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1、10申请公布号CN104099581A43申请公布日20141015CN104099581A21申请号201410353783122申请日20140723C23C16/40200601C23C16/44200601C23C16/5220060171申请人国家纳米科学中心地址100190北京市海淀区中关村北一条11号72发明人宋志伟褚卫国74专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋侯桂丽54发明名称一种氧化硅膜材料及其制备方法57摘要本发明提供了一种氧化硅膜材料及其制备方法将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入O2气体和SIH4气体作为反应气体，通入氩气作为载。
2、体和保护气体，进行气相沉积，获得氧化硅膜材料；其中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为200260，工作压力为13PA，功率为120200W；其中，所述气相沉积的时间为46MIN；所述SIH4气体与O2气体的体积比为812，所述SIH4气体与氩气的体积比为052。本发明在四英寸硅基体上制备得到的氧化硅膜材料的厚度为101102NM，薄膜不均匀性低于05。51INTCL权利要求书1页说明书5页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图1页10申请公布号CN104099581ACN104099581A1/1页21一种氧化硅膜材料，其特征。
3、在于，所述氧化硅膜材料的厚度为101102NM；且在四英寸基底范围内，薄膜不均匀性低于05；其中，所述不均匀性的计算方法为薄膜不均匀性最大值最小值/平均值2100，四英寸基底范围内，所测不同点数不少于17个。2如权利要求1所述的氧化硅膜材料，其特征在于，所述氧化硅膜材料的组分为SIOX，其中1X2。3一种如权利要求1或2所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法为将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入O2气体和SIH4气体作为反应气体，通入氩气作为载体和保护气体，进行气相沉积，获得百纳米氧化硅膜材料；其中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为2002。
4、60，工作压力为13PA，功率为100200W；其中，所述气相沉积的时间为46MIN；所述SIH4气体与O2气体的体积比为812，SIH4气体与氩气的体积比为052。4如权利要求3所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，所述衬底为P型掺杂单晶硅、N型掺杂单晶硅或金属中的任意1种；或在上述衬底上制备一层均匀的金属或非金属薄膜作为衬底。5如权利要求4所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂单晶硅、N型掺杂单晶硅衬底进行如下预处理用HF酸浸泡后用去离子水清洗，然后干燥；优选地，所述HF酸的质量浓度为210，进一步优选为5；优选地，所述用HF酸浸泡的时间为0510MIN，进一步优选为3。
5、MIN。6如权利要求4所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，所述金属衬底进行如下预处理用丙酮和异丙醇酸分别超声清洗，然后干燥；所述超声时间优选为5MIN。7如权利要求36之一所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，步骤2所述硅烷、氩气和氨气的纯度均大于9999，其中硅烷为95氩气混合的气体；所述氧化硅膜材料的制备方法中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为230，工作压力为2PA，功率为171W；所述气相沉积的时间为46MIN；所述SIH4气体与O2气体的体积比为10，所述SIH4气体与氩气的体积比为10。8如权利要求37之一所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，所。
6、述方法包括如下步骤1将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空使背底真空度为11041106PA，加热衬底到200260；2按1812的体积比通入O2气体和SIH4作为反应气体，通入氩气作为载气和保护气体，调整工作气压为13PA，功率为120200W，进行化学气相沉积46MIN；3在保护性气体的气氛下，降至室温，得到权利要求1或2所述的氧化硅膜材料。9如权利要求38之一所述的氧化硅膜材料的制备方法，其特征在于，步骤3所述的保护性气体为惰性气体；所述惰性气体优选氩气。10一种如权利要求1或2所述的氧化硅膜材料的用途，其特征在于，所述氧化硅膜材料作为绝缘层、保护膜或光学膜，应用于半。
7、导体、微波、光电子以及光学器件等领域。权利要求书CN104099581A1/5页3一种氧化硅膜材料及其制备方法技术领域0001本发明属于光学、半导体和微电子器件技术领域，具体涉及一种超薄氧化硅膜材料，所述膜材料具有良好的均匀性，厚度约为100NM，其具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，可以作为绝缘层、保护膜或光学膜，广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域。背景技术0002薄膜是一种特殊的物质形态，由于其在厚度这一特定方向上尺寸很小，只是微观可测的量，而且在厚度方向上由于表面、界面的存在，使物质连续性发生中断，由此使得薄膜材料产生了与块状材料不同的独特性能。0003光学薄膜是由薄的分层。
