本发明涉及电脉冲产生电路，尤其涉及一种大中功率可控硅触发电路。 可控硅电路种类繁多，其工作方式差异很大，对可控硅触发电路有不同要求，事实上，现有的各种可控硅触发电路都有一定的适用范围。
本发明的目的在于提供一种新型的大中功率可控硅触发电路，它主要适用于大中功率可控硅交流调压电路。
本发明为一个有一对输入端A、B，两对输出端g1、k1和g2、k2的六端网络。它由同步移相电路1、脉冲形成部件2、脉冲放大电路3和脉冲输出部件4组成。它实质上是对同步信号为正弦波的阻容移相触发电路的进一步改进。为适应触发大中功率可控硅的要求，采用双向可控硅器件组成脉冲放大电路，将触发脉冲放大为强电流脉冲。
同步移相电路1由负载ZH、电位器W、电阻R1和电容器C串联后跨接在输入端A、B与电源电压UE连接，即负载ZH的一端接输入端A，另一端接电位器W，它们之间的连接点为M，电位器W的另一端接电阻R1，电阻R1的另一端接电容器C，它们之间的连接点为N，电容器C的另一端接输入端B，电容器C的两端N、B为同步移相电路1的输出端。本发明不需要采用同步变压器，电源电压UE为电路的同步电压，从电源电压UE过零点开始，该同步电压经负载ZH、电位器W与电阻R1按指数规律对电容器C充电。充电速度主要与电位器W、电阻R1的阻值之和与电容器C的容量乘积有关，因为负载ZH和电阻R1地阻值接近，都远小于电位器W的阻值。改变电位器W的阻值，就改变了对电容器C的充电速度，从而，使触发脉冲移相。触发脉冲宽度最好为20-50μS，要实现可靠触发，电容量C的容量应为0.05-1μf，电阻R1的取值是避免电位器W阻值为零时出现大电流冲击电容器C，电位器W的阻值相应为50KΩ-1MΩ。若电容器C的容量大，则电位器W的阻值应相应小些，反之亦然。
脉冲形成部件2为一只双向二极管DS，其一端接同步移相电路1中电阻R1与电容器C之间的连接点，即它的一个输出端N，另一端接脉冲放大部件2的输入端。本发明是利用双向二极管DS的负阻特性以形成脉冲信号。双向二极管DS的两端电压同电容器C的两端电压UC，当电容器C的端电压UC充电上升达到双向二极管DS的转折电压UBO时，双向二极管DS由截止转向导通，电容器C随之快速放电，从而形成脉冲信号。在电源电压UE一个半波期内，电源电压UE向电容器C充电上升达到双向二极管DS的转折电压UBO所需时间，可以反映本发明同步移相电路1的移相范围。假设电源电压UE为220V，其峰值电压UM为2202]]>V，而双向二极管DS的最大转折电压UBO为40V，通过计算，可以求出移相范围α2-α1＝172.6°-7.4°≈165°。能满足实际电路的要求。
脉冲放大电路3由二极管D1、电阻R2、双向可控硅KS和二极管D2串联组成。二极管D1的阳极接负载ZH与电位器W之间的连接点M，即经负载ZH、输入端A接电源电压UE，而阴极接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接双向可控硅KS的第一电极T1，双向可控硅KS的第二电极T2接二极管D2的阴极，二极管D2的阳极接输入端B，双向可控硅KS的门极G接脉冲形成部件2的输出端。脉冲形成部件2形成的脉冲进入双向可控硅KS的门极G，双向可控硅KS导通，在电源电压UE正半波时，二极管D1导通，二极管D2截止，在二极管D2的阴极上出现高电位，由二极管D4输出经过放大的正极性强电流脉冲信号，在电源电压UE负半波时，二极管D2导通，二极管D1截止，在二极管D1的阴极上出现高电位，由二极管D3输出经过放大的正极性强电流脉冲信号，以适应触发大中功率可控硅的要求。电阻R2的阻值应为0-1KΩ，其作用是在双向可控硅KS由截止转向导通时限制冲击电流的过快变化，其阻值不宜太大，否则会造成双向可控硅KS导通不稳定。
