图像显示装置和图像显示装置的制造方法 【技术领域】
本发明涉及图像显示装置和图像显示装置的制造方法，特别涉及具有电极-绝缘体-电极构造，应用于使用向真空中发射电子的薄膜型电子源的图像显示装置的有效技术。
背景技术
薄膜型电子源是利用对绝缘体施加高电场所生成的热电子的电子发射元件。
作为代表例，下面说明以上部电极-绝缘层-下部电极的三层构造的薄膜构成的MIM(Metal-Insulator-Metal)型电子源。
图14是用于说明作为薄膜型电子源代表例的MIM型电子源的工作原理的图。
在上部电极11和下部电极13之间施加驱动电压，使隧道绝缘层12内的电场为1～10MV/cm以上时，下部电极13中的费米能级附近的电子因隧道现象而穿过阻挡层，成为注入到隧道绝缘层12、上部电极11的导带的热电子。
这些热电子地一部分在隧道绝缘层12中和上部电极11中因与固体的相互作用而受到散射，损失能量。
其结果，在到达上部电极11-真空10界面的时刻，是有各种能量的热电子。
在这些热电子中，具有上部电极11的功函数φ以上能量的热电子被发射到真空10中，而除此以外的热电子流入上部电极11。
将从下部电极13流到上部电极11的电子产生的电流成为二极管电流(Id)，将向真空10中发射的电子产生的电流称为发射电流(Ie)，电子发射效率(Ie/Id)为1/103～1/105左右。
MIM型薄膜电子源例如披露于特开平9-320456号公报(日本专利)。
这里，由于设置多个上部电极11和下部电极13，使这些多个上部电极11和下部电极13垂直，将薄膜型电子源形成为矩阵状时，可以从任意的场所产生电子射线，所以能够作为图像显示装置的电子源来使用。
即，在每个像素中配置薄膜型电子源元件，在真空中加速从其中发射的电子后，照射荧光体，通过使照射部分的荧光体发光，可以构成显示期望图像的图像显示装置。
薄膜型电子源因发射电子束的直线性良好而能够实现高清晰的显示装置，由于不易受到表面污染的影响，所以象作为图像显示装置用电子发射元件具有优良的特征。
在使用现有的薄膜型电子源的图像显示装置中，在矩阵状配置的多个薄膜型电子源元件(电子发射部)中，1个薄膜型电子源元件因制造不良等变成短路状态时，从该薄膜型电子源元件连接的行或列上的所有薄膜型电子源元件中都不发射电子，不能发光。即，薄膜型电子源元件的一个‘点缺陷’引起‘线缺陷’。
以下，说明上述方面。
图15是表示现有的薄膜电子源矩阵的示意结构的图。
在行电极(下部电极)310和列电极(上部电极)311的各交点上形成薄膜型电子源元件301。
在图15中图示3行×3列的情况，但实际上配置有构成显示装置的像素、或在彩色显示装置的情况下配置子像素(sub-pixel)个数的薄膜型电子源元件301。
这里，将各薄膜型电子源元件301与行电极310和列电极311直接连线。
因此，例如，处于R2的行电极310和C2的列电极311的交点(R2、C2)的薄膜型电子源元件301因制造不良等原因而短路的情况下，由于R2的行电极310和C2列电极311被短路，所以即使从行电极驱动电路41或列电极驱动电路42将合适的电压施加在两电极上，电压也不正常。
由此，R2的行电极上的所有薄膜型电子源元件301、或C2列电极上的所有薄膜型电子源元件301不工作，成为‘线缺陷’。
在液晶显示装置等矩阵型图像显示装置中，即使在所有像素数的1/10000左右的元件中有‘点缺陷’，实用上没有问题可以使用的情况居多。
即，例如，在由480×640×3点构成的图像显示装置的情况下，容许有100个左右的‘点缺陷’。
但是，在存在整个1行不发光等的‘线缺陷’情况下，则不能作为图像显示装置来使用。
于是，在使用现有的薄膜型电子源的图像显示装置中，‘点缺陷’会产生‘线缺陷’，由此，存在使制造良品率下降的问题。
【发明内容】
本发明是用于解决上述现有技术问题的发明，本发明的目的在于，在图像显示装置中，提供能够提高制造良品率的技术。
本发明的上述和其他目的及新的特征，通过本说明书的论述和附图将变得明确。
