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1、10申请公布号CN104058743A43申请公布日20140924CN104058743A21申请号201410054822822申请日20140218201305622920130319JPC04B35/491200601C04B35/62420060171申请人三菱综合材料株式会社地址日本东京72发明人土井利浩樱井英章曽山信幸74专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司11018代理人康泉宋志强54发明名称铁电薄膜形成用溶胶凝胶液及铁电薄膜的形成方法57摘要本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶凝胶液及铁电薄膜的形成方法。该铁电薄膜形成用溶胶凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整。
2、用高分子化合物及含N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，含有以氧化物换算计为17质量以上的PZT系化合物，聚乙烯吡咯烷酮相对于所述PZT系化合物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮10105，所述溶胶凝胶液中含3质量13质量的N甲基吡咯烷酮。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书9页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书9页10申请公布号CN104058743ACN104058743A1/1页21一种铁电薄膜形成用溶胶凝胶液，其特征在于，含有PZT系化合物；含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物；以及含N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，含有以氧化物换算。
3、计为17质量以上的所述PZT系化合物，所述聚乙烯吡咯烷酮相对于所述PZT系化合物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮10105，所述溶胶凝胶液中含3质量13质量的所述N甲基吡咯烷酮。2根据权利要求1所述的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液，其中，所述聚乙烯吡咯烷酮的K值在1590的范围内。3一种形成铁电薄膜的方法，其中，该方法使用权利要求1或2所述的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液。权利要求书CN104058743A1/9页3铁电薄膜形成用溶胶凝胶液及铁电薄膜的形成方法技术领域0001本发明涉及一种铁电薄膜形成用溶胶凝胶液。具体而言，本发明涉及一种即便使得通过CSD（CHEMICALSOLUTI。
4、ONDEPOSITION）法进行一次铁电薄膜形成用溶胶凝胶液的涂布的一层的厚度超过数100NM，也能够在预烧结、烧成之后获得无龟裂且致密的铁电薄膜的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液。0002本申请对2013年3月19日申请的日本专利申请第2013056229号主张优先权，并将其内容援用于此。背景技术0003以往，在通过CSD法，例如溶胶凝胶法在基板上形成PZT系铁电薄膜（简称“PZT膜”）的情况下，当利用PZT系铁电薄膜形成用溶胶凝胶液（简称“溶胶凝胶液”）进行一次涂布以形成一层膜时，将膜厚限制在100NM左右。这是因为，在对厚度超过100NM的膜进行预烧结、烧成时，PZT膜中所产生的拉伸应力在该膜中。
5、产生得不均匀，结果在膜中频繁产生龟裂。因此，目前来讲，为了获得数M厚膜的PZT膜不得不使一层变得更薄且进行数十次的涂布，同时还要反复进行预烧结、烧成。但是，所涉及的方法会使生产效率下降而增加成膜成本。0004因此，针对上述不良情况，提出如下溶胶凝胶液在用于溶胶凝胶液的制备的有机溶剂中使用丙二醇，可通过涂布一次溶胶凝胶液来获得一层为200NM以上的厚膜（例如参考日本特开2001261338号公报（权利要求1、00160024段、表1）。并且，还提出如下方法通过在高浓度的溶胶凝胶液中添加高分子来缓和成膜过程中所产生的拉伸应力，使得可通过涂布一次溶胶凝胶液获得的一层变得更厚（例如参考JSOLGELS。
6、CITECHNOL（2008）47316325）。0005另外，在日本特表2001521976号公报中公开有如下内容，即作为分散核/壳聚合物粘合剂和铁氧体粉末而获得的喷墨印刷用墨组合物的溶剂之一使用N甲基吡咯烷酮（例如参考00130188段）。然而，日本特表2001521976号公报中所公开的组合物为喷墨印刷用组合物，通过所述核/壳聚合物粘合剂来提高耐蹭脏牢度。即与下述本发明的溶胶凝胶液的构成及目的完全不同。并且，日本特表2001521976号公报中所公开的组合物为由通过在溶剂中分散铁氧体粉末而获得的分散液构成的组合物，与由将金属醇盐等用作原料的本发明的溶胶凝胶构成的组合物相比，构成完全不同。。
