基板回收方法以及基板处理装置.pdf

在基板处理装置发生故障时，回收基板处理装置内残存的基板以便不对后面的基板处理带来不良影响，迅速再次开始基板处理。在涂敷显影处理装置内发生故障时，利用装置内的输送单元将涂敷显影处理装置内的所有基板回收到输入输出部。此时，各输送单元，将基板从故障发生时的各位置向输入输出部的方向输送来进行回收。并且，对于故障发生时正在处理单元内接受处理的基板，在该处理结束后回收。

1、  一种基板回收方法，在基板处理装置中，将上述基板处理装置内的基板回收到输入输出部，所述基板处理装置具有：输入输出部，用于输入输出基板；处理部，具备处理基板的多个处理单元；基板输送机构，能够将从上述输入输出部输入的基板依次输送到上述处理部的处理单元，并能将在上述处理部实施既定处理后的基板返回上述输入输出部，该方法的特征在于，
在上述基板处理装置发生故障时，由上述基板输送机构将基板处理装置内的所有基板回收到上述输入输出部；
对于上述回收的基板中的、正在上述处理单元内接受处理的基板，在该处理单元中的处理结束后再进行回收。

2、  如权利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，对于正在上述处理部所具备的液体处理单元中实施液体处理的基板，结束该液体处理后将该基板干燥，再进行回收。

3、  如权利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，对于正在上述处理部所具备的热处理单元中实施加热处理的基板，结束该加热处理后将该基板冷却，再进行回收。

4、  如权利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，
正常时，由上述基板输送机构将输入到上述输入输出部的基板沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送；
在上述基板处理装置发生故障时，由上述基板输送机构将基板处理装置内的基板沿着上述既定输送路线输送，但省略该既定输送路线上的既定处理单元。

5、  如权利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，
正常时，由上述基板输送机构将输入到上述输入输出部的基板沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送；
上述基板处理装置发生故障时，不利用上述既定输送路线，由上述基板输送机构将基板处理装置内的基板从上述发生故障时的各基板位置向上述输入输出部的方向输送。

6、  如权利要求5所述的基板回收方法，其特征在于，在上述基板处理装置发生故障时，由上述基板输送机构将上述处理部的处理单元内的基板输送到更接近上述输入输出部的空的处理单元。

7、  如权利要求6所述的基板回收方法，其特征在于，
上述空的处理单元有多个时，将基板输送到离该基板最近的空的处理单元。

8、  如权利要求1所述的基板回收方法，其特征在于，
在上述基板处理装置发生故障时，不回收导致该故障发生的处理单元内的基板，而回收其他所有的基板；
对于导致上述故障发生的处理单元内的基板，消除故障后使用上述基板输送机构回收。

9、  一种基板处理装置，在壳体内具有：输入输出部，用于输入输出基板；处理部，具备处理基板的多个处理单元；基板输送机构，能够将从上述输入输出部输入的基板依次输送到上述处理部的处理单元，并能将在上述处理部实施既定处理后的基板返回上述输入输出部，该装置特征在于，
具有基板回收控制部，该基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得在上述基板处理装置发生故障时，由上述基板输送机构将壳体内的所有基板回收到上述输入输出部，并且，对于上述回收的基板中的、发生上述故障时正在上述处理单元内接受处理的基板，在该处理单元中的处理结束后再进行回收。

10、  如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部具有在基板上实施液体处理的液体处理单元；
上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得对于发生故障时正在上述液体处理单元中实施液体处理的基板，在结束该液体处理后进行干燥，再进行回收。

11、  如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部具有对基板实施加热处理的热处理单元；
上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得对于发生故障时正在上述热处理单元中实施加热处理的基板，在结束该加热处理后进行冷却，再进行回收。

12、  如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
正常时，上述基板输送机构沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送基板；
上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得在发生故障时，由上述基板输送机构将上述壳体内的基板沿着上述既定输送路线输送，但省略上述既定输送路线上的既定处理单元。

13、  如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
正常时，上述基板输送机构沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送基板；
上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得发生故障时，不利用上述既定输送路线，由上述基板输送机构将上述壳体内的基板从各基板的位置向上述输入输出部的方向输送。

