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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201710986165.4 (22)申请日 2017.10.20 (71)申请人 武汉绮兰农业生物科技有限公司 地址 430000 湖北省武汉市江夏区五里界 街唐涂村社区服务中心C区2-090-2号 (72)发明人 田建文 (74)专利代理机构 北京国坤专利代理事务所 (普通合伙) 11491 代理人 黄耀钧 (51)Int.Cl. A01H 4/00(2006.01) (54)发明名称 一种兜兰培养基及其使用方法 (57)摘要 本发明公开了一种兜兰培养基， 其特征在 于， 该。
2、培养基包括培养基基底和生长素， 所述培 养基基底包括大量元素、 微量元素、 铁盐、 有机物 质； 所述生长素包括BA、 Tween20和TDZ； 所述BA的 用量为5ppm， 所述Tween20的浓度为100ppm； 所述 TDZ的浓度为8mg/L。 培养方法包括前处理、 初代 培养、 继代培养。 本发明以兜兰已开过花之植株 短缩茎为培植体材料， 解决组织培养中兜兰培植 体污染、 褐化、 生长缓慢， 以及繁殖倍率低等问 题， 并提供了一种兜兰快速繁殖的方法。 权利要求书2页 说明书5页 CN 107616094 A 2018.01.23 CN 107616094 A 1.一种兜兰培养基， 其特。
3、征在于， 该培养基包括培养基基底和生长素， 所述培养基基底 包括大量元素、 微量元素、 铁盐、 有机物质； 所述生长素包括BA、 Tween20和TDZ； 所述BA的用量为5ppm， 所述Tween20的浓度为100ppm； 所述TDZ的浓度为8mg/L。 2.根据权利要求1所述的一种兜兰培养基， 其特征在于： 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述大量元素包括以下组份： 3.根据权利要求1所述的一种兜兰培养基， 其特征在于： 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述微量元素包括以下组份： 4.根据权利要求1所述的一种兜兰培养基， 其特征在于： 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述铁盐包括以下组份：。
4、 FeSO47H2O 27.8 Na2-EDTA2H2O 37.3。 5.根据权利要求1所述的一种兜兰培养基， 其特征在于： 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述有机物质包括以下组份： 权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 107616094 A 2 6.一种如权利要求1所述的兜兰培养基的使用方法， 其特征在于， 该使用方法包括以下 步骤： 第一步、 前处理 进行组织培养前， 选择培植体材料， 并先将培植体材料断水处理2周， 然后去除根， 去除 根后的第二天开始进行多次灭菌处理； 将灭菌的培植体材料放入短缩茎取下茎顶后， 使茎 顶浸过质量浓度为0.005的NaClO中， 再移入兜兰培养基中。
5、进行培养， 且在兜兰培养基中 添加杀菌剂； 第二步、 初代培养 在培养基基底加入生长素： BA和Tween20， 所述BA的用量为5ppm， 所述Tween20的浓度为 100ppm； 将第一步处理完成的培植体材料暗室培养3周后， 并且培植体材料有芽体形成时， 移出暗室照光培养1个月， 有浅绿色的展开叶形成； 第三步、 继代培养 培植体材料从初代培养基移植过来后， 在培养基基底加入生长素： TDZ， 所述TDZ的浓度 为8mg/L； 将第二步处理完成后的培植体材料去除叶片后培养8周， 株高2.85cm， 之后反复操 作， 可达到所需的增值倍数。 7.根据权利要求6所述的一种兜兰培养基的使用方法。
