含有吩噻嗪S氧化物或吩噻嗪S,S二氧化物基团的硅烷及其在OLED中的用途.pdf

本发明涉及含有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物基团的硅烷，含有所述硅烷的有机发光二极管，以及含有至少一种所述硅烷和至少一种三线态发射体的发光层。本发明还涉及生产本发明硅烷的方法及所述硅烷在有机发光二极管中优选作为基质材料和/或三线态发射体的阻断剂材料的用途。

1.  一种通式I的化合物：

其中
X为SO₂或SO，优选SO₂；
R¹在每种情况下独立地为任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或任选取代的烷基；
R²、R³在每种情况下独立地为任选取代的烷基、任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基；
m为1、2、3或4，优选2、3或4；
n为1或2；
o、p各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2；
L为选自以下基团的桥接基团：
-CH₂-(B)_j-和任选取代的杂亚芳基；R⁴、R⁵、R⁶在每种情况下独立地为任选取代的烷基、任选取代的芳基、任
选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基；
q、r、s各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2；
B为亚烷基桥-C_kH_2k-CH₂-，其中-C_kH_2k-单元的一个或多个非相邻基团CH₂可以被氧或NR⁷代替；
R⁷为氢或烷基；
k为1、2、3、4、5、6、7或8；及
j为0或1。

2.  根据权利要求1的化合物，其中：
X为SO₂；
m为2、3或4；
o、p各自为0、1或2；
L为优选为及
q为0、1或2。

3.  根据权利要求1或2的化合物，其中与Si结合的基团L或R¹中至少两个为芳族基团。

4.  根据权利要求1的化合物，其中：
L为优选为及o、p和q各自为0。

5.  包含至少一种根据权利要求1-4中任一项的化合物的OLED。

6.  根据权利要求5的OLED，其中所述至少一种根据权利要求1-4中任一项的化合物用作基质材料和/或阻断剂材料。

7.  根据权利要求6的OLED，其中所述基质材料和/或阻断剂材料与三线态发射体一起使用。

8.  包含至少一种根据权利要求1-4中任一项的化合物和至少一种三线态发射体的发光层。

9.  包含至少一种根据权利要求1-4中任一项的化合物的空穴和/或激子阻断剂层。

10.  一种制备根据权利要求1-4中任一项的化合物的方法，其包括以下步骤：
(i)通过使式(III)的吩噻嗪或吩噻嗪衍生物与式(IV)的双官能化合物反应而制备吩噻嗪衍生物(II)：

其中
R²、R³在每种情况下独立地为任选取代的烷基、任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的基团；
o、p各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2；
L为选自以下基团的桥接基团：
-CH₂-(B)_j-和任选取代的杂亚芳基；
R⁴、R⁵、R⁶在每种情况下独立地为任选取代的烷基、任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基；
q、r、s各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2；
B为亚烷基桥-C_kH_2k-CH₂-，其中-C_kH_2k-单元的一个或多个非相邻基团CH₂可以被氧或NR⁷代替；
R⁷为氢或烷基；
k为1、2、3、4、5、6、7或8；及
j为0或1；及
Y为卤素，优选选自F、Cl和Br，更优选为Br；

其中R²、R³、o和p各自如上面所定义，
Z-L-Y    (IV)
其中L和Y各自如上面所定义，及
Z为碘、氟、溴或甲苯磺酰基；
(ii)通过使吩噻嗪衍生物(II)与通式(VIa)的卤烷基/芳基硅烷或通式(VIb)的烷氧基硅烷反应而制备式(V)的吩噻嗪衍生物：

其中基团和指数各自如上面所定义，及
m为1、2、3或4，及
n为1或2，
(R⁸)_tSi(Hal)_4-t    (VIa)
(R⁸)_tSi(OR⁹)_4-t    (VIb)
其中
R⁸为任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或任选取代的烷基，优选甲基；
Hal为卤素，优选Cl；及
t为1、2或3；及
R⁹为烷基，优选乙基或甲基；
(iii)通过使式(V)的吩噻嗪衍生物与氧化剂反应而制备式(I)的吩噻嗪S-氧化物或S，S-二氧化物衍生物。

11.  根据权利要求1-4中任一项的化合物在OLED中优选作为基质材料和/或三线态发射体的阻断剂材料的用途。

12.  一种选自固定的可视显示单元如计算机、电视的可视显示单元，打印机、厨房用具和广告板中的可视显示单元，照明，信息板，以及移动的可视显示单元如移动电话、手提电脑、数码相机、交通工具及公共汽车和火车上的目的地显示器中的可视显示单元和照明单元的器件，其包含至少一种根据权利要求5-7中任一项的有机发光二极管。

