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用于制造半导体的炉管装置
    本发明涉及一种用于制造半导体的炉管装置。

    半导体集成电路的制造过程中，所包含的重要步骤之一是电介质层的沉积。该电介质层可能为二氧化硅、氮化硅或多晶硅等各种不同组成，而电介质层的沉积都在炉管(Furnace)中进行，然而已知炉管由于在石英管与石英管的接头部分由弧形夹夹住。如图1、2所示，图中1为石英管，在其端头部分形成有突缘11，通过弧形夹2嵌入该突缘11，并栓紧螺栓3，使两段石英管1得以紧合。该弧形夹2的侧视图，如图3(a)所示，具有弧形边21，及二夹臂22，图3(b)为弧形夹2的俯视图或底视图，在二夹臂22及弧形边21上具有若干螺栓孔23供螺栓3穿过，通过该螺栓可以调整弧形夹2的夹口距离D。

    该弧形夹2是由类似“X’字形的长条状不锈钢片摺曲而成。所以该二夹臂是分别围绕在石英管突缘11的上层与底层，通过调整螺栓3，使弧形夹2的夹臂22受螺栓3的迫紧而内缩并夹紧二石英管的突缘11，使石英管的接头能达到紧密接合和防漏的目的。

    但是已知石英管接头部分仍无法达到完全防漏的目的。尤其是为了使成长电介质层品质良好，无杂质污染，一般在进行沉积之前，先通过HCl气体用以清除炉管管壁和晶片表面的污染物，该HCl气体是由一种TRANS-LL化学溶液所提供。由于已知的石英管接头无法完全防漏，致使该HCl气体外漏，而使机台附近的不锈钢抽气管壁腐蚀，造成生产过程中需时常进行该抽气管壁的清蚀操作，无形中使生产成本大为提高。

    本发明主要目的在于提供一种防止气体外泄的半导体制造用炉管装置。

    为实现本发明地目的，该半导体制造用炉管装置，包括至少一二截段石英管及相应的弧形夹所构成的接头，所述两截段石英管的相对端分别具有一凸缘，所述弧形夹可调整地夹紧于相对两凸缘上，其特征在于，所述二截段石英管之一的突缘上形成有突出的环形平台。在该环形平台上，套设有密封O形环，所述的O形环的特征在于，其材料为一耐高温、韧性材料。所述的O形环的特征还在于，其高度略高于所述环形平台。

    以下结合附图详细说明本发明：

    图1为已知二截面段石英管的示意图。

    图2为图1二截管组合的示意图。

    图3(a)为弧形夹的侧视图。

    图3(b)为弧形夹的上视或底视图。

    图4(a)为依据本发明石英管接头组合前的示意图。

    图4(b)为依据本发明石英管接头组合后的示意图。标号部分：1------------石英管    11----------突缘2------------弧形夹    21----------弧形边22-----------夹臂      23----------螺栓孔3------------螺栓      4-----------平台5------------O形环

    首先请参阅图4(a)，图4(a)为依据本发明石英管接头组合前的示意图，本发明石英管1突缘11上形成有凸出的圆形平台4供套设O形环5用，圆形平台4的高度略小于O形环5的厚度，而O形环5最好使用耐温的韧性材料制成，例如P28铁弗龙(Tefleon)。组合时先套上O形环5，接着接合二石英管接头，再嵌入弧形夹2并通过调整螺栓3将二石英管夹紧并使其密合，如图4(b)所示，由于二石英管的端面紧密贴合并夹紧O形环5，因此防漏效果甚佳。

    比较本发明与已知技术，可明显发现本发明由于在石英管突缘上形成有平台4再配合O形环5，因而比已知装置有更强的密封性能。因此本发明在炉管附近的不锈钢抽气管壁，不致因HCl气体外漏而造成腐蚀，影响炉管的正常生产，并进而降低产品的制造成本。凡熟悉本发明技术领域的技术人员根据本发明的精神所做的单纯组合、等效替换，皆不超出本申请权利要求的范畴。