碎片防止系统和光刻设备.pdf

一种碎片防止系统被构造和布置以防止从辐射源(7)发射出的碎片与来自辐射源的辐射一起传播进入到光刻设备中或在光刻设备内传播。碎片防止系统包括围绕旋转轴线(3)可旋转的第一翼片阱(2)和至少部分地包围第一翼片阱的第二翼片阱(4)。第二翼片阱包括分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学开放的和分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭的多个翼片(6)。

1.  一种碎片防止系统，其被构造和布置以防止从辐射源发射出的碎片随来自所述辐射源的辐射传播到光刻设备中或在光刻设备内传播，所述碎片防止系统包括：
第一翼片阱，所述第一翼片阱围绕旋转轴线是可旋转的；和
至少部分地包围所述第一翼片阱的第二翼片阱，所述第二翼片阱包括多个翼片，所述多个翼片分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学开放且分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭。

2.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，还包括光学系统，其中由所述光学系统限定的光轴与所述第一翼片阱的所述旋转轴线一致。

3.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，还包括光学系统，其中由所述光学系统限定的光学轴线被大致横向于所述第一翼片阱的所述旋转轴线引导。

4.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，其中，对于相对于所述旋转轴线在0和90°之间增加的角度β，所述第二翼片阱的所述翼片具有距离随着所述角度β而减小的间隔。

5.  根据权利要求4所述的碎片防止系统，其中，所述间隔使得对于垂直于所述旋转轴线的每一直线，所述第二翼片阱的至少一个翼片和至多三个翼片相交。

6.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，其中，碎片出口通道布置在所述第二翼片阱的最低点上或所述第二翼片的最低点附近。

7.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，其中，所述第二翼片阱是可旋转的，且其中清洁系统被布置以在第二翼片阱的旋转期间提供清洁动作。

8.  根据权利要求7所述的碎片防止系统，其中，所述清洁系统包括被布置以执行机械清洁动作的擦具。

9.  根据权利要求7所述的碎片防止系统，其中，所述清洁系统包括喷嘴，所述喷嘴被布置以朝所述第二翼片阱引导化学清洁物质。

10.  根据权利要求7所述的碎片防止系统，其中，所述第二翼片阱布置以在约0.1Hz和约10Hz之间范围内变化的频率旋转。

11.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，其中，所述多个翼片的形状是大致圆锥形。

12.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，其中，所述多个翼片的形状是大致平面的。

13.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，其中，所述多个翼片是关于所述第一翼片阱的旋转轴线大致旋转对称的。

14.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，还包括放电产生或激光产生的等离子体源。

15.  根据权利要求14所述的碎片防止系统，其中，所述源包括用于产生极紫外辐射的产生等离子体的放电源，所述放电源包括设置有电压差的一对电极和用于在所述一对电极之间产生放电以便在所述电极之间的中心区域中提供箍缩的等离子体的系统。

16.  根据权利要求15所述的碎片防止系统，其中所述等离子体源包括锡、锂或氙。

17.  根据权利要求1所述的碎片防止系统，还包括用于限定收集角的收集器元件，其中所述第二翼片阱布置在所述第一翼片阱和所述收集器之间。

18.  根据权利要求17所述的碎片防止系统，其中，所述收集器元件是圆柱对称的且包括同心弯曲的反射表面。

19.  根据权利要求18所述的碎片防止系统，其中，所述反射表面以大致在约2cm和约7cm之间的范围中变化的距离排布。

20.  根据权利要求19所述的碎片防止系统，其中所述收集器元件是正入射类型的。

21.  一种光刻设备，其包括：
照射系统，所述照射系统被配置以调节辐射束；
支撑件，所述支撑件被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置被配置以在所述辐射束的横截面上将图案赋予给所述辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，所述衬底台被构造以保持衬底；和
投影系统，所述投影系统配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和
碎片防止系统，所述碎片防止系统被配置以提供所述辐射束，所述碎片防止系统被构造和布置以防止从辐射源发射出的碎片随来自所述辐射源的辐射一起传播到所述光刻设备中或在所述光刻设备内传播，所述碎片防止系统包括：
第一翼片阱，所述第一翼片阱围绕旋转轴是可旋转的；和
第二翼片阱，所述第二翼片阱至少部分地包围所述第一翼片阱，所述第二翼片阱包括多个翼片，所述多个翼片分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学开放且分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭。