含有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物基团的硅烷及其在OLED中的用途
本发明涉及包含吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物基团的硅烷，包含本发明硅烷的有机发光二极管，包含至少一种本发明硅烷和至少一种三线态发射体的发光层，包含至少一种本发明硅烷的阻断剂层，制备本发明硅烷的方法及本发明硅烷在有机发光二极管中优选作为基质材料和/或三线态发射体的阻断剂材料的用途。
有机发光二极管(OLED)利用了材料在受到电流激发时发光的特性。OLED作为用于生产平板显示单元的阴极射线管和液晶显示器的替代品尤其受到关注。包含OLED的器件由于非常紧凑的设计和固有的低功耗而尤其适合于移动应用如用于移动电话、便携式电脑等以及照明。
OLED作用方式的基本原理和合适的OLED构造(层)对本领域熟练技术人员已知并且例如描述于WO 2005/113704中，在此引用该文献。除了荧光材料(荧光发射体)外，所用发光材料(发射体)还可以为磷光材料(磷光发射体)。磷光发射体通常为有机金属配合物，其与显示出单线态发射的荧光发射体相比而显示出三线态发射(三线态发射体)(M.A.Baldow等，Appl.Phys.Lett.1999，75，4-6)。因为量子力学原因，当使用三线态发射体(磷光发射体)时，高达四倍量子效率、能量效率和功率系数是可能的。为了实现有机金属三线态发射体(磷光发射体)在实践中的使用优点，必需提供操作寿命长、对热应力稳定性高及使用电压和操作电压低的器件组件。
这类器件组件例如可以包含基质材料，其中实际发光体以分布形式存在。此外，所述器件组件可以包含阻断剂材料，并且空穴阻断剂、激子阻断剂和/或电子阻断剂可以在所述器件组件中存在。基质材料和所用阻断剂材料的选择尤其对OLED的发光度和量子产率有显著影响。
现有技术提出用于OLED的许多不同材料。在所提出的材料中，还有包含取代的，尤其是芳基取代的硅烷的那些。
例如，US 2005/0214572 A1涉及包含至少一种芳基硅烷优选作为发光层中基质材料的OLED。所述芳基硅烷具有至少两个被含氮杂原子取代的芳基。US 2005/0214 572 A1中没有公开具有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物取代基的芳基硅烷的用途。
WO 2004/095 598 A2涉及其发光层包含具有至少3.2eV的大的能带宽度的基质材料的OLED。WO 2004/095598A2中提及的基质材料包括芳基硅烷。然而，WO 2004/095 598 A2中没有提及吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物取代的芳基硅烷的用途。
JP 2005/22 00 88 A2涉及其芳基带有含氮取代基的芳基硅烷。根据JP2005/22 00 88 A2的化合物的能带宽度大于3.0eV。根据JP 2005/22 00 88 A2，提及的芳基硅烷用作OLED中的空穴传输材料。JP 2005/22 00 88 A2中没有提及作为基质材料或在OLED中的用途。此外，JP 2005/22 00 88 A2没有公开其芳基带有吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物取代基的芳基硅烷。
JP 2002/30 88 37 A2涉及具有空穴传输特性的化合物。根据JP 2002/3088 37 A2，这些化合物可为其芳基被氮杂环取代的芳基硅烷。在JP 2002/3088 37 A2中未提及芳基被吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物取代基取代。此外，根据JP 2002/30 88 37 A2的化合物用作空穴传输材料。在JP2002/30 88 37 A2中未提及所述化合物作为发光层中基质材料和/或阻断剂材料的用途。
WO 03/017732 A1涉及包含其中存在发光材料的可聚合无定形基质的OLED。形成可聚合基质的基本结构包含其芳基可尤其被杂芳基取代的芳基硅烷单元。WO 03/017732 A1中没有提及芳基被吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物基团取代。此外，根据WO 03/017732 A1的基质为可聚合无定形基质。
US 6,194,089 B1公开了具有包含连续有机介质A_xB_yC_z的有机发光层的OLED。在该介质中，A为电子传输材料，B为空穴传输材料并且C为空穴注入材料。材料A、B和C可以在连续有机介质内的不同浓度梯度存在于所述介质中。在其它化合物中，组分B可为其芳基可被芳族叔氨基取代的芳基硅烷。在US 6,194,089 B1中没有提及其芳基被吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物取代基取代的芳基硅烷。
EP 0 774 883 A2公开了具有包含在混合物中的2种或更多种空穴传输材料的空穴传输层的OLED。所用空穴传输材料可为芳基硅烷并且芳基可被叔胺单元取代。关于其芳基被吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物单元取代的芳基硅烷的用途，EP 0 774 883 A2没有给出任何信息。此外，根据EP 0 774 883 A2的芳基硅烷用作空穴传输层中的空穴传输材料，而不用作发光层中的基质材料和/或不用作阻断剂材料。
因此，本申请相对于现有技术的目的是提供在OLED中，尤其在OLED的发光层中使用的新颖基质材料和新颖阻断剂材料，其优选用作基质材料和/或三线态发射体的阻断剂材料。所述材料应易于获得并且在与发射体结合时在OLED中带来良好的发光度和量子产率。
该目的通过提供通式I的化合物实现：

