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1、10申请公布号CN104081500A43申请公布日20141001CN104081500A21申请号201380007115722申请日20130920201221477620120927JPH01L21/301200601C09J7/02200601C09J201/0020060171申请人古河电气工业株式会社地址日本东京都72发明人大田乡史玉川有理矢吹朗服部聪74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人蒋亭54发明名称放射线固化型切割用粘合带57摘要本发明提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序时容易地进行拾取而不会产生残胶。本。
2、发明的放射线固化型切割用粘合带1，其特征在于，其是在基材片2上设置有放射线固化型粘合剂层3的放射线固化型粘合带1，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1018。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014072986PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0755612013092087PCT国际申请的公布数据WO2014/050763JA2014040351INTCL权利要求书1页说明书11页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书11页附图1页10申请公布号CN1。
3、04081500ACN104081500A1/1页21一种放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比例即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1018。2根据权利要求1所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G为1810447104PA。3根据权利要求1或2所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层在放射线固化前的损失系数TAN为020035。4根据权利要求13中任一项所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在。
4、于，其在切割半导体晶片时使用。5根据权利要求4所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述半导体晶片在与所述粘合剂层贴合的面具有突起物或段差。权利要求书CN104081500A1/11页3放射线固化型切割用粘合带技术领域0001本发明涉及在为了使半导体晶片等实现元件小片化而对其进行切割DICING时用于固定该半导体晶片等被切断体的粘合带。背景技术0002以往的半导体装置通过使设置于基板上的半导体芯片通过引线接合WIREBONDING进行导电连接而制造。近年来，对应于使机器进一步小型化、薄型化、轻量化的要求，对以这些机器内部所使用的半导体装置为代表的电子部件也有同样的要求。为了实现电子部件的。
5、小型化，提出了例如层叠半导体芯片以实现高密度安装的三维安装技术例如参照专利文献1。此外，作为进行三维安装技术的方法，例如提出了形成贯通芯片的电极贯通电极、并经由该电极层叠有称为插入物INTERPOSER的安装用芯片的半导体封装结构例如参照专利文献2。0003目前正在研究如下技术使形成有贯通电极的晶片切断分离成元件小片半导体芯片切割DICING工序，并且在对这些半导体芯片进行拾取的工序拾取PICKUP工序中使用具有放射线固化型粘合层的晶片切割加工用粘合带。0004在使用具有放射线固化型粘合层的切割用粘合带时，在切割工序中必须充分地保持晶片。然而，设置有贯通电极的晶片通常在一面或两面具有高度为3几。
6、十M的贯通电极的突起部。因此，即便贴合以往的切割加工用粘合带，大多也无法追随该突起部而无法保持晶片。另外，该结果会导致在贯通电极的突起周边部产生空隙。通常，在切割工序中利用被称为刀片BLADE的旋转刀刃对芯片进行单片化。在粘合剂层与贯通电极的突起周边部之间具有空隙而无法充分地保持晶片时，因切削时的冲击而使芯片振动，引起刀片与芯片的冲撞，产生芯片缺损破裂CHIPPING而降低芯片的成品率。0005为了消除切割工序时的不良情况，提出了使粘合剂层的凝胶分率及10的储存弹性模量在特定范围内的放射线固化型切割用粘合带例如参照专利文献3。对于专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，通过使其具有使凝胶分率。
