制造半导体器件的方法.pdf

本发明公开了一种含有多晶硅膜的半导体器件的制造方法，该方法能够除去自然氧化膜和沾污物，并且，利用硅离子注入和退火形成大的晶粒。本发明还公开了一种方法，其中在CF4等离子清洁处理后，除去自然氧化膜和沾污物，并且防止该自然氧化膜再生长。接着把硅衬底装入要通惰性气体的非晶硅膜淀积管中。

1： 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 在有结区的硅衬底上面形成绝缘膜； 把所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说的结区的所说的硅 衬底，因此，形成接触孔； 接着，进行湿式清洁处理和等离子处理，除去所说的露出硅 衬底上的自然氧化层和沾污物； 把所说的硅衬底装入要输入惰性气体的非晶硅膜淀积管中； 形成非晶硅膜； 把硅离子注入所说的非晶硅膜中；及 热处理所述的非晶硅膜，形成多晶硅膜。
2： 按照权利要求1的方法，其特征是利用BOE和HF化学制 品的任一种进行湿式清洁处理。
3： 按照权利要求1的方法，其特征是利用CF 4 气体进行等离 子处理，时间为20到40秒。
4： 按照权利要求1的方法，其特征是把所说的硅衬底装入所说 的非晶硅膜淀积管中，把惰性气体输入管中，因此，限制氧气浓 度。
5： 按照权利要求1的方法，其特征是，由LPCVD工艺，利用 在560到580℃的SH 4 气体热分解，淀积所说的非晶硅膜。
6： 按照权利要求1的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅膜 ，厚度为1000到3000。
7： 按照权利要求1的方法，其特征是，以大约10 15 cm -2 量级 的剂量注入所说的硅离子。
8： 按照权利要求1的方法，其特征是，在氮气中以500到 700℃热处理所说的非晶硅膜，由此使之转变为多晶硅。
9： 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 在具有结区的硅衬底上，形成绝缘膜； 使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底 ，由此，形成接触孔； 接着，进行湿式清洁处理和等离子处理，除去所说露出的硅 衬底上面的自然氧化层和沾污物； 形成非晶硅膜； 热处理所说非晶硅膜，形成多晶硅膜。
10： 按照权利要求9的方法，其特征是，利用BOE和HF化学 制品的任一种进行湿式处理。
11： 按照权利要求9的方法，其特征是，利用CF 4 气体进行等 离子处理，时间为20到40秒。
12： 按照权利要求9的方法，其特征是，由LPCVD工艺，通 过在560℃到580℃分解SH 4 气体淀积所说的非晶硅膜。
13： 按照权利要求9的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅膜， 厚度为1000到3000。
14： 按照权利要求9的方法，其特征是，在氮气中以500℃到 700℃热处理所说的非晶硅膜，由此，使之转变成多晶硅膜。
15： 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 在具有结区的硅衬底上，形成绝缘膜； 使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底 ，由此，形成接触孔； 接着，进行湿式清洁处理和等离子处理，除去所说露出的硅 衬底上面的自然氧化层和沾污物； 把所说的硅衬底装入要通惰性气体的非晶硅膜淀积管中； 形成非晶硅膜；     热处理所说非晶硅膜，以形成多晶硅膜。
16： 按照权利要求15的方法，其特征是，利用BOE和HF的 化学制品的任一种进行湿式清洁处理。
17： 按照权利要求15的方法，其特征是，利用CF 4 气体进行 等离子处理，时间为20到40秒。
18： 按照权利要求15的方法，其特征是，把所说的硅衬底 装入通入惰性气体的所说的非晶硅膜淀积管中，因此，限制氧气 浓度。
19： 按照权利要求15的方法，其特征是，由LPCVD工艺，通 过温度为560℃到580℃下热分解的SiH 4 气体，淀积所说的非晶 硅膜。
20： 按照权利要求15的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅 膜，厚度为1000到3000。
21： 按照权利要求15的方法，其特征是，在氮气中以500℃到 700℃热处理所说的非晶硅膜，由此，使之转变为多晶硅。
