有机电致发光器件及其制备方法.pdf

本发明涉及一种能够显著提高有机电致发光器件的特性的方法。本发明提供通过在发光层之间插入由至少一个层构成的无机氧化物夹层而能够降低运行电压并提高效率的方法。

1.  一种具有阳极、阴极和多个发光层的有机电致发光器件，所述器件包括：
插入在所述发光层之间的无机氧化物夹层。

2.  如权利要求1所述的器件，其中在所述发光层之间形成至少两个所述无机氧化物夹层。

3.  如权利要求1所述的器件，其中所述无机氧化物夹层的厚度为0.1nm～500nm。

4.  如权利要求1所述的器件，其中所述无机氧化物包括Zr、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Si、As、Se、Eu、Sm、Th、Ac、Ce或Pr的氧化物，或者选自由这些元素中的至少两种元素构成的复合氧化物中的至少一种。

5.  如权利要求4所述的器件，其中所述无机氧化物包括选自ZrO₂、Li₂O、Na₂O、RbO₂、BeO、CaO、SrO、BaO、SiO₂、TiO、Ti₂O₃、TiO₂、V₂O₃、V₂O₄、V₂O₅、Mn₃O₄、MnO、Mn₂O₃、MnO₂、FeO、Fe₃O₄、ZnO、ZnO₂、MgO、SnO₂、ln₂O₃、CrO₃、CuO、Cu₂O、HfO₂、Fe₂O₃、CoO、Co₃O₄、NiO、NiO₂、CeO₂、Y₂O₃、NbO、NbO₂、Nb₂O₅、MoO₂、MoO₃、RuO₂、Rh₂O₃、RhO₂、PdO、AgO、Ag₂O、CdO、Ta₂O₅、WO₃、WO₂、ReO₃、OsO₄、IrO₂、PtO₂、Au₂O₃、HgO、Ga₂O₃、GeO₂、SnO、PbO₂、PbO、PbO₄、Sb₂O₃、Sb₂O₄、Sb₂O₅、Bi₂O₃、As₂O₃、As₂O₅、SeO₂和Eu₂O₃中的至少一种。

6.  如权利要求4所述的器件，其中所述复合氧化物包括选自ZrSiO₄、RbTiO₃、RbSeO₃、FeLiO₂、FeMoO₄、FeO₃Ti、Fe₂O₄Zn、Fe₂O₅Ti、Fe₅O₁₂Y₃、Fe₁₂O₁₉Sr、NiFeO₄、Nb₂O₆Pb、NbO₆Zn、MoO₄Pb、MoO₄Sr、MoO₄Zn、AgOV、AgO₄Re、Ag₂CrO₄、Ag₂O、Ag₂O₄W、CdO₃Zr、Ga₅Gd₃O₁₂、TiReO₄、PbSeO₃、PbTiO₃、PbZrO₃、Bi₂O₇Ti₂、Ce₂O₁₂W₃中的至少一种。

7.  一种制造具有阳极、阴极和多个发光层的有机电致发光器件的方法，所述方法包括如下步骤：
形成插入于所述发光层之间的单层或多层结构的无机氧化物夹层。

8.  如权利要求7所述的方法，其中用于形成无机氧化物夹层的方法选自旋涂、辊涂、喷涂、浸涂、流涂、刮刀涂覆和分配、喷墨印刷、胶版印刷、丝网印刷、移印、凹版印刷、柔版印刷、镂空版印刷、盖印、静电印刷、平版印刷、热沉积、电子束沉积、离子束沉积和溅射法。

