发光装置、曝光装置、图像形成装置以及发光控制方法.pdf

本发明公开了一种发光装置、曝光装置、图像形成装置以及发光控制方法，所述发光装置包括：发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及校正单元，其以单个发光元件

1.  一种发光装置，包括：
发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；
供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；
设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及
校正单元，其以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。

2.  根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述校正单元通过使所述连续m个发光元件沿所述多个发光元件的任一排列方向分别偏移n个发光元件来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分，其中n为不小于1的整数。

3.  根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述校正单元通过从m起增加或减少构成所述多组中之一的发光元件的数量来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分。

4.  一种曝光装置，包括：
发光元件芯片，其包括基板和发光元件阵列，所述发光元件阵列具有在所述基板上沿快速扫描方向排列成一行的多个发光元件并且具有：
第一发光元件组，其包括在所述快速扫描方向的中央部分排列的发光元件；
第二发光元件组，其包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的一端侧排列的发光元件；以及
第三发光元件组，其包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的另一端侧排列的发光元件；
安装部件，多个所述发光元件芯片以锯齿状安装到所述安装部件上以在每两个相邻发光元件芯片之间的边界区域形成重叠部分，所述重叠部分包括沿所述快速扫描方向彼此重叠的两个相邻发光元件芯片中之一中的所述第二发光元件组和所述两个相邻发光元件芯片中另一个中的所述第三发光元件组；
供给部分，其向所述多个发光元件芯片的每一个供给发光信号，所述发光信号将沿所述快速扫描方向连续并且数目比构成所述发光元件阵列的所述多个发光元件少的发光元件设定为发光对象；
校正部分，其校正所述多个发光元件芯片的每一个中被设定为所述发光对象的发光元件的位置和数量中至少任何一个；以及
光学部件，其将由所述多个发光元件芯片发射的光聚焦到图像载体上。

5.  根据权利要求4所述的曝光装置，其中，
所述供给部分向所述多个发光元件芯片的每一个供给所述发光信号，以使得被设定为所述发光对象的发光元件在每个所述重叠部分中沿所述快速扫描方向是连续的。

6.  根据权利要求4所述的曝光装置，其中，
如果所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速扫描方向彼此重叠，那么所述供给部分减小所述两个发光元件的每一个的发光强度。

7.  根据权利要求4所述的曝光装置，其中，
如果所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速扫描方向不连续，那么所述供给部分增大所述两个发光元件的每一个的发光强度。

8.  一种图像形成装置，其包括多个图像形成部分，每个图像形成部分包括：
图像载体；
充电装置，其对所述图像载体充电，
曝光装置，其对由所述充电装置充电的所述图像载体进行曝光，以在所述图像载体上形成静电潜像，所述曝光装置包括：
发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；
供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；
设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及
校正单元，其以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分；
显影装置，其将形成在所述图像载体上的所述静电潜像显影以在所述图像载体上形成图像；以及
转印装置，其将形成在所述图像载体上的所述图像转印到记录介质上。

9.  一种发光装置的发光控制方法，所述发光装置包括具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件的发光元件阵列，所述发光控制方法包括：
供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；
将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及
以单个发光元件为单位校正对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。

发光装置、曝光装置、图像形成装置以及发光控制方法
技术领域
本发明涉及一种包括多个发光元件的发光装置、曝光装置、图像形成装置以及发光控制方法。
背景技术
近年来，在诸如打印机或复印机等电子照相式图像形成装置中采用下述这种对诸如感光鼓等图像载体的外表面进行曝光的曝光装置。该曝光装置包括有诸如发光二极管(LED)等发光元件排成一行(或列)的发光元件阵列。另外，由于现在越来越多的图像形成装置具有颜色再现能力，因此能够利用多个图像形成部分输出多色图像的图像形成装置得到实际应用。在这种图像形成装置中，分别包括曝光装置的多个图像形成部分并排布置。
在专利公报中披露了多种用于控制沿快速扫描方向的图像偏移的传统技术。例如，其中一种传统技术使用分别包括具有多个LED的LED阵列的图像形成部分，并且通过将LED的位置设定为发光目标来控制图像偏移(见日本专利申请公开No.11-105344)。
同时，在专利公报所披露的另一种传统技术中，如下在图像形成装置中控制沿快速扫描方向的图像偏移，其中该图像形成装置包括分别包括有多个发光元件的多个记录头并且通过根据图像信息选择性地使其中一些发光元件发光而形成图像(见日本专利申请公开No.10-24619)。具体而言，通过在除了图像形成过程之外的时刻使发光元件发光以便将记录头均匀加温至一定温度，从而在该图像形成装置中控制图像偏移。
这里，当使用包括按列阵排列的多个发光元件的曝光装置时，可通过对原始图像数据进行操作以改变待用于发光的LED，从而将所得到的图像沿快速扫描方向的图像偏移控制在图像数据的一个像素之内。在此之前，如此小的图像偏移无关紧要。然而，随着近年来图像形成装置的图像质量的提高，期望要求图像形成装置沿快速扫描方向的定位精度比上述一个像素大小更精细。
本发明的目的是实现沿快速扫描方向的更精确的定位。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种发光装置，包括：发光元件阵列，其具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件；供给单元，其供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；设定单元，其将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及校正单元，其以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。
根据本发明的第二方面，在所述发光装置的第一方面中，所述校正单元通过使所述连续m个发光元件沿所述多个发光元件的任一排列方向分别偏移n个发光元件来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分，其中n为不小于1的整数。
根据本发明的第三方面，在所述发光装置的第一方面或第二方面中，所述校正单元通过从m起增加或减少构成所述多组中之一的发光元件的数量来校正作为参考的对所述多个发光元件的划分。
根据本发明的第四方面，提供一种曝光装置，包括：发光元件芯片，其包括基板和发光元件阵列，所述发光元件阵列具有在所述基板上沿快速扫描方向排列成一行的多个发光元件并且具有第一发光元件组、第二发光元件组以及第三发光元件组，所述第一发光元件组包括在所述快速扫描方向的中央部分排列的发光元件，所述第二发光元件组包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的一端侧排列的发光元件，并且所述第三发光元件组包括从所述第一发光元件组沿所述快速扫描方向的另一端侧排列的发光元件；安装部件，多个所述发光元件芯片以锯齿状安装到所述安装部件上以在每两个相邻发光元件芯片之间的边界区域形成重叠部分，所述重叠部分包括沿所述快速扫描方向彼此重叠的两个相邻发光元件芯片中之一中的所述第二发光元件组和所述两个相邻发光元件芯片中另一个中的所述第三发光元件组；供给部分，其向所述多个发光元件芯片的每一个供给发光信号，所述发光信号将沿所述快速扫描方向连续并且数目比构成所述发光元件阵列的所述多个发光元件少的发光元件设定为发光对象；校正部分，其校正所述多个发光元件芯片的每一个中被设定为所述发光对象的所述发光元件的位置和数量中至少任何一个；以及光学部件，其将由所述多个发光元件芯片发射的光聚焦到图像载体上。
根据本发明的第五方面，在所述曝光装置的第四方面中，所述供给部分向所述多个发光元件芯片的每一个供给所述发光信号，以使得被设定为所述发光对象的发光元件在每个所述重叠部分中沿所述快速扫描方向是连续的。