7、和储存弹性模量在特定范围内的粘合剂层，从而消除了切割工序时的上述不良情况。0006现有技术文献0007专利文献0008专利文献1日本特开200250738号公报0009专利文献2日本特开2005236245号公报0010专利文献3日本特开2006202926号公报发明内容0011发明要解决的课题0012然而，对于上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，在进行切割后，对粘合剂层照射放射线而使其固化，由此使粘合力降低，此时，由于粘合剂层固化收缩，因此说明书CN104081500A2/11页4使粘合剂层包住日文原文噛贯通电极等的晶片表面的突起，导致产生无法良好地拾取经切割后的半导体芯片的问题。。
8、在上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带中，使用含有因刺激而产生气体的气体产生剂的粘合剂。然而，在粘合剂中产生气体的机制中，由于粘合剂变脆，因此可能产生粘合剂碎屑对芯片的附着残胶、使成品率降低。0013因此，本发明的目的在于提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。0014用于解决上述课题的手段0015为了解决上述课题，本发明的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比为1018。0016上述放射线固。
9、化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G为1810447104PA。0017此外，上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的损失系数TAN为020035。0018此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合在切割半导体晶片时使用。0019此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合使用在上述半导体晶片在与上述粘合剂层贴合的面具有突起物或段差的情况。0020发明效果0021根据本发明，可减少切割工序中的破裂，且即使对设置有贯通电极的半导体芯片也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。附图说明0022图1是表示本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带的结构的示。
10、意性剖面图。0023图2是表示使用本发明的实施例的放射线固化型切割用粘合带所切断的芯片的结构的示意性俯视图平面图。具体实施方式0024以下对本发明的实施方式进行详细说明。0025本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带1在基材片2的至少一侧形成至少1层粘合剂层3。图1是表示本发明的放射线固化型切割用粘合带1的优选实施方式的示意性剖面图，放射线固化型切割用粘合带1具有基材片2，并且在基材片2上形成粘合剂层3。0026对本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带1而言，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1018。0027。
11、在放射线固化型切割用粘合带1的贴合粘合剂层3的面将具有突起物BUMP或段差的晶片贴合于放射线固化型切割用粘合带1时，优选使突起物或段差大致完全埋入粘合剂层3中。在突起物或段差与放射线固化型切割用粘合带1之间具有空隙时，因切割工说明书CN104081500A3/11页5序中的旋转刀刃刀片的振动而使芯片大幅振动，引起芯片与刀片或相邻的芯片接触，产生芯片缺损。0028另一方面，在突起物或段差大致完全埋入粘合剂层3的情况下，可减低旋因转刀刃振动的影响，在构成粘合剂层3的粘合剂中使用放射线固化型粘合剂组成的情况下，由于粘合剂层3在密接于突起物或段差的状态下固化，因此在拾取工序时粘合剂层3会覆盖突起物或段。
12、差而产生无法拾取的不良情况。0029此处，放射线固化型粘合剂是指至少含有在分子内末端具有碳碳不饱和键的化合物A及接受放射线而产生自由基的称为引发剂的化合物的粘合组合物。通过照射放射线，使引发剂活化，并利用所产生的自由基使末端的碳碳不饱和键连续活化，由此化合物A逐渐键合而使化合物A彼此间形成交联。0030在形成交联前，由于通过使分散于粘合剂中的多个化合物A交联而使其聚集并键合，因此粘合剂在交联后较交联前变得更硬。在密接于突起物或段差的状态下引起该交联反应时，由于变硬的粘合剂覆盖突起物或段差而阻害平顺地剥离。特别是在具有贯通电极的晶片中，由于贯通晶片内部而形成突起物，因此使芯片强度显著减弱，在阻碍。