22： 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜； 使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底 ，由此，形成接触孔； 接着，进行湿式清洁处理和等离子处理，以便除去所说露出 的硅衬底上的自然氧化层和沾污物； 形成非晶硅膜；     把硅离子注入到所说的非晶硅膜； 热处理所说非晶硅膜，以便形成多晶硅膜。
23： 按照权利要求22的方法，其特征是，利用BOE和HF任一 种进行湿式清洁处理。
24： 按照权利要求22的方法，其特征是，利用CF 4 气体进行 等离子处理，时间为20到40秒。
25： 按照权利要求22的方法，其特征是，通过在560℃到580℃ 热分解SiH 4 的LPCVD工艺，淀积所说的非晶硅膜。
26： 按照权利要求22的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅 膜，厚度为1000到3000。
27： 按照权利要求22的方法，其特征是，用大约10 15 cm -2 数 量级的剂量注入所说的硅离子。
28： 按照权利要求22的方法，其特征是，在氮气中以500到 700℃热处理所说的非晶硅膜，由此，使之转变为多晶硅膜。
29： 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜； 使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底 ，由此，形成接触孔；     接着，进行湿式清洁处理，以便除去所说露出的硅衬底上面的 自然氧化层和沾污物； 把所说的硅衬底装入要通惰性气体的非晶硅膜淀积管中； 形成非晶硅膜； 把硅离子注入到所说的非晶硅膜中； 热处理所说的非晶硅膜，以便形成多晶硅膜。
30： 按照权利要求29的方法，其特征是，利用BOE和HF化学 制品的任一种，进行湿式清洁处理。
31： 按照权利要求29的方法，其特征是，把所说的硅衬底 装入通惰性气体的所说的非晶硅膜淀积管中，由此，限制氧气浓 度。
32： 按照权利要求29的方法，其特征是，由LPCVD工艺，利 用在560℃到580℃下热分解SiH 4 淀积所说的非晶硅膜。
33： 按照权利要求29的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅 膜，厚度为1000到3000。
34： 按照权利要求29的方法，其特征是，用10 15 cm -2 数量级 的剂量注入所说的硅离子。
35： 按照权利要求29的方法，其特征是，在氮气中，以500到 700℃热处理所说的非晶硅膜，由此，使之转变为多晶硅膜。
36： 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜； 使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底 ，由此，形成接触孔； 进行湿式清洁处理，以便除去所说露出的硅衬底上面的自然 氧化层和沾污物； 把所说的硅衬底装入要通惰性气体的非晶硅膜淀积管中； 形成非晶硅膜； 热处理所说非晶硅膜，以便形成多晶硅膜。
37： 按照权利要求36的方法，其特征是，利用BOE和HF化学 制品的任一种，进行湿式清洁处理。
38： 按照权利要求36的方法，其特征是，把所说的硅衬底 装入通惰性气体的所说的非晶硅膜淀积管中，因此限制氧气的浓 度。
39： 按照权利要求36的方法，其特征是，由LPCVD工艺在 560℃到580℃热分解SiH 4 ，淀积所说的非晶硅膜。
40： 按照权利要求36的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅 膜，厚度为1000到3000。
41： 按照权利要求36的方法，在氮气中以500到700℃热处 理所说的非晶硅膜，使之转变为多晶硅膜。
42： 一种制造半导体器件的方法包括下列步骤： 在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜； 使所说的绝缘膜形成图形，直到所说的结区的所说硅衬底被 露出，由此，形成接触孔； 进行湿式清洁处理，除去所说露出的硅衬底上的自然氧化膜 和沾污物； 形成非晶硅膜； 把硅离子注入到非晶硅膜中； 热处理所说非晶硅膜，以便形成多晶硅膜。
43： 按照权利要求42的方法，利用BOE和HF化学制品的任一 种，进行湿式清洁处理。
44： 按照权利要求42的方法，其特征是，由LPCVD工艺，利 用在560℃到580℃热分解SiH 4 气体，淀积所说的非晶硅膜。
45： 按照权利要求42的方法，其特征是，淀积所说的非晶硅 膜，厚度为1000到3000。
46： 按照权利要求42的方法，其特征是，用大约10 15 cm -2 数 量级的剂量，注入所说的硅离子。
47： 按照权利要求42的方法，其特征是，在氮气中在500℃到 700℃热处理所说的非晶硅膜，由此，使之转变为多晶硅。