CN200980000347.3
2009.02.13
CN101687272A
2010.03.31
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授权|||实质审查的生效IPC(主分类):B23K 9/32申请日:20090213|||公开
B23K9/32; B23K9/095; B23K15/00; B23K15/02; H05H1/36
B23K9/32
海别得公司
D·M·博罗维; J·A·罗伯茨
美国新罕布什尔州
2008.2.21 US 12/035,125
上海专利商标事务所有限公司
茅翊忞
一种用于标识与热处理系统关联的割炬组合件的系统和方法包括:检测器(10),该检测器基于与所述热处理系统的多个断路或闭路来检测多位二进制信号。每个代表性二进制信号可包括各物理部件(21)。该系统也可包括与检测器通信的控制机构(20),该控制机构基于多位二进制信号标识割炬组合件的至少一个特征。
1. 一种标识与热处理系统关联的割炬组合件的系统,包括:检测器,所述检测器基于与所述热处理系统的多个断路或闭路来检测多位二进制信号;以及与检测器通信的控制机构,所述控制机构基于所述多位二进制信号标识割炬组合件的至少一个特征。2. 如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述热处理系统是焊接装置或等离子体电弧割炬系统中的至少一个。3. 如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述割炬组合件包括配置成与相应连接器组合件配合以建立所述多个断路或闭路的连接器组合件。4. 如权利要求3所述的系统,其特征在于,所述相应连接器组合件包括适于接纳引脚的多个特征,其中接纳所述连接器组合件的引脚的特征形成闭路且不接纳连接器组合件的引脚的特征形成断路。5. 如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述断路对应于逻辑高或逻辑低,以定义标识所述割炬组合件的所述多位二进制信号的位模式。6. 如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制机构包括用来处理所述多位二进制信号的集成电路、软件或数字逻辑器件中的至少一个。7. 如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述控制机构在查找表上标识割炬组合件,所述多位二进制信号对应于所述割炬组合件。8. 一种标识与热处理系统关联的割炬组合件的方法,包括:将所述割炬组合件连接于所述热处理系统;以及检测所述割炬和所述热处理系统之间的建立多位二进制信号的多个断路和闭路,其中所述信号对应于所述割炬组合件的特征。9. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括基于所标识出的割炬组合件而改变热处理系统中的气体压力、给气时间、导向时间、切割时间或机械化遥控中的至少一个。10. 如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括使断路关联于逻辑高或逻辑低中的至少一个,以定义所述多位二进制信号的位模式。11. 一种用于等离子体电弧割炬系统的割炬,包括:多个电路径,这些电路径配置成携带电流;以及多个器件,这些器件具有允许电流通过所述电路径的第一状态以及阻止电流通过所述电路径的第二状态,选择性地将每个器件配置成第一或第二状态中的一个便形成标识所述割炬的多位二进制信号。12. 如权利要求11所述的割炬,其特征在于,所述器件是引脚位置,被填充的引脚位置对应于形成闭路的第一状态,而不被填充的引脚位置对应于形成断路的第二状态。