基于外置芯片保护电路的建筑水压自调系统技术领域
本发明属于水压调节系统领域，具体是指基于外置芯片保护电路的建筑水
压自调系统。
背景技术
水是生命之源，在人们的日常生活中也是一种不可或缺的资源，无论是饮
用、烹饪、浇灌或者拖地抹灰都离不开水。而随着建筑高度的日益提升，供水
公司则需要通过高强度的水泵来确保建筑的高层能够正常的使用水源。
在日常使用时，无论水压过高或者过低都会给人带来巨大的麻烦。当水压
过低时，高层的住户的正常用水会变得困难，甚至在用水高峰期时高层用户还
将面临无水可用的窘境。而现有的调节水压的系统其相应速度较慢，且调节能
力较差，不利于提高高层住户的用水体验。
发明内容
本发明的目的在于克服上述问题，提供基于外置芯片保护电路的建筑水压
自调系统，大大提高了水压调节的相应速度，提升了高层用户用水的便捷性。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
基于外置芯片保护电路的建筑水压自调系统，包括供水管道，设置在供水
管道中的压力传感器，与该压力传感器相连接的控制器，以及与该控制器相连
接的增压水泵，所述控制器与增压水泵之间还设置有水压自调驱动电路，该水
压自调驱动电路由输入调控电路、芯片调节电路以及输出驱动电路组成，在水
压自调驱动电路上还设置有外置芯片保护电路。
作为优选，所述输入调节电路由三极管VT1，串接在三极管VT1的基极与
集电极之间的电阻R1，一端经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接、另一
端顺次经电容C1、电阻R3和二极管D1后与三极管VT1的基极相连接的滑动
变阻器RP1，以及正极与电容C1的正极相连接、负极与电容C1的负极相连接
的电容C2组成；其中，三极管VT1的基极接12V电源，滑动变阻器RP1和电
阻R2的连接点接地，二极管D1的P极与三极管VT1的基极相连接，电容C1
的负极与滑动变阻器RP1相连接。
作为优选，所述芯片调节电路由MOS管Q1，一端接12V电源、另一端经
电阻R6后与MOS管Q1的受旱季相连接的电阻R4，负极与电阻R4和电阻R6
的连接点相连接、正极经电阻R5后与MOS管Q1的漏极相连接的电容C3，一
端与电容C3的正极相连接、另一端与MOS管Q1的源极相连接的电阻R7，以
及一端接地、另一端与MOS管Q1的源极相连接的电阻R8组成；其中，电容
C3的正极接地。
作为优选，所述输出驱动电路由芯片U1，正极与芯片U1的OUT1管脚相
连接、负极与芯片U1的BootS1管脚相连接的电容C4，正极与芯片U1的BootS2
管脚相连接、负极与芯片U1的OUT2管脚相连接的电容C5，以及负极与电容
C5的负极相连接、正极经电阻R9后与电容C4的正极相连接的电容C6组成；
其中，芯片U1的型号为LMD18200，芯片U1的DIR管脚与电容C1的负极相
连接，芯片U1的PWM管脚与MOS管Q1的源极相连接，芯片U1的Break管
脚与GND管脚相连接且接地，芯片U1的VCC管脚作为该水压自调驱动电路
的电源输入端，电容C4的正极与电容C5的作为该水压自调驱动电路的电源输
出端。
进一步的，所述外置芯片保护电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，
串接在三极管VT2的基极与集电极之间的电阻R10，一端与三极管VT2的基极
相连接、另一端经滑动变阻器RP2后与三极管VT2的发射极相连接的电阻R11，
一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电
阻R12，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的集电极相
连接的滑动变阻器RP3，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与电阻R11
和滑动变阻器RP2的连接点相连接的电阻R13，正极与三极管VT3的基极相连
接、负极与电阻R11和滑动变阻器RP2的连接点相连接的电容C7，一端与三极
管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R14，一端
与三机关VT3的发射极相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电阻
R15，以及一端接地、另一端与三极管VT4的发射极相连接的电阻R16组成；
其中，电容C7的负极接地，三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相连接，
三极管VT2的集电极与三极管VT4的集电极相连接，三极管VT2的基极作为
该外置芯片保护电路的输入端，三极管VT4的基极作为该外置芯片保护电路的
输出端，三极管VT2的基极与电阻R2和滑动变阻器RP1的连接点相连接，三
极管VT4的基极与电容C3的正极相连接。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本发明的水压自调驱动电路能够根据控制器的信号自动调配对增压水泵的
供电电流，从而达到调节增压水泵运行的效果，同时该水压自调驱动电路能够
很好的提升对增压水泵调控的反应速度，大大提高了基于外置芯片保护电路的