13、剥离时，容易引起芯片破损。通过调整粘合剂的固化程度，可以使因该粘合剂固化而引起的对突起物或段差的覆盖得到抑制。0031作为粘合剂的固化程度的指标，有放射线固化型切割用粘合带1的拉伸弹性模量。放射线固化前的拉伸弹性模量与固化后的拉伸弹性模量之比放射线固化后的拉伸弹性/固化前的拉伸弹性模量越接近1，意味着与交联形成前相比硬度变化越小。如上所述，放射线固化型的粘合剂层3通过照射放射线而发生固化反应，因此上述的比例通常大于1。该比例为18以下时，对突起物或段差的覆盖较小，可容易地进行拾取。该比例大于18时，产生对突起物或段差的覆盖，在拾取工序的上顶日文原文突上时施加于芯片的应力变大，无法进行拾取或产生。
14、芯片破损。0032另外，此处的拉伸弹性模量是依照JISK71271999所得的值。此外，一般而言基材片2较粘合剂层3的厚度更厚，且刚性更高，通过取得放射线固化型切割用粘合带1的拉伸弹性模量的比例，可比较仅粘合剂层3的拉伸弹性模量。0033此处，放射线的照射量没有特别的限制，例如在照射紫外线时，优选为1001000MJ/CM2，更优选为200500MJ/CM2。0034为了防止半导体芯片破裂时，放射线固化前的粘合剂层3的储存弹性模量G优选为1810447104PA，更优选为2010447104PA。G低于18104PA时，可使粘合剂层3充分地密接于突起物或段差，由于粘合剂层3过于柔软，因此无法抑。
15、制切割工序中的旋转刀刃振动，导致产生破裂。此外，G大于47104PA时，无法使粘合剂层3充分地密接于突起物或段差而导致产生空隙，因此因切割工序中的旋转刀刃振动而导致产生破裂。0035此外，为了维持粘合剂层3充分地密接于突起物或段差的状态，放射线固化前的粘合剂层3的损失系数TAN优选为020035，更优选为025035。损失系数TAN以储存弹性模量G与损失弹性模量G”之比G”/G来表示。在TAN过小时，即使在粘合剂层3可充分地密接于突起物或段差的情况下，也会由于排斥能力大而不易维持密接的状态。在TAN过大时，由于排斥能力小，因此在单片化后进行拾取时变得不易传导来自下说明书CN104081500A。
16、4/11页6方的上顶夹具的应力。在粘合剂层3的损失系数TAN小于020时，无法维持密接的状态，导致在晶片与粘合带之间产生空隙，可能会因上述的机制而使破裂恶化。在粘合剂层3的损失系数TAN大于035时，由于在单片化后进行拾取时不易传导来自下方的上顶夹具的应力，不得不提高上顶高度，芯片破损的可能性变高。0036以下，详细说明有关本实施方式的放射线固化型切割用粘合带1的各构成要素。0037基材片20038关于构成基材片2的树脂，没有特别的限制，可使用可形成片状的树脂。例如可使用聚丙烯、高密度聚乙烯HDPE、低密度聚乙烯LDPE、直链低密度聚乙烯LLDPE、乙烯丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯丙烯二烯共聚。
17、物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯甲基丙烯酸共聚物、乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯甲基丙烯酸乙酯共聚物、乙烯甲基丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯氯乙烯醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物等。这些树脂可单独使用或2种以上混合使用，此外，也可采用2层以上的多层构成。0039基材片2的厚度没有特别的限制，在该厚度过薄时，不易处理，在该厚度过厚时，由于在拾取工序时不易传导上顶夹具的应力，因此优选为50150M，更优选为70100M。0040为了提高密接性时，也可对基材片2的与粘合剂。
18、层3接触的面实施电晕处理或底漆PRIMER等的处理。0041粘合剂层30042构成粘合剂层3的粘合剂组合物优选使用例如日本特开平7135189号公报等中记载的粘合剂组合物，但并不限定于此，可以使用对橡胶系或丙烯酸系的基础聚合物配合分子中具有至少2个放射线聚合性碳碳双键的化合物以下称为光聚合性化合物及光聚合引发剂而成的粘合剂组合物、或者对丙烯酸系的基础聚合物加成具有碳碳双键的化合物而成的粘合剂组合物。0043作为在丙烯酸系聚合物中导入碳碳双键的方法，没有特别的限制，例如可列举如下方法等使用具有官能基的单体作为共聚性单体进行共聚，制备成含有官能基的丙烯酸系聚合物后，使具有能够与含官能基的丙烯酸系聚。