根据本发明的第六方面，在所述曝光装置的第四方面中，如果所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速扫描方向彼此重叠，那么所述供给部分减小所述两个发光元件的每一个的发光强度。
根据本发明的第七方面，在所述曝光装置的第四方面中，如果所述重叠部分中被设定为所述发光对象的两个发光元件沿所述快速扫描方向不连续，那么所述供给部分增大所述两个发光元件的每一个的发光强度。
在根据本发明的第八方面中，提供一种图像形成装置，其包括多个图像形成部分，每个图像形成部分包括：图像载体；充电装置，其对所述图像载体充电，曝光装置，其对由所述充电装置充电的所述图像载体进行曝光，以在所述图像载体上形成静电潜像，所述曝光装置包括发光元件阵列、供给单元、设定单元以及校正单元，所述发光元件阵列具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件，所述供给单元供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数，所述设定单元将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用从所述供给单元供给的所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光，并且所述校正单元以单个发光元件为单位校正由所述设定单元进行的对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分；显影装置，其将形成在所述图像载体上的所述静电潜像显影以在所述图像载体上形成图像；以及转印装置，其将形成在所述图像载体上的所述图像转印到记录介质上。
根据本发明的第九方面，提供一种发光装置的发光控制方法，所述发光装置包括具有以对应于第一分辨率的间隔排列成一行的多个发光元件的发光元件阵列，所述发光控制方法包括：供给对应于第二分辨率的发光信号，所述第二分辨率为所述第一分辨率的1/m，其中m为不小于2的整数；将所述多个发光元件划分成分别包括所述发光元件阵列中连续m个发光元件的多组，并且利用所述发光信号来设定分别包括在所述多组的每一组中的连续m个发光元件是否以单个组为单位发光；以及以单个发光元件为单位校正对所述发光元件阵列中的多个发光元件的划分。
根据本发明的第一方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，可以实现沿所述快速扫描方向更精确的定位。
根据本发明的第二方面，可以校正发光元件阵列的发光位置在所述快速扫描方向上的位置偏移。
根据本发明的第三方面，可以校正发光元件阵列的发光位置在所述快速扫描方向上的倍率偏差。
根据本发明的第四方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，可以实现沿所述快速扫描方向更精确的定位。
根据本发明的第五方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，可以减少在通过曝光而得到的图像上形成的沿慢速扫描方向的黑色条纹和白色条纹。
根据本发明的第六方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，可以减少在通过曝光而得到的图像上形成的沿慢速扫描方向的黑色条纹或白色条纹。
根据本发明的第七方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，可以减少在通过曝光而得到的图像上形成的沿慢速扫描方向的黑色条纹和白色条纹。
根据本发明的第八方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，所述图像形成部分可以沿所述快速扫描方向更精确地对准。
根据本发明的第九方面，与没有采用根据本方面的构造的情况相比，可以实现沿所述快速扫描方向更精确的定位。
附图说明
将基于以下附图详细地说明本发明的示例性实施例，其中：
图1示出了应用第一示例性实施例的图像形成装置的整体构造实例；
图2为LPH的结构的截面图；
图3A为各LPH的电路板和发光单元的顶视图，而图3B为LPH的棒状透镜阵列和保持器的顶视图；
图4为在发光单元中三个发光芯片连接的区域的放大视图；
图5示出了安装在电路板上的信号生成电路的构造和电路板的配线构造；
图6为示出各发光芯片的电路构造的示意图；
图7示出了发光信号生成单元的构造实例；
图8示出了LPH分别安装在图像形成装置的框架上的实例；
图9A、9C、9E以及9G为示出存储在位置校正数据存储器中的发光芯片名称与位置校正数据组之间关系的表，而图9B、9D、9F以及9H为示出存储在倍率校正数据存储器中的发光芯片名称与倍率校正数据组之间关系的表；
图10A至10C为分别示出位置校正数据组与各发光芯片中发光点变化之间关系的示意图；
图11A至11C为分别示出倍率校正数据组与各发光芯片中发光点变化之间关系的示意图；
图12为示出在第一示例性实施例中各发光芯片如何操作的时序图；
图13A至13D示出了LPH中发光芯片的发光点；
图14A、14C、14E以及14G为示出在设置在各LPH中的位置校正数据存储器中所存储的发光芯片名称与位置校正数据组之间关系的表，而图14B、14D、14F以及14H为示出在设置在各LPH中的倍率校正数据存储器中所存储的发光芯片名称与倍率校正数据组之间关系的表；
图15A至15E为分别示出倍率校正数据组与由倍率校正引起的各发光芯片中发光点的光强之间关系的示意图；
图16A至16D示出了LPH中发光芯片的发光点；
图17A至17C为分别示出所示的位置校正数据组与各发光芯片中发光点变化之间关系的示意图；
图18A至18C为分别示出倍率校正数据组与各发光芯片中发光点变化之间关系的示意图；以及
图19为示出在第三示例性实施例中各发光芯片如何操作的时序图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地说明本发明的示例性实施例。
<第一示例性实施例>
图1示出了应用第一示例性实施例的图像形成装置1的整体构造实例。图像形成装置1为串联型图像形成装置，并且包括图像形成处理单元10和控制器20。图像形成处理单元10形成分别对应于不同颜色的图像数据组的图像。与诸如个人计算机(PC)2、或图像读取装置3或FAX(传真机)调制解调器4等装置连接的控制器20对从上述装置接收到的图像数据进行图像处理，并且控制整个图像形成装置1的操作。
图像形成处理单元10包括作为多个图像形成部分实例的四个图像形成单元11(具体为11Y、11M、11C以及11K)。每个图像形成单元11包括感光鼓12、充电装置13、LED打印头(LPH)14以及显影装置15。感光鼓12为图像载体的实例。作为充电装置实例的充电装置13对感光鼓12进行充电。作为曝光装置实例的LPH 14根据从控制器20发送的图像数据对已充电的感光鼓12进行曝光。作为显影装置实例的显影装置15利用调色剂对形成在感光鼓12上的静电潜像进行显影。另外，图像形成处理单元10还包括传送带16、驱动辊17、转印辊18以及定影装置19。传送带16用于传送纸张，通过多重转印将分别在图像形成单元11的各感光鼓12上形成的各颜色调色剂图像转印到纸张上。驱动辊17驱动传送带16。作为转印装置实例的各转印辊18将形成在对应感光鼓12上的调色剂图像转印到纸张上。定影装置19进行加热加压从而将已转印但未定影的调色剂图像定影在纸张上。
图2为LPH 14的结构的截面图。LPH 14包括发光单元63、电路板62、棒状透镜阵列64以及保持器65。发光单元63包括多个LED。发光单元63、驱动发光单元63的信号生成电路100(见后面将说明的图5)等安装在电路板62上。作为光学部件实例的棒状透镜阵列64将由发光单元63发射的光聚焦到感光鼓12的外表面上。保持器65支撑电路板62和棒状透镜阵列64，并且从外部遮蔽发光单元63。
图3A为各LPH 14的电路板62和发光单元63的顶视图，而图3B为LPH 14的棒状透镜阵列64和保持器65的顶视图。如图3A所示，发光单元63包括在电路板62上沿慢速扫描方向按两行呈锯齿状排列的60个发光芯片C(C1至C60)。这里，60个发光芯片C为多个发光元件芯片的实例，而电路板62为安装部件的实例。
同时，如图3B所示，棒状透镜阵列64包括沿慢速扫描方向按两行以交错布置方式排列且由保持器65保持的多个棒状透镜64a。例如，每个棒状透镜64a可以为具有圆柱形状的梯度折射率透镜，该梯度折射率透镜沿其径向具有折射率分布以形成正立等倍实像。这种梯度折射率透镜的实例包括SELFOC(Nippon Sheet G1ass Co.，Ltd.的注册商标)透镜。
图4为在上述发光单元63中发光芯片C1、C2以及C3连接的区域的放大视图。这里，每个发光芯片C1至C60具有相同的结构。以发光芯片C2为例，其包括芯片基板70和发光元件阵列71。作为基板实例的芯片基板70具有矩形形状。作为发光元件阵列实例的发光元件阵列71包括在芯片基板70的上表面上沿纵向延伸且按一行布置的发光元件。具体而言，发光元件阵列71具有沿快速扫描方向延伸且按一行排列的作为多个发光元件实例的260个发光晶闸管L。在发光元件阵列71中，将每两个相邻发光晶闸管L之间的中心间距离设定为约21.15μm。相应地，每个发光单元63，即每个LPH 14沿快速扫描方向具有每英寸1200点(dpi)的输出分辨率(第一分辨率)。
此外，如图4所示，例如，在彼此相邻的发光芯片C1与C2之间的边界区域中形成重叠部分。在此重叠部分中，设置在发光芯片C1右边缘部的四个发光晶闸管L沿着快速扫描方向分别与设置在发光芯片C2左边缘部的四个发光晶闸管L相重叠。同时，例如，在彼此相邻的发光芯片C2与C3之间的边界区域中也形成重叠部分。在此重叠部分中，设置在发光芯片C2右边缘部的四个发光晶闸管L沿着快速扫描方向分别与设置在发光芯片C3左边缘部的四个发光晶闸管L相重叠。注意到，在发光芯片C3至C60中的每两个相邻发光芯片之间的边界区域中形成相似的重叠部分。
