本发明涉及一些电装置中功率放大管的驱动电路。 在某些电装置中，尤其是采用半桥或全桥方式进行功率放大的电源设备中，功放管工作的可靠性设计至今仍是一个技术难点。对于功放管的可靠关闭，在关闭时区内防止误导通，一般是采用在功放管输入端加反向偏压的方法。该方法目前有两种电路工作形式，一种是变压器驱动法，另一种是OTL电路驱动法。前者不大可靠，后者虽可靠，但电路较繁杂，还须双电源供电。
本发明的目的，是利用原变压器驱动法，在驱动变压器输出端增设一个仅在功放管关闭时区内，将其输入端短接的可控短接开关装置，改加反向偏压为短接保护，使变压器驱动法也具有高可靠性，且电路又较OTL电路简便。
图1是本发明的技术设计图。
图2、3、4、5、6是本发明实施例图。
现说明于下：
本可控短接开关装置输入端与原功放管驱动变压器输出端相连接，输出端与功放管输入端相连接，内含功放管输入限流电阻。它由输出短接开关管V1、传输开关管V2、开关管V1与V2的控制电路A1，隔离二极管D1，释放电路A2与阻尼限流电阻R组成。短接开关管V1的开关两端跨接在本装置的两输出端上，也即在外接的功放管输入端与本装置中的功放管输入阻尼限流电阻R之间的连线及功放管的另一输入端上。该开关管的控制输入端经一阻尼限流电阻R1与控制电路A1输出端相连接。传输开关管V2位置在该装置输入输出传输线上，其开关两端分别与隔离二极管D1及阻尼限流电阻R相连接，其控制输入端经阻尼电阻R2（图2或图3），或经限流电阻R2、二极管D2及稳压管D3（图6）与控制电路A1的输出端相连接。控制电路A1的输入端连接本装置的输入端，输出端控制短接开关管V1及传输开关管V2。阻尼限流电阻R连接传输开关管V2与本装置的输出端。释放电路A2两输出端跨接在传输开关管V2与阻尼限流电阻R之间的连线及公共地之间，其控制输入端与本装置的输入端相连接。该装置地工作过程是这样的。当功放管驱动变压器输出功放管开启信号，经控制电路A1，瞬间即关闭短接开关管V1，之后立即打开传输开关管V2，使开启信号经传输线加入功放管输入端。当功放管驱动变压器输出功放管关闭信号，释放电路A2立即释放功放管输入端所储存的开启信号，控制电路A1，经延时开启短接开关管V1，短接本装置的输出端，并关闭传输开关管V2。在功放管导通时区内，短接开关管V1关闭，传输开关管V2导通，而在释放电路A2释放储存在功放管输入端开启信号后的功放管关闭时区内，短接开关管V1保持导通，传输开关管V2保持关闭。可见本装置不仅满足驱动信号的传输要求，而其短接装置对功放管的关闭提供了有效的短接保护手段，大大提高变压器驱动可靠性。
图2为正极性驱动功放管的短接开关装置，短接开关管V1选用N沟FET场效应管，其栅极经阻尼电阻R1与控制电路A1中的电流放大电路A1-3输出端连接。一只NPN型三极管V4与一只PNP型三极管V5组成电流放大电路A1-3，为一同相电流放大器。它们的发射极可直接连接，或通过延时电阻R7相连接。二只三极管基极为输入端，并接后与电平变换电路A1-2输出端相连接。电平变换电路由CMOS集成电路反相器IC1与一限流电阻R6组成，反相器IC1输入端经电阻R6与取样电路A1-1输出端相连接。取样电路A1-1由开关二极管D4与电阻R5串接而成，跨接在本装置的输入端，对功放管驱动变压器输出端信号进行取样。取样信号由电阻R5两端输出，由电平变换电路A1-2将之变换成满足开关管V1及V2所需的开关电平。再由电流放大电路A1-3进行输出电流放大，使之对开关管V1及V2实施高速控制。延时电路由电阻R7，R1与短接开关管V1的输入电容组成，或由与电阻R5并接的电容C1与电阻R5组成。可任选一种，或同时兼用二种，实现对短接开关管的开启延时。传输开关管V2是P沟FET场效应管。其栅极经一阻尼电阻R2与三极管V5发射极连接。释放电路A2由PNP三极管V3与电阻R3、R4组成。电阻R3连接三极管基极与本装置输入端，电阻R4连接三极管基极与发射极。隔离二极管D1用于隔离负向关闭电平。电阻R为功放管阻尼限流电阻。电平变换电路与电流放大电路部分由3-20V单电源供电。由于功耗低，可采用电阻分压法由功放管供电电源直接引入。
图4为控制电路A1的另一设计方式。其中电流放大电路A1-3由一只NPN型三极管V5与一只PNP型三极管V4与电阻R8，R9组成，为一反相电流放大器。它们的集电极直接相连接，或经延时电阻R7相连接。它们的发射极分别连接电源正、负极，它们的基极分别经电阻R9与R8并接后，与同相器IC1输出端相连接。
图5是另一种控制电路A1的设计方式。它由可控晶体管V6与电阻R10、R5及R7组成，是一种反相放大器。电阻R10与R5相串接，跨接在本装置的输入端，组成取样电路A1-1，取样信号自电阻R5两端输出，输出连接晶体管V6的输入端。电阻R7为输出负载电阻，跨接在电源与晶体管集电极或漏极之间，发射极或源极接地。该晶体管V6与电阻R7组成电平变换电路A1-2与电流放大电路A1-3，工作在开关状态。延时电路由电阻R7，阻尼电阻R1与短接开关管V1的输入端电容组成。在需增强该控制电路的电流输出，可在该晶体管输出端，即集电极或漏极增加一级同相或反相电流放大器。晶体管V6选用三极管，场效应管或IGBT管。当选用场效应管或IGBT管时，R10可改用开关二极管。用3～20V直流电源供电。
图3为负极性驱动功放管的短接开关装置，电路结构与正极性驱动功放管的短接开关装置一样，区别在于晶体管极性的配置。在正极性驱动的功效管的短接开关装置中，V1与V6选用正极性驱动的晶体管，V2与V3选用负极性驱动的晶体管，而在负极性驱动的功效管的短接开关装置中，V1与V6选用负极性驱动的晶体管，而V2与V3选用正极性驱动的晶体管。
上述电路中，短接开关管V1，传输开关管V2均可选用FET场效应晶体管，绝缘栅IGBT晶体管或晶体三极管。