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件或有机发光二极管(OLED)，更具体而言，本发明涉及通过在多个发光层之间插入由至少一个层构成的无机氧化物夹层而获得的能够降低运行电压并提高效率的有机电致发光器件或有机发光二极管。
背景技术
OLED是利用以下现象的自发光器件，所述现象为当对在其阴极和阳极之间包含荧光发光层或磷光体发光层的器件施加电流时，通过发光层中电子和空穴的结合自身发光的现象。OLED结构和制造工艺都很简单，并且能够实现高清晰度图像和宽视角。此外，OLED可以完全实现活动图像和高色纯度，并且因其低能耗和低电压运行而具有适用于便携式电子设备的特点。
OLED具有多层结构，而不是在两个电极之间只使用发光层，以提高效率并降低与现有器件寿命相关的运行电压。OLED通常具有多层结构，例如空穴注入和转移层、电子注入和转移层和空穴阻挡层等。OLED通过复合发光层中分别由阴极和阳极注入的电子和空穴来形成激子，并利用通过激子能量损失而产生的光。在所述器件中，由有机物形成的每个层的层厚通常为大约100nm，高亮度发光可以在低于10V的低电压下实现，由于利用了荧光或磷光的自发光，因而可以获得对于输入信号的高响应速度。
为在低运行电压下运行OLED，应该降低电极与有机物之间的能垒。为提高发光效率，应该以外加电压等量注入许多电子-空穴，并且应该提高它们的复合概率。对于有机物，施加高电压会使具有弱分子结构的有机发光层因高能量而损坏，从而降低器件的特性和寿命。因此，能够在低电压下注入充分数量的空穴和电子是非常重要的。
通常，在发光层中使用有机物时，空穴会使其特性劣化。为了防止这种现象发生，已经采用过插入空穴阻挡层和/或电子阻挡层。美国专利6670053号公报揭露了一种OLED，所述OLED在空穴转移层和发光层之间包含一个由含有3-苯基吲哚基的有机化合物形成的层，韩国专利2006-0012120号公报揭露了在发光层和空穴阻挡层之间引入诸如Se、Te、ZnSe等无机物层的内容，韩国专利2006-0078358号公报揭露了在空穴注入层和空穴转移层之间插入LiF、NaF等有机层的内容。然而，很难发现向发光层内部引入无机物层的实例。此外，对于使用所形成的有机物中间层的常规OLED结构，在获得满意的效率和寿命方面一直以来都存在限制。
因此，为解决OLED的若干问题，经过持续研究，完成了本发明。换言之，本发明通过在多个发光层之间形成由至少一个层构成的无机氧化物夹层的简单方法，提供了一种能够显著降低OLED的运行电压和并提高OLED的效率的方法，本发明特别具有能够容易地将所述方法应用于适用大尺寸OLED的现有沉积法和溶液法的特征。
发明内容
[技术问题]
本发明的一个目的是为改善常规OLED器件特性而提供一种长寿命的OLED结构，所述OLED结构通过以下方法获得：在多个发光层之间形成由至少一个层构成的无机氧化物夹层，以提高所述发光层中由其阴极和阳极注入的电子-空穴的复合概率，从而降低OLED器件的运行电压并提高其效率。
[技术方案]
为实现本发明的目的，通过在多个发光层之间形成无机氧化物夹层而制造OLED器件的方法不受特别限制，只要符合本发明的特征即可，但是可以选择使用例如旋涂、辊涂、喷涂、浸涂、流涂、刮刀涂覆和分配、喷墨印刷、胶版印刷、丝网印刷、移印、凹版印刷、柔版印刷、镂空版印刷、盖印、静电印刷、平版印刷、热沉积、电子束沉积、离子束沉积和溅射法等中的任何一种方法。
一种形成本发明的OLED器件结构的方法可以按照原样使用现有的器件形成方法，不同之处在于，仅在多个发光层中形成由至少一个层构成的无机氧化物夹层。
下面，将参考附图更加详细地描述本发明的一个实例。
换言之，如图1所示，通过下述方式制造本发明的OLED：在玻璃基板或塑料基板上涂覆ITO阳极10，并在所述基板上顺序堆叠空穴注入层20、第一发光层31、无机氧化物夹层41、第二发光层32、空穴阻挡层50和阴极60。同时，用于第一发光层31和第二发光层32的发光材料包括红色、绿色、蓝色、黄色、白色等材料，但不特别限于这些材料。第一发光层和第二发光层的发光材料可以相同或者不同。例如，当第一发光层是发蓝光层时，第二发光层可以是发蓝光层或者发绿光层和/或发红光层，反之亦然。与发光形式无关，第一发光层和/第二发光层可以分别使用荧光或磷光形式，或者使用它们的组合形式。此外，在不考虑颜色而使用基质和掺杂剂时，可以分离基质和掺杂剂，以使它们可以应用在第一发光层和/或第二发光层中。如果需要，如图2所示，可以使用由至少两个层构成的无机氧化物夹层42和43和至少一种发光材料制造OLED器件。在多个发光层中形成多个无机氧化物夹层的结构不限于如图2所示的仅有两层，而是可以采用不同的方式。
本发明的特征在于，以参考附图1和2所描述的方法在多个发光层之间形成无机氧化物夹层，但是不限于此。可以认为，本发明的无机氧化物在适当条件下，通过在发光有机物表面上反应形成网状结构。如果无机氧化物在有机物上形成排列良好的网状结构，其特性则得到了最大化。无机氧化物夹层起到保持电子和空穴移动速度恒定的作用，使电子和空穴在复合区慢速移动，由此使电子和空穴密度变大，增大复合概率。