13. 如权利要求11所述的割炬,其特征在于,所述器件是开关。14. 如权利要求11所述的割炬,其特征在于,处于第一状态的器件产生闭路而处于第二状态的器件产生断路。15. 如权利要求14所述的割炬,其特征在于,闭路对应于逻辑高或逻辑低,以定义标识所述割炬组合件的所述多位二进制信号的位模式。16. 如权利要求14所述的割炬,其特征在于,还包括:检测器,用来基于多个断开或闭路检测所述多位二进制信号;以及控制机构,用来基于开路或闭路中的至少一个来处理多位二进制信号,其中所述多位二进制信号的位模式标识所述割炬。17. 一种用于等离子体电弧割炬系统的连接器组合件,包括:壳体;位于所述壳体中的气体管道,用于在供气源和等离子体电弧割炬组合件之间传递气体;位于所述壳体中的工作电流管道,用以将工作电流从电源引至所述等离子体电弧割炬组合件;多个引脚位置,其中引脚位置的选择性填充对应于所述等离子体割炬组合件的特征。18. 如权利要求17所述的连接器组合件,其特征在于,引脚位置的选择性填充产生与所述割炬组合件的制造商的标识对应的二进制信号。19. 如权利要求17所述的连接器组合件,其特征在于,填充的引脚位置形成闭路的一部分而不填充的引脚位置形成断路,以使断路和闭路的组合形成二进制信号。20. 如权利要求17所述的连接器组合件,其特征在于,相对等离子体电弧割炬设置所述连接器组合件。21. 如权利要求20所述的连接器组合件,其特征在于,还包括具有接纳所述连接器组合件的相应连接器组合件的电源,其中闭路产生在被填充的引脚位置而断路产生在不被填充的引脚位置。22. 如权利要求17所述的连接器组合件,其特征在于,所述等离子体割炬组合件的特征使用基于引脚位置的选择性填充的二进制信号通过存储在电源的存储器件中的查找表标识。23. 一种用于标识与热处理系统关联的割炬组合件的组合件,包括:用于检测断路装置或闭路装置中的至少一个的装置;基于检测出的断路装置或闭路装置形成二进制信号的控制装置;以及基于所述二进制信号标识与热处理系统关联的器件的装置。24. 如权利要求23所述的组合件,其特征在于,还包括电源装置,所述电源装置配合于与热处理系统关联的割炬装置,以产生断路装置和闭路装置中的至少一个。
用于标识割炬组合件的二进制信号检测 技术领域 本发明涉及标识热处理系统的特征。具体地,本发明涉及与热处理系统相关联的设备的二进制信号检测。 背景技术 等离子体电弧割炬系统和焊接设备的两个主要部件是割炬组合件和电源组合件。可使用两种方法中的一种将割炬附连于电源。在第一种方法中,割炬可铅封于单元内并只能通过使用进入电源的工具而改变。在第二种方法中,可使用可拆卸连接器组合件将割炬附连于电源。 可拆卸的连接器组合件可提供某些优势。首先是易于更换手动式和机械式割炬或不同长度的割炬。其次,易于修理已损坏的割炬。再者,更方便存贮与电源分离的拆卸割炬。 可拆卸割炬的某些缺点是不同引线长度需要不同的调节器压力、不同引线长度需要不同的起动时间、为安全原因需要区别对待机械式割炬和手动式割炬、机械式割炬配置需要激活远程垂悬控制器以及具有同一连接器的不同割炬可具有不同的电流电平。已有设计可以各种方式避免这些缺点。为了适应不同的引线长度,必须对机器性能作出折衷,或者必须作出不自觉的手动调整。另外,由于起动限制可能无法提供长的引线长度。 考虑到安全因素,在不同电流电平使用相同连接器的已有设计可能需要对连接器(插接的孔和修整的壳体)作出机械调整。可物理地重构信号引脚位置以从机械上抑制互换性。然而,从机械上抑制互换性的引脚重构可能局限于几种组合。 之前的设计已尝试克服这些问题,例如通过使用经校正的电阻器以标识割炬或部件、通过测量焊枪中电动机的阻抗以标识焊枪的类型,或利用电路或微型芯片来标识焊枪的部件或类型。