19、合物中的官能基反应的官能基及碳碳双键的化合物，在维持碳碳双键的放射线固化性放射线聚合性的状态下，与含有官能基的丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应，制备分子内具有碳碳双键的丙烯酸系聚合物。0044上述橡胶系或丙烯酸系的基础聚合物可以使用天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶系聚合物；或者聚甲基丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯与可同这些物质共聚的不饱和单体形成的共聚物等丙烯酸系聚合物。在使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作为构成基础聚合物的单体时，由于可更为提高拾取性，故优选。0045作为光聚合性化合物，可列举例如三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基。
20、丙烯酸酯、1，6己二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、丙三醇二甲基丙烯酸酯说明书CN104081500A5/11页7等甲基丙烯酸与多元醇的酯化物；酯丙烯酸酯低聚物；2丙烯基二3丁烯基氰脲酸酯等具有含碳碳双键基团的氰脲酸酯系化合物；三2丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、三2甲基丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、2羟基乙基双2丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、双2丙烯酰氧基乙基25丙烯酰氧基己基氧基乙基异氰脲酸酯、三1，3二丙烯酰氧基2丙基氧基羰基氨基正己基异氰脲酸酯、三1丙烯酰氧基乙基3甲基丙烯酰氧基2丙基氧基羰基氨基正己基异氰脲酸酯、三4丙烯酰氧基正丁基异氰脲酸酯等具有含碳碳双键基团。
21、的异氰脲酸酯系化合物等。这些光聚合性化合物可单独使用或2种以上组合使用。0046在放射线固化前后的拉伸杨氏模量比为18以下时，一分子中的碳碳双键数没有特别的限制，一分子中的碳碳双键数优选为26个。此外，光聚合性化合物的配合量也没有特别的限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为1090质量份，更优选为2070质量份，进一步优选为2060质量份。0047放射线固化型粘合剂可通过在粘合剂中混入光聚合引发剂而产生基于放射线照射的聚合固化反应。作为此种光聚合引发剂，可列举例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚系引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，。
22、3二甲基4甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引发剂；羟基环己基苯基酮、42羟基乙氧基苯基2羟基2丙基酮、羟基，二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2二甲氧基2苯基苯乙酮、2，2二乙氧基苯乙酮、2甲基14甲硫基苯基2吗啉基丙烷1酮等芳香族酮系引发剂；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮系引发剂；噻吨酮、2氯噻吨酮、2甲基噻吨酮、2乙基噻吨酮、2异丙基噻吨酮、2十二烷基噻吨酮、2，4二氯噻吨酮、2，4二甲基噻吨酮、2，4二乙基噻吨酮、2，4二异丙基噻吨酮等噻吨酮系引发剂；苯偶酰等苯偶酰系引发剂；苯偶姻等苯偶姻系引发剂；以及酮醇KETOL系化合物2甲基2羟基苯丙酮等、芳香族磺酰氯系化合物2萘磺酰氯等、。
23、光活性肟系化合物1苯酮1，1丙烷二酮2邻乙氧基羰基肟等、樟脑醌、卤化酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。光聚合引发剂可单独使用或2种以上组合使用。0048光聚合引发剂的配合量没有特别的限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为110质量份，更优选为27质量份。0049此外，在上述粘合剂中可以根据需要配合异氰酸酯系固化剂。作为异氰酸酯系固化剂，具体而言，可以使用多价异氰酸酯系化合物，例如2，4甲苯二异氰酸酯、2，6甲苯二异氰酸酯、1，3二甲苯二异氰酸酯、1，4二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4二异氰酸酯、二苯基甲烷2，4二异氰酸酯、3甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二。
