本发明涉及陶瓷介质材料的配方及其制造方法的改进，特别是关于能以中温烧结获得兼有高介电常数（高ε）、平坦温度特性（电容量和介电常数随温度变化小，即温度系数Tcc低）和低损耗（损耗因素DF低）的陶瓷介质材料及其制造方法。 一般对高频电容器上所用的介质材料，要求优良的温度特性和低损耗性能，例如多层陶瓷电容器的COG国际标准中要求介电常数或电容量在-55℃～-125℃（以20℃为基准）的变化（Tcc）不大于±30ppm/℃、损耗因数（DF）小于0.1%。另一方面，一般为获得高介电常数的陶瓷介质材料，多数是将组成物材料置于高温下烧结，以取得很好致密性的粒子结构而获得高介电常数。但是，当陶瓷介质材料被应用于制作电容器时，必然要求电极材料的熔点要超过陶瓷介质材料的烧结温度，即需使用由铂、钯等贵金属材料组成的耐高温电极材料，成本较贵。为降低成本，出现了一些可中低温烧结的陶瓷介质材料。但是以现有中低温烧结技术制作陶瓷介质材料，要保证优良的Tcc和DF，很难提高ε。然而对介质材料来说，介电常数是很重要的性能指标，直接关系其应用范围。例如若ε值低，用其制作大容量多层陶瓷电容器时，势必增加叠层数，这不仅影响合格率、可靠性以及钯-银电极浆料用量随之增加而成本上升，而且电容器厚度增加会影响小型化，使应用范围受到限制。为此，不少厂家致力研究高ε、低Tcc、低DF的陶瓷介质材料。例如1988年11月23日公开的中国发明专利申请（CN88102245A）提出了一种可在低于1140℃温度烧结的ε＞100、DF＜0.1%和Tcc＜150ppm/℃的陶瓷组合物，也有的提出了TiO2-Nd2O3-BaO-Bi2O3系介质材料的组成方案，例如日本公开特许昭62-56361、昭61-261263等，这些方案虽都改善了性能，但同时满足Tcc＜±30ppm/℃、DF＜0.1%的中温烧结陶瓷介质材料，都不曾有ε超过120的。
本发明的目的是针对上述问题，提供一种能低于1130℃温度烧结的、兼有高介电常数、平坦温度特性和低损耗的陶瓷介质材料及其制造方法。
本发明是这样实现的：使陶瓷介质材料的组成主要由基础成分和助熔玻璃成分构成，其中，基础成分占84～95%重量、助熔玻璃成分占5～16%。上述基础成分组成关系为：
上述助熔玻璃成分组成关系为：
制造上述陶瓷介质材料地方法是，先将基础组成物湿混，干燥后预烧，在1100℃下保温2小时;另一方面，将助熔玻璃组成物干混后在约950℃下熔制玻璃，熔后急冷，经球磨，获得粒径为1.5μ以下的浆料，烘干备用。然后按基础成分和助熔玻璃成分的比例配料，在1120℃～1130℃温度下焙烧出符合本发明目的的陶瓷介质材料。
利用本发明的配料组成和制造方法，可在低于1130℃下烧结出ε＞130、Tcc＜±30ppm/℃、DF＜0.05%的陶瓷介质材料，因此较之以往的高频用陶瓷介质材料，性能大大提高。实现高ε可使其应用于制作多层陶瓷电容器时，减少叠层数，节约电极浆料、提高电容的合格率、可靠性和小型化。而且，这些性能是在低于1130℃烧结温度下获得的，故用它作介质制作电容器时，可采用熔点低于1160℃的、成分比为30%钯（重量）/70%银（重量）的内电极浆料，较之过去使用高比例贵金属成分的电极浆料，成本显著降低。
以下举实施例进一步详细介绍本发明。
本例为本发明的陶瓷介质材料配制方法。首先，基础成分按表1配料称量。
表1N O.BaCO3Nd2O3TiO2Bi2O3120.7635.4337.366.45222.1233.7736.877.24319.1337.1238.375.38
然后倒入塑料球磨罐内湿混（料∶氧化锆球∶水＝1∶2∶1.5），球磨24小时，干燥后预烧，在1100℃下保温2小时，然后粉碎备用。
另一方面，助熔玻璃成分按以下配料称量。
Pb3O4Bi2O3SiO ZnO H3BO3Al2O358 22.97 5 3.21 8.45 2.37
干混后倒入氧化铝钳锅内，在约950℃下熔制玻璃，再将玻璃倒入蒸馏水中急冷后，球磨与过筛出粒径为1.5μ以下的浆料，烘干备用。
本例中，按基础成分∶助熔玻璃成分＝89.5∶10.5的比例配料称量后，倒入氧化铝球磨罐内混合24小时，再在1120℃～1130℃温度下焙烧出所需介质材料。用本例介质材料制成的多层陶瓷电容器的电性能，如表2所示。
表2