由于电部件可能易受侵蚀,这会影响测量电阻或阻抗的能力进而影响精确性,因此测量电阻或阻抗是不理想的。利用微型芯片或电路可能高成本、需要制造若干零件,并且对于工业环境来说不够强健。希望提供一种持久并且耐用的强健系统。 发明内容 在一个方面,本发明包括标识与热处理系统关联的割炬组合件的系统。该系统可包括检测器,该检测器基于与热处理系统的多个断路或闭路来检测多位二进制信号。该系统还可包括与检测器通信的控制机构,该控制机构基于多位二进制信号标识割炬组合件的至少一个特征。该系统可包括一个或多个单独的二进制物理元件(例如引脚、两引脚之间的跨接线等),所述元件可基于多个断路或闭路而形成多位二进制信号的基础。 在一个方面,本发明包括标识与热处理系统关联的割炬组合件的方法。该方法包括将割炬组合件连接于热处理系统并检测割炬和热处理系统之间建立多位二进制信号的多个断路和闭路,其中该信号对应于割炬组合件的特征。 在另一方面,本发明包括用于等离子体电弧割炬系统的割炬。该割炬包括:多个电路径,这些电路径配置成携带电流;以及多个器件,这些器件具有允许电流流过电路径的第一状态以及防止电流流过该电路径的第二状态。每个器件对第一或第二状态中的一个的选择性配置可形成标识该割炬的多位二进制信号。 在又一方面,本发明包括用于等离子体电弧割炬系统的连接器组合件。该连接器组合件包括壳体和位于壳体中使气体在供气源和等离子体电弧割炬组合件之间流动的气体管道。连接器组合件还可包括壳体中的工作电流管道,用以将工作电流从电源引至等离子体电弧割炬以及多个引脚位置,其中引脚位置的选择填充对应于等离子体割炬组合件的特征。 在另一方面,本发明包括用于标识与热处理系统关联的割炬组合件的组合件。该组合件可包括用于检测断路装置或闭路装置中的至少一个的装置。该组合件还可包括基于检测出的断路装置或闭路装置形成二进制信号的控制装置以及基于该二进制信号标识与热处理系统关联的器件的装置。 在其它例子中,上面提到的任何内容或本文描述的任何装置或方法均可包括下列特征中的一个或多个。 在一些实施例中,热处理系统是焊接装置或等离子体电弧割炬系统中的至少一个。 在一些实施例中,割炬组合件包括配置成与相应连接器组合件配合以建立断路或闭路中的至少一个的连接器组合件。相应连接器组合件可包括适于接纳引脚的多个特征,其中接纳连接器组合件引脚的特征形成闭路而不接纳连接器组合件引脚的特征形成断路。在一些实施例中,断路对应于或关联于逻辑高或逻辑低,以定义标识割炬组合件的多位二进制信号的位模式。 在一些实施例中,控制机构包括用以处理多位二进制信号的集成电路、软件或数字逻辑器件中的至少一个。在一些实施例中,控制机构可在查找表上标识割炬组合件,多位二进制信号对应于割炬组合件。 在一些实施例中,热处理系统中的气体压力、给气时间、导向时间、切割时间或机械化遥控中的至少一个可基于所标识的割炬组合件而改变。 在一些实施例中,具有允许电流流过电路径的第一状态和防止电流流过该电路径的第二状态器件可以是引脚位置。在一些实施例中,被填充的引脚位置对应于形成闭路的第一状态而未填充的引脚位置对应于形成断路的第二状态。在其它实施例中,具有第一和第二状态的器件是开关。处于第一状态的器件可产生闭路而处于第二状态的器件可产生断路。在一些实施例中,在第一状态下由器件产生的闭路对应于逻辑高或逻辑低的标识割炬的多位二进制信号的位模式。 在一些实施例中,等离子体电弧割炬系统的割炬包括:检测器,该检测器基于断路或闭路中的至少一个检测多位二进制信号;以及控制机构,该控制机构基于断路或闭路中的至少一个处理多位二进制信号,其中多位二进制信号的位模式标识出割炬组合件。 在一些实施例中,连接器组合件可包括多个引脚位置,其中引脚位置的选择填充产生与割炬组合件制造者的标识对应的二进制信号。在一些实施例中,被填充的引脚位置形成闭路的一部分而未填充的引脚位置形成断路,以使断路或闭路产生二进制信号。 