24、异氰酸酯、二环己基甲烷4，4二异氰酸酯、二环己基甲烷2，4二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。0050固化剂的配合量没有特别的限制，相对于粘合剂的上述基础聚合物100质量份，优选为00110质量份，更优选为015质量份。0051在用于形成放射线固化型粘合剂的粘合剂组合物中，也可以根需要含有例如增粘剂、抗老化剂、填充剂、着色剂、阻燃剂、防静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂等公知的添加剂等。说明书CN104081500A6/11页80052本发明的粘合剂层3可利用公知的粘合剂层3的形成方法来形成。例如可以利用以下方法在基材片2上形成粘合剂层3，所述方法为将上述粘合剂组合物涂布于基。
25、材片2的规定面而形成粘合剂层3的方法；或者将粘合剂组合物涂布于隔件例如涂布有脱模剂的塑料制薄膜或薄片等上而形成粘合剂层3后，将该粘合剂层3转印于基材片2的规定面的方法。粘合剂层3的厚度只要比突起物或段差高即可，没有特别的限制。0053另外，图1示出了粘合剂层3具有单层形态的放射线固化型切割用粘合带1，也可具有层叠有多层的粘合剂层3的形态。在层叠有多层的粘合剂层3时，优选在切割时具有贴合晶片的面的粘合剂层3为放射线固化型粘合剂层3，放射线固化前的储存弹性模量G为1810447104PA，放射线固化前的损失系数TAN为020035。0054此外，在直至供实际使用的期间，为了保护粘合剂层3，可以根据。
26、需要将通常作为隔件使用的合成树脂薄膜贴附于粘合剂层3侧。作为合成树脂薄膜的构成材料，可列举聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的合成树脂薄膜或纸等。为了提高自粘合剂层3的剥离性，可以根据需要对合成树脂薄膜的表面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。合成树脂薄膜的厚度通常为10100M、优选为2550M左右。00550056以下，对本发明的放射线固化型切割用粘合带1的使用方法进行说明。0057在将本发明的放射线固化型切割用粘合带1贴附到作为被切断物的半导体构件的安装MOUNT工序后，依照常法进行切割，再移至放射线照射、拾取工序。作为半导体构件，可列举硅半导体、化合物半导体、半导体封装体。
27、、玻璃、陶瓷等，放射线固化型切割用粘合带1可适合用于切割具有贯通电极的半导体晶片。0058在安装工序中，通常将被切断物与放射线固化型切割用粘合带1重叠，边利用使用压接辊的挤压方法等公知的挤压方法进行挤压，边进行被切断物与粘合带的贴附。在粘合带与被切断物的密接性不充分时，也可采用对被切断物进行加热的方法。0059切割工序中，使刀片高速旋转，将被切断物切断成规定的尺寸。切割时可采用切入至部分切割带的称为全切割FULLCUT的切断方式等。0060在切割后，通过照射紫外线使粘合剂层3固化，以降低粘合性。通过照射紫外线，可使粘合剂层3的粘合性因固化而降低，使其容易剥离。此处，紫外线的照射量没有特别的限制。
28、，优选为1001000MJ/CM2，更优选为200500MJ/CM2。0061在紫外线照射后，进行拾取工序。在拾取工序中可设置扩大工序。作为拾取方法，没有特别的限制，可采用以往公知的各种拾取方法。例如利用针等夹具将各切断片自切割带上顶，并通过拾取装置对被上顶后的切断片进行拾取的方法等。0062实施例0063以下，依照实施例更详细地说明本发明，但本发明不受这些实施例的限制。00640065作为构成粘合剂层的树脂组合物，制备了以下的AH。0066粘合剂组合物A0067相对于丙烯酸系聚合物由丙烯酸乙酯23MOL、丙烯酸丁酯56MOL、丙烯酸甲氧基乙酯21MOL形成的丙烯酸系共聚物重均分子量90万10。
29、0质量份，加入聚异氰酸酯化合物日本聚氨酯工业株式会社制、商品名CORONATEL2质量份、作为光聚合性化合说明书CN104081500A7/11页9物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯30质量份、及光聚合引发剂BASF公司制、商品名IRGACURE1842质量份并进行混合，制备成放射线固化性的粘合剂组合物A。0068粘合剂组合物B0069除了将光聚合性化合物设定为季戊四醇三丙烯酸酯60质量份以外，与粘合剂组合物A同样地制备了粘合剂组合物B。0070粘合剂组合物C0071除了将丙烯酸系聚合物设定为由丙烯酸2乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2羟基乙酯形成的共聚物重均分子量50万以外，与粘合剂组合物A同样地制备了。