在本申请中展示的发明中，如果简单地说明有代表性的概要，则如下所述。
本发明提供一种图像显示装置，其特征在于，包括显示元件，包括：
第1基板，具有多个电子源元件，具有顺序层积下部电极、绝缘层、上部电极的构造，在对所述上部电极施加正极性的电压时，从所述上部电极表面发射电子；多个第1电极，对所述多个电子源元件中的行(或列)方向的电子源元件的下部电极施加驱动电压；多个第2电极，对所述多个电子源元件中的列(或行)方向的电子源元件的上部电极施加驱动电压；
框部件；以及
具有荧光体的第2基板，用所述第1基板、所述框部件和所述第2基板围成的空间形成真空环境；至少一个所述电子源元件的其下部电极和上部电极的至少一方通过电阻元件连接到所述第1电极或所述第2电极。
即，本发明的特征在于，在列电极和薄膜型电子源元件之间、或行电极和薄膜电子源元件之间、或列电极和薄膜型电子源元件之间以及行电极和薄膜型电子源元件之间插入电阻。
图1是表示本发明的图像显示装置的薄膜电子源矩阵示例的示意结构的图。
图1所示的图像显示装置包括在列电极311和薄膜型电子源元件301之间插入电阻305的薄膜电子源矩阵。
在以下的说明中，将该电阻305称为像素电阻。
彩色图像显示的情况下，以红、蓝、绿的各子像素(sub-pixel)的组合来形成1像素(pixel)，但这里定义的‘像素’在彩色图像显示情况下相当于子像素。在本说明书中，将单色图像显示中的像素、彩色图像显示中的子像素称为‘点’。
将该电阻305的电阻值设定为列电极驱动电路42输出阻抗的10倍以上，即使(R2、C2)的薄膜型电子源元件301短路，由于R2的行电极310和C2的列电极311之间的电阻与驱动电路的输出阻抗相比足够大，所以在两电极上施加充分的电压，使两电极上的其他薄膜型电子源元件301正常地工作。不用说，(R2、C2)的薄膜型电子源元件301不工作。
在本发明中，由此能够防止‘点缺陷’成为‘线缺陷’。
像素电阻305的电阻值(Rr)有如下的限制。
设薄膜型电子源元件本身和1像素内的寄生电容相加所得的电容为Ce，则Ce·Rr为薄膜型电子源元件301上施加的信号电压变化的时间常数。
因此，在用作图像显示装置的情况下，必须(Ce·Rr＜1H)。
这里，1H是水平扫描期间，设场频率为f有效扫描线数为Neff(2个同时驱动的情况下为(扫描线数÷2))，则水平扫描周期(1H)以下述式(1)来表示。
1H＝1/(f·Neff) ……(1)
例如，在f＝60Hz、Neff＝256的情况下，变成1H＝64μs。
本发明的第2效果在于，可以降低布线电阻或驱动电路的特性偏差的影响。
在薄膜型电子源元件301的两电极(上部电极11、下部电极13)之间施加的二极管电压(Vd)和流动的二极管电流(Id)之间存在下述式(2)所示的函数关系。
Id＝f(Vd) ……(2)
另一方面，设将行电极310和列电极相加所得的布线电阻为R(line)，行电极驱动电路41的输出阻抗为Zout(row)，列电极驱动电路42的输出阻抗为Zout(column)。
设行电极驱动电路41的输出电压和列电极驱动电路42的输出电压之差、即外部施加电压为V0，则在薄膜型电子源元件301的两端上施加的二极管电压(Vd)以下述式(3)来表示。
Vd＝V0-Id(R(line)+Zout(row)+Zout(column)) ……(3)
因此，薄膜型电子源元件301中流动的二极管电流(Id)以下述式(4)来表示。
Id＝f[V0-Id(R(line)+Zout(row)+Zout(column))]……(4)
因此，在R(line)、Zout(row)、Zout(column)上有偏差ΔR(line)、ΔZout(row)、ΔZout(column)时，二极管电流(Id)的电流值也变化。
从薄膜型电子源元件301向真空中发射的电流(发射电流)(Ie)按照二极管电流(Id)的电流值来变化。
因此，在图像显示装置中，产生亮度不匀。