14、  如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得在发生故障时，由上述基板输送机构将上述处理部的处理单元内的基板输送到比该处理单元更接近上述输入输出部的空的处理单元。

15、  如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得上述空的处理单元有多个时，由上述基板输送机构将上述基板输送到离该基板最近的空的处理单元。

16、  如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得发生故障时不回收导致故障发生的处理单元内的基板，而回收其他所有的基板，对于导致上述故障发生的处理单元内的基板，消除故障后借助上述基板输送机构进行回收。

基板回收方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于回收装置内的基板的基板回收方法以及基板处理装置。
背景技术
例如半导体器件制造工序中的光刻工序，通常使用涂敷显影处理装置进行。涂敷显影处理装置，例如在外壳内具有用于输入输出基板的输入输出部、配置有进行抗蚀剂涂敷处理和显影处理以及热处理等各种处理的多个处理单元的处理部、用于在该处理部与曝光装置之间交接基板的接口部。另外，涂敷显影处理装置例如在壳体内具有在上述各部分间或处理单元间输送基板的多个输送单元。
在上述涂敷显影处理装置正常运行时，输入到输入输出部中的多块基板由输送单元依次向处理部输送，在处理部的各处理单元中对各基板进行抗蚀剂涂敷处理、热处理等既定处理。之后，各基板通过接口部被输送到曝光装置，曝光处理后返回处理部，实施显影处理等既定处理后，返回输入输出部。
然而，在上述涂敷显影处理装置中，如果发生运行中的处理单元产生故障等问题，则必须使涂敷显影处理装置停止，修复产生故障的处理单元。此时，在涂敷显影处理装置内，残留着多块基板。对于这些基板，为了使涂敷显影处理装置恢复正常状态后再次开始通常的基板处理，例如要通过操作员的回收动作回收到输入输出部(例如参照专利文献1)。
但是，若在上述涂敷显影处理装置中单张式处理多块基板时发生故障，则各基板处于各种状态。例如，在显影单元中，有时在基板的表面上存有显影液。又，在热处理单元中，有时基板升温到了较高温度。当回收这样意外的各种状态下的基板时，例如用于回收的输送单元或用于基板交接的交接单元会被例如基板上的显影液污染，或由于高温的基板而受到热的影响。因此，即使消除故障后，涂敷显影处理装置内的输送单元或交接单元也已被污染，或温度不稳定，从而对再次开始后的基板处理带来不良影响。若为了防止这一问题而进行输送单元或交接单元的维护，则发生故障后使涂敷显影处理装置恢复正常状态并再次开始基板处理需要较长时间，结果导致基板的生产效率下降。
专利文献1：特愿平9-17838号公报。
发明内容
本发明是鉴于这点作出的，目的在于提供一种基板回收方法以及基板处理装置，在涂敷显影处理装置等基板处理装置发生故障时，能回收基板处理装置内残存的基板以便不对后面的基板处理带来不良影响，可迅速再次开始基板处理。
为了达到上述目的，本发明是一种基板回收方法，在基板处理装置中，将上述基板处理装置内的基板回收到输入输出部，所述基板处理装置具有：输入输出部，用于输入输出基板；处理部，具备处理基板的多个处理单元；基板输送机构，能够将从上述输入输出部输入的基板依次输送到上述处理部的处理单元，并能将在上述处理部实施既定处理后的基板返回上述输入输出部，该方法的特征在于，在上述基板处理装置发生故障时，由上述基板输送机构将基板处理装置内的所有基板回收到上述输入输出部；对于上述回收的基板中的、正在上述处理单元内接受处理的基板，在该处理单元中的处理结束后再进行回收。另外，“故障”，不仅包括基板处理装置内的各种参数出现问题的情况，也包括基板处理装置内进行的基板处理不能恰当执行的情况。