建筑水压自调系统的使用效果，通过外置芯片保护电路能够进一步调节芯片内
的运行电流与电压，避免了芯片受到冲击而损坏。
附图说明
图1为本发明的水压自调驱动电路的电路结构图。
图2为本发明的外置芯片保护电路的电路结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限
于此。
实施例
基于外置芯片保护电路的建筑水压自调系统，包括供水管道，设置在供水
管道中的压力传感器，与该压力传感器相连接的控制器，以及与该控制器相连
接的增压水泵，所述控制器与增压水泵之间还设置有水压自调驱动电路。
使用时，压力传感器实时对供水管道中的水压进行检测，在水压压力不足
时能够及时的向控制器进行反馈，控制器接收到反馈信号后则控制水压自调驱
动电路调整其输出的电流强度。其中，控制器可以采用PC电脑，将该控制器设
置在监控室中不仅可以起到自动调整水压的作用，还能够更方便的使得相关管
理人员了解实时的水压信息。
水压自调驱动电路能够根据控制器的信号自动调配对增压水泵的供电电
流，从而达到调节增压水泵运行的效果，同时该水压自调驱动电路能够很好的
提升对增压水泵调控的反应速度，大大提高了基于外置芯片保护电路的建筑水
压自调系统的使用效果。
如图1所示，该水压自调驱动电路由输入调控电路、芯片调节电路以及输
出驱动电路组成，在水压自调驱动电路上还设置有外置芯片保护电路。
输入调节电路由三极管VT1，滑动变阻器RP1，电阻R1，电阻R2，电阻
R3，电容C1，电容C2，以及二极管D1组成。
连接时，电阻R1串接在三极管VT1的基极与集电极之间，滑动变阻器RP1
的一端经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接、另一端顺次经电容C1、电
阻R3和二极管D1后与三极管VT1的基极相连接，电容C2的正极与电容C1
的正极相连接、负极与电容C1的负极相连接。
其中，三极管VT1的基极接12V电源，滑动变阻器RP1和电阻R2的连接
点接地，二极管D1的P极与三极管VT1的基极相连接，电容C1的负极与滑动
变阻器RP1相连接。
芯片调节电路由MOS管Q1，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻
R8，以及电容C8组成。
连接时，电阻R4的一端接12V电源、另一端经电阻R6后与MOS管Q1
的受旱季相连接，电容C3的负极与电阻R4和电阻R6的连接点相连接、正极
经电阻R5后与MOS管Q1的漏极相连接，电阻R7的一端与电容C3的正极相
连接、另一端与MOS管Q1的源极相连接，电阻R8的一端接地、另一端与MOS
管Q1的源极相连接。
其中，电容C3的正极接地。
输出驱动电路由芯片U1，电阻R9，电容C4，电容C5，以及电容C6组成。
连接时，电容C4的正极与芯片U1的OUT1管脚相连接、负极与芯片U1
的BootS1管脚相连接，电容C5的正极与芯片U1的BootS2管脚相连接、负极
与芯片U1的OUT2管脚相连接，电容C6的负极与电容C5的负极相连接、正
极经电阻R9后与电容C4的正极相连接。
其中，芯片U1的型号为LMD18200，芯片U1的DIR管脚与电容C1的负
极相连接，芯片U1的PWM管脚与MOS管Q1的源极相连接，芯片U1的Break
管脚与GND管脚相连接且接地，芯片U1的VCC管脚作为该水压自调驱动电
路的电源输入端，电容C4的正极与电容C5的作为该水压自调驱动电路的电源
输出端。
如图2所示，外置芯片保护电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，
滑动变阻器RP2，滑动变阻器RP3，电容C7，电阻R10，电阻R11，电阻R12，
电阻R13，电阻R14，电阻R15，以及电阻R16组成。
连接时，电阻R10串接在三极管VT2的基极与集电极之间，电阻R11的一
端与三极管VT2的基极相连接、另一端经滑动变阻器RP2后与三极管VT2的发
射极相连接，电阻R12的一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与三极管
VT3的发射极相连接，滑动变阻器RP3的一端与三极管VT2的集电极相连接、
另一端与三极管VT3的集电极相连接，电阻R13的一端与三极管VT3的发射极
相连接、另一端与电阻R11和滑动变阻器RP2的连接点相连接，电容C7的正
极与三极管VT3的基极相连接、负极与电阻R11和滑动变阻器RP2的连接点相
连接，电阻R14的一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3
的基极相连接，电阻R15的一端与三机关VT3的发射极相连接、另一端与三极
管VT2的集电极相连接，电阻R16的一端接地、另一端与三极管VT4的发射极
相连接。
其中，电容C7的负极接地，三极管VT3的发射极与三极管VT4的基极相
连接，三极管VT2的集电极与三极管VT4的集电极相连接，三极管VT2的基
极作为该外置芯片保护电路的输入端，三极管VT4的基极作为该外置芯片保护
电路的输出端，三极管VT2的基极与电阻R2和滑动变阻器RP1的连接点相连
接，三极管VT4的基极与电容C3的正极相连接。
如上所述，便可很好的实现本发明。