30、粘合剂组合物C。0072粘合剂组合物D0073除了将光聚合性化合物设定为二季戊四醇六丙烯酸酯、且将配合量设定为20质量份以外，与粘合剂组合物C同样地制备了粘合剂组合物D。0074粘合剂组合物E0075除了将光聚合性化合物的配合量设定为50质量份以外，与粘合剂组合物D同样地制备了粘合剂组合物E。0076粘合剂组合物F0077除了将光聚合性化合物的配合量设定为80质量份以外，与粘合剂组合物D同样地制备了粘合剂组合物F。0078粘合剂组合物G0079使由丙烯酸2乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2羟基乙酯形成的丙烯酸系共聚物100质量份，与作为具有光聚合性碳碳双键及官能基的化合物的2甲基丙烯酰氧基乙基异氰。
31、酸酯昭和电工株式会社制、商品名KARENZMOI02质量份反应，得到对主链的重复单位键合了具有丙烯酸系单体部的残基的聚合物重均分子量60万，所述丙烯酸系单体部具有含放射线固化性碳碳双键基团。相对于上述聚合物100质量份，加入聚异氰酸酯化合物日本聚氨酯株式会社制、商品名CORONATEL1质量份、及光聚合引发剂BASF公司制、商品名IRGACURE1842质量份并进行混合，制备成放射线固化性的粘合剂组合物G。0080粘合剂组合物H0081除了将聚异氰酸酯化合物的配合量设定为05质量份以外，与粘合剂组合物G同样地制备成粘合剂组合物H。0082粘合剂组合物I0083除了将与丙烯酸系共聚物反应的2甲基。
32、丙烯酰氧基乙基异氰酸酯的配合量设定为06质量份以外，与粘合剂组合物G同样地制备了粘合剂组合物I。00840085作为基材片，准备了以下的JL。0086基材片J0087利用双轴混练机，在约200下使乙烯甲基丙烯酸丙烯酸2甲基丙酯ZN离聚物树脂DUPONTMITSUIPOLYCHEMICALSCO，LTD制、商品名HIGHMILANAM7316进行薄膜挤出成形，并制造了厚度100M的基材片J。0088基材片K说明书CN104081500A8/11页100089利用双轴混练机，在约200下使乙烯醋酸乙烯酯共聚物NIPPONUNICARCOMPANYLIMITED制、商品名NUC3758进行薄膜挤出成。
33、形，并制造了厚度100M的基材片K。0090基材片L0091准备了含有相对于聚氯乙烯树脂100质量份为30质量份的邻苯二甲酸二辛酯的聚氯乙烯片厚度100M。00920093如表1及表2所示，以使干燥后的厚度分别达到20M的方式，将上述粘合剂组合物AI涂布于各基材片JL，形成粘合剂层，并制造了实施例1、39、比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带。此外，以使干燥后的厚度达到25M的方式，涂布粘合组合物A，形成粘合剂层，并制造了实施例2的放射线固化型切割用粘合带。00940095使用实施例19及比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带，依据JISK7127/2/300，制作试验片并实施拉伸试验，计算。
34、出紫外线照射前的杨氏模量。此外，自粘合带试验试料的基材片侧照射200MJ/MM2的紫外线，使粘合剂层固化后，实施同样的试验，计算出紫外线照射后的杨氏模量。任一试验的试验结果均为测定数N5的平均值。由这些结果计算出杨氏模量比紫外线照射后/紫外线照射前。其结果如表1及表2所示。00960097以使干燥后的厚度分别达到20M的方式，将粘合剂组合物AI涂布于脱模薄膜上，形成粘合剂层后，自脱模薄膜剥离粘合剂层，以使总厚度约为2MM的方式将其进行重叠，制作试验样品。将该试验样品冲切成直径8MM的圆盘状，以平行刀片将其夹持，使用粘弹性测定装置TAINSTRUMENTS公司制、商品名ARES，以下述条件进行测。
35、定。从所取得的数据记录储存弹性模量G的最大值及最小值、以及损失系数TAN的最小值。其结果如表1及表2所示。0098测定条件0099测定温度23800100升温速度5/MIN0101测定频率015HZ01020103准备了以100M间隔形成有直径10M的球状突起物5参照图2，的8英寸、厚度30M的SI晶片。然后，将实施例18及比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带与环架RINGFRAME一起贴合。0104埋入性评价0105以目视从贴合后的放射线固化型切割用粘合带面的上方观察球状突起物周围有无气泡。将无气泡的情况设定为“”，将气泡大小为10M以下的情况设定为“”，将气泡大小大于10M的情况设定为“。