在本发明中，在每个薄膜型电子源元件中插入电阻305，设该电阻305的电阻值为Rr，则在薄膜型电子源元件301两端施加的二极管电压(Vd)以下述式(5)表示。
Vd＝V0-Id(Rr+R(line)+Zout(row)+Zout(column))……(6)
因此，与偏差ΔR(line)、ΔZout(row)、ΔZout(column)相比，通过增大设定Rr，这些偏差就不引起二极管电流(Id)的电流值的偏差，也不产生亮度不匀。
下面，考虑像素电阻305的电阻值偏差对发射电流量的变动产生的影响。
在假设将薄膜型电子源元件301和像素电阻305串联连接，对其整体施加外部电压V0的情况下，估计像素电阻305的电阻值R的偏差对薄膜型电子源元件301中流动的电流产生的影响。
设薄膜型电子源元件301的二极管电流-电压特性为Id＝f(V)，像素电阻305的电阻值为R，R+ΔR时流动的电流分别为I、I+ΔI，则有下述式(6)的关系。ΔII=(ΔRR+ΔR)/(1+α)]]>α=γeR+ΔR]]>γe=dVdId......(6)]]>
因此，如果使像素电阻305的电阻值R+ΔR比薄膜型电子源元件301的(工作区域中的)微分电阻re小、α≥1，那么上述式(6)能够变形为下述式(7)。ΔII≤12(ΔRR+ΔR).........(7)]]>
由此，像素电阻305的电阻偏差ΔR对显示图像的均匀性产生的影响小。
换句话说，像素电阻305的电阻值偏差的容许量容易增大制造。
本发明提供一种图像显示装置，其特征在于，包括：显示元件，包括第1基板，具有：多个电子源元件，具有顺序层积下部电极、绝缘层、上部电极的构造，在对所述上部电极施加正极性的电压时，从所述上部电极表面发射电子；多个第1电极，对所述多个电子源元件中的行(或列)方向的电子源元件的下部电极施加驱动电压；多个第2电极，对所述多个电子源元件中的列(或行)方向的电子源元件的上部电极施加驱动电压；
框部件；以及
具有荧光体的第2基板，用所述第1基板、所述框部件和所述第2基板围成的空间形成真空环境；
至少一个所述电子源元件的其下部电极和上部电极的至少一个通过电阻元件或连接布线连接到所述第1电极或所述第2电极。
在本发明中，在制造阶段发现薄膜型电子源元件301短路不良的情况下，通过分离该元件，可以防止‘线缺陷’的发生。
图16是表示现有的薄膜电子源矩阵的薄膜型电子源元件构造的平面图。
如图16所示，在现有的薄膜电子源矩阵中，由于行电极310和列电极311实际上在空间交叉的部分形成薄膜型电子源元件301，所以难以仅将薄膜型电子源元件301从行电极310或列电极311中分离开。
在本发明中，如以下的实施例详述得那样，通过在各像素的电子源构造上下工夫，从而容易分离指定像素的薄膜型电子源元件301，由此可以降低‘线缺陷’的产生。
根据本发明的结果，从在每个像素上形成电阻这样的观点来看，进行了先行技术调查。
其结果，在使用作为本发明对象的薄膜型电子源的图像显示装置中，发现了该技术。
而且，对调查对象扩大调查直至一般电子源的结果，在电场发射型电子源中，在EURODISPLAY90、10 th International Display ResearchConference Proceedings(vde-verlag、Berlin、1990)、pp.374～377中披露了在各像素内插入连接电阻膜的实例。
这是因为在各像素内具有多个电子发射芯片(发射芯片)的电场发射型电子源中，通过在每个像素内的发射芯片中独立地连接工作电阻，从而利用电阻上的电压降造成的负反馈，来获得将像素内的每个发射芯片的发射电流偏差进行平均的效果。
由此，在现有的电场发射型电子源中，由于仅从像素内的指定的发射芯片来产生大的电流，所以要解决产生‘亮点’而造成画质劣化这样的问题。
在该公知技术所述的技术中，难以象本发明那样用激光束照射等切断不良像素来弥补缺陷。
【附图说明】
图1是表示本发明的图像显示装置的薄膜电子源矩阵示例的示意结构图；