根据本发明，在基板处理装置发生故障时，对于正在基板处理装置内接受处理的基板，在该处理结束后进行回收，所以可在处理单元的处理完全结束而变成不会对基板输送机构带来不良影响的状态后，回收基板。由于回收的基板不会对基板输送机构带来不良影响，所以基板回收后不必维护基板输送机构，可在消除故障后迅速再次开始基板处理装置的基板处理或基板输送。因此，可迅速再次开始基板处理，提高基板的生产效率。
对于正在上述处理部所具备的液体处理单元中实施液体处理的基板，也可以在结束该液体处理后将该基板干燥，再进行回收。这种情况下，输送臂等基板输送机构不会受到回收的基板上附着的液体污染。
又，对于正在上述处理部所具备的热处理单元中实施加热处理的基板，也可以在结束该加热处理后将该基板冷却，再进行回收。这种情况下，基板输送机构不会受到回收的基板的热量的热影响。
也可设计成，正常时，由上述基板输送机构将输入到上述输入输出部的基板沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送；在发生故障时，由上述基板输送机构将基板处理装置内的基板沿着上述既定输送路线输送，但省略该既定输送路线上的既定处理单元。这种情况下，将正常时的输送路线进行所谓简化而输送，所以可迅速回收基板。又，由于基板沿着输送路线回收，所以例如不等到基板处理装置内的所有基板都被回收，也可将其他基板输入基板处理装置而开始处理。
也可设计成，正常时，由上述基板输送机构将输入到上述输入输出部的基板沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送；发生故障时，不利用上述既定输送路线，由上述基板输送机构将基板处理装置内的基板从各基板的位置向上述输入输出部的方向输送。这种情况下，无论发生故障时基板处在基板处理装置的哪个位置，各基板都被向输入输出部的方向输送回收，所以可迅速回收基板。
也可以设计成，发生故障时，由上述基板输送机构将上述处理部的处理单元内的基板输送到更接近上述输入输出部的空的处理单元。
上述空的处理单元有多个时，可将基板输送到离该基板最近的空的处理单元。
也可以设计成，在发生故障时，不回收导致故障发生的处理单元内的基板，而回收其他所有的基板；对于导致上述故障发生的处理单元内的基板，消除故障后使用上述基板输送机构回收。由此，导致故障发生的处理单元内的基板也可使用基板输送机构回收。
另一方面的本发明是一种基板处理装置，在壳体内具有：输入输出部，用于输入输出基板；处理部，具备处理基板的多个处理单元；基板输送机构，能够将从上述输入输出部输入的基板依次输送到上述处理部的处理单元，并能将在上述处理部实施既定处理后的基板返回上述输入输出部，其特征在于，具有基板回收控制部，该基板回收控制部控制上述基板输送机构，使得在发生故障时，由上述基板输送机构将壳体内的所有基板回收到上述输入输出部，并且，对于上述回收的基板中的、正在上述处理单元内接受处理的基板，在该处理单元中的处理结束后再进行回收。
根据本发明，在发生故障时，对于正在壳体内的处理单元内接受处理的基板，在该处理结束后进行回收，所以可在处理单元的处理完全结束而变成不会对基板输送机构带来不良影响的状态后，回收基板。由于回收的基板不会对基板输送机构带来不良影响，所以基板回收后不必维护基板输送机构，可在消除故障后迅速再次开始基板处理装置的基板处理或基板输送。因此，可迅速再次开始基板处理，提高基板的生产效率。
也可以设计成，上述处理部具有在基板上实施液体处理的液体处理单元；上述基板回收控制部控制基板输送机构，使得对于发生故障时正在上述液体处理单元中实施液体处理的基板，在结束该液体处理后进行干燥，再进行回收。这种情况下，例如输送臂等基板输送机构不会被回收的基板上附着的液体污染。
也可以设计成，上述处理部具有对基板实施加热处理的热处理单元；上述基板回收控制部，对于发生故障时正在上述热处理单元中实施加热处理的基板，在结束该加热处理后进行冷却，再进行回收。这种情况下，基板输送机构不会受到回收的基板的热量的热影响。