7、0006本发明人等发现，即使使用上述以往提出的溶胶凝胶液，也很难制造具有无龟裂且致密的膜结构并且实际应用中具备充分的特性的PZT膜。发明内容0007本发明的目的在于提供一种PZT系铁电薄膜形成用溶胶凝胶液，其即使使得涂布一次溶胶凝胶液的一层的层厚超过数100NM，也能够在预烧结、烧成之后形成无龟裂且致密的PZT膜。说明书CN104058743A2/9页40008本发明的第一观点为铁电薄膜形成用溶胶凝胶液，其中，所述溶胶凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物；以及含N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，0009含有以氧化物换算计为17质量以上的所述PZT系化合物，所述聚乙烯吡咯。
8、烷酮相对于所述PZT系化合物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮10105，并且所述溶胶凝胶液中含3质量13质量的所述N甲基吡咯烷酮。0010本发明的第二观点为基于第一观点的发明，其中，优选上述第一观点所述的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液中所述聚乙烯吡咯烷酮的K值在1590的范围内。0011其中，K值为与分子量相关的粘性特性值，且为利用通过毛细管粘度计测定的相对粘度值（25），并根据下述FIKENTSCHER公式计算的值。0012K值（15LOGREL1）/（0150003C）0013（300CLOGREL（C15CLOGREL）2）1/2（015C0003C2）0014（REL聚乙。
9、烯吡咯烷酮水溶液相对于水的相对粘度（25）。C聚乙烯吡咯烷酮水溶液中的聚乙烯吡咯烷酮浓度（WT）0015本发明的第三观点为使用第1一观点或第二观点的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液形成铁电薄膜的方法。0016本发明的第1一观点的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物以及含作为极性溶剂的N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，0017含有以氧化物换算计为17质量以上的所述PZT系化合物，所述聚乙烯吡咯烷酮相对于所述PZT系化合物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮10105，并且所述溶胶凝胶液中含3质量13质量的所述N甲基吡咯烷酮。本发明中通过上述溶胶凝。
10、胶液的构成，能够在干燥过程中在膜中适当形成间隙，并有效地从膜中去除伴随分解而产生的气体等，出于这种理由若在PZT系铁电薄膜的制造中使用该溶胶凝胶液，则能够制造具有无龟裂且致密的膜结构并且实际应用中具备充分的特性的PZT膜。0018本发明的第二观点的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液为基于第一观点的发明，由于所述聚乙烯吡咯烷酮的K值在1590的范围内，因此若在PZT系铁电薄膜的制造中使用该溶胶凝胶液，则能够制造具有无龟裂且致密的膜结构并且实际应用中具备充分的特性的更良好的PZT膜。0019通过本发明的第三观点的铁电薄膜的形成方法，能够制造具有无龟裂且致密的膜结构并且实际应用中具备充分的特性的更良好的PZT。
11、膜。具体实施方式0020关于本实施方式所涉及的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液，以下以PZT系铁电薄膜形成用溶胶凝胶液（以下简称为“PZT溶胶凝胶液”）为代表例进行说明。0021本实施方式所涉及的PZT溶胶凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的粘度调整用高分子化合物以及含N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，含有以氧化物换算计为17质量以上的所述PZT系化合物，所述聚乙烯吡咯烷酮相对于所述PZT系化合说明书CN104058743A3/9页5物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮10105，并且所述溶胶凝胶液中含3质量13质量的所述N甲基吡咯烷酮。0022首先，对本实施方式的PZT。
12、溶胶凝胶液的基本含有物即PZT化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物、以及含N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂进行说明。0023PZT系化合物包括PZT以外的PLZT、PMNZT、PNBZT等化合物。PZT系化合物的原料优选有机基团经其氧原子或者氮原子与PB、LA、ZR及TI的各金属元素键合的化合物。例如，例示选自由金属醇盐、金属二醇络合物、金属三元醇络合物、金属羧酸盐、金属二酮络合物、金属二酮酯络合物、金属亚氨基酮络合物及金属氨基络合物构成的组中的1种或2种以上。尤其优选的化合物为金属醇盐、其部分水解物及有机酸盐。0024其中，作为PB化合物、LA化合物可举出乙酸盐（乙酸铅PB（OAC）2。