其中
X为SO₂或SO，优选SO₂；
R¹在每种情况下独立地为任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或任选取代的烷基；
R²、R³在每种情况下独立地为任选取代的烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基，例如烷氧基、芳氧基、芳基羰氧基(-C＝O(OR))、-C＝O(SR)、杂芳基、羟基、氨基、卤素、-C＝O(R)、-OC＝O(R)、-SC＝O(R)、酰氨基(-C＝O(NR))、-NRC＝O(R)、磺酰基、磺酰胺、乙烯基、CN、硝基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基或芳基；
m为1、2、3或4，优选2、3或4；
n为1或2；
0、p各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0；
L为选自以下基团的桥接基团：
-CH₂-(B)_j-和任选取代的杂亚芳基；R⁴、R⁵、R⁶在每种情况下独立地为任选取代的烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基；例如烷氧基、芳氧基、芳基羰氧基(-C＝O(OR))、-C＝O(SR)、杂芳基、羟基、氨基、卤素、-C＝O(R)、-OC＝O(R)、-SC＝O(R)、酰氨基(-C＝O(NR))、-NRC＝O(R)、磺酰基、磺酰胺、乙烯基、CN、硝基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基或芳基；
q、r、s各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0；
B为亚烷基-C_kH_2k-CH₂-，其中-C_kH_2k-单元的一个或多个非相邻基团CH₂可以被氧或NR⁷代替；
R⁷为芳基或烷基；
k为1、2、3、4、5、6、7或8；及
j为0或1。
本发明的式I化合物尤其适合作为基质材料和/或阻断剂材料用于OLED中。它们优选作为基质材料与实际发射体一起用于发光层中。与基质材料一起用于OLED发光层中的发射体更优选为三线态发射体。在另一实施方案中，式(I)化合物用作空穴/光子-激子阻断剂。
式I化合物易于获得，并且在作为基质材料与实际发射体结合使用时和在作为阻断剂材料与实际发射体结合使用时，在OLED中使用时具有良好的发光度和量子产率。
取决于其取代方式，式(I)化合物可用作电子传导基质和/或空穴/激子阻断剂或用作空穴传导或双极基质和/或电子/激子阻断剂。电子传导基质和/或空穴/激子阻断剂
没有任何给电子取代基R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶(即具有+I和/或+M效应的取代基)的式I化合物基本上仅能传导电子并由此通常用作电子传导基质和/或空穴/激子阻断剂。
双极基质和/或空穴/激子阻断剂或电子/激子阻断剂
具有给电子取代基R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶的式I化合物可传导电子或空穴。因此，它们可用作电子和空穴传导基质(双极基质)。取决于系统(OLED结构)，它们可用作空穴/激子阻断剂或电子/激子阻断剂。通常，在式I化合物中存在给电子取代基越多，式I化合物作为空穴传导基质和/或电子/激子阻断剂的适用性就越好。
术语给电子取代基(+I和/或+M效应)和吸电子取代基(-I和/或-M效应)以本领域熟练技术人员已知的常规方式用于本申请中。合适的给电子和吸电子取代基例如为氨基、烷氧基、卤素取代基、芳氧基、芳基羰氧基、杂芳基、羟基、-C＝O(R)、-OC＝O(R)、-SC＝O(R)、酰氨基、-NRC＝O(R)、砜基团、磺酰胺基团、乙烯基、CN、硝基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基或芳基，或者卤代烷基如CF₃。
优选式(I)化合物用作电子传导基质和/或空穴-激子阻断剂。在优选的实施方案中，这意味着本发明涉及没有任何给电子取代基R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶的式(I)化合物。
根据本申请，烷基以及烷氧基的烷基可以为直链或支化或环状的和/或任选被选自芳基、烷氧基和卤素的取代基取代。合适的芳基取代基如下所述。合适烷基的实例为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基和辛基以及被芳基、烷氧基和/或卤素，尤其是F取代的所述烷基的衍生物如CF₃。还包括这些基团的正异构体和支化异构体如异丙基、异丁基、异戊基、仲丁基、叔丁基、新戊基、3，3-二甲基丁基、2-乙基己基等。优选的烷基为甲基、乙基、叔丁基和CF₃。
根据本申请，环烷基可任选被选自芳基、烷氧基和卤素的取代基取代。环烷基优选未被取代。合适的芳基取代基如下所述。合适环烷基的实例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基和环癸基。合适的话，环烷基也可以为多环体系如十氢萘基、降冰片基、冰片基或金刚烷基。环烷基可未被取代或任选被一个或多个其它基团，尤其是烷基、芳基、烷氧基和/或卤素取代。
就本发明而言，合适的卤素取代基为氟、氯、溴和碘，优选氟、氯和溴，更优选氟和氯。
合适的烷氧基和硫代烷氧基相应地由上文定义的烷基产生。在这里，实例包括OCH₃、OC₂H₅、OC₃H₇、OC₄H₉和OC₈H₁₇以及SCH₃、SC₂H₅、SC₃H₇、SC₄H₉和SC₈H₁₇。C₃H₇、C₄H₉和C₈H₁₇包括正异构体和支化异构体如异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基和2-乙基己基。特别优选甲氧基、乙氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基和SCH₃。
在本发明中，芳基指由不包含任何环杂原子的单环、双环或三环芳族化合物衍生的基团。当它们不是单环体系时，对于术语“芳基”在第二个环情况下也可以为饱和形式(全氢化形式)或部分饱和形式(例如二氢形式或四氢形式)，只要所述特定形式已知且稳定。这意味着本发明中术语“芳基”例如也包括其中两个或三个基团均为芳族的双环或三环基团，或者其中仅一个环为芳族的双环或三环基团，以及其中两个环为芳族的三环基团。芳基实例为：苯基、萘基、2，3-二氢化茚基、1，2-二氢萘次甲基、1，4-二氢萘次甲基、茚基、蒽基、菲基或1，2，3，4-四氢萘基。芳基更优选为苯基或萘基，最优选苯基。
芳基可未被取代或被一个或多个其它基团取代。合适的其它基团选自烷基、芳基或具有给体或受体作用的取代基，例如烷氧基、芳氧基、芳基羰氧基、杂芳基、羟基、氨基、卤素、-C＝O(R)、-OC＝O(R)、-SC＝O(R)、酰氨基(-C＝O(NR))、-NRC＝O(R)、砜、磺酰胺、乙烯基、CN、硝基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基或芳基。烷基优选未被取代或者被一个或多个烷氧基、氰基或CF₃或F取代。芳基更优选为未取代的苯基、4-烷基苯基、4-烷氧基苯基、2，4，6-三烷基苯基、2，4，6-三烷氧基苯基或N，N-二芳基氨基苯基，优选4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、2，4，6-三甲基苯基、2，4，6-三甲氧基苯基、9-苯基咔唑基，以及相应的苯并稠合基。
合适的芳氧基、芳硫基和芳基羰氧基相应地由上文定义的芳基衍生。特别优选苯氧基、苯基硫基和苯基羰氧基。
合适的氨基具有通式-NR’R”，其中R’和R”各自独立地为烷基或芳基。可任选取代的各个合适烷基和芳基如上所述。合适氨基的实例为二芳基氨基如二苯基氨基，和二烷基氨基如二甲基氨基、二乙基氨基，芳烷基氨基如苯基甲基氨基。