本发明的OLED的无机氧化物夹层材料包括例如Zr、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Si、As、Se、Eu、Sm、Th、Ac、Ce和Pr等的氧化物，或者选自由这些元素中的至少两种元素构成的复合氧化物中的至少一种。作为具体实例，单元素氧化物例如有ZrO₂、Li₂O、Na₂O、RbO₂、BeO、CaO、SrO、BaO、SiO₂、TiO、Ti₂O₃、TiO₂、V₂O₃、V₂O₄、V₂O₅、Mn₃O₄、MnO、Mn₂O₃、MnO₂、FeO、Fe₃O₄、ZnO、ZnO₂、MgO、SnO₂、ln₂O₃、CrO₃、CuO、Cu₂O、HfO₂、Fe₂O₃、CoO、Co₃O₄、NiO、NiO₂、CeO₂、Y₂O₃、NbO、NbO₂、Nb₂O₅、MoO₂、MoO₃、RuO₂、Rh₂O₃、RhO₂、PdO、AgO、Ag₂O、CdO、Ta₂O₅、WO₃、WO₂、ReO₃、OsO₄、IrO₂、PtO₂、Au₂O₃、HgO、Ga₂O₃、GeO₂、SnO、PbO₂、PbO、PbO₄、Sb₂O₃、Sb₂O₄、Sb₂O₅、Bi₂O₃、As₂O₃、As₂O₅、SeO₂、Eu₂O₃。然而，如果符合本发明的特征，也可以使用复合氧化物，例如ZrSiO₄、RbTiO₃、RbSeO₃、FeLiO₂、FeMoO₄、FeO₃Ti、Fe₂O₄Zn、Fe₂O₅Ti、Fe₅O₁₂Y₃、Fe₁₂O₁₉Sr、NiFeO₄、Nb₂O₆Pb、NbO₆Zn、MoO₄Pb、MoO₄Sr、MoO₄Zn、AgOV、AgO₄Re、Ag₂CrO₄、Ag₂O、Ag₂O₄W、CdO₃Zr、Ga₅Gd₃O₁₂、TiReO₄、PbSeO₃、PbTiO₃、PbZrO₃、Bi₂O₇Ti₂、Ce₂O₁₂W₃。本发明的无机氧化物可以是单元素氧化物和复合氧化物的混合物。此外，在本发明的优选实施方式中，无机氧化物可以是Zr、Si、Al、Ti或Zn的氧化物，或者是选自这些元素中的至少两种元素的复合氧化物中的至少一种。
此外，本发明的无机氧化物夹层的材料的使用可以不必顾及其形式、状态、尺寸、形状等。换言之，只要符合本发明的特征，可以使用诸如溶液、溶胶、胶体或固体颗粒态等任何形式，并且在进行完诸如热处理、酸处理、碱处理等物理或化学处理之后，甚至可以使用能够形成无机氧化物夹层的前体。
通过溶液法形成无机氧化物夹层时，优选使用不损坏发光有机物层的溶剂。例如，当用在发光形成溶液中的溶剂为有机溶剂时，优选使用分散在有机溶剂中不损坏发光层的无机氧化物的溶剂，或者使用水基或醇基溶剂。作为具体实例，当发光材料使用诸如氯仿或四氢呋喃等极性有机溶剂时，无机氧化物夹层溶液的溶剂优选使用油型溶剂，所述油型溶剂是非极性溶剂，例如有己烷或庚烷；醇型溶剂，例如乙醇或丁醇；或者使用水作为主要成分的水基溶剂。
不需要限制无机氧化物夹层的厚度或位置，但是其厚度可以为0.1nm～500nm，优选为1nm～100nm，更优选为2nm～50nm。然而，当无机物中间层的厚度太薄或太厚时，存在运行电压升高或者发光效率降低的问题。此外，只要符合本发明的特征，无机氧化物夹层的位置就不受限制，无论其位于发光层中的什么位置都可以。
溶液法中所使用的无机氧化物溶液的含量不受特别限制。然而，相对于整个组合物，其比例在0.01重量％～10重量％范围内，更优选在0.1重量％～5重量％范围内。
下面将参考作为实例的旋涂法，描述制造无机氧化物夹层的方法。在通过旋涂PEDOT/PSS(来自Bayer Co.的Baytron P 4083；聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸))水溶液在阳极上形成40nm厚的空穴注入层之后，于其上旋涂40nm厚的有机发光层，将无机氧化物溶液滴落在有机发光层上，然后在600rpm涂覆20秒。接下来，通过将rpm提高至2000并进行1分钟旋涂，形成无机氧化物中间层。然后，在无机氧化物层上旋涂40nm厚的有机发光层并旋涂空穴阻挡层，然后利用蒸发器于其上沉积阴极，由此可以制得器件。无机氧化物中间层的干燥条件是在150℃干燥30分钟～1小时，优选在170℃干燥30分钟～1小时，但是不限于此。
下面将参考作为实例的喷墨法，描述制造无机氧化物夹层的方法。利用光谱SX-128头(spectra SX-128head)在阳极上排放PEDOT/PSS(来自Bayer Co.的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层，并通过喷墨法顺次于其上堆叠发光层、无机氧化物夹层、空穴阻挡层，然后利用蒸发器沉积阴极，由此可以制得器件。此外，也可以使用诸如凹版印刷、柔版印刷和胶版印刷等辊对辊涂覆法。
作为通过在多个发光层之间形成无机氧化物夹层制造OLED的方法，可以使用任何已知的方法，只要完成的OLED结构符合本发明即可。
附图说明
通过以下对结合有附图的优选实施方式的描述，可以明了本发明的上述和其它目的、特征和优点，在附图中：
图1是显示作为一个实例的根据本发明的使用一个无机氧化物夹层的有机电致发光器件的结构的图；
图2是显示作为一个实例的根据本发明的使用两个无机氧化物夹层的有机电致发光器件的结构的图；
图3是显示根据本发明的实施例1和比较例1的有机电致发光器件的运行电压和效率的图；
图4是显示根据本发明的实施例2和比较例2的有机电致发光器件的运行电压和效率的图；
图5是显示根据本发明的实施例9和比较例4的有机电致发光器件的色坐标的图；和
图6是显示根据本发明的实施例9和比较例4的有机电致发光器件的运行电压和效率的图。
[主要组件详述]
10：阳极
20：空穴注入层
31、32、33、34、35：发光层
41、42、43：无机氧化物夹层
50：空穴注入层
60：阴极
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本发明的实施例。然而，下述实施例仅供理解本发明使用，本发明并不局限于这些实施例或者不由这些实施例限定。
实施例1