13、、乙酸镧LA（OAC）3）、二异丙氧基铅PB（OIPR）2、三异丙氧基镧LA（OIPR）3等。作为TI化合物可以举出四乙氧基钛TI（OET）4、四异丙氧基钛TI（OIPR）4、四正丁氧基钛TI（OIBU）4、四异丁氧基钛TI（OIBU）4、四叔丁氧基钛TI（OTBU）4、二甲氧基二异丙氧基钛TI（OME）2（OIPR）2等醇盐。作为ZR化合物优选与上述TI化合物相同的醇盐类。金属醇盐可以直接使用，但为了促进分解也可以使用其部分水解物。0025PZT溶胶凝胶液中的PZT系化合物可通过利用上述原料制备后述含有PZT系化合物的PZT溶胶凝胶液的原料液的方法来获得。0026含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用。
14、高分子化合物中，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为能够调整液体粘度的化合物。更具体而言，能够根据上述K值来决定相对粘度并进行调整。（其中，K值为与分子量相关的粘性特性值，且为将通过毛细管粘度计测定的相对粘度值（25）应用到下述FIKENTSCHER公式中计算出的值。）0027K值（15LOGREL1）/（0150003C）0028（300CLOGREL（C15CLOGREL）2）1/2（015C0003C2）0029上述公式中，“REL”表示聚乙烯吡咯烷酮水溶液相对于水的相对粘度（25）；“C”表示聚乙烯吡咯烷酮水溶液中的聚乙烯吡咯烷酮浓度（WT）。0030本实施方式中优选K值在1590范围内的聚乙烯。
15、吡咯烷酮。这是因为，若K值小于15，则无法获得用于得到较厚膜的充分的粘度，而不适宜，若超过90，则因粘度过高而存在难以均匀地涂布的不良情况。更优选K值为3045。0031另外，作为高分子化合物使用聚合度为1001000的聚乙烯吡咯烷酮等即可。若聚合度小于100，则因无法获得充分的粘度，而不适宜，若聚合度超过1000，则因粘度过高而存在难以均匀涂布的不良情况。0032100质量的高分子化合物中聚乙烯吡咯烷酮的含量优选为50100质量，更优选为80100质量。0033通过组合含N甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂和含上述聚乙烯吡咯烷酮的高分子化合物，能够制造作为本发明的目的的如下PZT溶胶凝胶液，即，即使使。
16、得进行一次溶胶凝胶液的涂布的一层超过数100NM的层厚，也能够在预烧结、烧成之后形成无龟裂且致密的PZT膜。0034有机掺杂剂还优选含有单乙醇胺或二乙醇胺等的乙醇胺类。这是因为这些乙醇胺类具有配位到金属醇盐而提高溶液的保存稳定性的效果。说明书CN104058743A4/9页60035100质量的有机掺杂剂中N甲基吡咯烷酮的含量优选为80100质量，更优选90100质量。另一方面，100质量的有机掺杂剂中乙醇胺类的含量优选为030质量，更优选020质量。0036接着，对用上述基本含有物制造PZT溶胶凝胶液的配方进行说明。0037首先，设为PZT溶胶凝胶液中含有以氧化物换算计为17质量以上的上述P。
17、ZT化合物。这是因为，若小于17质量，则存在前驱物质的浓度较低而无法获得充分的膜厚的不良情况。优选设为23质量以下。这是因为，若超过23质量，则存在作为稀释剂的低级醇的比例下降，而有可能导致涂膜性或保存稳定性恶化。0038PZT溶胶凝胶液中PZT化合物的含量更优选为17质量以上28质量以下。0039另外，其中以氧化物换算是指，当假设PZT溶胶凝胶液中所含的金属元素全部成为氧化物时，金属氧化物在100质量的PZT溶胶凝胶液中所占的比例。0040接着，将上述聚乙烯吡咯烷酮相对于上述PZT系化合物的摩尔比以单体换算设为，PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮10105。0041其中，以单体换算是指，以构成聚合。
18、物的单体的分子量为基准（1摩尔），换算聚合物的分子量而得到的值。0042这是因为，若该摩尔比小于101，则存在无法获得充分的粘度，而且无法进行应力缓和而产生龟裂的不良情况，若超过105，则存在膜中频繁产生空隙的不良情况。更优选设为PZT系化合物聚乙烯吡咯烷酮102045。这是因为，若该摩尔比小于102，则存在工序温度的幅度较窄，且存在易产生龟裂的不良情况，若超过1045，则存在产生少量空隙的不良情况。0043并且，使得100质量的PZT系溶胶凝胶液中含3质量13质量的N甲基吡咯烷酮。这是因为，若小于3质量，则存在因添加量不充分而无法抑制龟裂的产生的不良情况，若超过13质量，则存在溶液被过分稀释。
19、而使每一层的涂布膜厚变薄的不良情况。更优选设为65质量10质量。这是因为，若小于65质量，则存在易产生龟裂的不良情况，若超过10质量，则存在每一层的涂布膜厚变薄的不良情况。0044并且，根据上述基本含有物和上述配方，对含有PZT系化合物的PZT溶胶凝胶液的原料液的制备方法进行说明。0045PZT溶胶凝胶液的原料液的制备根据以下液体合成流程进行。首先，在反应容器中加入ZR原料、TI原料及稳定剂，并在氮气氛中回流。接着在回流后的化合物中添加PB原料，并添加溶剂，在氮气氛中回流，通过减压蒸馏去除副产物之后，在该溶液中进一步添加丙二醇来调节浓度，进而在该溶液中添加乙醇。更典型的为，分别称量规定重量的P。
20、B（CH3COO）33H2O、ZR（OIPR）4、TI（OIPR）4，以使PZT系化合物的组成比PB/ZR/TI成为115/52/48（以氧化物换算为17质量以上），并将它们溶解于乙醇等的溶剂以获得原料溶液。根据需要将稳定剂添加到原料溶液中，以下对此进行叙述。0046能够根据目标PZT系化合物的组成适当变更PZT系化合物的组成比PB/ZR/TI。0047接着，对原料溶液中所含的添加物的添加、混合进行说明。0048对于本实施方式所涉及的PZT溶胶凝胶液，在通过如同上述方法获得的原料溶液中，以单体换算的摩尔比成为PZT聚乙烯吡咯烷酮10105的方式添加含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物。该摩。
