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本发明公开了一种利用等离子体提纯铸造一体炉制备多晶硅的方法,该方法将硅料放入等离子体提纯铸造一体炉内的坩埚中进行等离子体提纯,等离子体提纯完后,进行多晶硅铸造。本发明的有益效果是:等离子提纯与多晶硅铸造共用一个坩埚,避免了硅料的转移,减少了硅料的二次污染;等离子提纯后的硅料直接进行多晶硅铸造,使工艺流程缩短,生产效率提高;不需要传统的两个坩埚,两套加热保温系统,以及硅料转移的辅助设备,减小了炉体的。