8、介质构成的，通过界面传播光束的一类光学介质材料，广泛用于光学和光电子技术领域，制造各种光学仪器。光学薄膜技术在理论、设计、计算和工艺方面已形成了完整的体系，一些新型微观结构的功能薄膜被不断开发出来，这些功能薄膜的相继出现，使得光学薄膜技术广泛地渗透到各个新兴的科学研究领域中。氧化硅薄膜是一种重要的精细陶瓷薄膜材料，具有良好的绝缘性能、光学性能、钝化性能、稳定性和机械性能，在微电子、光电和材料表面改性等领域有着广泛的应用前景。0004随着薄膜的应用越来越广泛，薄膜的制备技术也逐渐成为高科技产品加工技术中的重要手段。薄膜的制备方法很多，如气相生长法、液相生长法或气、液相外延法、氧化法、扩散与涂布法。
9、、电镀法等等，而每一种制膜方法中又可分为若干种方法。等离子体化学气相沉积PECVD法由于其灵活性、沉积温度低，重复性好的特点，提供了在不同基体上制备各种薄膜的可能性，成为制备氧化硅薄膜最常用的方法之一。0005薄膜的均匀性是薄膜制备过程中首先需要解决的关键问题和挑战。薄膜厚度的不均匀性，反映了待镀基片上所沉积的薄膜厚度依基片在真空室里所处位置的变化而变化的情况。膜厚不均匀性包括两个方面在同一组镀制过程中处于不同基片位置沉积的薄膜有近似的膜厚分布；获得的每片薄膜只存在一定范围内的膜厚误差分布。膜厚不均匀性的方面保证了产业化的镀膜效率，方面保证了每个成品的性能。因此，膜厚不均匀性是衡量镀膜装置性能。
10、和薄膜质量的一项重要指标，直接影响到镀膜器件的可靠性、稳定性，以及产品的一致性。对光学、光电等器件生产的成品率影响很大。0006因此，本领域需要寻求一种具有良好均匀性的百纳米氧化硅膜材料。发明内容0007为了克服现有技术中氧化硅薄膜不均匀性较大的缺陷，本发明的目的之一在于提供了一种氧化硅膜材料，所述氧化硅膜材料的厚度为101102NM；且在四英寸基底范围内，薄膜不均匀性低于05；0008其中，所述不均匀性的计算方法为薄膜不均匀性最大值最小值/平均值2100，四英寸基底范围内，所测不同点数不少于17个。说明书CN104099581A2/5页40009其中，所述最大值为氮化硅膜材料测试点厚度的最大。
11、值；最小值为氮化硅膜材料测试点厚度的最小值；平均值为氮化硅膜材料测试点厚度的平均值，计算公式为平均值测试点厚度之和/测试点个数。0010优选地，所述氧化硅膜材料的组分为SIOX，其中1X2。0011本发明提供的氧化硅膜材料的薄膜不均匀性低于05。0012本发明的目的之二在于提供了一种目的之一所述的氧化硅膜材料的制备方法，所述方法为0013将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入O2气体和SIH4气体作为反应气体，通入氩气作为载体和保护气体，进行气相沉积，获得氧化硅膜材料；0014其中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为200260，工作压力为13PA，功率为。
12、120200W；0015其中，所述气相沉积的时间为46MIN；所述SIH4气体与O2气体的体积比为812，SIH4气体与氩气的体积比为052。0016对于采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备氧化硅膜材料的方法，操作条件较多，包括温度、压力、功率、时间、通入气体比例等，且相互之间有着密切的相互关系，不是独立的单一变量，因此如何寻找一个合适的操作条件，对于本领域技术人员来讲是具有一定难度的。0017采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备氧化硅膜材料的操作条件中，通过将高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度设置在200260，工作压力设置在13PA，功率设置为120200W；且控。
13、制气相沉积的时间为46MIN；控制通入的SIH4气体与O2气体的体积比为812，控制通入的SIH4气体与氩气的体积比为052，实现了控制厚度为100NM左右的氧化硅膜材料薄膜不均匀性低于05的目的。0018本发明所述的采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备氧化硅膜材料的操作条件中，所限定的数值包括任何在所述范围内的数值，例如，高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度可以为200、217、228、259等，工作压力可以为12PA、18PA、20PA、23PA、27PA、29PA等，功率可以为120W、159W、163W、175W、187W、193W、198W等，气相沉积的时间可以为4。
14、MIN、42MIN、48MIN、5MIN、55MIN、6MIN等，通入的SIH4气体与O2气体的体积比可以为84、10、118、12等。0019本发明所述衬底为P型掺杂单晶硅、N型掺杂单晶硅或金属中的任意1种；或在上述衬底上制备一层均匀的金属或非金属薄膜作为该实验的衬底。0020优选地，所述P型掺杂单晶硅或N型掺杂单晶硅衬底进行如下预处理用HF酸浸泡后用去离子水清洗，然后干燥；0021优选地，所述HF酸的质量浓度为210，例如3、5、7、83、9等，进一步优选为5；0022优选地，所述用HF酸浸泡的时间为0510MIN，例如1MIN、14MIN、3MIN、5MIN、7MIN、84MIN、9MI。
15、N、等，进一步优选为3MIN。0023优选地，所述金属衬底进行如下预处理用丙酮和异丙醇酸分别超声清洗，然后干燥；所述超声时间优选为5MIN。0024作为最优选，本发明所述氧化硅膜材料的制备方法中，控制高密度等离子体增强说明书CN104099581A3/5页5化学气相沉积设备腔体的工作温度为230，工作压力为2PA，功率为171W；所述气相沉积的时间为46MIN；所述SIH4气体与O2气体的体积比为10，SIH4气体与氩气的体积比为10。0025作为优选技术方案，本发明所述均匀性良好的厚度在100NM左右的氧化硅膜材料制备方法包括如下步骤00261将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体。