36、”。其结果如表1及表2所示。0106贴合后的经时变化评价0107在贴合后，在切割卡匣CASSETTE上放置1小时后，实施与评价埋入性同样的评价。将与埋入性评价相比没有变化的情况设定为“”，将气泡尺寸的扩大幅度为5M以下说明书CN104081500A109/11页11的情况设定为“”，将气泡尺寸的扩大幅度大于5M的情况设定为“”。其结果如表1及表2所示。0108然后，使用切割装置DISCO株式会社制、商品名DAD340，如图2所示，以使芯片4的尺寸达到10MM见方的方式，以下述条件实施了切割。另外，球状突起物5如图2所示那样形成，而并未形成在切割道SCRIBELINE上。0109切割条件0110。
37、刀片DISCO株式会社制“27HECC”0111刀片转速40000RPM0112切割速度50MM/SEC0113切割深度25M0114切割模式向下切割0115拾取性评价0116自放射线固化型切割用粘合带的基材片侧照射200MJ/MM2的紫外线，使粘合剂层固化后，将单片化的芯片使用芯片拾取装置CANONMACHINERY株式会社制、商品名CAP300II进行拾取。将任意的50个芯片以下述条件A及条件B进行拾取，计算成功拾取的芯片数，将成功地拾取全部50个芯片的情况设定为“”，将成功地拾取4549个半导体芯片的情况设定为“”，除此以外设定为“”，由此评价了拾取性。其结果如表1及表2所示。另外，拾取。
38、失败是指无法剥离的情况及在拾取到的芯片上带入裂纹的情况。0117拾取条件A0118针数5根0119针的间隔7878MM0120针尖端曲率025MM0121针上顶量030MM0122拾取条件B0123针数5根0124针的间隔7878MM0125针尖端曲率025MM0126针上顶量040MM0127破裂性评价0128以光学显微镜观察30片在破裂性评价中采取的芯片的里面，测定破裂的大小。将从芯片前端至破裂最深处的距离为5M以下的情况设定为“”，将从芯片前端至破裂最深处的距离为615M的情况设定为“”，将从芯片前端至破裂最深处的距离大于15M的情况设定为“”。其结果如表1及表2所示。0129表1013。
39、0说明书CN104081500A1110/11页120131表201320133如表1及表2所示，实施例19的放射线固化型切割用粘合带在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量之比为1018的范围，因此条件B的拾取性良好。尤其在实施例14中，由于使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作为构成基础聚合物的单体，因此即使在针的上顶量小且拾取性较为困难的条件A下拾取性也良好。在实施例59中，由于没有使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作为构成基础聚合物的单体，因此在条件A下产生拾取失败的芯片，但是在允许范围的产生比例内。与此相对，比较例1、2的放射线固化型切割用粘合带在放。
40、射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量之比超过18，因此在条件A、B下均无法良好地进行拾取。0134此外，对于实施例16的放射线固化型切割用粘合带而言，粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G为1810447104PA，粘合剂层的放射线固化前的损失系数TAN为025035，因此埋入性、破裂性、贴合后的经时变化均良好。与此相对，对于实施例7的放射线固化型切割用粘合带而言，由于粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G为47104PA，因此与实施例16的放射线固化型切割用粘合带相比，埋入性变差且破裂性降低，但是在允许范围内。此外，对于实施例8的放射线固化型切割用粘合带而言，由于粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G为18104，因此与实施例16的放射说明书CN104081500A1211/11页13线固化型切割用粘合带相比，破裂性变差，但是在允许范围内。此外，对于实施例9的放射线固化型切割用粘合带而言，由于粘合剂层在放射线固化前的损失系数TAN为020，因此与实施例16的放射线固化型切割用粘合带相比，因贴合后的经时变化而产生晶片浮起且破裂性降低，但是在允许范围内。0135符号说明01361放射线固化型切割用粘合带01372基材片01383粘合剂层01394芯片01405球状突起物说明书CN104081500A131/1页14图1图2说明书附图CN104081500A14。