6、， 其特征在于： 在第一步中， 选择7 片叶的植株作为培植体材料。 权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 107616094 A 3 一种兜兰培养基及其使用方法 技术领域 0001 本发明涉及植物及其培养领域， 尤其涉及一种兜兰培养基及其使用方法。 背景技术 0002 兜兰又名仙履兰(Lady sslipper)为兰科(Orchidaceae) 、 杓兰亚科 (Cypripedioideae)内植物之总称。 兜兰兰属(Paphiopedilum)内兰花为杓兰亚科内最具经 济价值的作物。 兜兰于1989年被列为华盛顿公约(CITES)附录一内的物种后， 进出口交易严 格地受政府控制， 全面禁。
7、止野生植株进行国际商业行为。 0003 目前商业上繁殖方法是以无菌播种为主， 兰苗从出瓶后到开花最快者为 Paph.Maudiae， 需1年半至2年的时间； 但有些多花品系， 约4-6年以上才会开花。 从出瓶后到 开花约需3-4年以上。 由于兜兰实生苗不整齐， 且营养系繁殖苗株的技术仍停留在分株方 法， 无法大量生产具有优良开花性状的植株。 因此， 建立兜兰之分生繁殖系统是极迫切的课 题。 0004 目前对于兜兰组织培养之研究， 大多使用瓶苗为材料(林， 1998； 洪， 2004； 陈， 2000； Kawase， 1995a； YasugiandYagi， 1995； Tanakaetal。
8、.， 1995、 1996)， 少数采用成熟株的 短缩茎与花梗芽做增殖的材料(Huang， 1988； Kawase， 1990、 1994、 1997； StewartandButton， 1975)， 然皆面临瓶苗生长速度缓慢的问题。 但兜兰的组织培养过程中会面临灭菌不易、 褐 化严重与繁殖倍率慢的问题。 0005 为了克服现有技术的缺陷， 需要设计一种兜兰培养基及其使用方法。 发明内容 0006 为了克服现有技术中的缺陷， 提供一种兜兰培养基及其使用方法。 0007 本发明通过下述方案实现： 0008 一种兜兰培养基， 该培养基包括培养基基底和生长素， 所述培养基基底包括大量 元素、 微。
9、量元素、 铁盐、 有机物质； 0009 所述生长素包括BA、 Tween20和TDZ； 0010 所述BA的用量为5ppm， 所述Tween20的浓度为100ppm； 所述TDZ的浓度为8mg/L。 0011 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述大量元素包括以下组份： 0012 0013 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述微量元素包括以下组份： 说 明 书 1/5 页 4 CN 107616094 A 4 0014 0015 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述铁盐包括以下组份： 0016 FeSO47H2O 27.8 0017 Na2-EDTA2H2O 37.3。 0018 以mg/L为质。
10、量浓度单位计算， 所述有机物质包括以下组份： 0019 0020 一种兜兰培养基的使用方法， 该使用方法包括以下步骤： 0021 第一步、 前处理 0022 进行组织培养前， 选择培植体材料， 并先将培植体材料断水处理2周， 然后去除根， 去除根后的第二天开始进行多次灭菌处理； 将灭菌的培植体材料放入短缩茎取下茎顶后， 使茎顶浸过质量浓度为0.005的NaClO中， 再移入兜兰培养基中进行培养， 且在兜兰培养 基中添加杀菌剂； 0023 第二步、 初代培养 0024 在培养基基底加入生长素： BA和Tween20， 所述BA的用量为5ppm， 所述Tween20的浓 度为100ppm； 将第一。
11、步处理完成的培植体材料暗室培养3周后， 并且培植体材料有芽体形成 时， 移出暗室照光培养1个月， 有浅绿色的展开叶形成； 0025 第三步、 继代培养 0026 培植体材料从初代培养基移植过来后， 在培养基基底加入生长素： TDZ， 所述TDZ的 浓度为8mg/L； 将第二步处理完成后的培植体材料去除叶片后培养8周， 株高2.85cm， 之后反 复操作， 可达到所需的增值倍数。 0027 在第一步中， 选择7片叶的植株作为培植体材料。 说 明 书 2/5 页 5 CN 107616094 A 5 0028 本发明的有益效果为： 0029 本发明以兜兰已开过花之植株短缩茎为培植体材料， 解决组织。