脉冲输出部件4包括两个四端网络，其输出端分别为g1、k1和g2、k2，相应接至主回路两只可控硅KP1、KP2的门极和阴极，而其两个输入端分别接至二极管D1、D2的阳极和阴极，由二极管D1、D2的阴极分别引出正向接入的二极管D3、D4，二极管D3、D4的阴极分别为输出端g1、g2。而输出端k1经负载ZH与输入端A相连接，输出端k2则与输入端B直接相连接，二极管D3、D4正向接入可以保证将正向触发脉冲信号引至主回路可控硅KP1、KP2的门极，还可以保护可控硅KP1、KP2的阴极与门极之间的PN结不受反向电流的冲击。
本发明的两对输出端g1、k1和g2、k2分别接至主回路可控硅KP1、KP2的门极和阴极后，就组成典型的可控硅交流调压电路。负载ZH上的电压取决于可控硅KP1、KP2的控制角大小，而此控制角又取决于受电位器W调整的同步移相电路1的电容器C的充电常数。
在双向可控硅KS导通条件下，当电源电压UE为正半波时，电流通路为A→ZH→D1→R2→KS→D4→KP2→B;当电源电压UE为负半波时，电流通路为B→D2→KS→R2→D3→KP1→ZH→A。双向可控硅KS一导通，主回路可控硅KP1或KP2也随之导通，本发明电路k1、k2两端电压接近于零，触发脉冲随之消失，此时，电源电压UE全部加至负载ZH。
当电源电压UE又过零时，电源电压UE又对电容器C充电，继而重复上述工作，形成触发脉冲，直至可控硅KP1或KP2导通。
本发明和一般阻容移相触发电路一样，具有线路简单，抗干扰能力强的优点。但是，它不是交流触发，而是由双向二极管DS负阻特性形成的脉冲触发，触发信号有较陡的前沿，这样，其控制精度较高。本发明同步移相电路1中决定电容器C充电速度的电位器W和电阻R1串联支路可以用一个有二极管桥式负载D5-8的负反馈放大电路替代，二极管桥式负载D5-8接在原电位器W和电阻R1串联支路的两端，即接在电路的连接点M、N之间，这样将进一步减轻电源电压UE波动对负载ZH的影响。
本发明适用于电源电压UE为40-400V的正弦波交流电压。若电源电压UE低于110V，主回路可控硅KP1、KP2的导通角将减小，但不会小于150°。
本发明移去负载ZH后，还可以适用作大中功率可控硅整流电路的可控硅触发电路（参见附图4）。
本发明有如下附图：
图1为大中功率可控硅触发电路电原理图;
图2为图1中连接点M、N之间的替代电路图;
图3为大中功率可控硅电路电压或电流波形图;
其中（a）电源电压UE波形图
（b）电容器C两端电压UC的波形图
（c）输出端g2的脉冲电流Ig2波形图
（d）输出端g1的脉冲电流Ig1波形图
（e）负载ZH两端电压UZH波形图
图4为桥式可控硅整流触发电路电原理图。
实施例一：
电路图如图1，电源电压UE为交流220V;负载ZH为20KW电阻炉（电阻性负载）;电位器W采用WH1型1W、100KΩ;电阻R1为1KΩ，R2为10Ω;电容器C为0.047μf;双向二极管DS为2CTS;双向可控硅KS为3CTS-1A/600V;二极管D1-D4为1N4007。
实施例二：
电路图如图1、图2，图1中的连接点M、N之间接入图2的负反馈放大电路。电源电压UE为交流220V;负载ZH为20KW电阻炉（电阻性负载）;BG为3DA87E;电位器Wo采用WH1型1W、100KΩ;电阻Ro为10KΩ，R3为100Ω;电容器Co为10μf、50V;稳压电源UDO为12V;二极管D5-8、D9为1N4007。