屏蔽壁， 在加速器检修和维护时操作人员免于从中子束生成部泄漏的中子及 其他辐射线的照射， 同时降低加速器被中子活化的反应。 0028 在屏蔽壁或地板由组件或元件穿过的地方容易造成中子及其他辐射线的泄露， 如 本实施例中， 中子束生成部30B、 30C穿过第一分隔屏蔽壁W2、 第一传输部21穿过第二分隔屏 蔽壁W3、 第三传输部25A穿过地板S， 在第一分隔屏蔽壁W2、 第二分隔屏蔽壁W3、 地板S 朝向 射束传输方向上游的一侧由中子束生成部30B、 30C、 第一传输部21、 第三传输部25A 穿过。
43、的 部位可以分别设置第一屏蔽体60、 第二屏蔽体70和第三屏蔽体80。 第一屏蔽体60覆盖中子 说明书 6/7 页 9 CN 208114946 U 9 束生成部30B、 30C朝向加速器的端部并与中子束生成部30B、 30C周围的第一分隔屏蔽壁W2 接触， 防止从中子束生成部30B、 30C的射束整形体溢出或反射的中子进入加速器室1021和 射束传输室1022， 第四、 第五传输部25B、 25C穿过第一屏蔽体60到达中子束生成部30B、 30C 的靶材T。 第二屏蔽体70与第一传输部21周围的第二分隔屏蔽壁W3接触， 防止从射束传输部 20溢出或反射的中子进入加速器室1021， 第一传输部。
44、21穿过第二屏蔽体70和第二分隔屏蔽 壁W3到达第一射束方向切换器22。 第三屏蔽体80与第三传输部 25A周围的地板S接触， 防止 从照射室101A溢出或反射的中子进入射束传输室1022， 第三传输部25A穿过第三屏蔽体80 和地板S到达中子束生成部30A。 第一屏蔽体60、 第二屏蔽体70和第三屏蔽体80的材料可以 为含硼的PE或重晶石混凝土或铅。 0029 第一、 第二射束方向切换器22、 23分别由屏蔽罩26包围， 防止从射束方向切换器泄 漏中子及其他辐射线， 屏蔽罩26的材料可以为含硼的PE或重晶石混凝土或铅。 可以理解， 第 一、 第二射束方向切换器22、 23也可以整体由一个屏蔽。
45、罩26包围； 射束传输部的其他部分， 如真空管， 也可以由屏蔽罩包围， 防止中子及其他辐射线从射束传输部泄露。 0030 硼中子捕获治疗系统100还可以包括准备室、 控制室和其他用于辅助治疗的空间， 每一个照射室可以配置一个准备室， 用于进行照射治疗前固定患者到治疗台、 注射硼药、 治 疗计划模拟等准备工作， 准备室和照射室之间设置连接通道， 准备工作完成后直接将患者 推入照射室或通过轨道由控制机构控制其自动进入照射室， 准备室和连接通道也由屏蔽壁 封闭， 准备室还具有屏蔽门。 控制室用于控制加速器、 射束传输部、 治疗台等， 对整个照射过 程进行控制和管理， 管理人员在控制室内还可以同时监控。
46、多个照射室。 0031 可以理解， 本实施例中的屏蔽壁(包括混凝土壁W)、 屏蔽门、 屏蔽体、 屏蔽罩均可以 具有其他厚度或密度或替换为其他材料。 0032 尽管上面对本实用新型说明性的具体实施方式进行了描述， 以便于本技术领域的 技术人员理解本实用新型， 但应该清楚， 本实用新型不限于具体实施方式的范围， 对本技术 领域的普通技术人员来讲， 只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精 神和范围内， 这些变化是显而易见的， 都在本实用新型要求保护的范围之内。 说明书 7/7 页 10 CN 208114946 U 10 图1 图2 说明书附图 1/2 页 11 CN 208114946 U 11 图3 说明书附图 2/2 页 12 CN 208114946 U 12 。