应用于电子镇流器的触发模块 【技术领域】
本发明涉及一种应用于电子镇流器的电子器件，尤其是涉及其触发模块。
背景技术
相当多的由分立元器件组成的电子镇流器，尤指节能灯电子镇流器，都采用了半桥逆变器电路，其典型的启动电路由电阻R1、电容C构成的积分电路和一个放电二极管D1、一个触发二极管D2共同组成(见图4)。在启动过程中，当电容器C充电达到触发二极管D2的转折电压时，触发二极管导通，电容C上的电荷经触发二极管注入到组成半桥逆变器的三极管T2的基极并使其导通。此时，由于该三极管集电极电压的下降使放电二极管D1转为正偏而导通，电容上储存的电荷通过放电二极管D1、导通的三极管T2迅速释放。同时电容上的电压的迅速降低导致触发二极管退出导通，完成了半桥逆变器的震荡建立过程。震荡的维持由变压器正反馈来实现(图4中未画出)。本发明是将触发二极管与放电二极管按启动电路要求连接，集成为一支应用于一体式节能灯的电子镇流器和独立的电子镇流器的触发模块，这样可以降低封装成本、减少焊点、减少插装时间，为使用带来更大的方便。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种集成了触发和放电这两种功能，使用方便的应用于电子镇流器的触发模块。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
应用于电子镇流器的触发模块，包括塑封体、金属引线框架、半导体二极管芯片。其中半导体二极管芯片置于塑封体内部，包括一个触发二极管芯片和一个整流二极管芯片，分别与金属引线框架上的两个电极端子连接设置；该金属引线框架一部分设于塑封体内部，一部分设于塑封体外面做电极端子。
作为对上述技术方案的进一步设置，应用于电子镇流器的触发模块的形状为插件式或贴片式。
半导体二极管芯片和所述金属引线框架的连接方式是共晶焊、钎焊、粘接，以及借助于金属丝线进行键合，以上几种方式之一。
触发二极管芯片和整流二极管芯片处于同一平面。
半导体二极管芯片是台面钝化结构、平面结构或双面台面钝化结构其中的一种。
引脚数量至少有3个。
金属引线框架包含若干个单元，至少包括3个平面焊盘和相应的3个电极端子。
三个电极端子从所述塑封体的中部或底部平直伸出，不作任何弯折；或者从所述塑封体的中部伸出成鸥翅型。
本发明的有益效果是专门为一体式节能灯电子镇流器或独立的电子镇流器设计，可以利用该器件可以代替触发二极管和放电二极管来触发一体式节能灯或独立的电子镇流器中的半桥振荡电路。节省了空间，提高了镇流器工作的可靠性。
【附图说明】
图1是本发明的电路图；
图2是本发明实施例的几种外形示意图；
图3是本发明实施例的内部结构示意图及结构变形；
图4是应用本发明的震荡电路示意图；
图5是应用本发明技术方案的可能的外形示意图。
【具体实施方式】
以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
参考附图1至附图3，本实施新型的一种优选实施例，包括用绝缘材料制成的塑封体1、用合金或其他金属构成的金属引线框架2、3、两个半导体二极管芯片5a、5b、引脚，其中引脚数量至少有3个，该半导体二极管芯片5a、5b置于塑封体1内部，包括处于同一平面的一个触发二极管芯片和一个整流二极管芯片，分别与金属引线框架2、3上的两个电极端子通过共晶焊、钎焊、粘接，以及借助于金属丝线进行键合的连接方式进行连接设置。金属引线框架2、3一部分设于塑封体内部，一部分设于塑封体1外面做电极端子；金属引线框架2、3包含若干个单元，至少包括3个平面焊盘和相应的3个电极端子，三个电极端子可以从所述塑封体的中部或底部平直伸出，不作任何弯折；也可以从所述塑封体的中部伸出成鸥翅型。
其中，本发明的形状为插件式或贴片式。半导体二极管芯片5a、5b可以为台面钝化结构、平面结构、双面台面钝化结构。
另外，半导体二极管芯片5a、5b的一极平铺设置连接于金属引线框架2、3上其中一个或两个焊盘，另一极与另外一个焊盘相连设置；半导体二极管芯片5a、5b是普通整流芯片、触发二极管芯片中的任意一种。
半导体二极管5a、5b芯片与金属引线框2、3的连接方式为：触发二极管芯片的一极与一个电极端子连接，另一极与整流二极管芯片的阳极连接，整流二极管芯片的另一极再与另一个电极端子连接。
如图2、图3所示，本发明通过共晶焊、钎焊或粘接技术，将半导体芯片5a、5b的一个面分别与金属引线框架2、金属引线框架3的焊盘连接，利用引线键合技术，通过金属引线4将半导体芯片5a、5b的另一个面分别与金属引线框架3、金属引线框架2的焊盘连接，半导体芯片5a、5b平铺设置于金属引线框架2、金属引线框架3的焊盘上。
最后，将焊接在一起的半导体芯片5a、5b和金属引线框架3、金属引线框架2经注塑成型、切筋就形成了本发明的最终外形。
如图1、图2、图3、图4所示，本发明最终成型的器件，按A1对应A1’，B1对应B1’，C1对应C1’的方式连入电路。在启动过程中，当电容器C充电达到触发二极管D2(芯片5a或5b的其中之一)的转折电压时，触发二极管(芯片5a或5b的其中之一)导通，电容C上的电荷经触发二极管(芯片5a或5b的其中之一)注入到组成半桥逆变器的三极管T2的基极并使其导通。此时，由于该三极管集电极电压的下降使放电二极管D1(芯片5a或5b的另一颗)转为正偏而导通，电容上储存的电荷通过放电二极管D1(芯片5a或5b的另一颗)、导通的三极管T2迅速释放。同时电容上的电压的迅速降低导致触发二极管(芯片5a或5b的其中之一)退出导通，完成了半桥逆变器的震荡建立过程。震荡的维持由变压器正反馈来实现(图4中未画出)。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人员能够了解本发明的内容并据此实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明的精神实质所作的等效变化或修饰(见图5中的a、b图)，都应涵盖在本发明的保护范围之内。