杂芳基应理解为指的是可通过用杂原子代替芳基基本骨架中的至少一个碳原子部分地由上述芳基产生的单环、双环或三环杂芳族化合物。优选的杂原子为N、O和S。所述基本骨架特别优选选自诸如吡啶和5元杂芳族化合物如噻吩、吡咯、咪唑或呋喃的体系。这些基本骨架可任选稠合一个或两个6元芳族基团。合适的体系为咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、氧芴基或硫芴基。所述基本骨架可在一个、超过一个或所有可取代位置被取代，此时合适取代基与已在芳基定义下描述的取代基相同。然而，杂芳基优选未被取代。在这里应特别提及吡啶-2-基、吡啶-3-基、吡啶-4-基、噻吩-2-基、噻吩-3-基、吡咯-2-基、吡咯-3-基、呋喃-2-基、呋喃-3-基和咪唑-2-基以及对应的苯并稠合基，尤其是苯并咪唑基、苯并呋喃基、氧芴基或硫芴基。
杂环烷基应理解为指与上述环烷基的区别在于环烷基的基本骨架中至少一个碳原子已被杂原子代替的基团。优选的杂原子为N、O和S。所述基本骨架可在一个、超过一个或所有可取代位置被取代，此时合适取代基与已在芳基定义下描述的取代基相同。在这里应特别提及含氮基团：吡咯烷-2-基、吡咯烷-3-基、哌啶-2-基、哌啶-3-基、哌啶-4-基。
就本申请而言，具有给体或受体作用的基团应理解为指的是下列基团：
具有给体作用的基团应理解为指的是具有+I和/或+M效应的基团，而具有受体作用的基团应理解为指的是具有-I和/或-M效应的基团。合适的具有给体或受体作用的基团为卤素基团，优选F、Cl、Br、I，更优选F、Cl，卤代烷基如CF₃，烷氧基，芳氧基，羰基，酯基，氧羰基和羰氧基如芳基羰氧基，胺基，酰胺基，-NR(＝OCR)，基团CH₂F，基团CF₃，基团CN，硫基，硫代烷氧基，硫代芳氧基，磺酸基团，硫羰基，羰硫基，磺酸酯基团，硼酸基团，硼酸酯基团，膦酸基团，膦酸酯基团，膦基，亚砜基团，磺酰基，磺酰胺基团，硫化物基团，硝基，OCN，硼烷基团，甲硅烷基，锡酸酯基团，亚氨基，肼基，酰肼(hydrazole)基，肟基，亚硝基，重氮基团，基团SiR₃，氧化膦基团，羟基，乙烯基，杂芳基或基团SCN。优选的具有给体或受体作用的基团为烷氧基、芳氧基、烷基羰氧基((-C＝O(OR))、羰硫基(-C＝O(SR)、杂芳基、羟基、氨基、卤素、羰基(-C＝O(R))、氧羰基(-OC＝O(R))、硫羰基(-SC＝O(R))、酰氨基(-C＝O(NR))、-NRC＝O(R)、磺酰基、磺酰胺基团、乙烯基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基或芳基。非常特别优选F、Cl、CN、芳氧基、烷氧基和卤代烷基如CF₃。
磺酰胺基团应理解为指的是-SO₂NHR，其R为氢、烷基或芳基，优选氢、C₁-C₆烷基、苯基或苄基。
磺酰基理解为指的是-S(O)₂R，其中R为氢、烷基、芳基或氨基，优选氢、C₁-C₆烷基、苯基、苄基或-NR’₂，其中R’每种情况下独立地为氢、烷基或芳基，优选氢、C₁-C₆烷基或苄基。
亚烷基桥B的-C_kH_2k-单元应理解为指的尤其是线性亚烷基链-CH₂-、-(CH₂)₂-、-(CH₂)₃-、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₅-、-(CH₂)₆-、-(CH₂)₇-和-(CH₂)₈-。然而，它们还可以为支化的，使得它们例如还可以为-CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-CH₂-CH(CH₃)-、-CH(CH₃)-CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂-C(CH₃)₂-、-CH(CH₃)-CH₂-CH(CH₃)-、-CH(CH₃)-(CH₂)₂-CH(CH₃)-、-CH(CH₃)-(CH₂)₃-CH(CH₃)-、-CH(CH₃)-(CH₂)₄-CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂-CH₂-C(CH₃)₂-或-C(CH₃)₂-(CH₂)₂-C(CH₃)₂-链。此外，在亚烷基桥B的-C_kH_2k-单元中，一个或多个非相邻基团CH₂可以被氢或NR代替。其实例尤其为-O-C₂H₄-O-、-O-(C₂H₄-O-)₂、-NR-C₂H₄-NR-或-NR-(C₂H₄-NR-)₂，其中R尤其为烷基如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基或叔丁基，或者芳基如苯基。
式I化合物中的R¹在每种情况下独立地选自任选取代的芳基、任选取代的杂芳基和任选取代的烷基，其中合适的芳基、杂芳基和烷基和合适的取代基已在上文描述。R¹优选为烷基，尤其是甲基、乙基或丙基，更优选甲基，或者未取代或取代的芳基，优选未取代或取代的苯基，此时苯基上的取代基为优选被卤素，烷氧基，CN或氨基取代基如CF₃、OCH₃、CN或二芳基氨基取代的烷基。芳基优选被1-3个氨基取代基，更优选二芳基氨基取代基，尤其是二苯基氨基；杂芳基，优选N-咔唑基及其衍生物取代。基团R¹最优选各自独立地为苯基、甲基、9-苯基咔唑基或4-N，N-二苯基氨基苯基。
式I化合物包含0、1、2或至多3个基团R¹。这意味着式I化合物中的m可以为1、2、3或4；m优选为2、3或4。当m为4时，式I化合物不包含任何基团R¹。
式I中R²和R³各自独立地为任选取代的烷基、任选取代的芳基或任选取代的杂芳基，其中合适的烷基、芳基和杂芳基和合适的取代基已在上文描述，或者具有受体或给体作用的取代基。合适的具有受体或给体作用的取代基已在上文描述。优选的具有受体或给体作用的取代基为：卤代烷基如CF₃、烷氧基、芳氧基、芳基羰氧基(-C＝O(OR))、-C＝O(SR)、杂芳基、羟基、氨基、卤素、-C＝O(R)、-OC＝O(R)、-SC＝O(R)、酰氨基(-C＝O(NR))、-NRC＝O(R)、磺酰基、磺酰胺、乙烯基、CN、硝基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基或芳基。
式I中o和p各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0。当o或p分别为0时，在式I化合物中不存在基团R²或R³，即吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物基团的所有可取代位置均被氢原子取代。
所述桥接基团L为选自以下基团的基团：
-CH₂-(B)_j-和任选取代的杂亚芳基，其中基团R⁴、R⁵和R⁶在每种情况下独立地为任选取代的烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基。合适的烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团已在上文描述。
q、r、s可各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0。当q、r或s为0时，所述桥接基团L不包含任何取代基R⁴、R⁵或R⁶，即桥接基团L的所有可取代位置均带有氢原子。
在桥接基团L为基团-CH₂-(B)_j-的情况下，B为亚烷基-C_kH_2k-CH₂-，其中-C_kH_2k-单元的一个或多个非相邻基团CH₂可以被氧或NR⁷代替。
R⁷为芳基或烷基，其中合适的烷基已在上文描述。特别优选的烷基为甲基或乙基。芳基优选为苯基。
亚烷基B中的k为1、2、3、4、5、6、7或8。j为0或1。
在优选的实施方案中，基团B为其中-C_kH_2k-单元均未被氧或NR⁷代替的亚烷基。所述亚烷基由此优选为通式-(CH₂)_1-9-的亚烷基。所述桥接基团L由此可以为由1-10个基团CH₂形成的亚烷基。
优选作为基团L使用的任选取代的杂亚芳基具有下式之一：