图2是表示本发明实施例1的电子源板的薄膜电子源矩阵的一部分结构的平面图；
图3是表示本发明实施例1的电子源和荧光显示板的位置关系的平面图；
图4是表示本发明实施例1的图像显示装置结构的主要部分剖面图；
图5是用于说明本发明实施例1的电子源板的制造方法的图；
图6是表示本发明实施例1的像素电阻的另一形状的图；
图7是表示在本发明实施例1的显示屏板上连接驱动电路的状态的连线图；
图8是表示从图7所示的各驱动电路输出的驱动电压波形示例的定时图；
图9是表示本发明实施例2的电子源板的薄膜电子源矩阵的一薄膜型电子源元件的结构图；
图10是说明本发明实施例2的电子源板的薄膜电子源矩阵的制造方法的图；
图11是表示本发明实施例3的薄膜电子源矩阵的示意结构图；
图12是本发明实施例3的薄膜电子源矩阵的平面图；
图13是表示本发明实施例3的一薄膜型电子源元件的主要部分剖面构造的剖面图；
图14是说明薄膜电子源的工作原理的图；
图15是表示现有的薄膜电子源矩阵的示意结构的图；以及
图16是表示现有的图像显示装置的像素构造的平面图。
【具体实施方式】
以下，参照附图详细地说明本发明的实施例。
在用于说明实施例的所有附图中，对于具有相同功能的结构附以相同的标号，并省略其重复的说明。
[实施例1]
本发明实施例1的图像显示装置通过将作为电子发射电子源的薄膜电子源矩阵和荧光体的组合，用形成了各点的亮度调制元件的显示屏板(本发明的显示元件)，在对应显示屏板的行电极和列电极上连接驱动电路来构成。
这里，显示屏板由形成了薄膜电子源矩阵的电子源板和形成了荧光体图形的荧光显示板构成。
图2是表示本实施例的电子源板的薄膜电子源矩阵的一部分结构的平面图，图3的表示本实施例的电子源板和荧光显示板的位置关系的平面图。
图4是表示本实施例的图像显示装置结构的主要部分剖面图，该图(a)是沿图2和图3所示的A-B剖切线剖切的剖面图，该图(b)是沿图2和图3所示的C-D剖切线剖切的剖面图。
其中，在图2和图3中，省略基板14的图示。
而且，在图4中，高度方向的比例尺是任意的。即，下部电极13或上部电极总线32等为几微米(μm)以下的厚度，而基板14和基板110的距离为1～3mm左右的长度。
在以下的说明中，使用3行×3列薄膜电子源矩阵来说明，而不用说，实际的显示屏板的行、列数为几百行～几千行、列为几千列。
在图2中，用虚线围成的区域35表示电子发射部(本发明的电子源元件)。
电子发射部35在用隧道绝缘层12规定的场所内从该区域中向真空中发射电子。
电子发射部35因被上部电极11覆盖而在平面图中不能显现，所以用虚线表示。
图5是说明本实施例的电子源板的制造方法的图。
以下，用图5来说明本实施例的电子源板的薄膜电子源矩阵的制造方法。
在图5中，仅取出图2和图3所示的一个行电极310和一个列电极311的交点上形成的一个薄膜型电子源元件301来描绘，而实际上，如图2和图3所示，将多个薄膜型电子源元件301矩阵状配置。
而且，图5的右边的列是平面图，左边的列是沿右边的图中的A-B线的剖面图。
在玻璃等绝缘性基板14上，例如以300nm的膜厚来形成下部电极13用的导电膜。
作为下部电极13使用的材料，例如可以使用铝(Al；以下称为Al)合金。
这里，使用Al-钕(Nd；以下称为Nd)合金。
在该Al合金膜的形成中，例如使用溅射法或电阻加热镀敷法等。
接着，通过光刻来形成抗蚀剂，接着通过腐蚀将该Al合金膜加工成带状，如图5(a)所示，形成下部电极13。
这里使用的抗蚀剂是适合腐蚀的抗蚀剂，但腐蚀可以是湿式腐蚀、干式腐蚀的其中之一。
接着，涂敷抗蚀剂并用紫外线进行曝光来构图，如图5(b)所示，形成抗蚀剂图形501。
就抗蚀剂而言，例如使用醌二叠氮化物系(quinonediazide)的正型抗蚀剂。
接着，带着抗蚀剂图形501来进行阳极氧化，如图5(c)所示，形成保护绝缘层15。
在本实施例中，在该阳极氧化中转化电压为100V左右，使保护绝缘层15的膜厚为140nm左右。