连接器组合件可相对于等离子体电弧割炬系统的等离子体电弧割炬或电源设置。在一些实施例中,等离子体电弧割炬系统包括电源,该电源具有接纳连接器组合件的相应连接器组合件,其中闭路产生在填充的引脚位置而断路产生在未填充的引脚位置。可基于引脚填充位置的选择性填充二进制信号通过存储在电源的存储器件中的查找表来标识等离子体割炬组合件的特征。 在一些实施例中,电源装置配合于与热处理系统关联的割炬装置以产生断路装置和闭路装置中的至少一个。 本发明的其它方面和优点可从下面的附图和说明书中更清楚地看出,所有这些仅以示例方式示出本发明的原理。 附图说明 本发明上述优点与其它优点可通过结合附图参见下面的说明书而得到更好的理解。附图不一定按比例绘出,而是在阐述本发明原理时作出强调。 图1是根据阐述性实施例的标识模块的原理图。 图2是根据阐述性实施例的机械化等离子体电弧割炬系统的示意图。 图3是根据阐述性实施例的手持式材料加工设备和电源的示意图。 图4A和4B示出根据阐述性实施例的使用多位二进制信号的位模式标识热处理系统的图表。 图5是根据阐述性实施例的与配有相应连接器组合件的热处理系统关联的设备的连接器组合件的示意图。 图6A是根据阐述性实施例的与热处理系统关联的设备的连接器组合件的端视图。 图6B是根据阐述性实施例的与图6A的连接器组合件匹配的相应连接器组合件的端视图。 具体实施方式 图1是根据阐述性实施例的标识模块5的示意图。标识模块5包括当标识模块5连接于与热处理系统关联的设备15时检测基于断路或闭路信号中的至少一个的多位二进制信号的检测器10。标识模块5还包括与检测器10通信的控制机构20。控制机构20可接收基于检测到的断路或闭路信号或其任意组合的多位二进制信号,所述多位二进制信号的位模式标识与热处理系统关联的设备15的至少一个特征。可处理二进制信号以产生位模式或二进制代码。控制机构20可处理基于断路或闭路中的至少一个多位二进制信号,其中多位二进制信号的位模式对割炬进行标识。 在一些实施例中,关联于热处理系统的设备15包括:多个电路径,这些电路径配置成携带电流;以及多个器件,这些器件具有允许电流流过该电路径的第一状态以及防止电流流过该电路径的第二状态,每个器件至第一或第二状态中的一个的选择性配置可形成标识该割炬的多位二进制信号。第一状态可形成闭路而第二状态可形成断路。具有第一和第二状态的器件可在第一和第二状态之间受控。在一些实施例中,具有第一和第二状态的器件是能被操纵和/或控制以建立断路、闭路或其任意组合的电开关。 在一些实施例中,具有第一状态和第二状态的器件是引脚位置。例如,与热处理系统关联的器件15可包括由引脚有选择地填充的引脚位置21A、21B或21C。在一些实施例中,标识模块5可包括适于配合或接纳引脚的特征22A、22B或22C。在一些实施例中,器件15可与标识模块5匹配且接纳引脚的特征22A、22B或22C产生闭路而不接纳引脚的特征22A、22B或22C产生开路。可有选择地填充引脚位置21A、21B或21C以形成断路、闭路或其任意组合的模式,从而产生二进制信号。在一些实施例中,可由引脚填充的引脚位置21A、21B或21C相对于标识模块5设置,而适于匹配或接纳引脚的特征22A、22B或22C相对于设备15设置。 在一些实施例中,断路对应于逻辑高或逻辑低,由此定义标识与热处理系统关联的设备15的多位二进制信号的位模式。在一些实施例中,闭路对应于逻辑高或逻辑低,由此定义多位二进制信号的位模式。 在一些实施例中,控制机构20包括集成电路、软件或数字逻辑器件中的至少一个,以处理多位二进制信号。 与之前设计(例如模拟器件)相比,二进制系统的一个优点是利用二进制信号的系统更易于封装(例如无钎焊、灌封、比模拟器件更为强健)。二进制系统相比模拟器件更易于制造、检查和/或诊断系统中的故障。