碎片防止系统和光刻设备
技术领域
本发明涉及一种碎片防止系统和包括碎片防止系统的光刻设备。更具体地，本发明涉及用于拦截来自于产生碎片的翼片阱的污染物材料的碎片拦截系统。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分，和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
除了EUV辐射之外，在EUV光刻术中所使用的辐射源产生污染物材料，该污染物材料对于光学装置和进行光刻过程所处的工作环境来说可能是不利的。因此，在EUV光刻术中，存在限制光刻系统的污染物的期望，该光学系统被布置以调节来自于EUV源的辐射束。为此目的，已知使用例如在美国专利No.6,838,684中所公开的所谓的旋转翼片阱。一种翼片阱使用大致平行于EUV源所产生的辐射的方向对齐的相当大量的紧密排布的翼片。诸如微颗粒、纳米颗粒和离子等污染物碎片可以被旋转翼片板拦截。因此，翼片阱起到拦截来自于所述源的污染物材料的污染物阻挡构件的作用。然而，旋转翼片阱可能有引入所述系统的二次污染的风险。
发明内容
期望减少在旋转翼片阱中出现的二次污染的风险。
根据本发明的一个方面，提供了一种碎片防止系统，其被构造和布置以防止从辐射源发射出的碎片随来自所述辐射源的辐射传播到光刻设备中或在光刻设备内传播。所述碎片防止系统包括围绕旋转轴线可旋转的第一翼片阱；和至少部分地包围所述第一翼片阱的第二翼片阱。所述第二翼片阱包括分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学敞开的和分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭的多个翼片。
根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，其包括：照射系统，该照射系统被配置以调节辐射束；和支撑件，该支撑件被构造以支撑图案形成装置。所述图案形成装置被配置以在所述辐射束的横截面上将图案赋予给所述辐射束以形成图案化的辐射束。所述光刻设备还包括衬底台，该衬底台被构造以保持衬底；投影系统，该投影系统配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和碎片防止系统，该碎片防止系统被配置以提供所述辐射束。所述碎片防止系统被构造和布置以防止从辐射源发射出的碎片随来自所述辐射源的辐射一起传播到所述光刻设备中或在所述光刻设备内传播。所述碎片防止系统包括第一翼片阱，该第一翼片阱围绕旋转轴是可旋转的；和第二翼片阱，该第二翼片阱至少部分地包围所述第一翼片阱。所述第二翼片阱包括分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学敞开的和分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭的多个翼片。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明的实施例的碎片防止系统的轴向横截面的截面视图；
图3示出根据本发明的实施例的碎片防止系统的轴向横截面的截面视图；
图4示出根据本发明的实施例的碎片防止系统的清洁布置的示意性视图；
图5示出显示作为阻挡构件长度的函数的光学透射率和翼片的数量的图表。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑图案形成装置，即承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里任何使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统一起称作辐射系统。
在一些情形中，根据本发明的实施例，所述源可以包括放电产生或激光产生的等离子体源。具体地，所述源可以包括用于产生极紫外辐射的放电源。在一些情形中，所述放电源可以包括设置有电压差的一对电极和用于在所述一对电极之间产生放电的系统。也就是，可以提供电路以产生放电，用于在电极之间的中心区域中提供箍缩的等离子体。根据本发明的这些实施例，等离子体源可以包括锡、锂或氙。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
转至图2，更加详细地示出在图1中通常显示为源SO的碎片防止系统1(其包括辐射系统)。在这个系统1中，提供了第一翼片阱2。翼片阱由限定旋转轴线3a的旋转轴3构成，其中在相对于轴3的径向方向上，多个翼片(典型地几十个翼片)被设置成杯形的形状，其延伸超过所述轴3以覆盖辐射源7的发射角2α。所述源例如是在图1的描述中示例性示出的放电源。
