荧光灯调节方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200910037060.X

申请日:

2009.02.03

公开号:

CN101505573A

公开日:

2009.08.12

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H05B 41/392申请公布日:20090812|||实质审查的生效IPC(主分类):H05B 41/392申请日:20090203|||公开

IPC分类号:

H05B41/392

主分类号:

H05B41/392

申请人:

深圳市力诚照明电器有限公司

发明人:

罗卫城; 张伯文

地址:

518100广东省深圳市宝安区福永街道福园一路东蚝业路南旭竟昌工业园B5栋5楼

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

本发明涉及电气设计领域,公开了一种荧光灯调节方法。包括:采样所述荧光灯当前的输入电流,根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP,所述变量功率ΔP=U*ΔI,其中,ΔI为与所述第一输入端当前输入的采样电流成正比的电流,所述U为第二输入端当前输入的电压控制信号的等比电压,根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率;将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管。

权利要求书

1、  一种荧光灯调节方法,其特征是,包括:
采样所述荧光灯当前的输入电流,
根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP,所述变量功率ΔP=U*ΔI,其中,ΔI为与所述第一输入端当前输入的采样电流成正比的电流,所述U为第二输入端当前输入的电压控制信号的等比电压,
根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率;
将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管。

2、
  根据权利要求1所述的荧光灯调节方法,其特征是,
在根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率之前,还包括:
采样所述荧光灯的输入电压;
判断所述荧光灯的输入电压是否正常,只有所述荧光灯的输入电压正常时,才执行所述步骤:
根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率。

3、
  根据权利要求1或2所述的荧光灯调节方法,其特征是,
在将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极之前,还包括:
将所述振荡频率输入定时器,
将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管,具体是:
经过所述定时器将所述振荡频率输入至所述高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极电连接,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管。

4、
  根据权利要求1或2所述的荧光灯调节方法,其特征是,在采样所述荧光灯当前的输入电流之后,
根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP之前,还包括
对所述荧光灯当前的输入电流进行放大、滤波,将滤波后的电流输入至乘法器计算所述荧光灯当前的输入电流的平均值。
根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP,具体是,
根据所述荧光灯当前的输入电流的平均值、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP。