图5示出了安装在电路板62(见图2)上的信号生成电路100的构造和电路板62的配线构造。
信号生成电路100接收来自控制器20(见图1)的线路同步信号Lsync、视频数据组Vdata、时钟信号clk以及诸如复位信号RST等各种控制信号。信号生成电路100包括发光信号生成单元110。基于从外部接收到的各种控制信号，发光信号生成单元110进行诸如对视频数据组Vdata的内容进行排序(sorting)和校正输出值等处理，并且将发光信号(至)输出到发光芯片C(C1至C60)。注意到，在第一示例性实施例中，向发光芯片C(C1至C60)供给各发光信号(至)。
另外，信号生成电路100还包括转移信号生成单元120。基于从外部接收到的各种控制信号，转移信号生成单元120将开始转移信号第一转移信号以及第二转移信号输出到各发光芯片C1至C60。
电路板62设置有电源线路101和电源线路102。电源线路101为与各发光芯片C 1至C60的Vcc端子连接的Vcc＝-5.0V的电源线路。电源线路102为接地线路，其与各发光芯片C1至C60的GND端子连接。电路板62还设置有开始转移信号线路103、第一转移信号线路104以及第二转移信号线路105，从信号生成电路100的转移信号生成单元120通过这些信号线路分别发送开始转移信号第一转移信号以及第二转移信号电路板62还设置有60条发光信号线路106(106_1至106_60)，通过这些发光信号线路从信号生成电路100的发光信号生成单元110分别将发光信号(至)输出到发光芯片C(C1至C60)。注意到，电路板62还设置有分别用于防止过电流流过60条发光信号线路106(106_1至106_60)的60个发光电流限制电阻器RID。另外，可将每个发光信号至设定成后面将说明的高电平(H)或低电平(L)。低电平对应于-5.0V的电位，而高电平对应于±0.0V的电位。
图6为示出各发光芯片C(C1至C60)的电路构造的示意图。
每个发光芯片C包括260个转移晶闸管S1至S260和260个发光晶闸管L1至L260。注意到，各发光晶闸管L1至L260具有与各转移晶闸管S1至S260相同的pnpn结，并且利用pnpn结中的pn结也用作发光二极管(LED)。发光芯片C还包括259个二极管D1至D259和260个电阻器R1至R260。发光芯片C还包括用于防止过电流流过用于供给第一转移信号第二转移信号以及开始转移信号的信号线路的转移电流限制电阻器R1A、R2A以及R3A。构成发光元件阵列71的发光晶闸管L1至L260从图6的左侧以L1，L2，...，L259，L260的顺序排列，由此形成发光元件阵列71。类似地，转移晶闸管S1至S260从图6的左侧以S1，S2，...，S259，S260的顺序排列，由此形成开关元件阵列72。此外，二极管D1至D259从图6的左侧以D1，D2，...，D258，D259的顺序排列，并且电阻器R1至R260从图6的左侧以R1，R2，...，R259，R260的顺序排列。
在下文中，将说明发光芯片C中各元件之间的电气连接。
各转移晶闸管S1至S260的阳极端子与GND端子连接。与电源线路102(见图5)连接的GND端子通过该线路接地。
各奇数序号的转移晶闸管S1，S3，...，S259的阴极端子经由转移电流限制电阻器R1A与端子连接。通过第一转移信号线路104(见图5)对与该线路104连接的端子供给第一转移信号
同时，各偶数序号的转移晶闸管S2，S4，...，S260的阴极端子经由转移电流限制电阻器R2A与端子连接。通过第二转移信号线路105(见图5)对与该线路105连接的端子供给第二转移信号
转移晶闸管S1至S260的门极端子G1至G260经由对应于各转移晶闸管S1至S260设置的电阻器R1至R260分别与Vcc端子连接。通过电源线路101(见图5)对与该线路101连接的Vcc端子提供电源电压Vcc(-5.0V)。
转移晶闸管S1至S260的门极端子G1至G260还分别与发光晶闸管L1至L260的门极端子连接。具体而言，各转移晶闸管以一对一的方式与标有与转移晶闸管相同序号的对应的发光晶闸管连接。
另外，二极管D1至D259的阳极端子分别与转移晶闸管S1至S259的门极端子G1至G259连接。此外，这些二极管D1至D259的各阴极端子与相邻的所标序号比该二极管序号大1的转移晶闸管S2至S260的门极端子G2至G260连接。换言之，二极管D1至D259在将转移晶闸管S1至S260的门极端子G2至G259中之一夹在每两个相邻二极管之间的状态下串联连接。
二极管D1的阳极端子，即转移晶闸管S1的门极端子G1经由转移电流限制电阻器R3A与端子连接。通过开始转移信号线路103(见图5)对端子供给开始转移信号
同时，类似于各转移晶闸管S1至S260的阳极端子，各发光晶闸管L1至L260的阳极端子与GND端子连接。
各发光晶闸管L1至L260的阴极端子与端子连接。通过发光信号线路106(对应于发光芯片C1的发光信号线路106_1：见图5)对与该线路106连接的端子供给发光信号(对应于发光芯片C1的发光信号)。注意到，分别对其他发光芯片C2至C60供给对应的发光信号至
这里，随着形成发光单元63，在每个发光芯片C中设置在图6中左侧的四个发光晶闸管L1至L4与设置在图6中右侧的四个发光晶闸管L257至L260构成图4所示的重叠部分。
注意到，每个发光芯片C具有如上所述的总共260个发光晶闸管L1至L260。然而，在实际的图像形成操作中每个发光芯片C使用数目少于总共260个发光晶闸管的发光晶闸管作为发光点。这里，“发光点”表示在图像形成操作(曝光操作)中使其发光或者不发光的发光晶闸管L。更具体而言，通常将连续设置在中央部分的256个发光晶闸管L3至L258用作发光点。然而，根据后面将说明的沿快速扫描方向的位置校正结果，有时可将包括设置在图6中左侧的发光晶闸管L2或设置在图6中右侧的发光晶闸管L259在内的连续的256个发光晶闸管用作发光点。同时，根据后面将说明的沿快速扫描方向的倍率校正结果，有时可将连续的255或257个发光晶闸管用作发光点。此外，根据沿快速扫描方向的位置校正和倍率校正的结果，有时可将包括设置在图6中左侧的发光晶闸管L1和L2或设置在图6中右侧的发光晶闸管L259和L260在内的连续的257个发光晶闸管用作发光点。
然而，在每两个相邻发光芯片C(例如，发光芯片C1和C2)的重叠部分中，将设置在沿快速扫描方向的相同点上的每两个发光晶闸管中的任一个用作发光点，而另一个发光晶闸管不用作发光点(例如，在发光芯片C1和C2的重叠部分中，将发光芯片C1的发光晶闸管L258和发光芯片C2的发光晶闸管L2中的任一个用作发光点，而另一个发光晶闸管不用作发光点)。注意到，在下面的说明中，在构成每个发光芯片C的发光晶闸管L1至L260中，将没有用作发光点的发光晶闸管L称作“非发光点”。
此外，在下面的说明中，将设置在每个发光芯片C的中央部分的256个发光晶闸管L3至L258统称为通常发光点组LA。同时，将设置在发光芯片C最左侧部分的两个发光晶闸管L1和L2统称为第一备用发光点组LB，并且将设置在发光芯片C的最右侧部分的两个发光晶闸管L259和L260统称为第二备用发光点组LC。这里，通常发光点组LA、第一备用发光点组LB以及第二备用发光点组LC分别等同于第一发光元件组、第二发光元件组以及第三发光元件组。
图7示出了如图5所示的发光信号生成单元110的构造实例。
发光信号生成单元110包括图像数据排序部分111。图像数据排序部分111将接收到的视频数据组Vdata的内容进行排序，并且将专用于发光芯片C1至C60的不同图像数据组分别输出到发光芯片C1至C60。发光信号生成单元110还包括位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113。位置校正数据存储器112在其中存储对各发光芯片C1至C60预先设定的沿快速扫描方向的位置校正的数据组。倍率校正数据存储器113在其中存储对各发光芯片C1至C60预先设定的沿快速扫描方向的倍率校正的数据组。此外，发光信号生成单元110还包括对应于各发光芯片C1至C60设置的60个发光信号生成部分114(114_1至114_60)。每个发光信号生成部分114对从图像数据排序部分111输入的专用于对应的发光芯片的图像数据组进行以下两种校正：利用从位置校正数据存储器112读出的专用于该发光芯片的位置校正数据组来进行其中一种校正；利用从倍率校正数据存储器113读出的专用于该发光芯片的倍率校正数据组进行另一种校正。之后，发光信号生成部分114_1至114_60输出通过这些校正所得到的各发光信号至注意到，在第一示例性实施例中，发光信号生成部分114(114_1至114_60)分别用作供给单元、设定单元以及校正单元，也共同用作供给部分和校正部分。
注意到，尽管构成每个LPH 14的发光单元63沿快速扫描方向具有如上所述的1200dpi的输出分辨率，但在第一示例性实施例中，输入到发光信号生成单元110中的视频数据组Vdata沿快速扫描方向具有600dpi的分辨率(第二分辨率)。换言之，发光信号生成单元110的分辨率为LPH 14的输出分辨率的一半(1/2)。相应地，在第一示例性实施例中，在发光信号生成部分114(114_1至114_60)生成各发光信号(至)的方法中添加新的手段以便以大约600dpi的输出分辨率操作发光单元63。这可以通过使对应于各发光信号生成部分114的各发光芯片C(C1至C60)基本上驱动两个相邻的发光晶闸管L对来实现。后面将对此进行详细说明。
在下文中，将说明在每个LPH 14中进行的沿快速扫描方向的位置校正和倍率校正。
在第一示例性实施例中，使用参考图1所说明的图像形成装置1中的四个图像形成单元11(11Y、11M、11C、11K)形成图像。相应地，对应于各种颜色设置LPH 14。然而，由于安装有每个LPH14的图像形成装置1的框架和LPH 14本身的精度限制，因此使得难于以使LPH 14的位置沿快速扫描方向相对于图像形成装置1对准的方式将LPH 14安装到图像形成装置1上。这样，在此图像形成装置1中，为了沿快速扫描方向精确地对准由各LPH 14发射的光束，进行沿快速扫描方向的位置校正。注意到，在下面的说明中，将沿快速扫描方向的位置校正简称为位置校正。
