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本发明涉及通过用熔融的Zn金属还原SiCl4生产高纯硅的方法和设备。该方法的特征在于与溶解ZnCl2的熔融盐接触发生所述还原反应。所述还原反应过程中产生的ZnCl2然后溶解在所述熔融盐中而不是蒸发。其优势在于在所述还原反应过程中的气体逸出最小化,导致更高的SiCl4和Zn利用率,并且从而导致更高的Si收率。另一个优势在于所述熔融盐有效地保护了空气敏感物料Zn、SiCl4和Si在还原反应过程中免于氧。