半导体装置 本发明涉及一种多插脚半导体装置，尤其涉及用于带型BGA的TAB带。
图3示出现有三层结构的TAB带的俯视图。图4是图3所示的TAB带的剖面图。图3和图4所示的TAB带由例如聚酰亚胺制成的树脂带35，涂覆在该树脂带上的粘接剂34，和该粘接剂上形成的铜箔图版31、32所构成。铜箔图版由带焊球的焊盘31和使该焊盘31与半导体芯片连接的引线32所组成。此外，还在TAB带的铜箔一侧整面涂覆焊剂保护层33，以保护铜箔图版31、32。若铜箔图版的膜厚设定为例如18μm的话，涂覆铜箔图版31、32上的焊剂保护层33的上表面与直接涂覆在粘接剂34上的焊剂保护层33的上表面的高低落差有18μm。
然后，在加强体上粘接TAB带聚酰亚胺这一面。图5是BGA带所用的加强体。该加强体由金属板52和在该金属板52上涂覆的粘接剂51所组成。
图6示出对图4所示的TAB带与图5所示的加强体进行热压接地工艺。下面对与图4、图5相同的组成部分加相同标号，并省略其说明。如图6所示，用夹具61、62，从上下方向夹住TAB带与加强体。接着，边加热，边由夹具61、62向TAB带和加强体加压，用粘接剂5 1把两者粘接起来。
然后，如图7所示，将半导体芯片72与TAB带74接合，用浇注封装树脂71封住半导体芯片72，在TAB带74的焊盘上加焊球75。图7示出这样形成的BGA带的剖面图。
但在图6所示TAB带与加强体热压接工序中，焊料保护层33的凹凸较大，上下夹具61、62的压力未加到焊料保护层中较大的凹部63，因此，压力未传递到凹部的63底部的粘接剂51上，如图8所示，发生粘接不够紧密的现象。
随后，在粘接体熟化工序或回流工序中加热的话，在那种粘接得不好的位置上就有气泡发生。图9为此阶段BGA带的剖面图。由于这种气泡91，导致BGA带弯曲，焊球部的平整性变差。
本发明鉴于上述问题，其目的在于使得加强体和TAB带整个面完全粘接，提高焊球平整性。
本发明包括：树脂带；设置在树脂带上的焊盘；由引线组成的铜箔图版；设置在铜箔图版相互间的伪(dummy)铜箔图版；以及全面覆盖铜箔图版、伪铜箔图版以及这些铜箔图版相互间的焊料保护层，以解决上文所述问题。
图1是本发明实施例剖面图。
图2是图1所示本发明的俯视图。
图3是现有TAB带的俯视图。
图4是图3所示TAB带的剖面图。
图5图示的是BGA带所用的加强体。
图6表示TAB带与加强体热压接的工艺。
图7是BGA带的剖面图。
图8是热压接后现有BGA带的剖面图。
图9是加热后现有BGA带的剖面图。
以下参照附图说明本发明的实施例。
图1示出本发明实施例的剖面图。图2示出图1实施例的俯视图。图1是图2中的1-1线的剖面图。该BGA带由聚酰亚胺15，涂覆在聚酰亚胺15上的粘接剂14，形成在粘接剂14上的焊盘11、引线12组成的金属(例如铜箔)的图版，伪铜箔图版10，覆盖这些铜箔图版10、11、12的焊料保护层13，以及通过粘接剂16与聚酰亚胺15的底面压接的金属板17所构成。
如图1、图2所示，本实施例在位于焊盘11和引线12相互之间较宽的空档中设有伪图版10。这种伪图版10一般与焊盘11、引线12同时形成，有时象伪图版10a那样单独配置，有时象伪图版10b那样与焊盘11连接配置，或与地线连接配置。
在本实施例中设置伪图版10，并使粘接剂14直接露出的部分为最小，再涂覆焊料保护层13，因而可以减小铜箔图版11、12上涂覆的焊料保护层13的上表面与直接涂覆在粘接剂14上的焊料保护层13的上表面之间的高低落差。例如，使铜箔图版10、11、12的膜厚为18μm的话，就可以将高低落差抑制在大于3μm但小于18μm的范围内，更为精细时可抑制在7μm以内。
因此，向TAB带粘贴加强体时，就可以向粘接剂全面均匀加压，从而在整体上提高密接性，使气泡不发生。
而且，如果将伪图版同其他引线、焊盘连接，则可增加粘接剂14与这些铜箔图版的粘接面积，因而铜箔与TAB带15的密接强度增加。
此外，将焊盘间配置的伪图版与地线连接便可以减小相邻焊盘间的感抗。
上述实施例是就TAB带为三层结构的情况加以说明的，但不限于此，即便是由树脂带与铜箔图版组成的两层结构也行。另外，上述实施例中，图版和伪图版都是铜箔的，但并不限于铜箔。
按照本发明，通过设置伪金属图版，粘贴TAB带与加强体时，在粘接剂的整个面上加压力，因而粘接剂与TAB带没有粘接不够紧密的地方。
而且，通过使伪金属图版与焊盘连接，该图版与粘接剂的粘接面积便可增加，因而可以使焊盘与粘接剂的密接强度增加。
此外，通过使伪图版与地线连接可减小相邻插脚间的感抗。