一种双稳态触发控制电路及模块 本发明涉及一种双稳态触发电路其包括至少一个双向可控硅(俗称晶闸管)和电阻，电容构件。
上述含有可控硅的双稳态触发电路虽然公知的有多种方案但在实践中真正得以应用的却不多见。主要是，它们存在这样或那样的缺陷。比如，在北京电子报上登载的一种自锁式可控硅工关，其主要目的是用于保护电器或其它损坏事故的发生。亦即避免‘应用中的电器在电网断电时忘记关电， 再来电时引起事故’。但是，经过实践表明，这种电路不能真正起到自锁保护。
本发明任务在于，设置一种双稳态触发控制电路及模块，其结构简单，设置巧妙，制作容易，成本低廉，但性能可靠，尤其抗干扰能力强。
上述任务，本发明是如此解决的：一种双向可控硅双稳态触发电路，由双向可控硅(晶闸管)和电阻，电容构件组成，其特征在于：电源输入一端，通过电容和电阻串联组件以及与其并联的双向可控硅连至输出一端；由此电源输入端经一电阻和串联的触发开关(启动控制)，再经串联的双向二极管连至可控硅的控制极；由双向二极管与触发开关的公共点经由电阻和电容的串联电路连至输入及输出公共端；由输出一端引出一个触发开关(断开)的接点。
本发明一个变型方案是，还设置一个抗干扰电路，其由一个双向二极管构成，它的一端连至所述串联组件之电容和电阻地公共点，另一端连至输入输出公共端。
下面供助附图详细描述本发明。
图1是本发明电路的具体实施例原理图；
参见图1，其中E1和E2为电源输入端；E2、E3为电源输出端(用于驱动负载电路)，K4、K5、K6为用于控制输入的开关接点，K为触发开关。VBT为双向可控硅(晶闸管)，VB1、VB2为双向二极管。
本发明电路之构件的性能分析：R2、R3为VBT双向可控硅之控制极限流电阻，此处R3可设置为可调式电阻，也可并联分流电阻以减小R3负荷。VB2为双向触发二极管，设置此元件可使VBT双向可控硅在正半波和负半波两种触发方式下导通角相等，又可增大触发电流的陡度，改善触发性能。R1及C1是过电压吸收元件作为VBT的瞬变过压保护；C1和VB1构成一种特殊防干扰电路，也是本电路又一显著特点，这样的结构设置可充分发挥VB1双向负阻性伏安特性，可使电源输入电路有干扰变化时不影响VBT的输出性能。
本电路工作原理是：E1和E2为电源输入端，连接220V或380V交流电压，E2和E3为输出端以连接负载电路。当E1和E2接通电源时，VBT双向可控硅因没有触发电流而不能自行导通；当K4、K5端接通或K开关按下时，则可控硅被触发导通故E2、E3输出端有电压输出，此时，即使K开关断开，因C2已被充电，故仍能维持VBT导通，亦即自锁导通。如果电网停电再来电时，由于C2在停电时已经放电，故再来电时也不能得到触发电流，所以VBT仍然截止，亦即具有断电自锁作用。只有使K开关接通K4、K5才能实现VBT导通。若需要在输入电源正常供电时断开输出回路，则应将K4和K6点接通一下，以使C2迅速放电，进而VBT关断，所以E2、E3端无电压输出。这样就实现了双稳态触发开关的控制功能。
本发明电路的一种具体实施方案是制成控制模块，其具有一个通常矩形横截面的盒体，将根据电路结构焊接制作的电路板组件安装在盒体内，用绝缘树脂固化，即构成双稳态触发开关电路控制模块。
由于在现有技术中，VBT晶闸管已发展到各种大电流，大功率的可控硅器件，所以该控制电路可应用于大功率的工业负载中，而控制输入的电流却要求很小故本发明可应用于电接点仪表的控制并大大扩展了电接点仪表的工业实用性，也可应用于大功率交流接触器，实现中继电路与控制电路于一体，从而简化了工业自动化控制的结构设置，是大有开发价值的技术产品。