使用二进制信号标识器件的二进制系统也比具有固有容限的模拟器件更为可靠。由于数字信号容易由软件利用,二进制信号比模拟器件更易于实现在控制电子设备中。此外,模拟系统可能需要与不同器件关联的各种独立部件的存量。相反,二进制系统很少需要标识不同系统的部件。 在一些实施例中,热处理系统是等离子体电弧割炬系统或焊接装置。与热处理系统15关联的设备可以是包含割炬用电引线的特定割炬组合件。标识模块5可用来标识设备15的特征,例如设备15的制造商或指示特定引线长度的特征、机械化设备和手持设备之间的区别和/或标识系统的电流电平。结果,标识设备15有助于确定例如必要的调节器压力、正确的起始时间、是否需要激活远程垂悬控制器、割炬兼容性、割炬附件和必要的电流电平。在一些实施例中,标识模块5设置在热处理系统的电源中。在一些实施例中,在设备15是等离子体电弧割炬系统中的割炬组合件的情形下,可基于所标识的割炬组合件来改变热处理系统中的气体压力、给气时间、导向时间、切割时间或机械化遥控。 在一些实施例中,标识模块5不仅用来标识设备15还用来确定是否正在使用正确的设备。例如,如果相对于电源设置标识模块5,则标识模块5可用来确保具有比由电源提供的更低电流电平的设备15不连接于电源。在一些实施例中,如果电源将设备标识为具有比电源更低电流电平,则电源可禁用和/或警告用户有错误发生。 在一些实施例中,设备15是割炬组合件且用来标识与热处理系统关联的割炬组合件的方法包括:将割炬组合件连接于热处理系统并检测割炬和热处理系统之间建立多位二进制信号的多个断开和闭路,其中该信号对应于割炬组合件的一个特征。在一些实施例中,热处理系统中的气体压力、给气时间、导向时间、切割时间或机械化遥控中的至少一个可基于所标识的割炬组合件而改变。该方法还包括使断路关联于逻辑高或逻辑低中的至少一个,以定义多位二进制信号的位模式。 图2是根据阐述性实施例的机械化等离子体电弧割炬系统25的示意图。机械化等离子体电弧系统25包括等离子体电弧割炬30、关联的电源35、远程高频(RHF)控制台40、供气源35、定位装置45、切割台50、割炬高度控制器55以及关联的计算机数字控制器60。 在一些实施例中,电源35包括标识模块(未示出),该标识模块当系统连接于电源35时标识等离子体电弧割炬系统25的特征。标识模块可将等离子体电弧割炬系统25标识为机械化系统并另外标识引线长度、电流电平或是否应当激活远程垂悬控制器。考虑将标识模块相对于系统的其它部件而设置,而不仅限于电源35。 图3是根据阐述性实施例的手持热处理系统65的示意图。手持热处理系统65包括与电源组合件70和热处理系统关联的设备75。关联于热处理系统的设备75可与电源70连接或断开。 在一些实施例中,设备75是热处理系统的割炬,例如等离子体电弧割炬或焊接装置的割炬。设备75可以是包括引线和连接器组合件80的割炬组合件。电源70包括设计成接纳和/或匹配于设备75的连接器组合件80的相应连接器组合件85。在一些实施例中,电源70连接于手持热处理系统75或例如图2的机械化等离子体电弧割炬系统的机械化热处理系统(未示出)中的任意一个。 在一些实施例中,电源70包括例如图1标识模块的标识模块(未示出),用来标识与热处理系统关联的设备75的特征。关联于热处理系统的设备75可以是等离子体电弧割炬系统或焊接装置的割炬或引线组合件。电源70可包括与标识模块共同使用的用户界面90或控制台。在一些实施例中,为了安全,电源70不与较低电流电平的设备共同工作。结果,电源70可使用标识模块来确定割炬或引线组合件是否安全地工作在合需的电流电平下。如果电源70将设备75标识成具有比要求电流电平更低的电流电平,则电源70或者禁用、无法起动或经由用户界面90通知用户。 用户界面90也可用来提醒用户用于热处理系统的参数,例如起动时间、调节器压力、是否激活远程垂悬控制器等。