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本发明提供了一种掺铒-铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wtMgO、99.99wtEr2O3、99.99wtNb2O5、99.99wtLiCO3为基础原料,MgO的掺杂量分别为08mol,Er2O3的掺杂量为14mol,Li/Nb0.9460.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段,同时实现有源光波导器件基质材料-铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力,获得明显增。