研磨装置.pdf

本发明的研磨装置具备：研磨带(41)，具有研磨面；基板保持部(32)，保持基板(W)并使其旋转；加压垫(50)，将研磨带按压到基板保持部所保持的基板的坡口部上；以及研磨带进给机构(45)，使研磨带在其长度方向上行进。加压垫(50)具有：垫主体部(53)；板状的按压部(51)，具有隔着研磨带按压基板的坡口部的按压面(51a)和位于该按压面的相反侧的背面；以及多个连结部(52)，对按压部和垫主体部进行连结。按压部由硬质的塑料形成，在按压部的背面与垫主体部之间形成有空间(S)。

1、  一种研磨装置，其特征在于，具备：
研磨带，具有研磨面；
基板保持部，保持基板并使其旋转；
加压垫，将上述研磨带按压到上述基板保持部所保持的基板的坡口部上；以及
研磨带进给机构，使上述研磨带在其长度方向上行进；
其中，上述加压垫具有：
垫主体部；
板状的按压部，具有隔着上述研磨带按压基板的坡口部的按压面和位于该按压面的相反侧的背面；以及
多个连结部，对上述按压部和上述垫主体部进行连结；
在上述按压部的上述背面与上述垫主体部之间形成有空间。

2、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
上述多个连结部沿着上述基板保持部所保持的基板的周向排列。

3、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
上述多个连结部与上述按压部的两侧部连接。

4、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
上述多个连结部与上述按压部的上述背面连接，且位于上述按压部的从两侧部朝向中央部的内侧。

5、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
在上述按压部的上述背面，形成有在与上述基板的表面垂直的方向上延伸的多个槽。

6、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
在上述按压部的上述背面，固定有在与上述基板的表面垂直的方向上延伸的多个加强部件。

7、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
在上述按压部的上述背面，形成有沿着上述基板的周向延伸的至少1个凹部。

8、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
上述按压部具有厚度从其两侧部朝向中央部逐渐增加的形状。