可旋转翼片阱2可以是另外的、例如在美国专利No.6,838,684中所公开的传统的类型，该美国专利以引用的方式并入本文中。另外，示意性地显示出离开所述源7的收集器11。收集器11接收从所述源7辐射出的极紫外辐射。收集器可以是例如掠入射类型或正入射类型的常规类型。在本实施例的一个方面中，第二翼片阱4布置在旋转翼片阱2和收集器11之间的光学路径中。第二翼片阱4或阻挡构件由多个静态翼片6来限定，所述静态翼片6优选地分别相对于辐射源1的中心源位置7沿大致径向方向对齐。
在此处“大致”径向是指从由源位置形成的几何中心算起，翼片平面与任何径向直线一致。然而，“大致径向”还可以理解为对齐，其中翼片被以非常小的角度放置，例如用于提供掠入射类型的翼片阱。后一实施例可以提供聚焦极紫外辐射的优点。
在没有进行拦截的情况下，被旋转翼片阱2捕获的颗粒由于作用到这些颗粒上的离心作用，可能被重新发射且可能污染收集器11。根据本发明的第二翼片阱4起到拦截从旋转翼片阱2发射出的碎片的作用，这允许收集器11(或被保持以免受微颗粒影响的任何其它的部件)被放置于离所述源近得多，和还被保护防止免受由旋转翼片阱发射出的颗粒的影响。
在图2中，收集器区域被示意性地显示为阴影区域11。第二翼片阱4或阻挡构件被设置在远离限定中心翼片阱2的尺寸的外半径r1的方向(从中心源位置7观看)上出现的空间中且具有半径尺寸r2。可以对第二翼片阱4进行以下构造。优选地，为了通过第二翼片阱4的翼片6来最小化额外的遮蔽，在使用最小量的翼片的同时保持系统在垂直于旋转轴线3a的观察方向上光学封闭。也就是，优选地对于相对于旋转轴线在0和90°之间增加的一角度，多个翼片的间隔距离随着相对于翼片阱2的旋转轴线3a的角度β而减小。实际上，对于分别相对于源7径向对齐的翼片，通过绘制垂直于翼片阱2的旋转轴线3a的直线且确保至少和优选地至多与一个翼片相交，可以将翼片数量保持在最小值。优选地仅布置一个翼片，但优选地可以至多布置3个翼片，以与垂直于旋转轴线3a的直线相交。
可以对第二翼片阱4的构造进行以下描述。从收集器11的最外面的点处，直线(图2中的直线L₁)被垂直于翼片阱2的旋转轴线3a绘制。这一直线与旋转翼片阱2的相交点标记第一翼片6a的开始。这个翼片6a与中心箍缩位置7对齐，且在可利用的空间允许的情况下延伸得尽可能远。从这一个翼片6a的端部，另一直线(L₂)被垂直于旋转轴线3a绘制，其标记第二翼片6b的开始。继续这一程序，直到翼片6比翼片阱2沿着旋转轴线3a延伸得更远为止。第二翼片阱4优选地是关于轴线3旋转对称的。
图3显示出根据本发明的实施例的碎片防止系统。在这一实施例中显示出另一旋转翼片阱20，其可被视为“命运转轮(wheel of fortune)”型的翼片阱。这一类型的翼片阱被布置以围绕辐射源旋转且包围辐射源，而不是位于所述源的前面。这可以允许翼片被屏蔽以在旋转循环的一部分期间免受辐射热量。这可以减小翼片上的热载荷和可以为在示出的实施例中冷却在源7的发射角外面的区域提供另外的可能性。
收集器11的光学轴线5根据本实施例通常布置在平行于从翼片阱20发射出的碎片的离心方向的平面中。
因此，从翼片阱20再次发射出的碎片可能沿向下流的方向污染所述系统。
虽然可以提供其它类型的拦截布置，但是典型地，根据本发明的一个实施例在此处还可以提供第二大致静止的翼片阱，该翼片阱被分别相对于辐射源的中心位置7沿径向方向对齐。具体地，该第二翼片阱40还包括多个翼片60。翼片的方向通常可以与图2的实施例中的方向相同，且包括翼片在从中心位置观察的径向方向上的大致对齐。
在一个实施例中，图2和图3的翼片阱被根据在光源处具有顶点和具有沿可旋转翼片阱2、20的旋转轴线排列的对称轴线的圆锥形形成形状。
因此，图3的实施例与图2的实施例的不同在于，第一翼片阱20的旋转轴线30被引导大致横向于收集器系统11的光学轴线5。典型地，虽然清楚地知道非垂直方向也是可以的，但是在这个实施例中光学轴线5被限定垂直于这一旋转轴线30。另外在这一个实施例中，仅有一个翼片6可能阻断垂直于旋转轴线绘制的直线12。这个实施例的可旋转翼片阱20包括轴30和分别相对于轴30径向地布置的翼片。所述翼片包围可以布置有源7的中心区域。这个翼片阱40被配置使得在离光学轴线5的角度α内的辐射可以如在图2的实施例中的方式被进行收集。另外，这一实施例在垂直于可旋转翼片阱20的旋转轴线的方向上被光学封闭，同时如在从极紫外线源7的径向方向上所看到的被光学开放。在这一方面上，光学开放可以被视为对于极紫外辐射是基本透射的，这意味着翼片不提供光学阻挡，而是被对齐或为从所述源发射出的辐射提供掠入射。在图3的实施例的一个方面中，因为来自所述源的碎片颗粒的行进路径被与第二翼片阱40的翼片6对齐，所以靠近光轴的中心区域13未被施加免受从旋转翼片阱20发射出的碎片的保护。另外地，可以保护这一中心区域13免受碎片影响，或将这一中心区域13不用于收集极紫外辐射。
图4显示出与图2和3的翼片阱4、40结合的清洁系统9的实施例，尤其是用于清洁翼片阱4、40的翼片6、60的清洁系统。通常，第二翼片阱4、40中的每一个可以布置成具有与箍缩等离子体源7的中心位置一致的顶点的圆锥形。由于旋转对称性，(圆锥)翼片6优选地被同心地排布且具有与第一翼片阱2、20的旋转轴线对齐的对称轴线，翼片6可以被围绕所述对称轴线旋转使得清洁系统9能够通过化学或机械清洁作用来清洁翼片6。图4的实施例具体地显示出碎片(诸如来自翼片6的锡碎片)的移除。这还可以通过加热或与卤素、氢气或氢根的作用来完成。为了防止Sn碎片在收集器上再次沉积，所述源可以被关闭且第二翼片阱4被离线清洁。