其中
R⁷和R⁸各自独立地为任选取代的烷基、任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基，其中合适的烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团已在上文描述；及
Y为NR’、PR’、S、O，其中R’为烷基或芳基并且合适的烷基和芳基已在上文描述；
Z为N
t为0、1或2；及
u为0、1、2或3，
其中当t或u为0时，所有可取代位置均带有氢原子。
在优选的实施方案中，基团L为选自以下基团的桥接基团：
或-CH₂-(B)_j-；
桥接基团L更优选为

最优选

基团R⁴、R⁵和R⁶及指数q、j各自如上面所定义。在特别优选的实施方案中，q、r和s各自为0，即上述桥接基团L的可取代位置均带有氢原子。
本发明优选涉及式I化合物，其中：
X为SO₂；
m为2、3或4；
o、p各自为0、1或2，优选为0；
L为优选为及
q为0、1或2，优选为0。
在另一优选的实施方案中，本发明涉及式I化合物，其中与Si结合的基团L或R¹中至少两个为芳族基团。
在优选的实施方案中，本发明涉及式(I)化合物，其中：
R²、R³各自为氢；
o、p各自为0；
n为1或2；
L为1，4-亚苯基或1，2-亚乙基；
m为1、2、3或4；及
R¹相同或不同且为CH₃、Ph、

特别优选的式I化合物的实例如下所述：



除了所述化合物外，基团L和指数n和m的其它变型也是可以的。例如，式(I)化合物可以额外具有三个吩噻嗪S，S-二氧化物基团和一个基团R¹。
本发明的式I化合物可通过本领域熟练技术人员已知的所有合适方法制备。优选通过包括以下步骤的方法制备式I化合物：
(i)通过使式(III)的吩噻嗪或吩噻嗪衍生物与式(IV)的双官能化合物反应而
制备吩噻嗪衍生物(II)：

其中
R²、R³在每种情况下独立地为任选取代的烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的取代基；例如烷氧基、芳氧基、芳基羰氧基(-C＝O(OR))、-C＝O(SR)、杂芳基、羟基、氨基、卤素、-C＝O(R)、-OC＝O(R)、-SC＝O(R)、酰氨基(-C＝O(NR))、-NRC＝O(R)、磺酰基、磺酰胺、乙烯基、CN、硝基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基、芳基或卤代烷基；
o、p各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0；
L为选自以下基团的桥接基团：
-CH₂-(B)_j-和任选取代的杂亚芳基；
R⁴、R⁵、R⁶在每种情况下独立地为任选取代的烷基，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基或具有给体或受体作用的基团；例如烷氧基、芳氧基、芳基羰氧基(-C＝O(OR))、羰硫基(-C＝O(SR))、杂芳基、羟基、氨基、卤素、羰基(-C＝O(R))、-NRC＝O(R)、磺酰基、磺酰胺基团、乙烯基、硫代烷氧基、硫代芳氧基或SiR₃，其中R在每种情况下独立地为氢、烷基、卤代烷基或芳基；
q、r、s各自独立地为0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0；
B为亚烷基桥-C_kH_2k-CH₂-，其中-C_kH_2k-单元的一个或多个非相邻基团CH₂可以被氧或NR⁷代替；
R⁷为氢或烷基；
k为1、2、3、4、5、6、7或8；及
j为0或1；及
Y为卤素，优选选自Cl和Br，更优选为Br；

其中R²、R³、o和p各自如上面所定义，
Z-L-Y  (IV)
其中L和Y各自如上面所定义，及
Z为碘、氟、溴或甲苯磺酰基；
(ii)通过使吩噻嗪衍生物(II)与通式(VIa)的卤烷基/芳基硅烷或通式(VIb)的
烷氧基硅烷反应而制备式(V)的吩噻嗪衍生物：