也可设计成，正常时，上述基板输送机构沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送基板；上述基板回收控制部，在发生故障时如下进行输送，即，利用上述基板输送机构将上述壳体内的基板沿着上述既定输送路线输送，但省略该既定输送路线上的既定处理单元。这种情况下，由于将正常时的输送路线进行所谓简化而输送，所以可迅速回收基板。又，基板沿着输送路线回收，所以即使不等待例如基板处理装置内的所有基板都被回收，也可将其他基板输入基板处理装置而开始处理。
也可设计成，正常时，上述基板输送机构沿着既定输送路线相对于上述多个处理单元输送基板；上述基板回收控制部，在发生故障时如下进行输送，即，不利用上述既定输送路线，由上述基板输送机构将上述壳体内的基板从各基板的位置向上述输入输出部的方向输送。这种情况下，无论发生故障时基板处在基板处理装置的哪个位置，各基板都被向输入输出部的方向输送回收，所以可迅速回收基板。
也可以设计成，在发生故障时，由上述基板输送机构将上述处理部的处理单元内的基板输送到比该处理单元更接近上述输入输出部的空的处理单元。上述空的处理单元有多个时，可由上述基板输送机构将上述基板输送到离该基板最近的空的处理单元。
也可以设计成，上述基板回收控制部，发生故障时不回收导致故障发生的处理单元内的基板，而回收其他所有的基板，对于导致上述故障发生的处理单元内的基板，消除故障后借助上述基板输送机构进行回收。
根据本发明，即使发生故障时也可迅速再次开始基板处理装置中的基板处理，所以可提高基板的生产效率。
附图说明
图1是本实施方式的涂敷显影处理装置的概要俯视图。
图2是图1的涂敷显影处理装置的主视图。
图3是图1的涂敷显影处理装置的后视图。
图4是处理时的晶片的输送路线的说明图。
图5是用于表示晶片的回收路径的涂敷显影处理装置的俯视图。
图6是简化后的输送路线的说明图。
附图标记说明
1   基板处理装置
2   盒搬运站
3   处理站
30  第1输送单元
31  第2输送单元
160 控制部
W   晶片
具体实施方式
以下说明本发明的优选实施方式。图1是作为本实施方式的基板处理装置的涂敷显影处理装置1的结构的概要俯视图，图2是涂敷显影处理装置1的主视图，图3是涂敷显影处理装置1的后视图。
涂敷显影处理装置1，如图1所示，例如具有下述结构，即，在作为覆盖装置整体的壳体的外壳1a内，一体连接有：作为输入输出部的盒搬运站2，将例如25张晶片W以盒单位从外部相对于涂敷显影处理装置1输入输出，或相对于盒C输入输出晶片W；作为处理部的处理站3，通过将在涂敷显影工序中单片式地实施既定处理的各种处理单元多层配置而构成；接口部4，与该处理站3相邻设置，在与图未示的曝光装置之间进行晶片W的交接。
盒搬运站2中，可在盒载置台5上的既定位置沿X方向(图1中的上下方向)将多个盒C载置成一列。在盒搬运站2中，设置有可在输送路径6上沿X方向移动的晶片输送单元7。晶片输送单元7在上下方向上也可移动，可选择性地访问在盒C内沿上下方向排列的晶片W。晶片输送单元7可绕铅直方向的轴(θ方向)旋转，也可对后述处理站3侧的第3处理单元组G3内的单元进行访问。
处理站3如图1所示，具有多层配置多个处理单元的例如7个处理单元组G1～G7。在作为处理站3的正面侧、即X方向的负方向(图1中的下方)侧，从盒搬运站2侧起依次配置有第1处理单元组G1、第2处理单元组G2。在处理站3的中央部，从盒搬运站2侧起依次配置有第3处理单元组G3、第4处理单元组G4以及第5处理单元组G5。在处理站3的背面侧、即X方向的正方向(图1中的上方)侧，从盒搬运站2侧起依次配置有第6处理单元组G6、第7处理单元组G7。
在第3处理单元组G3与第4处理单元组G4之间，设置有第1输送单元30。第1输送单元30，例如具有可向θ方向旋转且可在水平方向和上下方向上移动的输送臂30a。第1输送单元30，通过使输送臂30a相对于相邻的第1处理单元组G1、第3处理单元组G3、第4处理单元组G4以及第6处理单元组G6内的各单元进退，可在该各处理单元组G1、G3、G4以及G6内的各单元之间输送晶片W。