在一些实施例中,用户界面90可用来指示用户采取某种行动。例如,用户界面90可根据所标识的特定设备而指示用户激活远程垂悬控制器。在一些实施例中,电源70可用于要求不同起动时间的不同割炬组合件。结果,电源70可使用标识模块以标识割炬组合件并将该割炬组合件关联于特定起始时间。用户界面90可用来指示用户例如系统所要求的特定起始时间。 图4A和4B示出根据阐述性实施例的使用多位二进制信号的位模式标识热处理系统的查找表95或图表。多位二进制信号100的不同模式可用来标识关联于热处理系统105的设备。多位二进制信号100可对应于与热处理系统105关联的不同设备。多位二进制信号100的位模式可用来标识连接于例如电源或与热处理系统关联的其它单元的设备105的类型。 可基于与闭路、断路或其任意组合关联的信号模式而生成多位二进制信号100的位模式。闭路可关联于“逻辑高”信号且断路可关联于“逻辑低”信号,反之亦然。基于信号模式产生多位二进制信号100。关联于热处理系统105的设备可对应于特定的多位二进制信号模式100或由其标识。在一些实施例中,多位二进制信号100的位模式可用来标识设备是否为手持式热处理系统,例如手持式便携等离子体电弧割炬,或者设备是否为机械化热处理系统,例如机械化等离子体电弧割炬系统。二进制信号100的位模式也可用来标识设备105是否具有预定的引线长度、特定的引线特征、必要的调节器压力、特定的割炬附件、合适的割炬兼容性、正确的起始时间、确定的电流电平和/或设备是否需要激活远程垂悬控制器。二进制信号100可用来标识不连接于用来形成多位二进制信号100的电路的特征(例如用来形成不同断路和/或闭路的电路不连接于引线、远程垂悬控制器或割炬本身)。 在一些实施例中,标识设备——例如相对于电源设置的标识设备——可利用硬件逻辑器件、软件或上述二者基于断路、闭路或其任意组合来接收多位二进制信号100并标识与热处理系统105关联的设备。 例如,在图4A和4B中,可选择位模式为“000001”的二进制信号来标识45安培、“机械式25”的机械化等离子体电弧割炬系统。为了产生二进制信号的位模式,闭环电路可与信号值“1”关联而开环电路可与信号值“0”关联。例如,为了正确地标识“机械式25”设备,当“机械式25”设备连接于例如电源时,通过形成五个开环电路之后接一个闭环电路而产生合适的二进制信号的位模式。 如图4A和4B所示,在一些实施例中,二进制信号也可具有由六个开环电路形成的位模式“000000”,用以标识45安培“手动式25”等离子体电弧割炬系统。在该实施例中,当“手动式25”设备连接于例如电源时,通过形成六个开环电路而产生二进制信号的适当位模式。 二进制信号的位模式(例如代码)可通过形成不同设备(例如割炬)的图表并将二进制信号赋予该设备而预确定。在一些实施例中,不同位的位置可赋予设备的不同特征(例如位1的逻辑低可对应于手持式割炬而位1的逻辑高可对应于机械式割炬)。 在一些实施例中,断路、闭路或其任意组合形式的串联用来形成二进制信号100的位模式,所述二进制信号100通过连接于相应连接器组合件(例如插头连接器或插座连接器配置)的连接器组合件产生。图5是配合于相应连接器组合件115的连接器组合件110的图。在一些实施例中,连接器组合件110相对于热处理系统120的设备(例如割炬)设置。连接器组合件110例如可以是相对于等离子体电弧系统或焊接装置的割炬设置的插头。相应连接器组合件115可以是相对于电源125设置的插座。在一些实施例中,电源上的插座与设置在割炬组合件的引线上的插头匹配。 在一些实施例中,连接器组合件110包括至少一个引脚位置130。引脚被填充的引脚位置130可与相对于相应连接器组合件115设置的特征135匹配,产生闭路。另一方面,当连接器组合件110配合于相应连接器组合件115时,引脚的缺乏产生断路。