9、  如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
上述按压部由硬质塑料形成。

研磨装置
技术领域
本发明涉及一种具有研磨带的研磨装置，尤其涉及对半导体晶片等基板的坡口部进行研磨的研磨装置。
背景技术
从提高半导体制造中的成品率的观点出发，近年来半导体晶片的坡口部的表面状态的管理被注目。在半导体晶片上成膜、层积较多的材料，因此在不成为实际制品的坡口部上残留有不需要的物质或损坏。作为搬送、保持晶片的方法，过去一般是使保持部件(例如机器手)接触晶片的背面的方法，但随着设备的精细化以及直径300mm的晶片成为主流，而要求背面的清洁度，近年来使保持部件仅接触晶片端部而搬送、保持晶片的方法变得普遍。在这种背景之下，在坡口部上残留的不需要物质或损坏，在经过各种工序的期间会剥离而附着于器件表面上，这明显会影响到产品的成品率。
在此，如图1所示，所谓坡口部是指在基板的周缘上截面具有曲率的部分B。在图1中，D所示的平坦部是形成器件的区域。从该器件形成区域D开始到外侧数毫米为止的平坦部E被称为边缘部，与器件形成区域D相区别。即，坡口部B是从边缘部E延伸到基板背面的带有弯曲的部分。
坡口部的截面形状根据基板制造商而分为多种，但如图1所示，坡口部一般由与边缘部E相邻的倾斜面F、位于最外侧的垂直面G、以及与背面相邻的倾斜面F构成。倾斜面F与垂直面G通过圆滑的曲面H连接。
作为将形成在这种基板的坡口部上的膜除去的装置，已知利用研磨带的研磨装置。这种研磨装置通过配置在研磨带的背面侧的加压垫来将研磨带的研磨面按压到基板的坡口部上，由此对该坡口部进行研磨。
图2是表示以往的加压垫的立体图。如图2所示，加压垫100具有矩形的按压面100a。该加压垫100配置在研磨带的背面侧，通过按压面100a将研磨带的表面(研磨面)按压在基板的坡口部上。加压垫100由橡胶或海绵等材料形成。例如，选定聚氨酯橡胶、硅海绵等作为材料，并选定适于研磨的硬度(例如20～40度)。
图3是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。如图3所示，成为研磨对象的晶片W具有圆板形状。当加压垫100将研磨带(未图示)对晶片W的坡口部进行按压时，由于与晶片W的接触而加压垫100的按压面100a的一部分被压缩。由此，研磨带与晶片W的接触面积增加，每单位时间的研磨速度提高。
图4是表示通过加压垫将研磨带按压到晶片的坡口部上的情况的纵截面图。如图4所示，在研磨时，加压垫100的按压面100a沿着坡口部变形。此时，在研磨带200接触晶片W的位置与离开晶片W的位置的边界部，如图4的箭头所示那样研磨压力变高。即，产生如下问题：边界部的研磨压力变高，位于这些边界部中间的中央部的研磨压力变低，而中央部难以被研磨。在这种情况下，当要完全除去中央部上的膜或有机物(污垢)时，边界部被过度研磨。
发明内容
本发明是鉴于上述现有的问题而进行的，其目的在于提供一种研磨装置，能够对基板坡口部的横向接触面积以及在纵向上施加的负荷的分布进行控制。
为了实现上述目的，本发明的一个实施方式为一种研磨装置，其特征在于，具备：研磨带，具有研磨面；基板保持部，保持基板并使其旋转；加压垫，将上述研磨带按压到上述基板保持部所保持的基板的坡口部上；以及研磨带进给机构，使上述研磨带在其长度方向行进；其中，上述加压垫具有：垫主体部；板状的按压部，具有隔着上述研磨带按压基板的坡口部的按压面和位于该按压面的相反侧的背面；以及多个连结部，对上述按压部和上述垫主体部进行连结；在上述按压部的上述背面与上述垫主体部之间形成有空间。
本发明的优选方式的特征在于，上述多个连结部沿着上述基板保持部所保持的基板的周向排列。
本发明的优选方式的特征在于，上述多个连结部与上述按压部的两侧部连接。
本发明的优选方式的特征在于，上述多个连结部为，与上述按压部的上述背面连接，且位于上述按压部的从两侧部朝向中央部的内侧。
本发明的优选方式的特征在于，在上述按压部的上述背面，形成有在与上述基板的表面垂直的方向上延伸的多个槽。
本发明的优选方式的特征在于，在上述按压部的上述背面，固定有在与上述基板的表面垂直的方向上延伸的多个加强部件。
本发明的优选方式的特征在于，在上述按压部的上述背面，形成有沿着上述基板的周向延伸的至少1个凹部。
本发明的优选方式的特征在于，上述按压部具有厚度从其两侧部朝向中央部逐渐增加的形状。
本发明的优选方式的特征在于，上述按压部由硬质的塑料形成。