在用丙酮等有机溶剂剥离抗蚀剂图形501后，对被抗蚀剂覆盖的下部电极13表面再次进行阳极氧化，如图5(d)所示，形成隧道绝缘层12。
在本实施例中，在这种再次阳极氧化中将转化电压设定为6V，使隧道绝缘层膜厚为8nm。
接着，形成上部电极总线衬底膜用的导电膜，对抗蚀剂进行构图并进行腐蚀，如图5(e)所示，形成上部电极总线衬底膜33。
在本实施例中，作为上部电极总线衬底膜的材料使用钛(Ti)，膜厚为20nm左右。
接着，形成上部电极总线用的导电膜，对抗蚀剂进行构图并进行腐蚀，如图5(f)所示，形成上部电极总线32和列电极311。
在本实施例中，作为上部电极总线32和列电极311的材料，使用Al合金，膜厚为300nm左右。
就上部电极总线32和列电极311的材料来说，也可以使用Au等。
接着，按以下顺序通过溅射来形成膜厚1nm的铟(Ir)、膜厚2nm的铂(Pt)、膜厚3nm的金(Au)。
通过抗蚀剂和腐蚀来进行构图，对Ir-Pt-Au的层积膜进行构图，如图5(g)所示，形成上部电极11。
在图5(g)中，虚线围成的区域35表示电子发射部。
电子发射部35在隧道绝缘层12规定的场所从该区域内向真空发射电子。
通过以上处理，在基板14上制成薄膜电子源矩阵。
在本实施例的薄膜电子源矩阵中，从隧道绝缘层12规定的区域(电子发射部35)、即抗蚀剂图形501规定的区域发射电子。
在电子发射部35的周边形成厚绝缘膜的保护绝缘层15，所以上部电极-下部电极间施加的电场不集中在下部电极13的边部或角部，可获得长时间的稳定的电子发射特性。
就上部电极总线衬底膜33来说，有三个作用。
第1个作用在于，通过设置膜厚薄的总线衬底膜33，将膜厚10nm左右或其以下的上部电极11和上部电极总线32可靠地电连接，提高可靠性。
实际上，除了上部电极总线衬底膜33以外，如果在上部电极总线32上直接形成上部电极11，那么在上部电极总线32(膜厚几百nm)的台阶部分中上部电极11容易断路，使上部电极总线32-上部电极11间的电连接可靠性下降。
第2个作用在于，形成像素电阻305。
如图5(g)所示，将像素电阻305弯曲形成，将该像素电阻305的电阻值作为上部电极总线32和列电极之间的电阻值来定义。
该电阻值取决于像素电阻305的材料、膜厚、像素电阻305部分的几何形状。
例如，如本实施例所示，在上部电极总线衬底膜中使用钛(Ti)，膜厚为20nm，长/宽比为40左右时，像素电阻305的电阻值Rr为1kΩ左右。
在使用膜厚20nm的氮化钛(TiN)的情况下，长/宽比为10左右，像素电阻305为1kΩ左右也可以。
由于薄膜型电子源元件301的工作区域中的微分电阻(re)为几十kΩ，所以充分满足(re/Rr＞1)的条件。
因此，按照上述理由，像素电阻305的电阻值偏差对显示图像产生的影响变小。
由于薄膜型电子源元件301的静电容Ce为0.1nF左右，所以Ce·Rr＝0.1μs左右，也充分满足CeRr＜1H的条件。
这里，1H是1行的信号施加期间，因图像显示装置的扫描数或更新率(场周期)而有所不同，但一般来说，1H＝10～64μs。
第3个作用在于，成为将制造时造成短路不良的薄膜型电子源元件301与列电极311分离的‘切断场所’。
这也可以在有问题的薄膜型电子源元件301所对应的行电极-列电极间施加电压来烧毁切断像素电阻305。
由于该部分由膜厚薄的上部电极总线衬底膜33来形成，所以容易切断。
由于在像素电阻305下不配置其他的构成物，所以不会因激光束照射对其他部位产生影响。
即，像素电阻305的至少一部分位于不与行电极301和列电极311的任何一个交叉的场所是重要的。
在将制造时引起短路不良的薄膜型电子源元件301与列电极311分离的情况下，代替像素电阻305，用连接布线来连接列电极311和薄膜型电子源元件301也可以。
图6是表示本实施例的像素电阻305的另一形状的图。