结果,连接器组合件110可包括多个引脚位置130,这些位置有选择地被引脚填充以当连接器组合件110连接于相应连接器组合件115时建立多个断路、闭路或其任何组合。断开和闭路的配置可用来产生标识设备120用的多位二进制信号。仅作为示例,手持式等离子体电弧割炬上的插头可包括与电源插座上的多个特征匹配的多个引脚,产生断路或闭路的模式以产生多位二进制信号,将设备标识为手持式等离子体电弧割炬。 图6A是根据阐述性实施例的热处理系统的连接器组合件110的一端的示图。在一些实施例中,连接器组合件110是关联于等离子体电弧割炬系统或焊接装置的割炬的插头。连接器组合件110可包括壳体、中央管道140(例如使气体在供气源和等离子体电弧割炬组合件之间流动的气体管道),其具有相对于管道140设置的可被引脚填充的多个引脚位置130A-K。管道140可使气体通过中央部分(例如用径向O形环密封),并使主电源电流(例如大约30-100A+)通过开槽的凸舌145。在一些实施例中,连接器组合件110在壳体中包括工作电流管道(未示出),在电源和等离子体电弧割炬之间传导工作电流。连接器组合件110可相对于割炬组合件或电源设置。多个引脚位置130A-K可设置在割炬或电源上。 在一些实施例中,引脚位置130A-K可有选择地被填充,以使其对应于等离子体割炬组合件的特征(例如标识割炬组合件的制造商),使引脚位置有选择地填充或不填充产生二进制信号。在一些实施例中,被填充的引脚位置可形成闭路的一部分且不被填充的引脚形成断路,以使断路和闭路的组合形成二进制信号。在一些实施例中,可使用通过引脚位置的选择性填充建立的二进制信号通过查找表(例如图4A-4B中的查找表)标识割炬组合件(例如等离子体电弧割炬)的特征。查找表可存储在电源的存储器件中。 在一些实施例中,设置在管道140周围的引脚位置130A-K在引脚位置130A-B被工作引脚填充并在引脚位置130C-K有选择地被信号引脚填充。引脚位置130A-K可设置在离管道140预定的滑移和间隙距离处。在一些实施例中,引脚位置130A、130B被携带等离子体电弧割炬的导频电流的引脚填充,该引脚充当工作引脚,而引脚位置130C-K可有选择地被携带信号电流的信号引脚填充。至少一个空引脚位置150A-B可设置在引脚位置130A-B(例如被工作引脚填充)和/或引脚位置130C-K(例如被信号引脚填充)之间以产生二进制信号。在一些实施例中,空引脚位置可用来形成足够的滑移和/或间隙区。在一些实施例中,引脚位置130C-K被仅作为信号引脚的引脚填充,仅提供割炬或部件配置的表示,而不提供例如电流或实际信号测量或传输的工作信号。 在一些实施例中,三个引脚位置130C-E被专门针对每种割炬配置的信号引脚填充。仅作为示例,引脚位置130C可被为“火帽检测”信号而电连接于割炬除法器的信号引脚填充,引脚位置130D可被拉紧地电连接至割炬内“起动”安全电路的信号引脚填充,安全而引脚位置130E可被作为“公共”回线或接地线的信号引脚填充。在一些实施例中,配置成选择性地占有多达六个“信号”引脚的六个引脚位置可用来标识热处理系统,结果形成64种可能的组合。利用二进制信号的益处在于不同种可能组合的多样性。例如,如果将七个引脚位置配置成选择性地占有多达七个“信号”引脚,则该配置可用来提供多达128种不同信号组合,每种信号组合对应于例如本文中描述的不同查找条件。在一些实施例中,连接器组合件110包含定义信号所需数量的引脚。信号引脚填充位置130F-K可作为“公共”回线或接地线粘结于引脚填充引脚位置130E。在不利于信号引脚填充位置130F-K在公共电位返回的实施例中,每个引脚填充位置130F-K各自具有专门的回线/接地线。