在第4处理单元组G4与第5处理单元组G5之间，设置有第2输送单元31。第2输送单元31与第1输送单元30一样具有输送臂31a，可选择性地访问第2处理单元组G2、第4处理单元组G4、第5处理单元组G5以及第7处理单元组G7的各单元并输送晶片W。
如图2所示，在第1处理单元组G1中，从下起依次重叠有5层向晶片W供给既定液体而进行处理的液体处理单元，例如在晶片W上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷单元40～44。在第2处理单元组G2中，从下起依次重叠5层液体处理单元，例如对晶片W进行显影处理的显影单元50～54。又，在第1处理单元组G1以及第2处理单元组G2的最下层，分别设置有用于向各处理单元组G1以及G2内的上述液体处理单元供给各种处理液的化学室60、61。
例如，如图3所示，在第3处理单元组G3中，用于进行晶片W的交接的过渡单元70、71、在高精度的温度管理下冷却晶片W的冷却单元72～74以及在高温下对晶片W进行加热处理的高温热处理单元75～78，从下起依次重叠9层。例如，过渡单元70、71，在Y方向的两侧具有晶片W的输送口，使得在Y方向的两侧相邻的晶片输送单元7和第1输送单元30两者均可访问。因此，过渡单元70、71具有在晶片输送单元7与第1输送单元30之间交接晶片W的功能。
在第4处理单元组G4中，例如冷却单元80、81、对抗蚀剂涂敷处理后的晶片W进行加热处理的预烘干单元82～86、以及对显影处理后的晶片W进行加热处理的后烘干单元87～89，从下起依次重叠10层。例如，第4处理单元组G4内的所有单元，均在Y方向的两侧具有晶片W的输送口，使得在Y方向的两侧相邻的第1输送单元30和第2输送单元31两者都可访问。因此，第4处理单元组G4内的所有单元，都具有在第1输送单元30与第2输送单元31之间交接晶片W的功能。
在第5处理单元组G5中，例如冷却单元90～93、对曝光后的晶片W进行加热处理的作为热处理单元的曝光后烘干单元94～99，从下起依次重叠10层。曝光后烘干单元94～99，例如在容器内具有载置晶片W并进行加热的加热板和载置晶片W并进行冷却的冷却板，可进行晶片W的加热和冷却两种处理。例如，第5处理单元组G5内的所有单元，均在Y方向的两侧具有晶片W的输送口，具有在第2输送单元31与接口部4的后述第1晶片输送单元122之间交接晶片W的功能。
在第6处理单元组G6中，例如图3所示，用于对晶片W进行疏水处理的附着单元100、101、对晶片W进行加热处理的加热处理单元102、103，从下起依次重叠4层。
在第7处理单元组G7中，例如图3所示，从下起依次重叠3层后烘干单元110～112。
接口部4，例如图1所示，从处理站3侧起依次设置有第1接口部120、第2接口部121。在第1接口部120中，例如第1晶片输送单元122设置在与第5处理单元组G5对应的位置上。在第1晶片输送单元122的X方向的两侧配置有例如2个单元组H1、H2。
在例如X方向正方向侧的单元组H1中，如图3所示，例如从下起依次配置有缓冲盒单元130、131、选择性地仅将晶片W的外周部曝光的周边曝光单元132。在X方向负方向侧的单元组H2中，如图2所示，例如从下起依次配置有冷却单元140、141、过渡单元142。
如图1所示，第1晶片输送单元1 22例如可在水平方向和上下方向上移动，且可向θ方向旋转，可访问第5处理单元组G5、单元组H1以及单元组H2内的各单元。
在第2接口部121中，例如设置有在朝向X方向设置的输送路径150上移动的第2晶片输送单元151。晶片输送单元151可在Z方向上移动，且能向θ方向旋转，例如可访问单元组H2内的各单元、和与第2接口部121相邻的图未示的曝光装置。因此，处理站3内的晶片W可借助第1以及第2晶片输送单元121、151而在处理站3与曝光装置之间输送。