另外，对于发光芯片C安装到每个LPH 14上的安装精度和在每个发光芯片C中发光晶闸管L的形成精度也存在限制，并且这些限制使得难于使设置在各LPH 14中的发光晶闸管阵列的长度彼此相等。这样，在此图像形成装置1中，为了使由各LPH 14发射的光束沿快速扫描方向精确地具有相等的长度，进行沿快速扫描方向的倍率校正。注意到，在下面的说明中，将沿快速扫描方向的倍率校正简称为倍率校正。
图8示出了构成图像形成单元11(具体为11Y、11M、11C以及11K)的LPH 14(具体为14Y、14M、14C以及14K)分别安装在图像形成装置1的未示出的框架上的实例。注意到，图8的左侧和右侧分别对应于图1所示的图像形成装置1的前侧(IN)和后侧(OUT)。顺便提及，利用LPH 14中任一个作为参考进行上述位置校正和倍率校正。下面，将说明利用黄色LPH 14Y作为参考而分别对品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K进行位置校正和倍率校正的情况。
注意到，在进行这些位置校正和倍率校正之前的初始条件下，在LPH 14的各发光芯片C(C1至C60)中将通常发光点组LA(发光晶闸管L3至L258)设定为发光点。这样，位于每个LPH 14的IN侧端的第1个发光点为发光芯片C1的发光晶闸管L3(见图6)，而位于每个LPH 14的OUT侧端的第15360个发光点为发光芯片C60的发光晶闸管L258(见图6)。
另外，在第一示例性实施例中，图像的每个像素基本上由两个发光点形成，从而沿快速扫描方向分别具有1200dpi输出分辨率的各LPH 14用于输出如上所述的600dpi的数据。这样，初始条件包括将每个发光芯片C1的发光晶闸管L3和L4(第1个和第2个发光点：见图6)用于形成第1个像素V1以及将每个发光芯片C60的发光晶闸管L257和L258(第15359个和第15360个发光点：见图6)用于形成第7680个像素V7680的设定。这里，假设在黄色LPH 14Y中第一个像素V1和第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置分别为第一参考位置U1和第二参考位置U2。
然后，在品红色LPH 14M中，第1个像素V1沿快速扫描方向的位置相对于第一参考位置U1向OUT侧偏移0.5个像素(一个发光点)，并且第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置相对于第二参考位置U2向OUT侧偏移0.5个像素(一个发光点)。相应地，品红色LPH 14M相对于黄色LPH 14Y沿快速扫描方向向OUT侧呈现0.5个像素的位置偏移。在下面的说明中，将此位置偏移称作OUT侧位置偏移。
注意到，这里，已经说明了沿快速扫描方向向OUT侧发生位置偏移的情况。然而，可能发生相反的情况：即，第1个像素V1沿快速扫描方向的位置相对于第一参考位置U1向IN侧偏移0.5个像素(一个发光点)，并且第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置相对于第二参考位置U2向IN侧偏移0.5个像素(一个发光点)，从而沿快速扫描方向向IN侧发生0.5个像素的位置偏移。在下面的说明中，将此位置偏移称作IN侧位置偏移。
同时，在蓝绿色LPH 14C中，第1个像素V1沿快速扫描方向的位置相对于第一参考位置U1没有偏移，但第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置相对于第二参考位置U2向IN侧偏移0.5个像素(一个发光点)。相应地，蓝绿色LPH 14C具有沿快速扫描方向比黄色LPH 14Y短0.5个像素的长度差值(倍率偏差)。在下面的说明中，将此倍率偏差称作尺寸缩小偏差。
另一方面，在黑色LPH 14K中，第1个像素V1沿快速扫描方向的位置相对于第一参考位置U1没有偏移，但第7680个像素V7680沿快速扫描方向的位置相对于第二参考位置U2向OUT侧偏移0.5个像素(一个发光点)。相应地，黑色LPH 14K具有沿快速扫描方向比黄色LPH 14Y长0.5个像素的长度差值(倍率偏差)。在下面的说明中，将此倍率偏差称作尺寸放大偏差。
图9A、9C、9E以及9G为示出存储在位置校正数据存储器112(见图7)中的发光芯片名称与位置校正数据组P之间关系的表，而图9B、9D、9F以及9H为示出存储在倍率校正数据存储器113(见图7)中的发光芯片名称与倍率校正数据组M之间关系的表。这里，位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113设置在如上所述的每个LPH 14中。图9A至9H示出了当在图8所示的条件下将黄色LPH 14Y、品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K安装到图像形成装置1中时所设定的各种校正数据组。注意到，例如获取对应于每个发光芯片C的位置校正数据组P和倍率校正数据组M作为出厂默认设定值，并且将该位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别存储在对应的LPH 14的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中。
这里，图9A和9B分别示出了存储在黄色LPH 14Y的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图9C和9D分别示出了存储在品红色LPH 14M的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图9E和9F分别示出了存储在蓝绿色LPH 14C的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图9G和9H分别示出了存储在黑色LPH 14K的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。
如图9A所示，在黄色LPH 14Y的位置校正数据存储器112中，将参考位置校正数据组P0设定为对应于各发光芯片C1至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9B所示，在黄色LPH 14Y的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组M0设定为对应于各发光芯片C1至C60的各倍率校正数据组M。
如图9C所示，在品红色LPH 14M的位置校正数据存储器112中，将第一位置校正数据组P1设定为对应于各发光芯片C1至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9D所示，在品红色LPH 14M的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组M0设定为对应于各发光芯片C1至C60的各倍率校正数据组M。
如图9E所示，在蓝绿色LPH 14C的位置校正数据存储器112中，将参考位置校正数据组P0设定为对应于各发光芯片C1至C4的各位置校正数据组P，并且将第二位置校正数据组P2设定为对应于各发光芯片C5至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9F所示，在蓝绿色LPH 14C的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组M0设定为对应于各发光芯片C1至C3和C5至C60的各倍率校正数据组M，并且将第一倍率校正数据组M1设定为对应于发光芯片C4的倍率校正数据组M。
如图9G所示，在黑色LPH 14K的位置校正数据存储器112中，将参考位置校正数据组P0设定为对应于各发光芯片C1至C4的各位置校正数据组P，并且将第一位置校正数据组P1设定为对应于各发光芯片C5至C60的各位置校正数据组P。同时，如图9H所示，在黑色LPH 14K的倍率校正数据存储器113中，将参考倍率校正数据组M0设定为对应于各发光芯片C1至C3和C5至C60的各倍率校正数据组M，并且将第二倍率校正数据组M2设定为对应于发光芯片C4的倍率校正数据组M。
图10A至10C为分别示出位置校正数据组P与由位置校正引起的各发光芯片C中发光点变化之间关系的示意图。如上所述，位置校正数据组P可以为参考位置校正数据组P0、或第一位置校正数据组P1或第二位置校正数据组P2。这里，图10A至10C分别示出了P＝P0，P＝P1以及P＝P2的情况。
如图10A所示，在P＝P0的情况下，通常发光点组LA，即发光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成128个像素W1至W128。在此情况下，各像素W1至W128由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管右侧的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图10A左侧的像素W1由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图10A右侧的像素W128由发光晶闸管L257和L258形成。