5、
  根据权利要求1或2所述的荧光灯调节方法,其特征是,外部的电压控制信号由用户通过调整可调电位器获取得到。

说明书

荧光灯调节方法
技术领域
本发明涉及电气设计领域,尤其涉及一种荧光灯调节方法。
背景技术
荧光灯由于其环保省电光源稳定的优点,被广泛地应用在人们的生活中。随着人们应用场景、时间段的不一样,对荧光灯的亮度要求也不一样,故人们渴望一种能够由用户根据场景需要而对亮度进行亮度调节的技术出现。
为了达到上述的目的,现有技术采用一个分档调光产品来实现,该调光换档操作是用荧光灯电源开关操作来实现,具体是,规定开灯为强光,然后根据电源开关的关开时间任意选择分档,一秒钟内关开一次为中档光源,半秒钟内关开一次为弱档光源,关灯三秒开为强档光源。分档调光产品解决了目前调光产品调光范围窄的问题,它的调光范围达到了25%~100%,使人眼非常明显的感觉到光强度的变化,光源变暗时耗电量跟着降低,弱光档时耗电量为荧光灯管额定功率的四分之一。
但是,一应用目前的分档调光器还存在以下的缺陷:
第一,无法实现无级调光,局限于25%,50%,100%功率;
第二,每次调光必须关灯后再开灯,严重影响灯管及电器寿命;
第三,瞬间亮度变化,对视觉有伤害;
第四,每次开关灯调光,必须用停顿时间区分亮度等级,手动操作麻烦且不易控制。
发明内容
本发明实施例提供了一种荧光灯调节方法,能够实现对荧光灯的亮度无级调节。
本发明实施例提供的一种荧光灯调节方法,包括:
采样所述荧光灯当前的输入电流,
根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP,所述变量功率ΔP=U*ΔI,其中,ΔI为与所述第一输入端当前输入的采样电流成正比的电流,所述U为第二输入端当前输入的电压控制信号的等比电压,
根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率;
将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管。
可选地,在根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率之前,还包括:
采样所述荧光灯的输入电压;
判断所述荧光灯的输入电压是否正常,只有所述荧光灯的输入电压正常时,才执行所述步骤:
根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率。
可选地,在将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极之前,还包括:
将所述振荡频率输入定时器,
将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管,具体是:
经过所述定时器将所述振荡频率输入至所述高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极电连接,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管。
可选地,在采样所述荧光灯当前的输入电流之后,
根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP之前,还包括
对所述荧光灯当前的输入电流进行放大、滤波,将滤波后的电流输入至乘法器计算所述荧光灯当前的输入电流的平均值。
根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP,具体是,
根据所述荧光灯当前的输入电流的平均值、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP。
可选地,外部的电压控制信号由用户通过调整可调电位器获取得到。
由上可见,应用本发明实施例的技术方案,可以调整输入的电压调整信号DIM,而调整当前的荧光灯的电子镇流器中的逆变器的工作频率,从而调整荧光灯的亮度,不同的电压调整信号DIM对应不同的频率,不同的频率对应不同的亮度,应用本实施例的技术方案能够实现荧光灯亮度的无级调节。
另外,由于应用本技术方案对荧光灯亮度的调节并不是如现有技术的分档调节器一样采用开关间隔来实现的,而是在当前的亮度下无级调节,因此,荧光灯的亮度变化速度相对较慢,人眼的适应感越强,并且,还有利于减少电器元器件的损耗,有利于提高电子荧的使用寿命。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明的不当限定,在附图中:
图1为本发明实施例1提供的一种荧光灯调节方法与荧光灯的连接原理示意图;
图2为本发明实施例2提供的一种荧光灯调节方法与荧光灯的连接原理示意图;
图3为本发明实施例2提供的一种荧光灯调节方法与荧光灯的连接原理示意图;
图4为本发明实施例4提供的一种荧光灯调节方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本发明,在此本发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明,但并不作为对本发明的限定。
实施例1:
荧光灯包括电子镇流器,在电子镇流器中设置有一逆变器,该逆变器与荧光灯的发光部件相串联,该逆变器的工作原理是,逆变器工作在不同的振荡频率下,逆变器主回路中的电感对应不同的阻抗,而该阻抗与荧光灯的输入电流相对应。
参见图1,本实施例提供的荧光灯调节方法,其流程主要包括:
步骤101:采样所述荧光灯当前的输入电流。
电流采样电路与荧光灯的输入端电连接,该电流采样电路用于采样获取所述荧光灯当前的输入电流I。
本实施例的电流采样电路可以采用单一的电流探测器实现,。
步骤102:根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率ΔP。
电流采样电路的输出端、以及外部的电压控制信号DIM的接入端分别与计算模块电连接。
其中该电压控制信号DIM为用户输入的调控信号。比如,本实施例可以在电压控制振荡器的第二输入端处电连接一电位器,用户可以通过调节该电电位器,而输入不同的电压控制信号DIM。