根据本发明，按压面与坡口部接触时不会较大地被压缩，因此能够使较高的研磨压力作用于坡口部的中央部。因此，能够不过度地研磨该坡口部的中央部两侧的边界部，而良好地研磨坡口部的中央部。
附图说明
图1是表示基板的周缘的截面图。
图2是表示以往的加压垫的立体图。
图3是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。
图4是表示通过加压垫将研磨带按压到晶片的坡口部上的情况的纵截面图。
图5是表示本发明第一实施方式的研磨装置的俯视图。
图6是表示图5所示的研磨装置的截面图。
图7是表示晶片卡盘机构的卡盘爪的俯视图。
图8是研磨头的扩大图。
图9A是表示图8所示的研磨头所具备的加压垫的立体图，图9B是图9A所示的加压垫的俯视图。
图10是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。
图11是表示通过加压垫将研磨带按压到晶片的坡口部上的情况的纵截面图。
图12是表示加压垫的其他构成例的立体图。
图13是表示加压垫的其他构成例的立体图。
图14是表示加压垫的其他构成例的立体图。
图15是表示加压垫的其他构成例的立体图。
图16A是表示加压垫的其他构成例的立体图，图16B是图16A所示的加压垫的俯视图，图16C是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。
图17A是表示加压垫的其他构成例的立体图，图17B是图17A所示的加压垫的俯视图，图17C是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。
图18A至图18C是用于说明坡口研磨时的研磨头的动作的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明实施方式的研磨装置。
图5是表示本发明第一实施方式的研磨装置的俯视图。图6是表示图5所示的研磨装置的截面图。
如图5以及图6所示，实施方式的研磨装置具备：晶片台单元20，具有用于保持晶片W的晶片台23；台移动机构30，用于使晶片台单元20在与晶片台23的上表面(晶片保持面)平行的方向上移动；以及坡口研磨单元40，对晶片台23所保持的晶片W的坡口部进行研磨。
晶片台单元20、台移动机构30、坡口研磨单元40收容在外壳11内。该外壳11通过隔板14区分为2个空间、即上室(研磨室)15和下室(机械室)16。上述晶片台23以及坡口研磨单元40配置在上室15内，台移动机构30配置在下室16内。在上室15的侧壁上形成有开口部12，该开口部12通过由未图示的气缸来驱动的闸门13封闭。
晶片W通过开口部12而向外壳11内外搬入以及搬出。晶片W的搬送通过搬送机器手那种已知的晶片搬送机构(未图示)来进行。
在晶片台23的上表面上形成有多个槽26。这些槽26经由垂直延伸的中空轴27而与未图示的真空泵连通。当驱动该真空泵时，槽26中形成真空，由此晶片W被保持在晶片台23的上表面。中空轴27通过轴承28可旋转地支持，并且经由带轮p1、p2以及带b1与电动机m1连结。通过这种构成，晶片W在被保持在晶片台23的上表面的状态下由电动机m1旋转。
研磨装置还具备配置在外壳11内的晶片卡盘机构80。该晶片卡盘机构80构成为，接受由上述晶片搬送机构搬入到外壳11内的晶片W而将其载放到晶片台23上，或者将晶片W从晶片台23上拿起而将其传递到上述晶片搬送机构。另外，图5仅示出晶片卡盘机构80的一部分。
图7是表示晶片卡盘机构80的卡盘爪的俯视图。如图7所示，晶片卡盘机构80具有：第一卡盘爪81，具有多个挡块83；和第二卡盘爪82，具有多个挡块83。这些第一及第二卡盘爪81、82，通过未图示的开闭机构而向相互接近以及分离的方向(箭头T表示)移动。并且，第一及第二卡盘爪81、82，通过未图示的卡盘移动机构而在与被保持在晶片台23上的晶片W的表面垂直的方向上移动。
晶片搬送机构的爪73将晶片W搬送至第一及第二卡盘爪81、82之间的位置。然后，当使第一及第二卡盘爪81、82向相互接近的方向移动时，这些第一及第二卡盘爪81、82的挡块83与晶片W的周缘接触。由此，晶片W被第一及第二卡盘爪81、82夹持。构成为此时的晶片W的中心与晶片台23的中心(晶片台23的旋转轴)一致。因此，第一及第二卡盘爪81、82也作为定心机构起作用。