16、中，抽真空使背底真空度为11041106PA，加热衬底到200260；00272按1812的体积比通入O2气体和SIH4作为反应气体，通入氩气作为载气和保护气体，调整工作气压为13PA，功率为120200W，进行化学气相沉积46MIN；00283在保护性气体的气氛下，降至室温，得到权利要求1或2所述的氧化硅膜材料。0029优选地，步骤3所述的保护性气体为惰性气体；所述惰性气体优选氩气。0030本发明的目的之三在于提供了目的之一所述的氧化硅膜材料的用途，所述氧化硅膜材料作为绝缘层、保护膜或光学膜，应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域。0031与现有技术相比，本发明具有如下有益效果0032。
17、1本发明提供的氧化硅膜材料的厚度在100NM左右，且具有良好的均匀性，在四英寸基底范围内，薄膜不均匀性低于05；其较现有磁控溅射法和电子束蒸镀法得到的氧化硅膜材料的均匀性有明显提高；00332本发明使用的衬底采用P或N型掺杂单晶硅、金属或上述衬底上制备一层金属或非金属薄膜，可以在不同材料界面制备具有良好均匀性的，厚度为100NM左右的氧化硅膜材料；00343本发明提供的具有良好均匀性百纳米的硅化合物薄膜材料制备工艺简单易行，具有极大的应用潜力。附图说明0035图1为本发明实施例1性能表征测试点厚度的分布图。具体实施方式0036为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述。
18、实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。0037实施例10038一种氧化硅膜材料，通过如下方法制备得到00391以抛光的P型100掺杂单晶硅做衬底，并进行如下预处理首先将所述衬底用5WT的HF酸浸泡3MIN，再用去离子水清洗，最后干燥其表面；00402将步骤1获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，并将沉积室抽真空，使背底真空度在1105PA左右，并加热衬底到230；00413以纯度均大于9999的SIH4气、O2气和AR2气为气源；其中，SIH4气、O2气为反应气体，AR2气为载气和保护气，供给的AR2气、O2气和SIH4气流量分别为1256SCCM。
19、、129SCCM、1298SCCM；控制沉积室的工作气压为2PA，功率为171W，进行化学气相沉积55MIN；说明书CN104099581A4/5页600424在AR2气气氛下，降温至室温，获得均匀性良好的，厚度为100NM左右的SIO2膜材料；0043性能表征0044将获得的SIO2膜材料进行光谱椭偏仪设备型号为SE850测试，测试条件为室温，200930NM波长范围扫描，选取17个测试点，所述17个测试点的分布为1个中心点，8个半径为R的圆周点，8个半径为2R的圆周点，所述圆周点均匀分布于所在圆周上，其中，R的取值小于基片的最短边长的1/4图1为测试点的示意图；测试结果如图1所示；通过计算。
20、其不均匀性为0407。0045实施例20046一种氧化硅膜材料，通过如下方法制备得到00471在抛光的P型100掺杂单晶硅片上制备200NM厚的TI膜，并以此做为衬底，并进行如下预处理首先用丙酮和异丙醇各超声5MIN，再用去离子水清洗，最后干燥其表面；00482将步骤1获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，并将沉积室抽真空，使背底真空度在1105PA左右，并加热衬底到50；00493以纯度均大于9999的SIH4气、O2气和AR2气为气源；其中，SIH4气、O2气为反应气体，AR2气为载气和保护气，供给的AR2气、O2气和SIH4气流量分别为1356SCCM、129。
21、SCCM、1498SCCM；控制沉积室的工作气压为2PA，功率为126W，进行化学气相沉积6MIN；00504在AR2气气氛下，降温至室温，获得均匀性良好的，厚度为100NM左右的的SI3O4膜材料；0051将获得的SI3O4膜材料进行光谱椭偏仪设备型号为SE850测试，测试方法与实施例1的性能表征方法相同；过计算其不均匀性为042。0052实施例30053一种氧化硅膜材料，通过如下方法制备得到00541以抛光的蓝宝石做衬底，并进行如下预处理首先将所述衬底用丙酮和异丙醇各超声5MIN，再用去离子水清洗，最后干燥其表面；00552将步骤1获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备。
22、腔体中，并将沉积室抽真空，使背底真空度在1106PA左右，并加热衬底到260；00563以纯度均大于9999的SIH4气、O2气和AR2气为气源；其中，SIH4气、O2气为反应气体，AR2气为载气和保护气，供给的AR2气、O2气和SIH4气流量分别为1256SCCM、158SCCM、1298SCCM；控制沉积室的工作气压为25PA，功率为155W，进行化学气相沉积5MIN，获得一层厚度为100NM左右的的SIO薄膜；00574在AR2气气氛下，降温至室温，获得均匀性良好的，厚度为100NM左右的SIO膜材料；0058将获得的SIO膜材料进行光谱椭偏仪设备型号为SE850测试，测试方法与实施例1的性能表征方法相同；通过计算其不均匀性为048。0059申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的说明书CN104099581A5/5页7技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。说明书CN104099581A1/1页8图1说明书附图CN104099581A。