相反，如图10B所示，在P＝P1的情况下，将通常发光点组LA中除了发光晶闸管L258之外的所有发光晶闸管以及第一备用发光点组LB的第2个发光晶闸管L2设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L2至L257，这样发光点向IN侧偏移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L2至L257形成128个像素W1至W128。在此情况下，各像素W1至W128由偶数序号的发光晶闸管和邻近于该偶数序号的发光晶闸管右侧的奇数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图10B左侧的像素W1由发光晶闸管L2和L3形成，而位于图10B右侧的像素W128由发光晶闸管L256和L257形成。
另一方面，如图10C所示，在P＝P2的情况下，将通常发光点组LA中除了发光晶闸管L3之外的所有发光晶闸管以及第二备用发光点组LC的第259个发光晶闸管L259设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L4至L259，这样发光点向OUT侧偏移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L4至L259形成128个像素W1至W128。在此情况下，各像素W1至W128由偶数序号的发光晶闸管和邻近于该偶数序号的发光晶闸管右侧的奇数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图10C左侧的像素W1由发光晶闸管L4和L5形成，而位于图10C右侧的像素W128由发光晶闸管L258和L259形成。
图11A至11C为分别示出倍率校正数据组M与由倍率校正引起的各发光芯片C中的发光点变化之间关系的示意图。如上所述，倍率校正数据组M可以为参考倍率校正数据组M0、或第一倍率校正数据组M1或第二倍率校正数据组M2。这里，图11A至11C分别示出了M＝M0、M＝M1和M＝M2的情况。
如图11A所示，在M＝M0的情况下，通常发光点组LA，即发光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成128个像素W1至W128。在此情况下，各像素W1至W128由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管右侧的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图11A左侧的像素W1由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图11A右侧的像素W128由发光晶闸管L257和L258形成。
相反，如图11B所示，在M＝M1的情况下，将通常发光点组LA的所有发光晶闸管和第二备用发光点组LC的第259个发光晶闸管L259设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L3至L259，这样发光点在图11B的右侧(图8中的OUT侧)增加一个发光点。结果，发光芯片C利用257个发光晶闸管L3至L259形成128个像素W1至W128。在此情况下，各像素W1至W127由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图11B左侧的像素W1由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图11B右侧的像素W127由发光晶闸管L255和L256形成。同时，位于图11B右侧的像素W128由三个发光点，即奇数序号的发光晶闸管L257、邻近于发光晶闸管L257右侧的偶数序号的发光晶闸管L258以及邻近于发光晶闸管L258右侧的奇数序号的发光晶闸管L259形成。
另一方面，如图11C所示，在M＝M2的情况下，将通常发光点组LA中除了发光晶闸管L258之外的所有发光晶闸管设定为发光芯片C中的发光点。换言之，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L3至L257，这样，发光点在图11C的右侧(图8中的OUT侧)减少一个发光点。结果，发光芯片C利用255个发光晶闸管L3至L257形成128个像素W1至W128。在此情况下，各像素W1至W127由奇数序号的发光晶闸管和邻近于该奇数序号的发光晶闸管右侧的偶数序号的发光晶闸管形成。具体而言，例如，位于图11C左侧的像素W1由发光晶闸管L3和L4形成，而位于图11C右侧的像素W127由发光晶闸管L255和L256形成。同时，位于图11C右侧的像素W128仅由一个发光点，即奇数序号的发光晶闸管L257形成。
在下文中，将说明由图1所示的图像形成装置1的各LPH 14进行的曝光操作。
在开始图像形成操作时，控制器20将视频数据组Vdata分别发送到构成图像形成单元11的各LPH 14的信号生成电路100。作为响应，在设置在各LPH 14中的信号生成电路100中，转移信号生成单元120将基于所接收到的控制信号等而生成的开始转移信号第一转移信号以及第二转移信号输出到构成发光单元63的60个发光芯片C(C1至C60)。另外，在信号生成电路100中，发光信号生成单元110将60个发光信号(至)分别输出到构成发光单元63的60个发光芯片C(C1至C60)。这里，发光信号至对应于沿快速扫描方向的一行且是基于所接收到的视频数据组Vdata而生成的。作为响应，在各LPH 14的发光单元63中，各发光芯片C1至C60使得其发光晶闸管L1至L260根据所接收到的发光信号至中之一独立地发光或不发光，由此选择性地对对应的感光鼓12进行曝光。注意到，在此情况下，各发光芯片C1至C60以如下方式设定其发光晶闸管L1至L260。具体而言，发光芯片C使得被设定为发光点的每个发光晶闸管L发光或不发光，而使得被设定为非发光点的每个发光晶闸管L不发光。
接下来，将参考图12所示的时序图详细地说明在此曝光操作过程中各发光芯片C如何操作。注意到，在图12中，示出第一发光信号第二发光信号第三发光信号第四发光信号以及第五发光信号作为发光信号这里，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和参考倍率校正数据组M0时，采用第一发光信号此外，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为第一位置校正数据组P1和参考倍率校正数据组M0时，采用第二发光信号此外，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为第二位置校正数据组P2和参考倍率校正数据组M0时，采用第三发光信号此外，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和第一倍率校正数据组M1时，采用第四发光信号此外，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和第二倍率校正数据组M2时，采用第五发光信号
注意到，图12所示的时序图说明了在发光芯片C中使得被设定为发光点的所有发光晶闸管L发光的情况。此外，假设在初始条件下，将开始转移信号设定为低电平(L)，将第一转移信号设定为高电平(H)，将第二转移信号设定为低电平，并且将每个发光信号(至)设定为高电平。这里，将说明一个发光芯片C的操作，但是实际上发光芯片C1至C60并行操作。
随着操作的开始，由信号生成电路100的转移信号生成单元120输入的开始转移信号从低电平变成高电平。结果，将高电平的开始转移信号供给到发光芯片C中的转移晶闸管S1的门极端子G1。在此情况下，此开始转移信号通过二极管D1至D259而供给到其他转移晶闸管S2至S260的门极端子G2至G260。然而，由于各二极管D1至D260引起电压降，因此最高电压施加在转移晶闸管S1的门极端子G1上。
然后，在将开始转移信号设定为高电平的状态下，由转移信号生成单元120输入的第一转移信号从高电平变成低电平。在从第一转移信号变成低电平起经过第一时间段ta之后，由转移信号生成单元120输入的第二转移信号从低电平变成高电平。
在如上所述将开始转移信号设定为高电平的状态下供给有低电平的第一转移信号的发光芯片C中，在供给有低电平的第一转移信号的奇数序号的转移晶闸管S1，S3，...，S259之中，具有不低于阈值的最高门极电压的转移晶闸管S1导通。同时，由于同时将第二转移信号设定为高电平，因此偶数序号的转移晶闸管S2，S4，...，S260保持为具有高阴极电压，从而保持关断。这样，在发光芯片C中仅有奇数序号的转移晶闸管S1导通。结果，其门极端子与奇数序号的转移晶闸管S1的门极端子连接的发光晶闸管L1导通而准备发光。
在转移晶闸管S1导通的状态下在从第二转移信号变成高电平起经过第二时间段tb之后，第二转移信号从高电平变成低电平。作为响应，在供给有低电平的第二转移信号的偶数序号的转移晶闸管S2，S4，...，S260之中，具有不低于阈值的最高门极电压的转移晶闸管S2导通。这样，在发光芯片C中奇数序号的转移晶闸管S1和与其相邻的偶数序号的转移晶闸管S2两者导通。结果，除了已经导通的发光晶闸管L1之外，其门极端子与偶数序号的转移晶闸管S2的门极端子连接的发光晶闸管L2也导通，进而发光晶闸管L1和L2都准备发光。
在转移晶闸管S1和S2都导通的状态下在从第二转移信号变成低电平起经过第三时间段tc之后，第一转移信号从低电平变成高电平。作为响应，奇数序号的转移晶闸管S1关断，这样仅有偶数序号的转移晶闸管S2导通。结果，奇数序号的发光晶闸管L1关断以至于不能够发光，仅偶数序号的发光晶闸管L2保持导通以准备发光。注意到，在本实例中，在第一转移信号变成高电平的同时，开始转移信号从高电平变成低电平。
在转移晶闸管S2导通的状态下在从第一转移信号变成高电平起经过第四时间段td之后，第一转移信号从高电平变成低电平。作为响应，在供给有低电平的第一转移信号的奇数序号的转移晶闸管S1，S3，...，S259之中，具有最高门极电压的转移晶闸管S3导通。这样，在发光芯片C中偶数序号的转移晶闸管S2和与其相邻的奇数序号的转移晶闸管S3两者导通。结果，除了已经导通的发光晶闸管L2之外，其门极端子与奇数序号的转移晶闸管S3的门极端子连接的发光晶闸管L3也导通，进而发光晶闸管L2和L3都准备发光。