其中各符号和指数各自如上面所定义，及
m为1、2、3或4，优选2、3或4，及
n为1或2，
(R⁸)_tSi(Hal)_4-t    (VIa)
(R⁸)_tSi(OR⁹)_4-t    (VIb)
其中
R⁸为任选取代的芳基、任选取代的杂芳基或任选取代的烷基；
Hal为卤素，优选Cl；及
t为1、2或3；及
R⁹为烷基，优选乙基或甲基；
(iii)通过使式(V)的吩噻嗪衍生物与氧化剂反应而制备式(I)的吩噻嗪S-氧化物或S，S-二氧化物衍生物。
本发明方法中所用化合物的合适优选基团对应于上文就式I化合物所描述的优选基团。
步骤(i)
用于制备式(II)的吩噻嗪衍生物的式(III)的吩噻嗪或吩噻嗪衍生物可市购或可通过本领域熟练技术人员已知的方法制备。与式(III)的吩噻嗪或吩噻嗪衍生物反应的式(IV)的双官能化合物同样可市购或可通过本领域熟练技术人员已知的方法制备。
在本发明方法的步骤(i)中用式(IV)的双官能化合物取代式(III)的吩噻嗪或吩噻嗪衍生物的氮原子(N-烷基化或N-芳基化)优选在本领域熟练技术人员已知的碱存在下进行。所述碱优选为碱金属或碱土金属氢氧化物如NaOH、KOH、Ca(OH)₂，碱金属氢化物如NaH、KH，碱金属氨化物如NaNH₂，碱金属或碱土金属碳酸盐如K₂CO₃，或者碱金属醇盐如NaOMe、NaOEt。此外，上述碱的混合物是合适的。特别优选NaOH、KOH或NaH。特别优选的碱为NaH和K₂CO₃。
N-烷基化(例如描述于M.Tosa等，Heterocycl.Communications，第7卷，第3期，2001，第277-282页中)或N-芳基化(例如描述于H.Gilman和D.A.Shirley，J.Am.Chem.Soc.66(1944)888；D.Li等，Dyes andPigments 49(2001)181-186中)优选在溶剂中进行。合适的溶剂例如为极性非质子溶剂如二甲亚砜、二甲基甲酰胺或醇。同样可以使用过量烷基卤或芳基卤作为溶剂，优选使用过量烷基碘或芳基碘。当存在相转移催化剂如四正丁基硫酸氢铵时，反应可额外在非极性非质子溶剂如甲苯中进行(例如如I.Gozlan等，J.Heterocycl.Chem.21(1984)613-614所公开)。
但是，N-芳基化也可通过铜催化偶联式(III)化合物与芳基卤，优选芳基碘而进行(Ullmann反应)。在青铜存在下使吩噻嗪N-芳基化的合适方法例如公开于H.Gilman等，J.Am.Chem.Soc.66(1944)888-893中。
式(III)化合物与式(IV)的双官能化合物的摩尔比通常为1∶1-1∶2，优选1∶1-1∶1.5。
N-烷基化或N-芳基化通常在标准压力下和在0至220℃或0至所用溶剂沸点的温度范围内进行。反应时间通常在0.5-48小时内变化。
使式(III)化合物N-烷基化或N-芳基化的合适条件每种情况下可通过本领域熟练技术人员毫无问题地在初级试验中确定。例如，N-烷基化或N-芳基化的过程可用分析法如通过IR光谱法监测。
所得粗产物通常通过本领域熟练技术人员已知的方法后处理。
步骤(ii)
在步骤(ii)中，式(V)的吩噻嗪衍生物通过使在步骤(i)中制备的式(II)的吩噻嗪衍生物与式(VIa)的卤烷基/芳基硅烷或式(VIb)的烷氧基硅烷反应而制备。式(VIa)的卤烷基/芳基硅烷和式(VIb)的烷氧基硅烷通常可市购或可通过本领域熟练技术人员已知的方法制备。合适的卤烷基/芳基硅烷为卤烷基硅烷、卤芳基硅烷或混合的卤烷基/芳基硅烷。所用合适的卤烷基/芳基硅烷例如可为二氯二甲基硅烷、二氯二苯基硅烷、二氯甲基苯基硅烷或四氯硅烷。
式(III)的吩噻嗪或吩噻嗪衍生物通常在金属或金属盐如镁或BuLi(正、仲、叔)存在下与式(VIa)的卤烷基/芳基硅烷或者烷氧基硅烷(VIb)反应。本发明方法步骤(ii)中反应的合适反应条件对本领域熟练技术人员已知或可通过本领域熟练技术人员容易地确定。
通常，步骤(ii)中方法在标准压力下进行。温度通常为-78℃至+100℃。反应时间通常为1-24小时。
所得粗产物通常通过本领域熟练技术人员已知的方法后处理。
步骤(iii)
在本发明方法的步骤(iii)中，本发明的式(I)的吩噻嗪S-氧化物或S，S-二氧化物衍生物由在步骤(ii)中制备的式(V)的吩噻嗪衍生物制备。本发明的式(I)的吩噻嗪S-氧化物或S，S-二氧化物衍生物通过使式(V)的吩噻嗪衍生物与氧化剂反应而获得。合适的氧化剂取决于如何制备吩噻嗪S-氧化物或S，S-二氧化物衍生物。适合于制备特定衍生物的氧化剂对本领域熟练技术人员已知。合适的氧化剂的实例在下文描述。
将吩噻嗪氧化成本发明所用吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物的合适方法对本领域熟练技术人员已知并且例如描述于M.Tosa等，Heterocyclic Communications，第7卷，第3期，2001，第277-282页中。
吩噻嗪S-氧化物衍生物的氧化例如借助H₂O₂在乙醇、乙醇-丙酮混合物或草酸中，借助过硫酸铵、硝酸、亚硝酸、无机氮氧化物，合适的话与(大气)氧气、NO⁺BF₄^-/O₂、CrO₃一起在吡啶、臭氧、四甲基环氧乙烷、全氟烷基哑嗪(oxaziridine)中或者借助电化学方法进行。此外，相应官能化的式V的吩噻嗪向相应的式(I)的吩噻嗪S-氧化物衍生物的氧化可借助间氯过苯甲酸在CH₂Cl₂中在0-5℃的温度下或借助发烟硝酸和冰乙酸的混合物在CCl₄中进行(例如参见M.Tosa等，Heterocyclic Communications，第7卷，第3期，2001，第277-282页)。
吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物的氧化例如借助过酸如过乙酸(例如可由H₂O₂和AcOH获得)，或者间氯过苯甲酸，过硼酸钠，NaOCl或重金属体系如KMnO₄/H₂O、Et₃PhN⁺MnO₄^-在无机介质中，OsO₄/N-甲基吗啉N-氧化物进行。例如，相应官能化的式(V)的吩噻嗪向相应的式(I)的吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物的氧化可借助KMnO₄水溶液和C₁₆H₃₅N(CH₃)₃⁺Cl^-在CHCl₃中在室温下，或者借助间氯过苯甲酸在CH₂Cl₂中在室温下进行(例如参见M.Tosa等，Heterocyclic Communications，第7卷，第3期，2001，第277-282页)。
为了制备吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物，式(V)的吩噻嗪衍生物和氧化剂，优选间氯过苯甲酸以通常1∶1.8-1∶4，优选1∶1.9-1∶3.5，更优选1∶1.9-1∶3的摩尔比使用。
为了制备吩噻嗪S-氧化物衍生物，式(V)的吩噻嗪衍生物和氧化剂以通常1∶0.8-1∶1.5，优选1∶1-1∶1.3的摩尔比使用。没有用来进一步氧化成吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物的氧化剂如H₂O₂可以相比于上文就吩噻嗪衍生物所描述的更大过量使用。
氧化通常在溶剂，优选在选自卤代烃和双极性非质子溶剂的溶剂中进行。前者和后者的实例分别为二氯甲烷，以及乙腈和环丁砜。
取决于氧化剂，氧化成吩噻嗪S-氧化物衍生物通常在标准压力和-10℃至+50℃的温度下进行，并且氧化成吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物通常在标准压力和0至+100℃的温度下进行。氧化的反应时间通常为0.25-4小时。
但是，将特定吩噻嗪衍生物氧化成相应吩噻嗪S-氧化物或吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物的合适条件每种情况下可通过本领域熟练技术人员毫无问题地在初级试验中确定。例如，氧化过程可用分析法如通过IR光谱法监测。
在优选的变型中，式(I)的吩噻嗪S-氧化物衍生物通过在CH₂Cl₂中在0-20℃下用间氯过苯甲酸作为氧化剂氧化相应的式V的吩噻嗪衍生物而制备。
式(I)的吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物通过在CH₂Cl₂中在0-40℃下用间氯过苯甲酸作为氧化剂氧化相应的式V的吩噻嗪衍生物而制备。
将所得吩噻嗪S-氧化物和吩噻嗪S，S-二氧化物通过本领域熟练技术人员已知的方法分离和后处理。
本发明的式I化合物可借助本发明方法以高纯度和良好产率获得。合适的话，高纯度通过提纯如通过重结晶在本发明方法中获得的产物而获得。
式(I)化合物特别适合用作有机发光二极管中的基质材料。它们尤其适合用作OLED的发光层中的基质材料，此时所述发光层包含优选一种或多重三线态发射体作为发射体化合物。
此外，式(I)化合物适合作为阻断剂材料，尤其是OLED中的阻断剂材料，其中优选将它们用作三线态发射体的阻断剂材料。取决于其取代方式，式(I)化合物可用作空穴/激子阻断剂或电子/激子阻断剂，如上文所述。
因此，本发明进一步提供包含至少一种式(I)化合物的OLED。在一个实施方案中，优选将式(I)化合物用作基质材料，此时所述基质材料更优选与三线态发射体一起使用。在另一实施方案中，式(I)化合物优选用作阻断剂材料，更优选用作三线态发射体的阻断剂材料。
此外，式(I)化合物可在OLED中用作基质材料和阻断剂材料。此时，基质材料和阻断剂材料可以为相同或不同的式(I)化合物。
本发明进一步提供包含至少一种本发明的式(I)化合物和至少一种发射体化合物的发光层，此时所述发射体化合物优选为三线态发射体。
在又一实施方案中，本发明涉及式(I)化合物在OLED中作为阻断剂材料的用途。此外，OLED可包含式(I)化合物作为基质材料和阻断剂材料。
本发明进一步涉及本发明的式(I)化合物在OLED中优选作为基质材料，尤其是作为发射体化合物的基质材料的用途，此时所述发射体化合物更优选为三线态发射体。
本发明的式(I)化合物在OLED的发光层中作为基质材料的用途同样构成本发明主题的另一部分。
在本文中，使用式I化合物作为基质材料和/或阻断剂材料不应排除这些化合物本身也发光。然而，在用作OLED中的发射体的化合物的情况下，根据本发明使用的基质材料和/或阻断剂材料当嵌入其它常规基质材料中或OLED包含式(I)化合物作为阻断剂材料时，与这些常规基质材料和/或阻断剂材料相比，其发光度和量子产率增加。
使用的许多发射体化合物基于金属配合物，尤其是金属Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物，Ir的配合物尤其具有重要意义。根据本发明使用的式I化合物特别适合作为基于这类金属配合物的发射体的基质材料和/或阻断剂材料。尤其是，它们作为基质材料和/或阻断剂材料适合与Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物一起使用，更优选与Ir的配合物一起使用。
与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的合适金属配合物例如描述在文献WO 02/60910 A1、US 2001/0015432 A1、US 2001/0019782 A1、US 2002/0055014A 1、US 2002/0024293 A1、US2002/0048689 A1、EP 1 191 612 A2、EP 1 191 613 A2、EP 1 211 257 A2、US 2002/0094453 A1、WO 02/02714 A2、WO 00/70655 A2、WO 01/41512A1、WO 02/15645 A1、WO 2005/019373 A2、WO 2005/113704 A2、WO2006/115301 A1、WO 2006/067074 A1和WO 2006/056418中。
其它合适的金属配合物为可市购金属配合物：三(2-苯基吡啶)铱(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶基-N，C²’)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶基-N，C³’)(乙酰丙酮基)铱(III)、双(2-(4，6-二氟苯基)吡啶基-N，C²’)吡啶甲酸铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱(III)、双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)铱(III)和三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉)铽(III)。
此外，下列可市购材料是合适的：三(二苯甲酰基乙酰丙酮基)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、三(二-2-萘甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(4-溴苯甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二(联苯基甲烷))单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4，7-二苯基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4，7-二甲基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4，7-二甲基菲咯啉二磺酸)铕(III)二钠盐、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)和三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)单(5-氨基菲咯啉)铕(III)。
在本发明的优选实施方案中，本发明的式I化合物作为基质材料与作为三线态发射体的碳烯配合物一起用于发光层中，即特别优选的三线态发射体为碳烯配合物。合适的碳烯配合物对本领域熟练技术人员已知且在一些上述申请中和下文描述。在另一实施方案中，本发明的式(I)化合物作为阻断剂材料与作为三线态发射体的碳烯配合物一起使用。此外，本发明化合物可作为基质材料和阻断剂材料与作为三线态发射体的碳烯配合物一起使用。
因此，与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的合适金属配合物还例如是描述在WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2和WO 2005/113704，以及欧洲在先申请EP 06 112228.9和EP 06 112 198.4(其在本申请的优选权日尚未公布)中的碳烯配合物。具体参考上述WO和EP申请的公开内容，并且这些公开内容应并入本申请的内容中。尤其是，与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的合适金属配合物包括尤其是在WO 2005/019373A2(下文所用各变量的定义取自申请WO 2005/019373 A2；关于各变量的更详细定义，具体参考该申请)中公开的具有下列结构的碳烯配体：

