小多注速调管覆膜阴极的制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN00132779.8

申请日:

2000.11.17

公开号:

CN1354491A

公开日:

2002.06.19

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01J 9/02申请日:20001117授权公告日:20040602终止日期:20091217|||授权|||公开|||实质审查的生效申请日:2000.11.17

IPC分类号:

H01J9/02; H01J23/04

主分类号:

H01J9/02; H01J23/04

申请人:

中国科学院电子学研究所;

发明人:

刘燕文; 田宏

地址:

100080北京市海淀区中关村路17号

优先权:

专利代理机构:

中科专利商标代理有限责任公司

代理人:

戎志敏

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内容摘要

一种小多注速调管覆膜阴极的制备方法,在钼筒底面没有孔的表面上形成抑制发射的铪膜1,在已覆有抑制发射的铪膜1的表面上涂敷一层对发射无影响的有机物,将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面洞内,然后进行压制,在阴极表面形成增强发射的锇膜2。多注速调管具有宽频带,高增益、高效率、低工作电压、重量轻和体积小等一系列优点,因此它是现代雷达系统发射机末级功率放大器中最有竞争力的器件之一。

权利要求书

1: 一种小多注速调管覆膜阴极的制备方法。其特征在于 a)在钼筒底面没有孔的表面上形成抑制发射的铪膜1; b)在己覆有抑制发射的铪膜1的表面上涂敷一层对发射无影响 的有机物。 c)将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面洞内; d)进行压制, e)在阴极表面形成增强发射的锇膜2。
2: 按权利要求1所述的方法,其特征在于所述有机物是醋酸丁酯与 硝绵溶液的混合物,并将其涂敷在铪膜1上。
3: 按权利要求1或2所述的方法,其特征在于将阴极放入氢气中加 热,加热温度为500度,以蒸发掉有机物质上和涂敷在有机物上的锇膜 2。
4: 按权利要求1所述的方法,其特征在于钼筒底面洞的数量为18 个,洞的直径为0.4mm。

说明书


小多注速调管覆膜阴极的制备方法

    本发明属于电真空器件,特别是阴极的制备方法。

    覆膜阴极制备的传统方法有两种:一种是先将颗粒大小为2-8um的钨粉压制后在氢气中高温烧结(1800℃-2000℃)成孔度为20%左右的多孔棒状的钨海绵,这样做的钨海绵比较脆,不太好加工。为了好加工,必须在钨海绵的孔隙中浸入熔融的铜,铜的熔点比较低,能很好地润湿钨海绵体,而且在任何温度下都不与钨互相溶解或形成化合物,浸满铜的钨海绵体就容易加工了,因为铜不单可以加固钨海绵,并且还起润滑作用。机械加工成所需的形状后,再利用化学去铜和高温蒸发把铜去掉,就得到了所需形状的钨海绵。将钨海绵压入钼筒中,然后将钨海绵埋入发射物体中(如4Bao.1Cao.1Al2O3)在氢气中高温浸渍(1750℃,3分种左右),最后将阴极表面用车床车制成所需弧度,放入真空覆膜机覆膜(如饿膜)。另一种方法是将发射物质与钨粉按一定重量比(约1∶9)混合后压制(压力8-15吨/厘米2)。然后在氢气中烧结(约1700℃),烧结的目的是使阴极具有一定的机械强度并使发射物质熔化均匀地分布在钨海绵中。最后将阴极放入覆膜机中覆膜(如饿膜)见阴极电子学,刘学壳,科学出版社1988,97-110)。但由于小多注阴极的发射体太小,不能采用先车制钨饼再浸盐的传统方法。

    本发明的目的是提供一种新的制备小多注速调管覆膜阴极地方法。

    本发明的主要特点是在钼筒底面没有孔的表面上形成抑制发射的铪膜1;在己覆有抑制发射的铪膜1的表面上涂敷一层对发射无影响的有机物;将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面洞内;然后进行压制;在阴极表面形成增强发射的锇膜2。

    多注速调管具有宽频带,高增益、高效率、低工作电压、重量轻和体积小等一系列优点,因此它是现代雷达系统发射机末级功率放大器中最有竞争力的器件之一。

    图1是阴极的结构图。

    下面结合附图详述本发明。如图1所示,本发明的小多注覆膜阴极的结构为:直径为3.5毫米的钼筒底面上分布着直径为0.37毫米的18个阴极发射体。阴极发射体表面覆增强发射的饿膜,钼筒的非发射面覆抑制发射的铪膜1。金属铪膜1是一种极好的抑制热电子发射的材料。

    将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面有直径为0.4mm的18个洞且已覆有抑制发射的铪膜1的钼筒内,进行压制,由于阴极表面覆增强发射的饿膜时掩膜的放置极其困难,也可以说不可能,我们采用在己覆有抑制发射的铪膜1的钼筒上涂上一层对发射无影响的有机物。所选择的有机物是将醋酸丁酯与硝绵溶液涂在已覆好抑制发射的铪膜1的钼筒底上。晾干后钼筒底上就形成一层较硬的均匀的有机膜。在这层有机膜上可以蒸发金属膜而不破坏有机膜。放入氢气中加热约500℃左右即可蒸发掉有机膜,而覆在有机膜上的金属膜可以很容易地清除掉而不破坏有机膜下面的金属膜。然后压制阴极,这时再在阴极表面覆增强发射的饿膜,最后进行烧结,这样覆在非发射面上的饿膜会随着有机物质蒸发而去掉。这种方法巧妙地解决了小多注阴极的发射面上覆增强发的物质,而在非发射面上覆抑制发射的铝膜的困难。

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一种小多注速调管覆膜阴极的制备方法,在钼筒底面没有孔的表面上形成抑制发射的铪膜1,在已覆有抑制发射的铪膜1的表面上涂敷一层对发射无影响的有机物,将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面洞内,然后进行压制,在阴极表面形成增强发射的锇膜2。多注速调管具有宽频带,高增益、高效率、低工作电压、重量轻和体积小等一系列优点,因此它是现代雷达系统发射机末级功率放大器中最有竞争力的器件之一。 。

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