例如，收集器可以在清洁期间通过隔离壁与翼片阱2物理地隔离开。清洁系统9优选地包括在重力的方向上靠近第二翼片阱的最低点布置的出口通道8。这样，在使用期间，收集到的碎片可以流到最低点处且从翼片阱泄露到出口通道8中。清洁系统可以由被布置以引导诸如上述的卤素、氢气或氢根的清洁物质的擦具10或喷嘴构成。优选地，保持相对较低的旋转频率，例如在约0.1Hz和约10Hz之间的范围内。
图5显示出依赖于收集半角α、旋转翼片阱外半径r1、阻挡构件长度r2和翼片厚度t的翼片阱2的光学透射性的图表。图5显示出为了增加阻挡构件长度r2，透射率从约0.75增加到约1。另外，翼片的数量从约100降低到约10。应当注意到，透射率基本上不依赖于旋转翼片阱2的距离r1(参见图2)：随着距离r1的增加，更多的翼片用于光学封闭垂直于旋转轴线的方向，但是由于距离的增加，较小的立体角被每个翼片阻挡。
对于具有半角α＝85°、翼片阱半径r1＝60mm、第二翼片阱4的半径＝20mm以及翼片6的厚度＝0.1mm的典型的配置，使用近8个翼片，几乎不影响光学透射率。
与图2的实施例相比较，图3的实施例的“命运转轮”可以使用额外的翼片以相对于辐射源光学封闭发射角。对于具有发射半角85°、翼片阱半径60mm以及阻挡构件的半径20mm、具有一致厚度0.1mm的典型配置，优选地使用28个翼片，从而导致约96％的光学透射率。在此处，因为在光轴附近的区域对于碎片是透明的，所以这个区域优选被关闭在约2°的角度中，从而阻挡小于2％的总的可收集立体角。
虽然在图2和图3的实施例中仅显示出截面视图，但是两个实施例可以由圆锥形的翼片阱4、40构成。圆锥的顶点与中心位置7一致，由翼片6、60形成的圆锥的轴线典型地与旋转轴线一致，尽管其它方向也是允许的。原则上，翼片阱4的旋转对称性导致除了相对于所述源的径向方向之外在相对于由翼片阱4、40限定的对称轴线的切线方向上被典型地对齐的翼片。也就是，优选地，所述翼片在形状上大致成圆锥形，而且例如多角形状的平面形状也是可以的。这样的平面翼片具有多角的横截面，例如是八角形而不是圆形。虽然性能可能比圆锥形的翼片稍差和清洁方面可能稍微更困难些，但是这些类型的翼片可能更容易制造。在另一实施例中，翼片40不完全围绕第一翼片阱20延伸(虽然这可能对于清洁的目的是优选的)，但至少覆盖收集辐射的角度。在这种情形中，它们不是旋转对称的，但依然被围绕中心轴线配置，该中心轴线与旋转轴线3a一致。其它实施例是可能的，尤其是翼片被修改以防止Sn落在除了在图4中的通道8上方的位置之外的位置上的实施例。翼片可以设置有抗润湿的涂层或小的边缘。
虽然以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其它的应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
另外，虽然作为单独的实施例参考辐射系统对本发明进行了主要说明，但是它可以集成到光刻设备上。光刻设备进而典型地和优选地包括上文讨论的收集器元件，用于接收和收集由辐射系统产生的极紫外辐射。因此，收集器元件将限定收集角。根据本发明的碎片拦截系统典型地布置在旋转翼片阱和收集器元件之间。另外典型地，收集器元件可以是圆柱对称的且由中心弯曲的反射表面构成，该反射表面为极紫外辐射提供掠入射反射。这些表面可以以大致在约2和约7厘米之间的范围内变化的距离排布，在可替代的实施例中，收集器元件可以是本领域已知的正入射型的。
另外，已经显示出根据本发明的碎片防止系统可以用作分立的系统，而且还可被用作光刻设备中的元件。因而，光刻设备已经证明包括被配置以调节辐射束的照射系统。
支撑件可以被构造以支撑图案形成装置，该图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予给辐射束以形成图案化的辐射束。另外，衬底台可以被构造以保持衬底，投影系统可以被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。在这个光刻设备中，优选地，提供根据上述的实施例的碎片防止系统。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)(例如具有在5-20nm范围内的波长)辐射以及诸如离子束或电子束的粒子束。
在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任一个或它们的组合，包括折射型的、反射型的、磁性型的、电磁型的和静电型的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不偏离下述权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行修改。