铟镓砷光电探测器.pdf

摘要
申请专利号：	CN92108310.6	申请日：	1992.01.21
公开号：	CN1064372A	公开日：	1992.09.09
当前法律状态：	终止	有效性：	无权
法律详情：	\|\|\|授权\|\|\|公开\|\|\|
IPC分类号：	H01L31/0304; H01L31/108; H01L27/14	主分类号：	H01L31/0304; H01L31/108; H01L27/14
申请人：	上海交通大学;
发明人：	史常忻; 王庆康
地址：	200030上海市华山路1954号
优先权：
专利代理机构：	上海交通大学专利事务所	代理人：	匡宗德
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内容摘要

锢镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、InP增强层、金属电极组成。具有结构新颖、无需掺Fe、工艺简单、稳定可靠、成品率高，势垒增强效果好，长波长(1.3～1.55微米)响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管(FET)同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。

权利要求书

1：一种铟镓砷光电探测器，它由衬底1、缓冲层
2：吸收层
3：增强层
4：金属电极5组成，本发明地特征在于所说的增强层4在吸收层3上生长非掺杂InP层。 2、根据权利要求1所述的铟镓砷光电探测器，其特征在于增强层4的厚度在80nm到100nm之间。

说明书

本发明涉及一种提高n型铟镓砷（In0.53Ga0.47As）吸收层上的肖特基势垒高度，以便获得低暗电流的光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。
    在金属-半导体-金属平面结构的In0.53Ga0.47As光电探测器中，其关键技术之一就是设计一个合适的肖特基势垒增强层。在现有L.Yang et al.，IEEE PTL-2，P.56 1990，文献中，肖特基势垒增强层为掺Fe的InP层，存在着工艺复杂等缺点。

    本发明的目的在于克服现有技术中的不足之处而提供一种新颖结构的铟镓砷光电探测器。

    本发明的任务是通过下列措施来完成的：一种由衬底、缓冲层、吸收层、增强层、金属电极组成的铟镓砷光电探测器，其增强层设计一种非掺杂InP层，它与光吸收层为晶格匹配的材料，无需过渡层。

    附图1为铟镓砷光电探测器的平面结构图。

    本发明以下将结合附图对实施例进行详述：一种由半绝缘InP（磷化铟）单晶衬底1、非掺杂的InP缓冲层2、n型In0.53Ga0.47As本征光吸收层3、非掺杂InP的增强层4、肖特基势垒金属（Al或Ti/Au）制成的交叉指状电极5组成，如附图1所示。为提高光电探测器的性能，本发明在于改变肖特基势垒增强层4的结构，增强层4在n型In0.53Ga0.47As本征光吸收层3上生长非掺杂InP层。InP增强层4与n型In0.53Ga0.47As本征光吸收层3为晶格匹配的材料，无需过渡层，非掺杂InP增强层4的厚度在80nm到100nm之间。增强层4的外延层薄膜可以用金属有机物化学气相淀积法（WOCVD），包括低压或常压法生长，也可用分子束外延（WBE）或化学束外延（CBE）法生长。

    本发明与现有技术相比具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、成品率高、势垒增强效果好，长波长（1.3～1.55微米）响应，高速、低暗电流，特别是便于与场效应管（FET）同片集成的优点，是一种较为理想的光纤通讯等领域中的重要电子器件。