其中：
＊表示配体与金属中心的连接位点；
z、z′相同或不同且各自为CH或N；
R¹²、R¹²′相同或不同，并且各自为烷基、芳基、杂芳基或链烯基，优选烷基或芳基，或者在每种情况下2个基团R¹²或R¹²’一起形成可以任选包含至少一个杂原子，优选N的稠合环；优选在每种情况下2个基团R¹²或R¹²’一起形成稠合的芳族C₆环，其中一个或多个其它芳族环可以任何可想象得到的稠合与该优选的六元芳族环稠合，并且所述稠合基团又可以被取代；或者R¹²或R¹²’是具有给体或受体作用的基团，其优选选自卤素基团，优选F、Cl、Br，更优选F；烷氧基，芳氧基，羰基，酯，氨基，酰胺基，CHF₂，CH₂F，CF₃，CN，硫基和SCN；
t和t′相同或不同，优选相同，且各自为0-3，其中当t或t′＞1时，基团R¹²或R¹²′可以相同或不同；t或t′优选是0或1；并且当t或t′是1时，基团R¹²或R¹²′位于与相邻于碳烯碳原子的氮原子的连接点的邻、间或对位；
R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹和R¹¹各自为氢、烷基、芳基、杂芳基、链烯基或具有给体或受体作用的取代基，其优选选自卤素基团，优选F、Cl、Br，更优选F，烷氧基，芳氧基，羰基，酯基，胺基，酰胺基，基团CH₂F，基团CHF₂，基团CF₃，基团CN，硫基和基团SCN，优选氢、烷基、杂芳基或芳基，
R¹⁰为烷基、芳基、杂芳基或链烯基，优选烷基、杂芳基或芳基，或者在每种情况下2个基团R¹⁰一起形成可以任选包含至少一个杂原子，优选氮的稠合环；优选在每种情况下2个基团R¹⁰一起形成稠合的芳族C₆环，其中一个或多个其它芳族环可以任选以任何可想象得到的稠合与该优选的六元芳族环稠合，并且所述稠合基团又可以被取代；或者R¹⁰是具有给体或受体作用的基团，其优选选自卤素基团，优选F、Cl、Br，更优选F；烷氧基，芳氧基，羰基，酯，氨基，酰胺基、CHF₂，CH₂F，CF₃，CN，硫基和SCN，
v为0-4，优选0、1或2，最优选0，其中当v是0时，式c中芳基的任选被R¹⁰取代的4个碳原子带有氢原子。
尤其是，与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的合适金属配合物包含在WO 2005/019373A2中公开的具有下列结构的Ir-碳烯配合物：