该图6是与图5(g)对应的图，如图6(a)所示，在像素电阻305的一部分中设置细的部分，如图6(b)所示，在一部分上设置膜厚薄的部分也可以。
于是，在通过激光照射等进行切断时，可以更容易地切断。
如以上说明，本实施例的优点在于，利用为了提高上部电极总线32和上部电极11的电连接性的可靠性而使用的上部电极总线衬底膜33形成步骤来形成像素电阻305。
这是因为可以用与总线衬底膜33相同的材料来形成像素电阻305。
即，从图5的制作处理可知，用与以往相同的光刻次数来导入像素电阻。
因此，不会因像素电阻305的导入而造成制造成本的上升。
但是，本发明并不限于此，当然也可以使用与总线衬底膜33不同的材料来形成像素电阻305。
使像素电阻305的电阻值产生制造偏差的几何学上的主要因素是像素电阻305的宽度和长度，而由于前者(宽度)由形成像素电阻305时的光掩模规定，所以偏差少。
由于后者(长度)由形成列电极311和上部电极总线32时的光掩模规定，所以偏差少。即，能够偏差少地形成像素电阻305。
在下部电极13和基板14之间有下部电极13的膜厚部分(300nm左右)的台阶。
在本实施例中，从图2、图4可知，在该台阶部分跨越上部电极总线32(膜厚300nm左右)，不引起台阶部分中的断线。
本实施例的荧光显示板由钠钙玻璃等基板110上形成的黑底120、在该黑底120的沟内形成的红(R)、绿(G)、蓝(B)荧光体(114A～114C)、在它们之上形成的金属衬垫膜122构成。
以下，说明本实施例的荧光显示板的制作方法。
首先，以提高显示装置的对比度为目的，在基板110上形成黑底120(参见图4(b))。
接着，形成红色荧光体114A、绿色荧光体114B、蓝色荧光体114C。
这些荧光体的构图与在通常的阴极射线管的荧光面上使用的构图同样，使用光刻法来进行。
作为荧光体，例如，红色使用Y2O2S∶Eu(P22-R)，绿色使用ZnS∶Cu，Al(P22-G)，蓝色使用ZnS∶Ag(P22-B)。
接着，在用硝化纤维等膜进行镀膜后，在整个基板110上镀敷膜厚50～300nm左右的Al而形成金属衬垫膜122。
然后，将基板110加热到400℃，对镀膜和PVA等有机物进行加热分解。于是，完成荧光显示板。
将这样制作的电子源板和荧光显示板夹置隔板60，用熔结玻璃进行密封。
荧光显示板上形成的荧光体(114A～114C)和电子源板的薄膜电子源矩阵的位置关系如图3所示。
在图3中，为了表示荧光体(114A～114C)和黑底120、基板上构成物之间的位置关系，将基板110上的构成物仅用斜线来表示。
电子发射部35、即形成了隧道绝缘层12的部分和荧光体114的宽度之间的关系十分重要。
在本实施例中，考虑到从薄膜型电子源301发射的电子束多少在空间上被扩宽，而将电子发射部35的宽度设计得比荧光体(114A～114C)的宽度窄。
而且，由于图3表示电子发射部35和荧光体(114A～114C)的位置关系，所以省略了基板14上的其他构成物，例如上部电极11、上部电极总线32、像素电阻305等。
基板110和基板14之间的距离为1～3mm左右。
在使显示屏板内部为真空时，插入隔板60，以便防止因来自外部大气压的力造成的显示屏板的破损。
因此，基板14、基板110使用厚度3mm的玻璃，在制作宽度4cm×长度9cm以下的显示面积的显示装置情况下，由于以基板110和基板14本身的机械强度可抗大气压，所以不一定插入隔板60。
隔板60的形状例如如图3所示，为长方体形状。
这里，每3行设置隔板60的支柱，但在机械强度容许的范围内，当然可减少支柱的数目(配置密度)。
作为隔板60，由玻璃制成或陶瓷制成，排列配置板状或柱状的支柱。
在图4(a)中，看不出隔板60连接到基板14侧，但实际上连接到基板14上的列电极311。
在图4(a)中，仅露出列电极311的膜厚的间隙。
将密封完的显示屏板排气至1×10-7Torr左右的真空，进行封口。
为了将显示屏板内的真空度维持在高真空，在封口之前或之后，在显示屏板内的规定位置(未图示)形成吸气剂膜或进行吸气剂材料的激活。