在本实施方式中，由晶片输送单元7、第1输送单元30、第2输送单元31、第1晶片输送单元122以及第2晶片输送单元151构成基板输送机构。
涂敷显影处理装置1中进行的晶片处理或晶片输送的控制，例如由图1所示的作为基板回收控制部的控制部160进行。在控制部160中，例如对每批晶片W，设定有针对涂敷显影处理装置1内的单元的既定输送路线。控制部160控制涂敷显影处理装置1内的输送单元7、30、31、122、151等的动作，沿着设定的输送路线输送晶片W，对晶片W实施既定处理。
又，在控制部160中设定有晶片回收功能，即，在涂敷显影处理装置1中产生问题时，例如处理单元发生故障时，将涂敷显影处理装置1内的晶片W回收。控制部160，通过启动晶片回收功能，而向例如涂敷显影处理装置1内的输送单元7、30、31、122、151等输出晶片回收命令，控制各输送单元的动作，可将涂敷显影处理装置1内的所有晶片W向盒搬运站2的方向回收。此时，控制部160，可使用各输送单元，将晶片W输送到例如接近盒搬运站2的空的单元。控制部160，在空的单元有多个时，可将晶片W输送到离其位置最近的单元。又，控制部160，对于发生故障时正在各处理单元中接受处理的晶片W，可使该处理单元中的处理结束后再进行回收。
在此，说明利用以上那样构成的涂敷显影处理装置1进行的晶片处理的一例。例如，当收纳多个未处理晶片W的盒C载置在盒搬运站2的载置台6上时，该盒C内的晶片W沿着预先针对批单位设定的既定输送路线而被进行输送处理。图4表示晶片W的输送路线的一例。
例如，首先，晶片W被从盒C取出后，利用晶片输送单元7输送到第3处理单元组G3的过渡单元70。输送到过渡单元70的晶片W，被第1输送单元30输送到第6处理单元组G6的附着单元100，在晶片W上涂敷例如HMDS，提高晶片W与抗蚀剂液的紧贴性。接着，晶片W被第1输送单元30输送到第3处理单元组G3的冷却单元72，冷却后，由第1输送单元30输送到第1处理单元组G1的抗蚀剂涂敷单元40，实施抗蚀剂涂敷处理。
实施过抗蚀剂涂敷处理的晶片W，被第1输送单元30输送到第4处理单元组G4的预烘干单元82而被加热干燥后，由第2输送单元31输送到第5处理单元组G5的冷却单元90而被冷却。之后，晶片W由第1接口部121的第1晶片输送单元122输送到单元组H1的周边曝光单元132，进行周边曝光处理后，收纳在缓冲盒单元130中。之后，晶片W由晶片输送单元122输送到单元组H2的冷却单元140，由第2接口部121的第2晶片输送单元151输送到图未示的曝光装置。在曝光装置中结束了曝光处理的晶片W由第2晶片输送单元151输送到第1接口部120的过渡单元142，之后由第1晶片输送单元122输送到第5处理单元组G5的曝光后烘干单元94。在曝光后烘干单元94中加热后的晶片W由第2输送单元31输送到第4处理单元组G4的冷却单元80中而被冷却后，输送到第2处理单元组G2的显影单元50而被显影。
显影处理结束后的晶片W，由第2输送单元31输送到第7处理单元组G7的后烘干单元110，实施加热处理后，输送到第4处理单元组G4的冷却单元81而被冷却。之后，晶片W由第1输送单元30输送到第3处理单元组G3的过渡单元71，接着由晶片输送单元7返回盒搬运站2的盒C内。这样，结束对晶片W进行的一系列光刻工序。
在涂敷显影处理装置1中，盒C内的多张晶片W依次被输送到处理站3侧，顺着上述输送路线，各晶片W被单片式连续处理。
在上述涂敷显影处理装置1中发生故障时，利用控制部160启动晶片回收功能。该晶片回收功能的动作，可在感知故障发生的警报器输出时自动进行，也可利用操作员的操作进行。当晶片回收功能启动时，例如如图5所示，涂敷显影处理装置1内的所有晶片W被向盒搬运站2侧输送。此时，例如正在处理站3或接口部4内的处理单元中接受处理的晶片W在该处理结束后被输送。例如发生故障时，正在显影单元50中接受显影处理而存有显影液的晶片W继续显影处理，直到静止显影结束、显影液被甩干，在显影处理结束后被向盒搬运站2输送。又，发生故障时，正在冷却单元72、80、81等中接受冷却的晶片W，继续冷却处理直到温度下降到设定温度，冷却处理结束后被向盒搬运站2输送。
