提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN200410062489.1	申请日：	2004.07.12
公开号：	CN1588627A	公开日：	2005.03.02
当前法律状态：	授权	有效性：	有权
法律详情：	授权\|\|\|实质审查的生效\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L21/306; H01L21/3213; H01L21/28	主分类号：	H01L21/306; H01L21/3213; H01L21/28
申请人：	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;
发明人：	唐果
地址：	100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼
优先权：
专利代理机构：	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人：	张爱群
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内容摘要

本发明公开了一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，由对硬掩模层进行刻蚀、去胶、对多晶硅进行主刻蚀、对栅极进行过刻蚀、微沟槽形成阶段等五个步骤构成。本发明在线条底部形成微沟槽，一定程度上降低了沟道宽度，控制了线条形貌，从而提高了器件的性能。

权利要求书

1.  一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于，依次采用步骤A、B、C、D和E构成：A.对硬掩模层进行刻蚀；B.通入O₂离子体去胶或是在独立的去胶腔室内去胶；C.对多晶硅进行主刻蚀；D.对栅极进行过刻蚀；E.形成微沟槽。

2.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤A中，刻蚀气体为40-60vt％的NF₃或SF₆、20-50vt％的Cl₂和10-20vt％的Ar。

3.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤B中，O₂离子体的流量为3000～4000sccm。

4.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤C中，刻蚀气体为10-30vt％的CHF₃、40-80vt％的Cl₂和10-30vt％的He/O₂混合气体，其中O₂占He/O₂混合气体的30vt％。

5.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤D中，所用气体组成：70-90vt％的HBr、0-10vt％的Cl₂和10-20vt％的He/O₂混合气体，其中O₂占He/O₂混合气体的30vt％。

6.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤E中，所用气体组成：50-80vt％的HBr和20-50vt％的He/O₂混合气体，其中O₂占He/O₂混合气体的30vt％。

7.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤A中，衬底偏压是是-100V至-200V，功率80W。

8.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤C中，衬底偏压功率为50～80W。

9.  根据权利要求8所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的步骤C中，衬底偏压功率为70W。

10.  根据权利要求1所述的提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于：所述的所述的步骤D中，衬底偏压功率是40～50W。

