沉积室的部件结构 【技术领域】
本发明是有关于一种沉积室(deposition chamber)，且特别是关于一种沉积室的部件(part)结构。
背景技术
在半导体工艺中，为了有利于后续如曝光工艺等作定位(alignment)的工艺，目前大多在进行沉积工艺时，于沉积室内的晶片座中采用具有定位用凸出部的压环将晶片固定，之后再进行沉积工艺，以便同时于晶片上沉积预定形成的薄膜以及形成定位用的标记(mark)，而沉积室内的晶片座以及具有定位用凸出部的压环的结构如图1所示。
图1是公知一种沉积室的部件结构的立体示意图。请参照图1，于沉积室中的晶片座100中配置有一压环(clamp)102，而且压环102具有两个凸出部104。当晶片106被放置于晶片座100内之后，压环102会向下压住晶片106。由于压环102具有数个定位用的凸出部104，所以进行沉积工艺后，于晶片106上除了会沉积预定形成的薄膜外，在凸出部104遮蔽的部位将不会有薄膜沉积，因此在此处形成后续工艺定位用的标记。
目前用以形成定位用标记的沉积室除了在晶片座加入压环外，为了将压环上累积的电荷释出，还会在晶片座底下开数个小洞，并于每个洞中插入一个黄铜制的螺杆，再将这些螺杆与压环相接，以使压环上累积的电荷从螺杆释出。
然而，上述用以释放累积电荷的螺杆常常因为其可允许的角度变化(allowable change of angle)过小，所谓的“可允许的角度变化”就是指被置于小洞中的螺杆所能倾斜移动地角度范围，而小的可允许的角度变化会导致部分螺杆无法接触到压环，进而使原本平行下压晶片的压环受到部分位置的螺杆碰触而倾斜。
由于压环倾斜会导致晶片原本被压环凸出部遮蔽的部位暴露出来，而在沉积工艺后无法获致清晰的定位用标记，致使后续工艺在定位上发生困难。如欲确保后续工艺的定位正确，则需要花费额外的成本与时间去进行晶片重工(rework)，但是如此一来又会导致合格率(yield)降低等缺点。
【发明内容】
因此，本发明的目的是提供一种沉积室的部件结构，以使压环的位置不受螺杆与绝缘部分的限制。
本发明的又一目的是提供一种沉积室的部件结构，以降低晶片重工的机率。
本发明的再一目的是提供一种沉积室的部件结构，以增进合格率。
根据上述与其它目的，本发明提出一种沉积室的部件结构，至少包括一外壳、位于外壳内的一压环以及一螺杆，这个螺杆穿过外壳接触压环，用以释放压环所累积的电荷。此外外壳还包括一绝缘部份环绕螺杆，以隔绝螺杆与外壳，其中螺杆的可允许的角度变化大于23.2。
本发明又提出一种沉积室的部件结构，至少包括一外壳、位于外壳内的一压环以及一螺杆，这个螺杆穿过外壳接触压环，用以释放压环所累积的电荷。此外，外壳还包括一绝缘部份环绕螺杆，以隔绝螺杆与外壳，其中螺杆的直径与绝缘部分的内径的比率小于0.4。
本发明利用扩宽绝缘部分的内径或是降低螺杆的直径，以使螺杆的可允许的角度变化增加。因此，当螺杆与压环相接后，将不会有部分螺杆无法接触压环而使压环倾斜的情形发生，进而降低晶片重工的机率，并且能提升合格率。
【附图说明】
图1是公知一种沉积室的部件结构立体示意图；
图2是依照本发明的一较佳实施例的沉积室的部件结构侧视示意图；以及
图3是依照图2所示的沉积室的部件结构的第III部分的剖面放大示意图。
100：晶片座
102，202：压环
104：凸出部
106，206：晶片
200：外壳
210：螺杆
212：绝缘部分
x1：螺杆直径
x2：绝缘部分的内径
y：绝缘部分的高度
θ：夹角
【具体实施方式】
本发明可应用任何沉积工艺所使用的沉积室(deposition chamber)中，如图2所示用于在晶片(wafer)上沉积薄膜的同时形成定位用标记(mark)的装置。
图2是依照本发明的一较佳实施例的沉积室的部件结构侧视示意图。请参照图2，沉积室的部件包括一外壳(shield)200、一压环(clamp)202、一螺杆(screw)210以及一绝缘部份(isolator)212，其中外壳200譬如是一晶片座，螺杆210的材质则属于导体材料如黄铜；而绝缘部分212的材质譬如是陶瓷材料、外型则可以是圆环状。虽然于本图中仅出现一个螺杆210，但是实际上螺杆210的数量可依照所需而增加，因此螺杆210的数量并不局限于一个。此外，绝缘部分212与外壳200为一体成型的。
请继续参照图2，压环202是配置于外壳200上，用来压住放置于外壳200中的晶片206。而螺杆210则穿过外壳200并接触压环202，以释放累积于压环202中的电荷，其中螺杆210的可允许的角度变化(allowable change of angle)需大于23.2，或是螺杆210的直径与绝缘部分212的内径比率小于0.4。绝缘部份212则环绕螺杆210且与外壳200相连，以隔绝螺杆210与外壳200。此外，压环202在相对于螺杆210的部位202a可配置一凹点。
为更详细说明螺杆210与绝缘部分212之间的关系，请见图3所示。
图3是依照图2所示的沉积室的部件结构的第III部分的剖面放大示意图。
请参照图3，螺杆210在绝缘部分212中倾斜移动时，螺杆210所能倾斜的最大角度是90-θ，而其中的夹角θ与绝缘部分212的高度y、内径x2和螺杆210直径x1之间的关系如下式：
tanθ＝y/(x2-x1)
当夹角θ愈小代表螺杆210所能倾斜的最大角度愈大，因此螺杆210的可允许的角度变化将会增加。而为增加螺杆210的可允许的角度变化，可以从两方面着手，一是增加绝缘部分212的内径x2、一是控制螺杆210的直径x1与绝缘部分212的内径x2的比率。
本发明即利用控制螺杆直径与绝缘部分的内径比率小于0.4或是直接将螺杆的可允许的角度变化设定为大于23.2，以避免公知因可允许的角度变化过小，而导致部分螺杆无法接触到压环，使压环倾斜的情形发生。因此，本发明能降低晶片重工(rework)的机率，进而提升产品合格率(yield)。