如图6所示，台移动机构30具备：圆筒状的轴台29，将中空轴27支持为旋转自由；支持板32，与轴台29相固定；可动板33，能够与支持板32一体地移动；滚珠丝杠b2，与可动板33连结；以及电动机m2，使该滚珠丝杠b2旋转。可动板33经由直线导轨35而与隔板14的下表面连结，由此可动板33能够在与晶片台23的上表面平行的方向上移动。轴台29通过形成在隔板14上的贯通孔17并延伸。在支持板32上固定有使中空轴27旋转的上述电动机m1。
在这种构成中，当通过电动机m2使滚珠丝杠b2旋转时，可动板33、轴台29以及中空轴27沿着直线导轨35的长度方向移动。由此，晶片台23在与其上表面平行的方向上移动。另外，在图6中，用箭头X表示基于台移动机构30的晶片台23的移动方向。
如图6所示，坡口研磨单元40具备：研磨头42，将研磨带(带状研磨部件)41按压到晶片W的坡口部上；和研磨带进给机构45，向研磨头42进给研磨带41。研磨带进给机构45具备：进给辊45a，向研磨头42进给研磨带41；卷绕辊45b，卷绕研磨头42所送出的研磨带41；以及未图示的旋转机构，使卷绕辊45b旋转。研磨头42位于与被保持在晶片台23上的晶片W相同的平面内。
当旋转机构使卷绕辊45b旋转时，研磨带41被从进给辊45a向研磨头42送出。研磨带41在与被保持在晶片台23上的晶片W的表面垂直的方向上前进，并被卷绕在卷绕辊45b上。
作为研磨带41，能够使用如下的研磨带：在成为研磨面的其单面上，例如将金刚石粒子或SiC粒子等磨粒粘接在基膜上。粘接在研磨带41上的磨粒，根据晶片W的种类、所要求的性能来选择，例如能够使用平均粒径处于0.1μm～5.0μm范围的金刚石粒子或SiC粒子。并且，也可以是未粘接有磨粒的带状的研磨布。并且，作为基膜，例如能够使用由聚酯、聚氨基甲酸乙酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等具有挠性的材料构成的膜。
图8是研磨头42的放大图。如图8所示，研磨头42具备：加压垫50，配置在研磨带41的背面侧；按压机构(例如气缸)56，与加压垫50连结；以及多个导辊57，将研磨带41的行进方向引导为与晶片W的表面垂直的方向。按压机构56使加压垫50朝向晶片W移动，由此隔着加压垫50而将研磨带41的研磨面按压到晶片W的坡口部上。如图6所示，在晶片W的上方以及下方分别配置有研磨液供给喷嘴58，向晶片W与研磨带41的接触位置供给研磨液或冷却水等。
下面，说明如上述那样构成的研磨装置的动作。晶片W由未图示的晶片搬送机构通过开口部12而搬入到外壳11内。晶片卡盘机构80从晶片搬送机构的爪73(参照图7)接受晶片W，并由第一及第二卡盘爪81、82把持晶片W。晶片搬送机构的爪73在将晶片W传递给第一及第二卡盘爪81、82之后，向外壳11之外移动，然后闸门13关闭。保持了晶片W的晶片卡盘机构80使晶片W下降，并载放到晶片台23的上表面。然后，驱动未图示的真空泵而使晶片W吸附到晶片台23的上表面。
之后，晶片台23与晶片W一起通过台移动机构30移动到研磨头42附近。接着，通过电动机m1使晶片台23旋转，并开始从研磨液供给喷嘴58向晶片W供给研磨液。在晶片W的转速以及研磨液的供给流量成为规定值的时刻，通过台移动机构30使晶片W移动到与研磨带41接触的位置。此时，通过按压机构56而加压垫50朝向晶片W突出，通过台移动机构30而晶片W的坡口部将加压垫50相反地按压，使晶片W移动到按压机构56的按压力作用于晶片W的坡口部的位置。由此，研磨带41的研磨面被按压到晶片W的坡口部。如此，晶片W的坡口部被研磨。
下面，详细说明上述研磨头42所具备的加压垫50。图9A是表示图8所示的研磨头42所具备的加压垫50的立体图，图9B是图9A所示的加压垫50的俯视图。
如图9A以及图9B所示，加压垫50具备：板状的按压部51，具有平坦的按压面51a；2个连结部52，与该按压部51的两侧部连接；以及垫主体部53，固定有这些连结部52。按压面51a为矩形，并形成为其宽度(沿着晶片W的周向的尺寸)D1比高度(沿着与晶片W的表面垂直的方向的尺寸)D2大。在本实施方式中，按压部51的厚度Tf以及连结部52的厚度Ts为大约0.5mm。按压部51、连结部52以及垫主体部53一体形成。加压垫50由PVC(聚氯乙烯)等硬质塑料(硬质树脂)形成。通过使用这种材料，按压部51作为板簧那样的具有挠性的弹性体起作用。