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV(紫外线)或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(来自Bayer Co.的产品；聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸))水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。接下来，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK(来自AldrichCo.的聚(9-乙烯基咔唑))和Flrpic(二[(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C²′]吡啶甲酸铱(III))的混合物(所述混合物是蓝色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成40nm厚的发光层，随后通过旋涂使用D40(来自EXXON Co.的产品)溶剂溶解的氧化锆溶液在发光层上侧形成10nm厚的氧化锆中间层。然后，通过再次旋涂重量百分比为95∶5的蓝色磷光体发光材料PVK和Flrpic的混合物，在氧化锆中间层上形成40nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq(二(2-甲基-8-喹啉)-4-联苯氧基铝(III))，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例2
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。接下来，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Ir(ppy)₃(fac-三-(2-苯基吡啶)铱)的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成40nm厚的发光层，随后通过旋涂使用D40(来自EXXON Co.的产品)溶剂溶解的氧化锆溶液在发光层上侧形成10nm厚的氧化锆中间层。然后，通过再次旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Ir(ppy)₃的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在氧化锆中间层上形成40nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例3
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。接下来，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Btp₂Ir(acac)(二(2-(2′-苯并噻吩基)吡啶-N，C³′)乙酰丙酮酸铱(III))的混合物(所述混合物是红色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成40nm厚的发光层，随后通过旋涂使用D40(来自EXXON Co.的产品)溶剂溶解的氧化锆溶液，在发光层上侧形成10nm厚的氧化锆中间层。然后，通过再次旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Btp₂Ir(acac)的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在氧化锆中间层上形成40nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例4
实施例4的制造OLED方法与实施例3的相似，不同之处在于使用二氧化硅作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例5
实施例5的制造OLED方法与实施例3相似，不同之处在于使用氧化铝作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例6
实施例6的制造OLED方法与实施例3的相似，不同之处在于使用氧化钛作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例7
实施例7的制造OLED方法与实施例3的相似，不同之处在于使用氧化锌作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例8
实施例8的制造OLED方法与实施例3的相似，不同之处在于使用硅酸锆作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例9
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。接下来，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Flrpic的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成40nm厚的发光层，随后通过旋涂使用D40(来自EXXON Co.的产品)溶剂溶解的氧化锆溶液在发光层上侧形成10nm厚的氧化锆中间层。然后，通过再次旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Btp₂Ir(acac)的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在氧化锆中间层上形成40nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例10
在玻璃基板上形成ITO电极，随后利用真空蒸发器于其上沉积作为空穴注入层的厚的2-TNATA(4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺)，然后沉积作为空穴注入层的厚的NPD(N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺)。接下来，通过使用电子束蒸发器沉积作为发光层的厚的DPVBi(1，4-二(2，2-联苯乙烯基)联苯)，随后沉积厚的氧化锆，并再次依次沉积作为发光层的厚的DPVBi、厚的Alq3、厚的LiF、厚的Al，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例11