在转移晶闸管S2和S3都导通的状态下在从第一转移信号变成低电平起经过第五时间段te之后，第二转移信号从低电平变成高电平。作为响应，偶数序号的转移晶闸管S2关断，这样仅有奇数序号的转移晶闸管S3导通。结果，偶数序号的发光晶闸管L2关断以至于不能够发光，仅奇数序号的发光晶闸管L3保持导通以准备发光。
如上所述，在插入第一转移信号和第二转移信号都被设定为低电平的重叠时间段的同时，通过交替地将第一转移信号和第二转移信号切换为高电平或低电平，从而在发光芯片C中按照序号顺序依次导通转移晶闸管S1至S260。另外，这使得发光晶闸管L1至L260也按照序号顺序依次导通。在此操作过程中，重复下面的过程：首先，在第二时间段tb中仅有奇数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S1)导通；第二，在第三时间段tc中奇数序号的转移晶闸管和所标序号比该奇数序号的转移晶闸管大1的相邻的偶数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S1和S2)导通；第三，在第四时间段td中仅有偶数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S2)导通；第四，在第五时间段te中偶数序号的转移晶闸管和所标序号比该偶数序号的转移晶闸管大1的相邻的奇数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S2和S3)导通；然后，在第二时间段tb中，仅有奇数序号的转移晶闸管(例如，转移晶闸管S3)导通。
在下文中，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第一发光信号进行的发光操作。基本上，在一对奇数序号和偶数序号的转移晶闸管都导通的各第三时间段tc中，第一发光信号从高水平变成低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S1和S2都导通的时间段和最右侧的两个转移晶闸管S259和S260都导通的时间段不进行此变化。结果，除了位于两端部分的各一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L3和L4，L5和L6，...，L255和L256，L257和L258依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第二发光信号进行的发光操作。基本上，在一对偶数序号和奇数序号的转移晶闸管都导通的各第五时间段te中，第二发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最右侧的两个转移晶闸管S258和S259都导通的时间段不进行此变化。结果，除了位于最右部分的一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L2和L3，L4和L5，...，L254和L255，L256和L257依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第三发光信号进行的发光操作。基本上，在一对偶数序号和奇数序号的转移晶闸管都导通的各第五时间段te中，第三发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S2和S3都导通的时间段不进行此变化。结果，除了位于最左部分的一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L4和L5，L6和L7，...，L256和L257，L258和L259依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第四发光信号进行的发光操作。基本上，在一对奇数序号和偶数序号的转移晶闸管都导通的各第三时间段tc中，第四发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S1和S2都导通的时间段和最右侧的两个转移晶闸管S259和S260都导通的时间段不进行此变化。另外，在仅有位于右侧的转移晶闸管S259导通的第二时间段tb中，第四发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。结果，除了位于两端部分的各一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L3和L4，L5和L6，...，L255和L256，L257和L258依次发光，然后发光晶闸管L259单独发光。
最后，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第五发光信号进行的发光操作。基本上，在一对奇数序号和偶数序号的转移晶闸管都导通的各第三时间段tc中，第五发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S1和S2都导通的时间段、位于右侧的两个转移晶闸管S257和S258都导通的时间段以及最右侧的两个转移晶闸管S259和S260都导通的时间段不进行此变化。另外，在仅有位于右侧的转移晶闸管S257导通的第二时间段tb中，第五发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。结果，除了位于两端部分的各一对发光晶闸管之外，发光芯片C中的各对发光晶闸管L3和L4，L5和L6，...，L255和L256依次发光，然后发光晶闸管L257单独发光。
图13A至13D示出了在图8所示条件下安装到图像形成装置1上的LPH 14中的发光芯片C1至C6的发光点。这里，图13A至13D分别示出了黄色LPH 14Y、品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K。注意到，基于对应于图9A至9H所示的不同颜色而准备的对应的位置校正数据组P和倍率校正数据组M对构成各LPH14的发光芯片C(C1至C60)的发光点进行校正。
如图13A所示，将通常发光点组LA设定为黄色LPH 14Y的各发光芯片C1至C60中的发光点。这使得在发光芯片C1至C60中每两个相邻的发光芯片的重叠部分(见图4)形成沿快速扫描方向连续的发光点。
相反，如图13B所示，将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移一个发光点的发光点组设定为品红色LPH 14M的各发光芯片C1至C60中的发光点。这样可校正图8所示的品红色LPH 14M的OUT侧位置偏移，以使得品红色LPH 14M的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。同样在此情况下，在发光芯片C1至C60中每两个相邻的发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。
同时，在蓝绿色LPH 14C中，如图13C所示，将通常发光点组LA设定为各发光芯片C1至C3中的发光点，将由通常发光点组LA和添加到通常发光点组LA的OUT侧的一个发光点形成的发光点组设定为发光芯片C4中的发光点，并且将相对于通常发光点组LA向OUT侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5至C60中的发光点。这样可校正图8所示的蓝绿色LPH 14C的尺寸缩小偏差，以使得蓝绿色LPH 14C的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。同样在此情况下，在发光芯片C1至C60中每两个相邻发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。注意到，尽管在本实例中增加发光芯片C4中的发光点，但如果增加发光芯片C1至C60中任一发光芯片中的发光点，将获得大致相同的结果。
此外，在黑色LPH 14K中，如图13D所示，将通常发光点组LA设定为各发光芯片C1至C3中的发光点，将除了位于通常发光点组LA的OUT侧的一个发光点之外的通常发光点组LA设定为发光芯片C4中的发光点，并且将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5至C60中的发光点。这样可校正图8所示的黑色LPH 14K的尺寸放大偏差，以使得黑色LPH14K的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。同样在此情况下，在发光芯片C1至C60中每两个相邻发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。注意到，尽管在本实例中减少发光芯片C4中的发光点，但如果减少发光芯片C1至C60中任一发光芯片中的发光点，将获得大致相同的结果。
注意到，在上述实例中，已经说明了在各发光芯片C中必须采用参考位置校正数据组P0和参考倍率校正数据组M0中的任一个的情况。这样，位于各发光芯片C1至C60的IN侧和OUT侧最末端部的发光晶闸管L1和L260都不设定为发光点。然而，如果在某一发光芯片C中采用下述的组合：第一位置校正数据组P1和第二位置校正数据组P2中的任一个；与第一倍率校正数据组M1和第二倍率校正数据组M2中的任一个，那么可将发光晶闸管L1或L260设定为发光点。
作为另一种选择，图像形成装置1可以构造成在各发光芯片C中必须采用参考位置校正数据组P0和参考倍率校正数据组M0中的任一个，这样采用附加的位置校正数据组P，以使发光点可以向IN侧和OUT侧偏移一个以上发光点(高达两个)。