在此，说明利用上述晶片回收功能回收的晶片W的回收路径。
首先，说明发生故障时处于接口部4的单元组H1或H2内的晶片W的回收路径。发生故障时收纳在例如单元组H1内的周边曝光单元132内的晶片W，不利用正常时的输送路线，而是首先由第1晶片输送单元122输送到离盒搬运站2更近的第5处理单元组G5的具有交接功能的处理单元90～99中的某一个中。此时，晶片W被输送到处理单元90～99中空的单元中。没有空的处理单元时，则在处理单元90～99的某一个空出时立即输送到该空出的处理单元。又，空的处理单元有多个时，输送到例如离周边曝光单元132最近的单元，例如同一高度上的预定的处理单元。
例如将晶片W从周边曝光单元132输送到第5处理单元组G5的某一个处理单元90～99中后，接着，晶片W由第2输送单元31向离盒搬运站2更近的第4处理单元组G4的具有交接功能的处理单元80～89的某一个输送。此时也同样，在没有空的处理单元时，一旦空出立即输送到该处理单元，空的处理单元有多个时，输送到最近的处理单元。
同样，输送到第4处理单元组G4内的某一个处理单元80～89中的晶片W，由第1输送单元30向更接近盒搬运站2的第3处理单元组G3的具有交接功能的过渡单元70、71的某一个输送。此时也同样，在两个过渡单元70、71中都有其他晶片时，一旦其他晶片被输出而空出，则立即输送到该过渡单元，两个过渡单元70、71空出时，输送到最近的单元。输送到第3处理单元组G3的过渡单元70、71的某一个中的晶片W由晶片输送单元7输送到盒C而进行回收。
发生故障时存在于处理单元组G3～G5中的晶片W，沿着存在于上述单元组H1、H2中的晶片W的回收路径回收。又，发生故障时存在于处理单元组G2或G7内的晶片W，由第2输送单元31输送到第4处理单元组G4内的空的处理单元80～89的某一个，之后沿着上述回收路径回收。另外，发生故障时存在于处理单元组G1或G6中的晶片W由第1输送单元30输送到第3处理单元组G3内的空的过渡单元70、71的某一个，之后沿着上述回收路径回收。
如上所述，发生故障时存在于涂敷显影处理装置1内的晶片W，由各输送单元从当时的位置依次输送到更接近盒搬运站2侧的单元，然后朝向盒搬运站2直线输送。这样，能利用晶片回收功能回收涂敷显影处理装置1内的所有晶片W。
根据以上的实施方式，涂敷显影处理装置1设有晶片回收功能，所以即使发生故障也可迅速回收涂敷显影处理装置1内的所有晶片W。又，正在显影单元50或冷却单元72、80、81等处理单元中接受处理的晶片W，在处理结束后被回收，所以各输送单元不会输送非预定状态的晶片W，可抑制例如输送单元或其输送目的地单元被显影液污染，或受到热的不良影响。因此，不必随着晶片W的回收进行输送单元或处理单元的维护，可迅速再次开始涂敷显影处理装置1的处理。其结果，可提高晶片W的生产效率。
在以上实施方式中，残留在涂敷显影处理装置1内的晶片W被向盒搬运站2的方向输送来加以回收，而不利用正常时的输送路线，所以可在短时间内回收晶片W。又，各输送单元，输送目的地单元一旦空出则立即输送晶片W，而空的单元有多个时，将晶片W输送到最近的处理单元，所以可在更短时间内回收晶片W。
在以上实施方式中，即使发生故障时晶片W处于显影处理中，也是在显影单元50中进行到晶片W干燥，结束液体处理后回收晶片W，但对于例如抗蚀剂涂敷单元那样在其他处理单元中进行晶片W的干燥的液体处理单元，也可将晶片W输送到该其他处理单元，在该处理单元干燥晶片W后回收晶片W。例如，对于正在抗蚀剂涂敷单元40中接受抗蚀剂涂敷处理的晶片W，也可输送到预烘干单元82，干燥后再进行回收。