例如，在以钡(Ba)为主要成分的吸气剂材料的情况下，可通过高频感应加热来形成吸气剂膜。
于是，完成使用薄膜电子源矩阵的显示屏板。
在本实施例中，由于基板110和基板14之间的距离为1～3mm左右大小，所以可使金属衬垫122上施加的加速电压达到3～6KV的高电压，因此，如上所述，在荧光体(114A～114C)方面可以使用阴极射线管(CRT)使用的荧光体。
图7是表示将驱动电路连接在本实施例的显示屏板上的状态的连线图。
行电极310(下部电极13)被连接到行电极驱动电路41，列电极311(上部电极总线32)被连接到列电极驱动电路42。
这里，各驱动电路(41、42)和电子源板的连接，例如通过用各向异性导电膜压接载带封装，或将构成各驱动电路(41、42)的半导体芯片直接封装在电子源板的基板14上的玻璃上芯片等来进行。
从加速电压源43对金属衬垫膜122常时施加3～6KV左右的加速电压。
图8是表示从图7所示的各驱动电路输出的驱动电压波形示例的定时图。
这里，第n个行电极310用Rn表示，第m个列电极311用Cm表示，第n个行电极310和第m个列电极311的交点的点用(n，m)表示。
在时刻t0时，由于无论哪个电极都为零电压，所以不发射电子，因此，荧光体(114A～114C)不发光。
在时刻t1时，对R1的行电极310从行电极驱动电路41施加(VR1)的驱动电压，对(C1，C2)的列电极311从列电极驱动电路42施加(VC1)的驱动电压。
由于在点(1，1)、(1，2)的上部电极11和下部电极13之间施加(VC1-VR1)，所以只要将(VC1-VR1)的电压设定在电子发射开始电压以上，那么从这两个点的薄膜型电子源将电子发射到真空中。
在本实施例中，VR1＝-5V、VC1＝4.5V。
发射的电子由金属衬垫膜122上施加的电压加速后，轰击荧光体(114A～114C)，使荧光体(114A～114C)发光。
在该期间，由于其他的(R2、R3)的行电极310为高阻抗状态，所以不管列电极311的电压值如何都不发射电子，对应的荧光体(114A～114C)也不发光。
在时刻t2时，对R2的行电极310从行电极驱动电路41施加(VR1)的驱动电压，从C1的列电极311、列电极驱动电路42施加(VC1)电压后，同样地，使点(2，1)点亮。
这里，将图8所示的电压波形的驱动电压施加在行电极310和列电极311上时，仅点亮图7的斜线的点。
于是，通过改变列电极311上施加的信号，可以显示期望的图像或信息。
通过按照图像信号来适当改变列电极311上施加的驱动电压(VC1)的大小，可以显示有色调的图像。
为了释放隧道绝缘层12中存储的电荷，在图8的时刻t4时，对所有的行电极310从行电极驱动电路41施加(VR2)的驱动电压，同时对所有的列电极从列电极驱动电路42施加0V的驱动电压。
这里，由于VR2＝5V，所以对薄膜型电子源301施加-VR2＝5V的电压。
于是，通过施加与电子发射时相反极性的电压(反向脉冲)，可以提高薄膜电子源的寿命特性。
作为施加反向脉冲的期间(图8的t4～t5、t8～t9)，如果使用图像信号的垂直回扫期间，则与图像信号匹配性好。
[实施例2]
图9是表示本发明实施例2的电子源板的薄膜电子源矩阵的一薄膜型电子源元件301的结构的图，右侧是平面图，而左侧是沿A-B剖切线剖切的剖面图。
在本实施例中，用与上部电极11相同的材料来形成像素电阻305。
于是，通过用与上部电极11相同的材料来形成像素电阻305，可简化制造步骤。
这种情况的像素电阻305的电阻值与上述实施例1同样，被定义为列电极311和上部电极总线32之间的电阻值。
除了该像素构造以外，都与第1实施例相同。
图10是说明本实施例的电子源板的薄膜电子源矩阵的制造方法的图。
在图10中，仅取出图1中一个行电极310和一个列电极311的交点上形成的一个薄膜型电子源元件301来描绘。