12、培养中兜兰培植体 污染、 褐化、 生长缓慢， 以及繁殖倍率低等问题， 并提供了一种兜兰快速繁殖的方法。 具体实施方式 0030 下面结合具体实施例对本发明进一步说明： 0031 一种兜兰培养基， 该培养基包括培养基基底和生长素， 所述培养基基底包括大量 元素、 微量元素、 铁盐、 有机物质； 0032 所述生长素包括BA、 Tween20和TDZ； 0033 所述BA的用量为5ppm， 所述Tween20的浓度为100ppm； 所述TDZ的浓度为8mg/L。 0034 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述大量元素包括以下组份： 0035 0036 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述微量元素包。
13、括以下组份： 0037 0038 0039 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述铁盐包括以下组份： 0040 FeSO47H2O 27.8 0041 Na2-EDTA2H2O 37.3。 0042 以mg/L为质量浓度单位计算， 所述有机物质包括以下组份： 说 明 书 3/5 页 6 CN 107616094 A 6 0043 0044 本发明中的盐酸吡哆醇的别名为维生素B6， 盐酸硫胺素的别名为维生素B1。 在实 际应用中， 肌醇一般是要另外分开来独自配成浓缩液， 因为它比较难溶， 一般配成100倍， 而 除去肌醇后的有机， 还是可以配成1000倍的。 0045 一种兜兰培养基的使用方法， 。
14、该使用方法包括以下步骤： 0046 第一步、 前处理 0047 进行组织培养前， 选择培植体材料， 并先将培植体材料断水处理2周， 然后去除根， 去除根后的第二天开始进行多次灭菌处理； 将灭菌的培植体材料放入短缩茎取下茎顶后， 使茎顶浸过质量浓度为0.005的NaClO中， 再移入兜兰培养基中进行培养， 且在兜兰培养 基中添加杀菌剂； 在本发明中， 选择7片叶的植株作为培植体材料。 0048 第二步、 初代培养 0049 在培养基基底加入生长素： BA和Tween20， 所述BA的用量为5ppm， 所述Tween20的浓 度为100ppm； 将第一步处理完成的培植体材料暗室培养3周后， 并且培。
15、植体材料有芽体形成 时， 移出暗室照光培养1个月， 有浅绿色的展开叶形成； 兜兰植株的芽体存在于叶基部内侧， 且一叶基位置只有一个腋芽， 茎块经培养之后， 大部份腋芽只长一个新芽， 仅少数腋芽有分 化形成多芽的情形出现。 0050 第三步、 继代培养 0051 培植体材料从初代培养基移植过来后， 在培养基基底加入生长素： TDZ， 所述TDZ的 浓度为8mg/L； 将第二步处理完成后的培植体材料去除叶片后培养8周， 株高2.85cm， 之后反 复操作， 可达到所需的增值倍数。 0052 本发明以兜兰的杂交种已开过花之分植株营养系苗株作为培植体材料， 成功地培 养去叶植株之短缩茎， 并从腋芽发育。
16、小苗。 本发明中将培养材料在灭菌前先预处理干燥2 周， 可提高成功率。 而以含100ppm的Tween20和1次氯酸钠溶液震荡灭菌9分钟， 使得本发 明的培植体材料成活率较高。 培养材料以选择带叶片7片者， 成活率较高。 0053 在兜兰培养基中CuSO45H2浓度提高至0.75mg/l， 可长出1个芽。 在液体培养基中 培养新增芽体数较在固体培养基中多， 并可以减少根之形成。 在兜兰培养基中H3BO3浓度降 至原来的2/3， 可促使芽体提早形成。 当兜兰培养基减去硝酸铵与硝酸钾时， 添加酵母萃取 物取代氮源能新增。 虽然在高浓度(8或16mg/l)的TDZ较低浓度者可促进兜兰芽体增生， 但 。
17、仍比添加BA50mg/l之效果低。 此外， 除叶处理可增加芽体之形成并抑制培植体长根。 0054 本发明以兜兰已开过花之植株短缩茎为培植体材料， 解决组织培养中兜兰培植体 污染、 褐化、 生长缓慢， 以及繁殖倍率低等问题， 并提供了一种兜兰快速繁殖的方法。 0055 尽管已经对本发明的技术方案做了较为详细的阐述和列举， 应当理解， 对于本领 说 明 书 4/5 页 7 CN 107616094 A 7 域技术人员来说， 对上述实施例做出修改或者采用等同的替代方案， 这对本领域的技术人 员而言是显而易见， 在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进， 均属于本发明 要求保护的范围。 说 明 书 5/5 页 8 CN 107616094 A 8 。