又，在上述实施方式中，是在冷却单元72等中将晶片W冷却到既定温度后回收晶片W，但在其他热处理单元，例如加热晶片W的热处理单元82、94、110等中，也可以加热到既定的设定温度后回收。这种情况下，不会输送非预定温度的晶片W，可抑制对输送单元或输送目的地单元带来热的不良影响。又，对于在热处理单元加热了的晶片W，也可必须冷却后再回收。这种情况下，可将对输送单元或输送目的地单元的热的不良影响抑制到最小。若是在冷却后回收加热了的晶片W，则在具有加热功能和冷却功能两种功能的热处理单元中，也可以在同一热处理单元内进行加热和冷却。又，在不具有冷却功能的热处理单元中，可将晶片W输送到冷却单元，冷却后回收晶片W。
在以上的实施方式中，在控制部160中设定有发生故障时用与正常时的输送路线无关的回收路径回收晶片W的晶片回收功能，但也可设定简化(short cut)正常时的输送路线而回收晶片W的晶片回收功能。这种情况下，利用控制部160的晶片回收功能，沿着正常时的输送路线输送晶片，并且跳过该输送路线上的既定单元。例如在上述输送路线中，省略向图5所示处理单元组G1、G2、G6以及G7的单元进行的晶片W输送，例如，省略向抗蚀剂涂敷单元40、显影单元50、附着单元100以及后烘干单元110进行的晶片W输送。因此，例如如图6所示，发生故障时的晶片W，例如在过渡单元70之后被输送到冷却单元72，在冷却单元72之后输送到预烘干单元82，在冷却单元80之后输送到冷却单元81。根据该例子，是沿着正常时的输送路线回收晶片W，所以可更简单地进行与该回收时的晶片输送有关的控制。又，在涂敷显影处理装置1内的所有晶片W回收结束之前，可使其他的晶片进入涂敷显影处理装置1内，开始后面的晶片处理。并且，在上述例子中，省略了向处理单元组G1、G2、G6以及G7的单元进行的输送，而使用直线状排列的处理单元组G3～G5回收晶片W，所以回收路径变成直线，可缩短回收时间。
另外，在上述例子中省略晶片W输送的单元，不限于上述例子。例如，也可省略向下述单元进行的输送，所述单元是指，在发生故障的时刻，批次的先头晶片W在输送路线上没有通过的既定区间的单元。这种情况下，例如，若先头晶片W在发生故障的时刻沿着图4所示的输送路线到达第5处理单元组G5的冷却单元90，则可以将正常时输送路线上的从冷却单元90到同一第5处理单元组G5的曝光后烘干单元94的单元全部省略。该批晶片W，从冷却单元90例如沿着图6所示的回收路径，经冷却单元80、冷却单元81、过渡单元71返回盒C。
又，在发生故障而回收晶片W时，也可选择下述两种晶片回收功能中的某一种，即，不利用正常时的输送路线而是向盒搬运站2直线回收晶片W的晶片回收功能、和沿着正常时的输送路线简化而回收晶片W的晶片回收功能。
在以上的实施方式中记载的控制部160中，也可设定下述晶片回收功能，即，发生故障时，仅不回收导致该故障发生的处理单元内残留的晶片W，而回收其他的晶片W，故障消除后可回收该处理单元内的晶片。这种情况下，例如，在抗蚀剂涂敷单元40发生故障，晶片W收纳在该抗蚀剂涂敷单元40内时，若利用控制部160启动晶片回收功能，则回收抗蚀剂涂敷单元40内的晶片W以外的晶片W。此时，作业员对抗蚀剂涂敷单元40进行修复作业。而在抗蚀剂涂敷单元40复原后，再次利用控制部160启动晶片回收功能时，剩下的抗蚀剂涂敷单元40内的晶片W被回收到盒搬运站2。这种情况下，导致故障发生的处理单元内的晶片W，也可在故障消除后利用涂敷显影处理装置1的晶片回收功能进行回收。又，由于可迅速回收导致故障发生的处理单元以外的晶片W，所以例如可利用导致该故障发生的处理单元以外的其他处理单元再次开始晶片处理。
以上说明了本发明的实施方式的一例，但本发明不限于该例，可采用各种形式。例如，本实施方式中记载的涂敷显影处理装置1内的输送单元或处理单元等单元的种类、数量、配置不限于此。又，本发明不限于涂敷显影处理装置1，例如也可用于蚀刻装置、成膜装置、清洗装置等其他基板处理装置。并且，本发明除半导体晶片以外，也可用于FPD(平板显示器)用基板、光掩模用玻璃基板等其他基板的处理装置。
工业实用性
本发明用于在基板处理装置发生故障时迅速再次开始基板处理。