计算模块计算获取当前的变量功率ΔP,该变量功率ΔP=U*ΔI,其中,ΔI为与电压控制振荡器的第一输入端当前输入的采样电流I成正比的电流信号,U为第二输入端当前输入的电压控制信号DIM的等比电压。
步骤103:根据所述变量功率ΔP输出一振荡频率。
振荡发生器与计算模块电连接,振荡发生器根据计算模块获取的变量功率ΔP输出一振荡频率,并在振荡器的输出端输出该振荡频率。
步骤104:将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极。
振荡发生器的输出端分别与荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极电连接,将该振荡频率输入至驱动高端功率MOS管、以及低端功率MOS管,从而使逆变器工作在某个振荡频率下。
而根据荧光灯的电子镇流器中的逆变器的工作原理,逆变器工作在不同的振荡频率下,逆变器主回路中的电感对应不同的阻抗,而该阻抗与荧光灯的输入电流相对应。因此,利用本技术方案,可以调整输入的电压调整信号DIM,而调整当前的荧光灯的电子镇流器中的逆变器的工作频率,从而调整荧光灯的亮度,不同的电压调整信号DIM对应不同的频率,不同的频率对应不同的亮度,应用本实施例的技术方案能够实现荧光灯亮度的无级调节。
另外,由于应用本技术方案对荧光灯亮度的调节并不是如现有技术的分档调节器一样采用开关间隔来实现的,而是在当前的亮度下无级调节,因此,荧光灯的亮度变化速度相对较慢,人眼的适应感越强,并且,还有利于减少电器元器件的损耗,有利于提高电子荧的使用寿命。
实施例2:
参见图2所示,本实施例的流程与实施例1所不同之处在于:
在步骤101以及步骤102之间,还包括:
步骤1011:对所述荧光灯当前的输入电流进行放大、滤波,将滤波后的电流输入至乘法器,计算所述荧光灯当前的输入电流的平均值。
在电流传感器的输出端还顺次电连接有放大器、整流器,以及乘法器,而使乘法器的输出端与电压控制振荡器的第一输入端电连接。
这样,该采样电路中设置有放大器,整流器能够使得本实施例中的输入至乘法器的采样信号的纯净度进一步提高,其乘法器可以对该提纯后的信号进行进一步放大并计算当前时刻输入电流的平均值,使得信号的稳定性以及抗干扰性更高,相对于单纯使用电流传感器的技术方案,应用本方案能够进一步有利于提高对荧光灯亮度调节的稳定度。
实施例3:
参见图3所示,本实施例的荧光灯调节方法与实施例2提供的荧光灯调节方法所不同之处在于以下:
在步骤103之前还包括以下的步骤:
步骤1031:采样所述荧光灯的输入电压。
电压采样电路(可以为一电压传感器)与荧光灯的电流输入端电连接,该电压采样电路用于采样获取荧光灯的输入电压。
需要说明的是,本步骤及可以在步骤101之前也可以在步骤101之后。仅需在步骤1032之前即可。
步骤1032:判断所述荧光灯的输入电压是否正常,如果是,则执行步骤103;否则,执行步骤1033。
电压采样电路的输出端电连接有逻辑控制器,该逻辑控制器的输出端与电压控制振荡器的使能端电连接。其工作原理是:
逻辑控制器只有在荧光灯当前的输入电压为正常时,输出一使能控制信号,使电压控制振荡工作。
比如,可以在逻辑控制器中预设一电压下限、电压上限,当逻辑控制器判定当前的输入电压低于该电压下限、或者高于该电压上限时,禁止输出使能信号,只有当前的输入电压高于或等于该电压下限、且高于该电压上限时,才在输出端输出使能信号,使得电压控制振荡工作正常工作,执行实施例1中所述的亮度调节处理。
步骤1033:结束。
应用本实施例的方案除了能够取得实施例1中所述的效果外,还使得本调节装置具有一定的保护设置,在荧光灯的输入电压异常时,特别是电压过高时,停止本装置的关键部件电压振荡器的工作,有利于保护本调节装置,且避免在荧光灯异常状态下对其亮度进行调节,以避免对荧光灯造成限制。
实施例4:
参见图4所示,本实施例与实施例3中的所不同之处在于:
步骤104替换成步骤404:
步骤404:将所述振荡频率输入定时器。在定时器的校准下将振荡频率输入至所述高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极。
将所述振荡频率输入至所述高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极电连接,以分别驱动所述高端功率MOS管、低端功率MOS管。
在振荡发生器的输出端、以及所述高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极之间电连接有定时器,该定时器的输出端分别与高端功率MOS管的栅极、以及低端功率MOS管的栅极电连接。
可见,应用本技术方案除了能取得实施例3所述的效果外,还能够进一步使得输入到逆变器的频率更加精确,使得对荧光灯的亮度调节精度更加高。
以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明实施例的原理以及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只适用于帮助理解本发明实施例的原理;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例,在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

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本发明涉及电气设计领域,公开了一种荧光灯调节方法。包括:采样所述荧光灯当前的输入电流,根据所述荧光灯当前的输入电流、以及外部的电压控制信号,确定变量功率P,所述变量功率PU*I,其中,I为与所述第一输入端当前输入的采样电流成正比的电流,所述U为第二输入端当前输入的电压控制信号的等比电压,根据所述变量功率P输出一振荡频率;将所述振荡频率输入至所述荧光灯的电子镇流器内的逆变器的高端功率MOS管的栅极、。

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