实施例11的制造OLED方法与实施例10的相似，不同之处在于使用氧化钛作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例12
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。接下来，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Ir(ppy)₃的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成27nm厚的发光层，随后通过旋涂使用D40(来自EXXON Co.的产品)溶剂溶解的氧化锆溶液在发光层上侧形成5nm厚的氧化锆中间层。接下来，通过再次旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Ir(ppy)₃的混合物，(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在氧化锆中间层上形成27nm厚的发光层，随后通过旋涂使用D40(来自EXXON Co.的产品)溶剂溶解的氧化锆溶液在发光层上侧形成5nm厚的氧化锆中间层。然后，通过再次旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Ir(ppy)₃的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在氧化锆中间层上形成27nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例13
实施例13的制造OLED方法与实施例1的相似，不同之处在于通过使用光谱SX-128头的喷墨法形成使用氧化锆溶液的锆中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例14
实施例14的制造OLED方法与实施例3的相似，不同之处在于使用40nm厚的氧化锆中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
实施例15
实施例15的制造OLED方法与实施例3的相似，不同之处在于使用重量百分比为99∶1的氧化锆和氧化钛的混合物作为中间层。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
比较例1
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。然后，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Flrpic的混合物(所述混合物是蓝色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成80nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
比较例2
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。然后，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Ir(ppy)₃的混合物(所述混合物是绿色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成80nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
比较例3
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。然后，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Btp₂Ir(acac)的混合物(所述混合物是红色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成80nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
比较例4
将作为阳极的15Ω/cm²(120nm)ITO玻璃基板切割为适当尺寸，并利用超声波在异丙醇和纯水中清洗10分钟，然后利用UV或臭氧清洗20分钟。在基板上侧旋涂PEDOT/PSS(作为来自Bayer Co.的产品的空穴注入材料)水溶液，从而形成40nm厚的空穴注入层。接下来，通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Flrpic的混合物(所述混合物是蓝色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成40nm厚的发光层，随后通过旋涂重量百分比为95∶5的PVK和Btp₂Ir(acac)的混合物(所述混合物是红色磷光体发光材料)，在空穴注入层上形成40nm厚的发光层。接下来，在发光层上侧沉积30nm厚的BAlq，然后沉积1nm厚的LiF、100nm厚的Al的阴极，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
比较例5
在玻璃基板上形成ITO电极，随后利用真空蒸发器于其上沉积作为空穴注入层的15nm厚的2-TNATA，然后沉积作为空穴注入层的35nm厚的NPD。接下来，沉积作为发光层的35nm厚的DPVBi，然后再次依次沉积5nm厚的Alq3、1nm厚的LiF、200nm厚的Al，由此制造OLED。制造的OLED的运行电压和效率特性的评价结果列在表1中。
利用I-V-L测量设备Keithley 2400测量的实施例1～实施例15和比较例1～比较例5制造的OLED的效率列在表1中。
表1OLED的物理性质的评价结果