图10的右边的列是平面图，而左边的列是沿右边的图中的A-B剖切线剖切的剖面图。
至图10(d)用与至图5(d)相同的方法来形成。
接着，用溅射来形成掺杂锡(Sn)的氧化铟(即，ITO(Indium TinOxide)膜。这里，ITO膜的膜厚为10nm左右。
通过抗蚀剂和腐蚀来构图，对ITO膜进行构图，如图10(e)所示，形成上部电极11。
接着，以图10(f)所示的图形来形成抗蚀剂502后，通过电解电镀来形成上部电极总线32和列电极311。
在本实施例中，使用电解镀金液，通过对上部电极11通电0.1A/dm2左右的电流，在上部电极11上有选择地生长金膜。
于是，形成膜厚400nm左右的总线32。
在本实施例中使用了金的电解电镀，但当然也可以使用铜(Cu)、镍(Ni)等其他的电极材料。
在通过电镀形成总线32后，通过使抗蚀剂502剥离，如图10(g)所示，制成本实施例的薄膜电子源矩阵。
本实施例的特色在于，膜厚薄的上部电极11位于膜厚厚的总线32的下侧。
因此，即使不通过上部电极总线衬底膜，也可以高可靠性地确保上部电极总线32和上部电极11之间的电连接。
图10所示的制造方法是示例，不用说，图9所示的构造在上部电极总线32和列电极311的成膜中也可以不使用电镀来形成。
基板110上的荧光体等的形成方法、薄膜型电子源元件301和荧光体(114A～114C)的位置关系、以及驱动电路的连线方法或驱动方法与上述实施例1相同。
[实施例3]
图11是表示本发明实施例3的薄膜电子源矩阵的示意结构的图。
如图11所示，在本实施例中，将像素电阻305插入在行电极310和薄膜型电子源元件301之间。
更具体地说，在薄膜型电子源元件301的下部电极13和行电极310之间插入像素电阻305。
作为实现图11的像素结构的示例，图12、图13表示具体的像素构造。
图12是本实施例的薄膜电子源矩阵的平面图。
图13是表示本实施例的一薄膜型电子源元件301的主要部分剖面构造的剖面图，该图(a)是沿图12的A-B剖切线剖切的剖面图，而该图(b)是沿图12的C-D剖切线剖切的剖面图。
如图12所示，将行电极310和下部电极13之间用像素电阻305来连接。
像素电阻305被像素电阻绝缘层306覆盖，而行电极310被行电极绝缘层315覆盖。
在与薄膜型电子源元件(像素)301对应的部分上，由Al-Nd合金等来形成下部电极13。
然后，按与上述实施例1中说明的方法大致相同的方法来形成薄膜型电子源就可以。
从图12可知，在本实施例中，列电极311和上部电极总线32是相同的。
因此，容易精细地制作相邻列的间距。
在RGB纵带型的子像素(sub-pixel)结构的彩色显示装置中，由于列方向的子像素间距、即薄膜型电子源元件301的排列间距为行方向间距的1/3，所以可以使列方向间距精密是重要的，这是该像素构造的优点。
但是，与上述实施例1、2相比，有制造步骤少而复杂的缺点。
基板110上的荧光体等的形成方法、薄膜型电子源元件301和荧光体(114A～114C)的位置关系、以及驱动电路的连线方法或驱动方法与上述实施例1相同。
在上述说明中，论述了将像素电阻305连接到列电极311的例(图1)和连接到行电极310的例(图11)，但不用说，即使在列电极311和行电极310两者中都插入像素电阻305，也可以获得本发明的效果。
在上述各实施例中，说明了将像素电阻305连接所有的电子源元件301的实施形态，但在制造良品率不极端下降的范围内，有几个不连接像素电阻305的电子源元件301也可以。
以上，根据上述实施例具体地说明了本发明人的发明，但本发明并不限于此，不言而喻，在不脱离其主要精神的范围中能够进行各种变更。
如果简单地说明本申请展示的发明中可获得的代表性的效果，那么如下述。
根据本发明的图像显示装置，由于可以防止点缺陷引起的线缺陷，所以可以提高良品率。
根据本发明的图像显示装置，由于可以降低布线电阻的偏差或驱动电路的特性偏差对亮度或发射电流量方面的偏差的影响，所以容易制造，能够降低制造成本。