21、尔比的依据如上所述。在原料溶液中以上述摩说明书CN104058743A5/9页7尔比添加聚乙烯吡咯烷酮之后，在室温下对该溶液进行24小时搅拌。并且，以溶胶凝胶液中含3质量13质量的N甲基吡咯烷酮的方式在PZT系溶胶凝胶液中添加N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时之后，在室温下使其稳定24小时。0049并且，应含有的稳定剂或所使用的溶剂如下。该PZT系溶胶凝胶液中，根据需要可以添加以（稳定剂分子数）/（金属原子数）计023左右的、二酮类（例如乙酰丙酮、2，2二甲基6，6，7，7，8，8，8七氟3，5辛二酮（HEPTAFLUOROBUTANOYLPIVALOYLMETHANE）、二叔戊酰甲烷、三氟乙酰丙酮、。
22、苯甲酰丙酮等）、酮酸类（例如乙酰乙酸、丙酰乙酸、苯甲酰乙酸等）、酮酯类（例如上述酮酸的甲基、丙基、丁基等低级烷基酯类）、含氧酸类（例如乳酸、羟基乙酸、羟基丁酸、水杨酸等）、上述含氧酸的低级烷基酯类、羟基酮类（例如二丙酮醇、3羟基丁酮等）、二醇、三元醇、高级羧酸、烷醇胺类（例如二乙醇胺、三乙醇胺、单乙醇胺）及多元胺等作为稳定剂。0050本实施方式中使用的溶剂使用乙醇即可，但根据使用的原料适当而定。一般能够使用羧酸、醇（例如作为多元醇的丙二醇）、酯、酮类（例如丙酮、甲基乙基酮）、醚类（例如二甲基醚、二乙基醚）、环烷类（例如环己烷、环己醇）、芳香族系（例如苯、甲苯、二甲苯）以及四氢呋喃等，或者可以使。
23、用这些中2种以上的混合溶剂。0051相对于100质量的PZT系溶胶凝胶液能够添加5070质量的溶剂，更优选添加6065质量。0052作为上述羧酸，具体而言，优选使用N丁酸、甲基丁酸、异戊酸、2乙基丁酸、2，2二甲基丁酸、3，3二甲基丁酸、2，3二甲基丁酸、3甲基戊酸、4甲基戊酸、2乙基戊酸、3乙基戊酸、2，2二甲基戊酸、3，3二甲基戊酸，2，3二甲基戊酸、2乙基己酸及3乙基己酸。0053并且，作为上述酯优选使用乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸叔丁酯、乙酸异丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸叔戊酯及乙酸异戊酯，作为醇优选使用1丙醇、2丙醇、1丁醇、2丁醇、异丁醇、1戊醇、2戊醇、。
24、2甲基2戊醇及2甲氧基乙醇。0054并且，PZT溶胶凝胶液还可以设为，相对于100质量的PZT系溶胶凝胶液含1020质量的二酮类及多元醇类。其中，作为二酮尤其优选乙酰丙酮，作为多元醇类尤其优选丙二醇。0055以上述方法制作的PZT溶胶凝胶液利用旋涂法、浸涂法、液态源雾化化学沉积法（LSMCD，LIQUIDSOURCEMISTEDCHEMICALDEPOSITION）等的CSD（CHEMICALSOLUTIONDEPOSITION）法涂布到基板上，以规定温度、时间去除残留溶剂和水等成为凝胶膜之后，进行预烧结、烧成来制造出PZT系铁电薄膜。0056根据以上基于本实施方式的PZT溶胶凝胶液，能够通过。
25、添加高分子提高粘性，并通过添加N甲基吡咯烷酮抑制龟裂，因此能够以通过例如基于旋涂法的一次旋涂来形成一层为100NM以上的较厚的膜，并且能够使得预烧结、烧成之后的PZT膜变得无龟裂且致密并具有充分高的铁电特性，并能够实现生产效率的提高。0057实施例0058接着，结合比较例对本发明的实施例进行详细说明。0059比较试验及评价如下。说明书CN104058743A6/9页80060关于在实施例16及比较例1、比较例2获得的PZT膜，通过以下方法求出了该薄膜的烧成后的层厚及折射率。将其结果示于表1。并且，对在实施例1、4以及比较例2获得的PZT膜进行了截面观察及表面观察。0061（1）层厚测定通过光谱。
26、型椭偏仪（JAWOOLLAM公司制；M2000）对获得的PZT膜的层厚进行测定，并将测定结果归纳于表1。0062（2）折射率测定通过上述光谱型椭偏仪对PZT膜的折射率进行测定，并将测定结果归纳于表1。0063（3）截面观察通过利用SEM（日立制作所制；S4300SE）拍摄的照片（倍率100000倍）对所获PZT膜的截面进行观察，并确认有无龟裂的产生。0064（4）表面观察通过利用SEM（日立制作所制；S4300SE）拍摄的照片（倍率25000倍）对所获PZT膜的表面进行观察，并确认有无龟裂的产生。0065实施例10066作为氧化物，以PZTPVP102的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶。
27、剂的PZT溶胶凝胶液中添加073G的聚乙烯吡咯烷酮（以下称为PVP）（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的65质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在SI基板上依次形成有SIO2膜、TIO2膜及PT膜的基板（以下作为“PT/TIOX/SIO2/SI基板”）的PT膜上滴入所获液体，并以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA（RAPIDTHERMALANNEALING，下同）处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟。