按压面51a被配置为与被保持在晶片台23(参照图6)上的晶片W的坡口部相对。连结部52相对于按压面51a垂直，且相对于晶片W的表面垂直。并且，2个连结部52沿着晶片W的周向排列。在按压部51的背面51b与垫主体部53之间形成有空间S。即，按压部51仅通过2个连结部52与垫主体部53连结。
图10是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。另外，在图10中未图示研磨带41。如图10所示，在加压垫50从晶片W分离时，按压部51维持原本的形状，按压面51a变得平坦。另一方面，当加压垫50按压晶片W时，按压部51沿着晶片W的周向弯曲。此时，2个连结部52朝向按压部51的中央部弯曲。该连结部52也形成为板状，并作为板簧那种弹性体起作用。
这样，按压部51以及连结部52变形(弯曲)，由此按压面51a在其全长上与晶片W的坡口部接触。因此，与图2所示的以往的加压垫相比，晶片W与研磨带41的接触长度变长。该接触长度能够根据加压垫50对晶片W施加的按压力、按压部51的厚度Tf、连结部52的厚度Ts而变更。
图11是表示通过加压垫50将研磨带41按压到晶片W的坡口部上的情况的纵截面图。由于按压部51由硬质的塑料形成，因此与通过由海绵或橡胶等形成的以往的加压垫来进行按压的情况相比，按压面51a与坡口部接触时难以被压缩。即，由于按压部51的刚性，在与晶片W的表面垂直的方向上，按压面51a难以沿着晶片W的形状。结果，晶片W所承受的研磨压力在坡口部的中央部增高。因此，能够良好地研磨坡口部的中央部。
图12是表示加压垫50的其他构成例的立体图。另外，未特别说明的加压垫的构成与图9A以及图9B所示的加压垫相同，因此省略其重复的说明。在本例中，在按压部51的背面51b，形成有在与被保持在晶片台23(参照图6)上的晶片W的表面垂直的方向上延伸的多个槽60。这些槽相互平行地以等间隔排列，并分别具有三角形状的截面。同样，在连结部52的内面上，也形成有在与晶片W的表面垂直的方向上延伸的槽60。
通过这些槽60，能够对按压部51沿着晶片W的周向弯曲的曲率进行控制，并且在与晶片W的表面垂直的方向上按压部51的弯曲刚度变强。因此，按压部51不会沿着晶片W的坡口部的纵截面方向的形状而被较大地压缩，能够以更平坦的按压面51a来按压坡口部。另外，通过变更形成的槽60的深度、形状、数量，能够对晶片W的周向以及纵向的弯曲强度进行调整。因此，能够成为具有最适于坡口部的研磨的弹性的加压垫50。
图13是表示加压垫50的其他构成例的立体图。另外，未特别说明的加压垫的构成与图9A以及图9B所示的加压垫相同，因此省略其重复的说明。在本例中，在按压部51的背面51b，粘接有在与被保持在晶片台23(参照图6)上的晶片W的表面垂直的方向上延伸的多个加强板(加强部件)61。这些加强板61靠近按压部51的中央部配置。
通过这些加强板61，能够对按压部51沿着晶片W的周向弯曲的曲率进行控制，并且在与晶片W的表面垂直的方向上按压部51的弯曲刚度变强。因此，按压部51不会沿着晶片W的坡口部的形状而被较大地压缩，能够以更平坦的按压面51a来按压坡口部。另外，通过变更加强板61的厚度、材质、数量、配置，能够对晶片W的周向以及纵向的弯曲强度进行调整。因此，能够成为具有最适于坡口部的研磨的弹性的加压垫50。
图14是表示加压垫50的其他构成例的立体图。另外，未特别说明的加压垫的构成与图9A以及图9B所示的加压垫相同，因此省略其重复的说明。在本例中，在按压部51的背面51b，形成有在被保持在晶片台23(参照图6)上的晶片W的周向上延伸的2个凹部62。在与晶片W的坡口部接触的部位的背面侧未形成凹部。即，在上述2个凹部62之间，按压部51保持原本的厚度。
通过这些凹部62，能够对按压部51沿着晶片W的周向弯曲的曲率进行控制，并且在与晶片W的表面垂直的方向上按压部51的弯曲刚度变强。因此，按压部51不会沿着晶片W的坡口部的形状而被较大地压缩，能够以更平坦的按压面51a来按压坡口部。另外，通过变更凹部62的形状、数量、配置，能够成为具有最适于晶片W的坡口部的研磨的弹性的加压垫50。
图15是表示加压垫50的其他构成例的立体图。另外，未特别说明的加压垫的构成与图9A以及图9B所示的加压垫相同，因此省略其重复的说明。在本例中，按压部51的背面51b从其两端部朝向中央部倾斜，按压部51的厚度从其两端部到中央部直线地增加。通过这种形状，能够对按压部51沿着晶片W的周向弯曲的曲率进行控制，并且在与晶片W的表面垂直的方向上按压部51的弯曲刚度变强。因此，按压部51不会沿着晶片W的坡口部的形状而被较大地压缩，能够以更平坦的按压面51a来按压坡口部。
