技术领域
本发明涉及花生种植技术领域，特别是涉及一种富硒大花生的高产栽培方法。
背景技术
花生是我国重要的经济作物，富含脂肪和蛋白质，并含有硫胺素、核黄素、尼克酸 等多种维生素，矿物质含量也很丰富，特别是含有人体必须的氨基酸，有促进脑细胞发育， 增强记忆的功能，既可食用，也可饲料用，既是重要的工业原料，又是大宗出口商品。用途 广泛，在国民经济中占重要地位。
我国是一个严重缺硒的国家，占国土面积72％的地区属低硒或严重缺硒地带，也就是说 有三分之二的人口缺硒或严重缺硒，其主要表现在日常食物中硒的摄入量严重不足，科学研 究证明，土壤或肥料中只要高含硒，那么从中生长出的食物就必然富含硒，硒元素对人体的 作用主要体现在一下两个方面：硒，人体自身不能合成，食物补硒是主要来源，人体也没有 长期储存硒的器官，它又是一种极易排泄的元素，所以，应该不断地从食物中补足，以用来 维持肌体的正常代谢；硒，能增强人体免疫力，预防各种肿瘤病、心脑血管病、糖尿病、肝 病、前列腺病、高血脂、未老先衰、生殖功能类病、眼类疾病等，并能促进维生素与钙的吸 收利用，排除人体内的多种毒素，对孕妇、乳母及婴幼儿也有较好的作用。总之，硒广泛地 存在于人体的组织与器官中，被称为生命的火种。
现有技术中也存在有培植富硒花生的方法，如中国发明专利“一种富硒花生的高产栽培 技术”，公开号：CN 103988685 A，公开日：2014.08.20，其采用的主要方法是：在花生的开 花下针期和花生饱果成熟期时喷施富硒营养液、翻耕起垄时采用腐熟混合肥料、药剂拌种和 苗期松土施肥、花生生长中后期施洒无机肥料的方式来提高富硒花生产量的，其采用的全部 手段均和常规花生种植并无多大的不同，同样采用一垄多行的种植方式，差别仅在花生生长 过程中采用了精细化的人工管理，提供花生生长期必备的养料，所产出的花生百果量和常规 的并无区别，亩产量和常规的比略高，但总体上而言，花生的百果干重上并无优势，而且， 如果大面积种植人工精细化管理很难做到位，那么，亩产量的增产希望并不大，因此，提供 一种能够有效增加花生百果干重的富硒大花生的高产栽培方法具有非常重要的意义。
发明内容
本发明为了解决现有技术中存在的富硒花生增产量不突出的技术问题，提供一种能够有效 增加花生百果干重的富硒大花生的高产栽培方法。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种富硒大花生的高产栽培方法，其包括如下步骤：整地施肥、选种播种和田间管理， 其特征在于：还包括一设置在所述选种播种后的覆膜工序，所述覆膜采用0.8mm的银黑地膜， 覆膜时所述银黑地膜银面朝外、黑面朝地；所述整地施肥步骤中具体包括在清明节前后，利 用旋耕工艺，旋耕深度为15cm，旋耕的同时施洒复混肥，用量为40KG/亩，所述复混肥内含有 51％的氮磷钾肥和3％的富硒微肥胶囊；所述选种播种步骤具体包括选择饱满双仁果花生荚果， 剥壳后粒选出完整粒大种子作为种仁，5月1日后地表3公分温度达到15度时播种，先将种 仁进行微肥拌种后采用单垄单行的方式播种，所述微肥具体为富硒微生物肥，用量为500g/ 亩，每亩地6000-7000穴，每穴1-2粒仁种，播种深度2.5cm，播种的同时施洒富硒微肥胶 囊，用量为40Kg/亩；所述田间管理步骤具体包括在花生开苗后盛花期和结果期，鳌合富硒 叶面肥稀释300-500倍各喷施一次，在花生株高30-35厘米时在喷施富硒叶面肥的同时喷施 矮壮素，将花生茎秆控制在35cm内，使花生的茎秆的生长速度变慢将养分集中在下部的花 生果处。
进一步地，所述银黑地膜具体为可降解的银黑地膜。
本发明提供的富硒大花生的高产栽培方法，采用单垄单行的播种方式，和传统的一垄多 行方式相比，由于光照与通风充足是花生生长的必备条件，采用单垄单行的方式可保证每颗 花生均能够享受到充分的光照与通风；采用每亩6000-7000穴的方式，和传统的每亩 9000-12000穴相比，虽然植株数量减少了，但是通风和光照条件也更加充分了，为花生的增 产提供了非常关键的条件；播种后采用银黑地膜覆膜的方式，采用该地膜后，由于该地膜将 杂草生长的光线遮挡住了，不生杂草，同时也使花生的天敌-蛴螬，无法生存，采用该银黑地 膜无需额外使用杀虫剂和除草剂，使花生免受多种农药的危害；采用该种培育方法，种植出 的花生百果重350g以上，而现有技术中高产的花生百果干重最高达到280g，因此，采用该 栽培方法真正实现了大花生的高产种植，对我国花生种植领域来讲，具有里程碑的意义。
具体实施方式