28、的形式进行。0067对所获膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为240。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为252。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定了电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1500而具有较高的介电常数。并且，根据基于SEM的观察可知其为膜厚为250NM的致密的PZT膜，且未产生龟裂。00680069作为氧化物，以PZTPVP1025的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加091G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（。
29、5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的30质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴入所获液体，以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。0070对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为240。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为250。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM。
30、），并测定了电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1430而具有较高的介电常数。并且，根据基于SEM的观察可知其为膜厚为280NM的具有致密的柱状组织的PZT膜，且未产生龟裂。说明书CN104058743A7/9页900710072作为氧化物，以PZTPVP1045的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加164G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的30质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴入所获液体，以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂。
31、和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。0073对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为240。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为250。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定了电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1430而具有充分高的介电常数。并且，根据基于SEM的观察可知其为膜厚为350NM的致密的PZT膜，且未产生龟裂。00740075作为氧化物，以PZTPV。
32、P1045的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加164G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的65质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴入所获液体，以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。0076对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为241。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持。
33、1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为251。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定了电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1450而具有充分高的介电常数。并且，根据基于SEM的观察获知其为膜厚为320NM的相当致密的PZT膜，且未产生龟裂。00770078作为氧化物，以PZTPVP1045的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加164G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的130质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴下所获液体，。