图16A是表示加压垫50的其他构成例的立体图，图16B是图16A所示的加压垫50的俯视图，图16C是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。另外，未特别说明的加压垫的构成与图9A以及图9B所示的加压垫相同，因此省略其重复的说明。
在本例中，按压部51以及2个连结部52一体形成，但垫主体部53构成为其他部件。按压部51以及2个连结部52由PVC(聚氯乙烯)等硬质塑料(硬质树脂)形成。垫主体部53也由相同材料形成。在各连结部52的端部形成有向内侧延伸的折返部52a，这些折返部52a与垫主体部53的背面通过粘接剂等接合。
垫主体部53为，从其正面观察时具有大致H字形状，在垫主体部53的侧面与连结部52之间形成有间隙54。通过设置该间隙54，如图16C所示，在连结部52向内侧弯曲时，连结部52不会与垫主体部53接触。因此，连结部52能够不被垫主体部53干扰地向内侧弯曲。并且，通过设置间隙54，在连结部52向内侧弯曲时，能够减小作用于垫主体部53与连结部52的接合部上的剪切力。
按压部51以及连结部52可以使用与垫主体部53不同的材料形成。例如，也可以使用工程塑料等特殊的材料来一体地形成按压部51以及连结部52，并以廉价的其他材料来形成垫主体部53。通过成为这种构成，能够降低制造成本。并且，也可以通过胶带来接合连结部52和垫主体部53，而能够交换按压部51以及连结部52。
图17A是表示加压垫50的其他构成例的立体图，图17B是图17A所示的加压垫50的俯视图，图17C是表示加压时以及非加压时的情况的俯视图。另外，未特别说明的加压垫的构成与图9A以及图9B所示的加压垫相同，因此省略其重复的说明。在本例中，2个连结部52与按压部51的背面51b连接。这些连结部52分别配置在按压部51的从侧部朝向中央部的内侧的位置。即，连结部52之间的距离D3比按压部51的宽度D1小。
根据如此构成的加压垫50，能够得到如下效果。如上所述，在研磨时向晶片W供给研磨液。如图17C所示，该研磨液由于晶片W的旋转而向晶片W的外侧飞散。当连结部52位于按压部51的两侧部时，飞散的研磨液可能与连结部52碰撞而反弹到晶片W上。根据图17A至图17C所示的构成，由于连结部52位于按压部51的两侧部的内侧，因此研磨液不会进入按压部51的背侧、并再次飞散到晶片W上。因此，能够防止研磨液再次附着在形成有器件的区域，保护器件不受污染。
图18A至图18C是用于说明坡口研磨时的研磨头42的动作的图。坡口研磨单元40为，具备使研磨头42以晶片W的坡口部的研磨位置为中心而在上下方向上摆动的摆动机构(未图示)，能够从相对于晶片W的表面在上下方向上倾斜了规定角度的位置、使研磨带41的研磨面41a与坡口部接触。因此，如图18A所示，通过使研磨头42在相对于晶片W的表面向下方倾斜规定角度的状态下进行研磨，能够研磨坡口部的上侧倾斜面；如图18B所示，通过使研磨头42朝向水平方向，能够研磨坡口部的侧面；如图18C所示，通过使研磨头42在相对于晶片W的表面向上方倾斜了规定角度的状态下进行研磨，能够研磨坡口部的下侧倾斜面。并且，通过对研磨头42的倾斜角度进行微调，能够将坡口部的上下倾斜面和侧面、以及它们的边界部研磨为希望的角度以及形状。
在使研磨头42以晶片W的坡口部的研磨位置为中心而在上下方向上摆动时，晶片W与研磨带41的接触状态根据摆动位置而变化。即，加压垫50隔着研磨带41与晶片W接触的形状、接触面积、压力分布变化。
在图10、图16C、图17C中，如图18B那样，研磨头42位于使研磨带41与晶片W的端面垂直抵接的位置，在该状态下加压垫50沿着晶片W的圆周变形。另一方面，如图18A以及图18C所示，使研磨头42倾斜为对坡口部的上下的倾斜面进行研磨的角度时，与晶片W接触的加压垫50的形状、接触面积、压力分布复杂地变化。这样，在研磨头42的研磨角度变化了的情况下，优选考虑到加压垫50的形状、接触面积、压力分布变化的情况，而选定加压垫50的形状。
在图5所示的研磨装置中，也能够在装置内配置多个研磨头42。并且，也能够配置多个研磨头，对其中1个研磨头安装仅由以往的弹性体构成的加压垫、对其他研磨头安装本发明的加压垫等，适当地选择加压垫。并且，也能够适当选择上述加压垫的构成例而安装到多个研磨头上。
工业可利用性
本发明能够用于研磨半导体晶片等基板的坡口部的研磨装置。