其中各变量各自如上面所定义。
与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的其它合适金属配合物还尤其是在WO 2006/056418 A2(下文所用各变量的定义取自申请WO 2006/056418 A2；关于各变量的更准确定义，具体参考该申请)中公开的下列结构：





其中M为Ru(III)、Rh(III)、Ir(III)、Pd(II)或Pt(II)，n值对于Ru(III)、Rh(III)和Ir(III)为3，而对于Pd(II)和Pt(II)为2，并且Y²和Y³各自为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基或叔丁基。M优选为Ir(III)，其中n＝3。Y³优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基或叔丁基。
与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的其它合适金属配合物还尤其是：


其中M为Ru(III)、Rh(III)、Ir(III)、Pd(II)或Pt(II)，n值对于Ru(III)、Rh(III)和Ir(III)为3，而对于Pd(II)和Pt(II)为2，并且Y³为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基或叔丁基。M优选为Ir(III)，其中n＝3。Y³优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基或叔丁基。
与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的其它合适金属配合物还尤其是：


其中M为Ru(III)、Rh(III)，尤其为Ir(III)、Pd(II)或Pt(II)，n值对于Ru(III)、Rh(III)和Ir(III)为3，而对于Pd(II)和Pt(II)为2。
与作为OLED中的基质材料和/或阻断剂材料的式I化合物一起使用的其它合适金属配合物还尤其是：


其中M为Ru(III)、Rh(III)，尤其是Ir(III)、Pd(II)或Pt(II)，n值对于Ru(III)、Rh(III)和Ir(III)为3，而对于Pd(II)和Pt(II)为2。
另外，具有不同的碳烯配体和/或具有单阴离子或双阴离子配体且可以为单齿或二齿的配合物也是有用的。
参考下表，示意性地指出了具有三价金属中心和不同碳烯配体L′和L″的配合物ML′(L″)₂：