34、以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。0079对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为242。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为250。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定了电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1500而具有充分高的介电常数。并且，根据基于SEM的观察可知其为膜。
35、厚为300NM的致密的PZT膜，且未产生龟裂。说明书CN104058743A8/9页1000800081作为氧化物，以PZTPVP105的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加182G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的65质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴入所获液体，以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。
36、。0082对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为238。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为247。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1400具有较高的介电常数。并且，根据基于SEM的观察获知其为膜厚为360NM的致密的膜，且未产生龟裂。00830084作为氧化物，以PZTPVP1005的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加018G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24。
37、小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的65质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴入所获液体，以2000RPM进行60秒旋涂。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至275之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。0085对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为240。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为251。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定电特。
38、性，结果能够确认到0V时的介电常数显示1200。并且，根据基于SEM的观察可知膜厚为190NM，且膜中产生了龟裂。00860087作为氧化物，以PZTPVP1075的方式在50G的含25WT的PZT的乙醇溶剂的PZT溶胶凝胶液中添加273G的PVP（K30），并搅拌2小时，使其在冰箱（5）中稳定24小时。在如此获得的溶液中以成为该溶液的65质量的方式加入N甲基吡咯烷酮，搅拌2小时。在PT膜上滴入所获液体，以2000RPM进行60秒旋涂，结果因液体的粘度过高而难以均匀地涂布。在150的加热板上保持3分钟该基板，去除膜中的残留溶剂和水等。通过RTA处理对所获基板进行预烧结。预烧结以25/秒升温至2。
39、75之后，保持3分钟，以10/秒升温至460并保持8分钟的形式进行。0088对所获PZT膜的6328NM处的折射率进行了测定，结果为205。通过由RTA处理以升温速度10/秒，并在700下保持1分钟的条件对该基板进行了烧成。对所获PZT膜的折射率进行了测定，结果为221。通过溅射在所获PZT膜上形成PT上部电极（200NM），并测定电特性，结果能够确认到0V时的介电常数显示850。并且，根据基于SEM的观察可知膜厚为470NM，且膜中产生了龟裂。说明书CN104058743A109/9页1100890090据以上内容可知，本发明所涉及的实施例16的PZT膜的折射率均比比较例1及2所涉及的PZT。
40、膜优异。并且，本发明所涉及的实施例的PZT膜为致密的膜，且未产生龟裂。而比较例的PZT膜为不够致密的膜，并产生了龟裂。根据以上内容可判断出将本发明的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液用于PZT膜的原料从而能够制造具有无龟裂且致密的膜结构并且实际应用中具备充分的特性的PZT膜。0091表100920093以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但本发明并不限于这些实施例。在不脱离本发明的宗旨的范围内能够进行结构的附加、省略、替换及其他变更。本发明并不限于以上所说明的内容，仅受到所附权利要求的范围的限定。0094产业上的可利用性0095本发明的铁电薄膜形成用溶胶凝胶液能够利用于用于制造要求较厚的铁电薄膜的薄膜压电设备或包含薄膜电容器等铁电体的电子设备、电子部件的前驱体溶液。说明书CN104058743A11。