在一些实施例中,信号引脚填充引脚位置130F-K粘结于设置在连接器(例如连接器组合件110和/或相应连接器组合件125)中的公共回线或接地线,并且不延伸超过连接器(例如不延伸至等离子体电弧割炬、割炬或进一步电源中的引线)。在一些实施例中,引脚填充引脚位置130F-K不将信号送至割炬或电源。 图6B是可配合于图6A的连接器组合件110的相应连接器组合件115的示图。相应连接器组合件115可具有适于接纳和/或匹配图6A中的连接器组合件110的管道140的特征155。相应连接器组合件115还具有多个特征160A-K、170A-B。特征160A-K适于接纳选择性地被填充在相对于图6A的连接器组合件110设置的特征130A-K中的引脚。相应连接器组合件115的特征130A-K可相对于割炬组合件或电源设置。 在一些实施例中,相应连接器组合件115包括插座壳体和特征160A-K(例如插口),用来接纳选择性地被填充在特征130A-K中的引脚。插座机身可载有所有必要的插口。在一些实施例中,相应连接器组合件115是相对于电源设置的插座。在电源想要检测完整信号的一些实施例中,电源可包括例如适于接纳图6A的连接器组合件中选择性填充的引脚位置的多达六个信号引脚。在一些实施例中,相应连接器组合件115(例如插座壳体)包含有选择地被引脚填充或不填充的引脚位置,且连接器组合件110包含信号插座或允许在插座和连接器组合件110之间作出电连接的其它类似结构或特征。 在一些实施例中,当图6A的连接器组合件110和图6B的相应连接器组合件115配合时,被信号引脚填充的特征130F-K与图6B的相应连接器组合件115中的相应特征160F-K形成闭路。在一些实施例中,当连接器组合件110和相应连接器组合件115配合时,不接纳图6A的连接器组合件110的引脚的相应连接器组合件脚115的任何特征160F-K形成断路。 在一些实施例中,接纳和/或配合于图6A的特征139F-K中被填充的信号引脚的图6B的特征160F-K形成具有逻辑高或信号值“1”或也具有逻辑低或信号值“0”的闭路。不接纳引脚的特征160F-K的特征可形成具有逻辑低或信号值“0”或也具有逻辑高或信号值“1”的断路的引脚。基于断路、闭路或其任意组合的模式,逻辑高或逻辑低的组合可用来产生多位模式二进制信号。多位二进制信号的位模式可用来标识与热处理系统关联的设备。在一些实施例中,例如相对于电源设置的标识设备的标识设备可经由硬件逻辑器件、软件或两者利用信号形成二进制信号并标识与热处理系统关联的设备。 作为示例,连接器组合件可仅将信号引脚130F作为信号引脚。在该例中,如果断路关联于逻辑低或信号值“0”,则该配置将导致产生五个断路之后跟随一个闭路,产生二进制信号“000001”。根据图4A和4B的示例图表,二进制信号“000001”可将设备标识为45安培“机械式25”机械化等离子体电弧割炬系统。同样,作为示例,连接器组合件在引脚位置130F-K可能没任何被填充的信号引脚。这种配置将导致产生六个断路并产生二进制信号“000000”,根据图4A和4B的示例图表,“000000”可将设备标识为45安培“手动式25”等离子体电弧割炬系统。 尽管已具体示出本发明并参照具体示例性实施例进行了说明,然而应当理解可不脱离本发明精神和范围地作出形式和细节方面的多种改变。
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一种用于标识与热处理系统关联的割炬组合件的系统和方法包括:检测器(10),该检测器基于与所述热处理系统的多个断路或闭路来检测多位二进制信号。每个代表性二进制信号可包括各物理部件(21)。该系统也可包括与检测器通信的控制机构(20),该控制机构基于多位二进制信号标识割炬组合件的至少一个特征。 。
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