<第二示例性实施例>
第二示例性实施例与第一示例性实施例基本相同，但是不同之处在于：不是通过增加或减少各发光芯片C中的发光点来实现倍率校正，而是通过增大或减小被设定为各发光芯片C端部的发光点的发光晶闸管L的发光强度来实现倍率校正。注意到，在第二示例性实施例中，与第一示例性实施例中相同或相似的组件由相同的附图标记表示，并且省略其详细说明。
图14A、14C、14E以及14G为示出存储在位置校正数据存储器112中的发光芯片名称与位置校正数据组P之间关系的表，而图14B、14D、14F以及14H为示出存储在倍率校正数据存储器113中的发光芯片名称与倍率校正数据组M之间关系的表。这里，位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113设置在每个LPH 14中。类似于第一示例性实施例，图14A至14H示出了当在图8所示条件下将黄色LPH 14Y、品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K安装在图像形成装置1中时所设定的各种校正数据组。
这里，图14A和14B分别示出了存储在黄色LPH 14Y的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图14C和14D分别示出了存储在品红色LPH 14M的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图14E和14F分别示出了存储在蓝绿色LPH 14C的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。图14G和14H分别示出了存储在黑色LPH14K的位置校正数据存储器112和倍率校正数据存储器113中的内容。注意到，图14A、14C、14E以及14G中分别示出的位置校正数据组P与第一示例性实施例中所说明的位置校正数据组P(如图9A、9C、9E以及9G所示)相同。
如图14B所示，在黄色LPH 14Y的倍率校正数据存储器113中，对于各发光芯片C1至C60设定参考倍率校正数据组Q0。如图14D所示，在品红色LPH 14M的倍率校正数据存储器113中，对于各发光芯片C1至C60设定参考倍率校正数据组Q0。如图14F所示，在蓝绿色LPH 14C的倍率校正数据存储器113中，对于各发光芯片C1至C3和C6至C60设定参考倍率校正数据组Q0，对于发光芯片C4设定第一倍率校正数据组Q1，并且对于发光芯片C5设定第二倍率校正数据组Q2。如图14H所示，在黑色LPH 14K的倍率校正数据存储器113中，对于各发光芯片C1至C3和C6至C60设定参考倍率校正数据组Q0，对于发光芯片C4设定第三倍率校正数据组Q3，并且对于发光芯片C5设定第四倍率校正数据组Q4。
图15A至15E为分别示出倍率校正数据组Q与由倍率校正引起的每个发光芯片C中发光点的发光强度之间关系的示意图。如上所述，倍率校正数据组Q可以为参考倍率校正数据组Q0、或第一倍率校正数据组Q1、或第二倍率校正数据组Q2、或第三倍率校正数据组Q3或第四倍率校正数据组Q4。这里，图15A至15E分别示出了Q＝Q0，Q＝Q1，Q＝Q2，Q＝Q3以及Q＝Q4的情况。注意到，在第二示例性实施例中，不论是否存在倍率校正每个发光芯片C中的发光点的数量都为常数(256)。这样，在下面的说明中，将每个发光芯片C的发光点称为发光点E1至E256。
如图15A所示，在Q＝Q0的情况下，将发光点E1至E256设定为具有相等的发光强度。相反，在Q＝Q1的情况下，尽管将发光点E1至E255设定为具有相等的发光强度，但将OUT侧最末端部发光点E256设定为具有高于其他发光点E1至E255的发光强度。同时，在Q＝Q2的情况下，将发光点E2至E256设定为具有相等的发光强度，并且将IN侧最末端部发光点E1设定为具有高于其他发光点E2至E256的发光强度。在Q＝Q3的情况下，将发光点E1至E255设定为具有相等的发光强度，并且将OUT侧最末端部发光点E256设定为具有低于其他发光点E1至E255的发光强度。在Q＝Q4的情况下，将发光点E2至E256设定为具有相等的发光强度，并且将IN侧最末端部发光点E1设定为具有低于其他发光点E2至E256的发光强度。
在第二示例性实施例中，在对应的转移晶闸管S1至S260导通的同时通过调节发光信号保持设定为低电平的时间段(发光时间段)的长度来控制各发光晶闸管L1至L260的发光强度。具体而言，为了减小发光强度，将对应的发光时间段设定为短于预先设定以达到参考发光强度的参考发光时间段。另一方面，为了增大发光强度，将对应的发光时间段设定为长于参考发光时间段。
图16A至16D示出了在图8所示条件下安装到图像形成装置1上的LPH 14中发光芯片C1至C6的发光点。这里，图16A至16D分别示出了黄色LPH 14Y、品红色LPH 14M、蓝绿色LPH 14C以及黑色LPH 14K。注意到，基于如图14A至14H所示的对应于不同颜色而准备的对应的位置校正数据组P和倍率校正数据组Q对构成每个LPH 14的发光芯片C(C1至C60)的发光点进行校正。
如图16A所示，将通常发光点组LA设定为黄色LPH 14Y的各发光芯片C1至C60中的发光点。这使得在发光芯片C1至C60中每两个相邻的发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。
相反，如图16B所示，将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移一个发光点的发光点组设定为品红色LPH 14M的各发光芯片C1至C60中的发光点。这样可校正图8所示的品红色LPH 14M的OUT侧位置偏移，以使得品红色LPH 14M的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。同样在此情况下，在发光芯片C1至C60中每两个相邻的发光芯片的重叠部分(见图4)，发光点沿快速扫描方向是连续的。
同时，在蓝绿色LPH 14C中，如图16C所示，将通常发光点组LA设定为各发光芯片C1至C4中的发光点，并且将相对于通常发光点组LA向OUT侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5至C60中的发光点。在此情况下，在发光芯片C1至C4中每两个相邻发光芯片的重叠部分和发光芯片C5至C60中每两个相邻发光芯片的重叠部分，发光点沿快速扫描方向是连续的。相反，发光芯片C4和C5的重叠部分缺少发光点沿快速扫描方向连续所必需的一个发光点。然而，在发光芯片C4和C5的重叠部分中，增大作为发光芯片C4的OUT侧最末端部发光点的发光晶闸管L258和作为发光芯片C5的IN侧最末端部发光点的发光晶闸管L4的发光强度。这将使由发光点沿快速扫描方向的不连续性而导致的在对应感光鼓12上形成的静电潜像中出现条纹的可能性最小化。具体而言，当采用反转显影时条纹表现为白色条纹，而当采用已充电区域显影时条纹表现为黑色条纹。这样可校正图8所示的蓝绿色LPH 14C的尺寸缩小偏差，以使得蓝绿色LPH 14C的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。注意到，尽管在本实例中是在发光芯片C4和C5的重叠部分调节发光强度，但如果在其他任意两个相邻发光芯片C的重叠部分调节发光强度，也将获得大致相同的结果。
此外，在黑色LPH 14K中，如图16D所示，将通常发光点组LA设定为各发光芯片C1至C4中的发光点，并且将相对于通常发光点组LA向IN侧偏移一个发光点的发光点组设定为各发光芯片C5至C60中的发光点。在此情况下，在发光芯片C1至C4中每两个相邻发光芯片的重叠部分和发光芯片C5至C60中每两个相邻发光芯片的重叠部分，发光点沿快速扫描方向是连续的。相反，在发光芯片C4和C5的重叠部分中，两个发光点沿快速扫描方向重叠。然而，在发光芯片C4和C5的重叠部分中，减小作为发光芯片C4的OUT侧最末端部发光点的发光晶闸管L258和作为发光芯片C5的IN侧最末端部发光点的发光晶闸管L2的发光强度。这将使由发光点沿快速扫描方向的重叠而导致的在对应感光鼓12上形成的静电潜像中出现条纹的可能性最小化。具体而言，当采用反转显影时条纹表现为黑色条纹，而当采用已充电区域显影时条纹表现为白色条纹。这样可校正图8所示的黑色LPH 14K的尺寸放大偏差，以使得黑色LPH 14K的发光点与黄色LPH 14Y的发光点一致。注意到，尽管在本实例中是在发光芯片C4和C5的重叠部分调节发光强度，但如果在其他任意两个相邻发光芯片C的重叠部分调节发光强度，也将获得大致相同的结果。
这里，在第一和第二示例性实施例中，在每个LPH 14具有1200dpi的输出分辨率的同时，视频数据组Vdata具有为每个LPH 14的输出分辨率的一半(1/2)即600dpi的分辨率。然而，视频数据组Vdata的分辨率不限于此，而是可以为LPH 14的输出分辨率的1/m(m为2或更大的整数)。在此情况下，每个像素可以由连续m个发光晶闸管L形成。
<第三示例性实施例>
第三示例性实施例与第一示例性实施例基本相同，但是与第一示例性实施例的不同之处在于：利用具有1200dpi分辨率的视频数据组Vdata而不是具有600dpi分辨率的视频数据组Vdata驱动具有1200dpi输出分辨率的每个LPH 14。注意到，在第三示例性实施例中，与第一示例性实施例相同或相似的组件由相同的附图标记表示，并且省略其详细说明。
图17A至17C为分别示出图9所示的位置校正数据组与由位置校正引起的每个发光芯片C中发光点的变化之间关系的示意图。这里，位置校正数据组可以为参考位置校正数据组P0、或第一位置校正数据组P1或第二位置校正数据组P2。这里，图17A至17C分别示出了P＝P0，P＝P1以及P＝P2的情况。