本发明提供的富硒大花生的高产栽培方法，其包括如下步骤：整地施肥、选种播种和田 间管理，其特征在于：还包括一设置在所述选种播种后的覆膜工序，所述覆膜采用0.8mm的 银黑地膜，覆膜时所述银黑地膜银面朝外、黑面朝地；所述整地施肥步骤中具体包括在清明 节前后，利用旋耕工艺，旋耕深度为15cm，旋耕的同时施洒复混肥，用量为40KG/亩，所述复 混肥内含有51％的氮磷钾肥和3％的富硒微肥胶囊；所述选种播种步骤具体包括选择饱满双仁 果花生荚果，剥壳后粒选出完整粒大种子作为种仁，将种仁进行微肥拌种后采用单垄单行的 方式播种，所述微肥具体为富硒微生物肥，用量为500g/亩，每亩地6000-7000穴，每穴1-2 粒仁种，播种深度2.5cm，播种采用播种机，将富硒微肥胶囊放入肥料斗，一边播种一边施 洒富硒微肥胶囊，用量为40Kg/亩；所述田间管理步骤具体包括在花生开苗后盛花期和结果 期，鳌合富硒叶面肥稀释300-500倍各喷施一次，在花生株高30-35厘米时在喷施富硒叶面 肥的同时喷施矮壮素，茎秆控制在35cm内，使花生的茎秆的生长速度变慢将养分集中在下部 的花生果处。
考虑到实际的应用，本发明所使用的覆膜为可降解的银黑地膜，本发明的银黑地膜具体 为0.8mm，采用银黑地膜的目的主要体现在以下方面：一是地膜覆盖在花生穴位置，可以很 好的保持土壤的水分，同时也使得翻耕及拌种过程中施洒的肥料免受阳光和风雨的作用，可 以被花生仁种及周围的土壤充分地吸收，为花生仁种的顺利出芽及生长提供了很好的条件， 因此，保水性和保肥性较好；再者，采用该银黑地膜可以防止花生的天敌-蛴螬的生存，由于 银黑地膜可以遮挡光线，使得杂草无法生长，进而不需要像现有技术一样，在田间管理步骤 必须喷洒除草剂和杀虫剂；最后，银黑地膜最主要的作用是当花生苗生长过程中，由于银色 面朝上，这样可以将光线进行折射，折射后的光线被花生茎叶二次吸收，由于蚜虫主要长在 花生叶的背面，而被折射的光线直接照射到花生叶的背面，破坏的蚜虫生长的条件，因此， 也不需额外喷施蚜虫杀虫剂，这样的栽培方法和传统的栽培技术相比，首先是省去了几个喷 施杀虫剂及除草剂的环节，降低了投入成本，减轻了人们的劳动强度，同时，也使得花生免 受多种农药的危害，所生产出的花生更加绿色环保，这里本发明采用0.8mm厚的银黑地膜， 经过多年的栽培经验来看，该地膜的厚度不能太薄，曾经使用过0.6mm厚的银黑地膜，遇到 的问题则是容易被大风撕破，撕破后的地膜对花生所起到的上述作用均无法实现，而使用 1mm厚的地膜时，则出现花生开苗较晚的情况，总体上和正常的花生相比，开苗期会延长10-15 天，而众所周知，对于农作物来讲，开苗期稍晚一天，作物的生长期则被整体落后，严重影 响作物结果的质量，因此，本发明经过多年的栽培经验总结而出，使用0.8mm厚的地膜，所 栽培出的花生，不仅不会被大风撕裂，同时也能够满足花生开苗期的要求，应该说，实现本 发明富硒大花生的高产与使用该0.8mm后的银黑地膜所起的作用是紧密相关的。
考虑到实际的应用，本发明采用微生物富硒肥该含有2亿/克活性有效生物菌，拌种的目 的能够提供花生种仁从下地到长芽过程中的全部养分，能够有效地保证花生种仁顺利地出芽， 只有花生种仁顺利的出芽，才能够使得与银黑地膜共同作用，达到花生开苗期及生长期的目 的。
考虑到实际的应用，本发明的田间管理步骤具体包括在花生开苗后盛花期和结果期，鳌 合富硒叶面肥稀释300-500倍各喷施一次，这里所使用的富硒叶面肥为现有技术中的肥料， 没有任何特别之处；在花生株高30-35厘米时在喷施富硒叶面肥的同时喷施矮壮素，将花生 茎秆控制在35厘米以内，使花生的茎秆的生长速度变慢将养分集中在下部的花生果处，这里 主要实现了立正化控，喷施矮壮素的目的达到控上促下丰收高产的目的。
本发明的富硒大花生栽培方法，采用单垄单行的播种方式，和传统的一垄多行方式相比， 由于光照与通风充足是花生生长的必备条件，采用单垄单行的方式可保证每颗花生均能够享 受到充分的光照与通风；采用每亩6000-7000穴的方式，和传统的每亩9000-12000穴相比， 虽然植株数量减少了，但是通风和光照条件也更加充分了，为花生的增产提供了非常关键的 条件；播种后采用银黑地膜覆膜的方式，采用该地膜后，由于该地膜将杂草生长的光线遮挡 住了，不生杂草，同时也使花生的天敌-蛴螬，无法生存，采用该银黑地膜无需额外使用杀虫 剂和除草剂，使花生免受多种农药的危害；采用该种培育方法，种植出的花生百果重350g以 上，而现有技术中高产的花生百果重最高达到280g，以下为本发明栽培方法培植出的富硒大 花生和普通花生的各项指标对照情况，详见下表1：
可见，采用本发明花生果仁尤其大，这从花生百果的重量和亩产干果的重量上即可看出 来，而现有技术的所有高产的方式虽然均可以实现使花生富含硒元素的目的，但均无法栽培 出如此大的花生果，这也是本发明栽培方法的优势所在，同时本发明栽培出的花生果不仅和 现有技术的花生一样，均富含有硒元素，硒元素的含量为400微克/kg，而且从花生的出油率 也比现有技术的富硒花生栽培方法上具有优势，因此，采用该栽培方法真正实现了富硒大花 生的高产种植，对我国花生种植领域来讲，具有里程碑的意义。
本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术 范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保 护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。