如图17A所示，在P＝P0的情况下，通常发光点组LA，即发光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成256个像素W1至W256。具体而言，例如，位于图17A左侧的像素W1由发光晶闸管L3形成，而位于图17A右侧的像素W256由发光晶闸管L258形成。
相反，如图17B所示，在P＝P1的情况下，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L2至L257，这样发光点向IN侧偏移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L2至L257形成256个像素W1至W256。具体而言，例如，位于图17B左侧的像素W1由发光晶闸管L2形成，而位于图17B右侧的像素W256由发光晶闸管L257形成。
另一方面，如图17C所示，在P＝P2的情况下，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L4至L259，这样发光点向OUT侧偏移一个发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L4至L259形成256个像素W1至W256。具体而言，例如，位于图17C左侧的像素W1由发光晶闸管L4形成，而位于图17C右侧的像素W256由发光晶闸管L259形成。
图18A至18C为分别示出图9所示的倍率校正数据组与由倍率校正引起的每个发光芯片C中发光点的变化之间关系的示意图。这里，倍率校正数据组可以为参考倍率校正数据组M0、或第一倍率校正数据组M1或第二倍率校正数据组M2。这里，图18A至18C分别示出了M＝M0，M＝M1以及M＝M2的情况。
如图18A所示，在M＝M0的情况下，通常发光点组LA，即发光晶闸管L3至L258保持设定为发光芯片C中的发光点。结果，发光芯片C利用256个发光晶闸管L3至L258形成256个像素W1至W256。
相反，如图18B所示，在M＝M1的情况下，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L3至L259，这样发光点在图18B的右侧(图8中的OUT侧)增加一个发光点。结果，发光芯片C利用257个发光晶闸管L3至L259形成257个像素W1至W257。具体而言，例如，位于图18B左侧的像素W1由发光晶闸管L3形成，而位于图18B右侧的像素W257由发光晶闸管L259形成。
另一方面，如图18C所示，在M＝M2的情况下，将发光芯片C中的发光点设定成发光晶闸管L3至L257，这样发光点在图18C的右侧(图8中的OUT侧)减少一个发光点。结果，发光芯片C利用255个发光晶闸管L3至L257形成255个像素W1至W255。具体而言，例如，位于图18C左侧的像素W1由发光晶闸管L3形成，而位于图18C右侧的像素W255由发光晶闸管L257形成。
图19为示出在第三示例性实施例的曝光操作过程中每个发光芯片C如何操作的时序图。注意到，开始转移信号第一转移信号以及第二转移信号的波形分别与第一示例性实施例中的波形相同。
在下文中，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第一发光信号进行的发光操作。注意到，如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和参考倍率校正数据组M0时，采用第一发光信号基本上，分别在第二时间段tb和第四时间段td中，第一发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单独导通的时间段。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S1和S2以及最右侧的两个转移晶闸管S259和S260分别导通的时间段中不进行此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L3，L4，...，L257，L258一个接一个地依次发光。
接下来，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第二发光信号进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为第一位置校正数据组P1和参考倍率校正数据组M0时，采用第二发光信号基本上，分别在第二时间段tb和第四时间段td中，第二发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单独导通的时间段。然而，在最左侧的一个转移晶闸管S1以及最右侧的三个转移晶闸管S258至S260分别导通的时间段中不进行此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L2，L3，...，L256，L257一个接一个地依次发光。
此外，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第三发光信号进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为第二位置校正数据组P2和参考倍率校正数据组M0时，采用第三发光信号基本上，分别在第二时间段tb和第四时间段td中，第三发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单独导通的时间段。然而，在最左侧的三个转移晶闸管S1至S3以及最右侧的一个转移晶闸管S260分别导通的时间段中不进行此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L4，L5，...，L258，L259一个接一个地依次发光。
此外，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第四发光信号进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和第一倍率校正数据组M1时，采用第四发光信号基本上，分别在第二时间段tb和第四时间段td中，第四发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单独导通的时间段。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S1和S2以及最右侧的一个转移晶闸管S260分别导通的时间段中不进行此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L3，L4，...，L258，L259一个接一个地依次发光。注意到，是否允许发光晶闸管L259发光取决于是否允许相邻的发光晶闸管L258发光。具体而言，如果使发光晶闸管L258发光，也会使发光晶闸管L259发光。相反，如果使发光晶闸管L258不发光，也会使发光晶闸管L259不发光。
最后，将说明由发光晶闸管L1至L260根据第五发光信号进行的发光操作。如同第一示例性实施例，当位置校正数据组P和倍率校正数据组M分别为参考位置校正数据组P0和第二倍率校正数据组M2时，采用第五发光信号基本上，分别在第二时间段tb和第四时间段td中，第五发光信号从高电平变成低电平然后从低电平变成高电平。这里，第二时间段tb为奇数序号的转移晶闸管单独导通的时间段，而第四时间段td为偶数序号的转移晶闸管单独导通的时间段。然而，在最左侧的两个转移晶闸管S1和S2以及最右侧的三个转移晶闸管S258至S260分别导通的时间段中不进行此变化。结果，发光芯片C中的发光晶闸管L3，L4，...，L256，L257一个接一个地依次发光。
同样在第三示例性实施例中，在每个LPH 14中保持发光点沿快速扫描方向的连续性的同时，可校正LPH 14的相对位置偏移和倍率偏差。
在第一至第三示例性实施例中，将每个发光芯片C中的各转移晶闸管S1至S260的阳极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各转移晶闸管S1至S260的阴极端子设定为随着向其供给第一转移信号还是第二转移信号而具有不同的电位。然而，转移晶闸管S1至S260的电位设定不限于此，而是可将各转移晶闸管S1至S260的阴极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各转移晶闸管S1至S260的阳极端子设定为随着向其供给第一转移信号还是第二转移信号而具有不同的电位。
此外，在第一至第三示例性实施例中，将各发光晶闸管L1至L260的阳极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各发光晶闸管L1至L260的阴极端子设定为响应发光信号(至)而具有不同的电位。然而，发光晶闸管L1至L260的电位设定不限于此，而是可将各发光晶闸管L1至L260的阴极端子设定为具有彼此相同的电位，而将各发光晶闸管L1至L260的阳极端子设定为响应发光信号而具有不同的电位。
此外，例如通过以将所谓自扫描发光芯片用作每个发光芯片C的情况为例说明了第一至第三示例性实施例。这里，发光芯片C设置有包括多个发光晶闸管L的发光元件阵列71和包括多个转移晶闸管的开关元件阵列72。然而，发光芯片C的构造不限于此，而是可以包括多个发光二极管和用于在导通模式与非导通模式之间切换对应的发光二极管的多个开关元件。换言之，发光芯片C仅须包括多个发光元件和用于使这些发光元件发光或不发光的一个或多个开关元件。
出于解释和说明的目的提供了本发明的示例性实施例的前述说明。其本意并不是穷举或将本发明限制为所公开的确切形式。显然，对于本技术领域的技术人员可以进行许多修改和变型。选择和说明该示例性实施例是为了更好地解释本发明的原理及其实际应用，因此使得本技术领域的其他技术人员能够理解本发明所适用的各种实施例并预见到适合于特定应用的各种修改。目的在于通过所附权利要求及其等同内容限定本发明的范围。