说明书

提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
技术领域
本发明涉及一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法。此方法还可在线条底部形成micronotch(微沟槽)，一定程度上降低了沟道宽度，控制了线条形貌，从而提高了器件的性能。
背景技术
目前，传统的栅极刻蚀工艺为了获得陡直的图形，往往避免在线条的刻蚀时出现底切、“鸟嘴”现象。但随着半导体器件的进一步缩小，现有的光刻能力渐渐不能适应日益减小的线条尺寸。因此挖掘工艺的潜力成为必须。
在0.3um特征尺寸的工艺成为主流的时候，就有人提出并实行“T”型工艺步骤。即通过增加工艺步骤和气体种类形成上宽下窄的栅极结构，这种方法可以有效地降低对光刻的要求，同时又减低了互连对准的难度。但是，这种方法对工艺条件的要求非常严格，需要严格地定义每一步骤的工艺时间以及各气体的配比关系，工艺窗口较小，不能适用于大规模的投产。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法。
本方法针对的栅极结构，从上到下依次包括：光刻好的光刻胶层，是有机含碳材料，约3000A-5000A；硬掩模层，400A-2000A；多晶硅层，1500A-5000A；栅氧化层，15A-100A；底层是硅衬底。
为实现上述目的，本发明依次采用步骤A、B、C、D和E构成(本发明的气体组分，均采用体积百分比)：
A.对硬掩模层进行刻蚀：在硬掩膜刻蚀(hardmask open)后去胶。刻蚀气体包括40-60％的NF₃或SF₆、20-50％的Cl₂和10-20％的Ar(都是体积比)。
对硬掩模的刻蚀，气体的主要组成为含F气体和Cl₂、Ar。刻蚀过程中F和Cl为反应物质，含F气体可采用NF₃或SF₆，减少聚合物的产生；在等离子体激发后，Ar⁺主要起到物理轰击的作用，以便打开硬掩模层牢固的分子键，加速反应的进行。本步刻蚀的衬底偏压是-100V至-200V，功率80W，这样才能保证较高的刻蚀速率。优选的，刻蚀气体包括40-60vt％的NF₃、20-50vt％的Cl₂和10-20vt％的Ar(都是体积比)。
由于在深亚微米工艺中高宽比(aspect ratio)进一步加大，因此如果在保留光刻胶的情况下继续刻蚀，那么高宽比的持续增长必然会引起严重的天线效应，导致栅绝缘层击穿，甚至器件失效。因此，本方法在hardmask open后即进行去胶。可通入大流量O₂等离子体去胶或是在独立的去胶腔室内去胶。
B.去胶：通入大流量(3000～4000sccm)O₂等离子体去胶或是在独立的去胶腔室内去胶。
由于在深亚微米工艺中高宽比(aspect ratio)进一步加大，因此如果在保留光刻胶的情况下继续刻蚀，那么高宽比的持续增长必然会引起严重的天线效应，导致栅绝缘层击穿，甚至器件失效。因此，本方法在hardmask open后即进行去胶。可通入大流量O₂等离子体去胶或是在独立的去胶腔室内去胶。
C.对多晶硅进行主刻蚀：刻蚀气体包括10-30vt％的CHF₃、40-80vt％的Cl₂和10-30vt％的He/O₂混合气体(O₂占He/O₂混合气体的30vt％)。
多晶硅刻蚀(主刻蚀)的衬底偏压是-100V至-200V，这样才能在侧壁上形成良好的钝化层。衬底偏压功率为50～80W，在70W有较好效果。
需要指出的是，如果多晶硅层的掺杂在整个晶圆上的分布不同的话，比如同一晶圆上既有N型掺杂又有P型掺杂，那么单纯在Cl₂这一种刻蚀剂的作用下刻蚀速率存在着很大的差异，很难保证刻蚀的均匀性。针对于这一点，含F气体对N型或P型的多晶硅刻蚀速率相近，掺入含F气体有助于刻蚀速率的均匀性。但由于F的刻蚀速率过高，容易导致过刻或侧壁侵蚀，本方法选用CHF₃，由于CHF₃在反应过程中会产生很多聚合物副产物，能够钝化侧壁，所以既保证了刻蚀速率的均匀性又不会影响侧壁的陡直。
D.栅极的过刻蚀阶段，所用地气体必须有良好的选择性(至少150∶1，相对于栅下绝缘层，也就是氧化层)。其中含有Br、Cl和O的气体具有良好的选择性；HBr与多晶硅的反应比氯慢得多，所以HBr的刻蚀容易控制轮廓。所用气体组成：70-90vt％的HBr、0-10vt％的Cl₂和10-20vt％的He/O₂混合气体(O₂占He/O₂混合气体的30vt％)。过刻蚀的偏压功率是40～50W。
E.微沟槽形成阶段，此时的气体O₂含量增大，同时衬底偏压应更小或为零。这样才能避免破坏薄氧化层，同时对栅线条底部刻蚀，所用气体可以由50-80vt％的HBr和20-50vt％的He/O₂混合气体(O₂占He/O₂混合气体的30vt％)。此阶段的选择比可达到200∶1或更高。可根据时间控制此步工艺中微沟槽的形成。
本发明的优点是：本方法的应用可以降低对光刻技术的进一步要求，同时保证了刻蚀轮廓的陡直以及整个晶圆的均匀性，提高了所做的半导体器件的性能。
图1为本发明的微沟槽结构示意图；
图2为本发明实施例1的结果剖面图。日立FE-SEM4700图像，加速电压1kV，放大倍数10万倍。
图中，1为栅极，2为微槽，3为栅绝缘层，4为衬底。
下面提供的实施例用于进一步阐述本发明，而不构成对本发明范围的限制。
1.材料
实施例所用及其它的气体由香港特气公司提供，纯度均大于99.999％。
2.设备
使用RAINBOW4420多晶硅刻蚀机进行处理。
实施例1～5如第4页的表1所示。
如图2所示，经过本发明的处理方法，在栅极1的底部形成微槽2，可提高所做的半导体器件的性能。
表1

步骤实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5硬掩模刻蚀 V为200sccm 60％NF₃30％Cl₂10％Ar P为100W V为200sccm 60％NF₃20％Cl₂20％Ar P为90W V为200sccm 40％NF₃40％Cl₂20％Ar P为100W V为200sccm 45％SF₆40％Cl₂15％Ar P为90W V为200sccm 40％SF₆50％Cl₂10％Ar P为100W去胶 O₂ 3500sccm P为0W O₂ 3500sccm P为0W O₂ 3500sccm P为0W O₂ 3500sccm P为0W O₂ 3500sccm P为0W多晶硅主刻蚀 V为200sccm 10％CHF₃80％Cl₂ 10％He/O₂ P为80W V为200sccm 30％CHF₃40％Cl₂ 30％He/O₂ P为50W V为200sccm 20％CHF₃65％Cl₂ 15％He/O₂ P为70W V为200sccm 15％CHF₃70％Cl₂ 15％He/O₂ P为70W V为200sccm 20％CHF₃60％Cl₂ 20％He/O₂ P为75W过刻蚀 V为150sccm 70％HBr 10％Cl₂ 20％He/O₂ P为50W V为150sccm 90％HBr 0％Cl₂ 10％He/O₂ P为50W V为150sccm 75％HBr 5％Cl₂ 20％He/O₂ P为40W V为150sccm 75％HBr 10％Cl₂ 15％He/O₂ P为50W V为150sccm 80％HBr 0％Cl₂ 20％He/O₂ P为40W微沟槽刻蚀 V为150sccm 80％HBr 20％He/O₂ P为40W V为150sccm 75％HBr 25％He/O₂ P为40W V为150sccm 50％HBr 50％He/O₂ P为50W V为150sccm 80％HBr 20％He/O₂ P为40W V为150sccm 60％HBr 40％He/O₂ P为50W

表中，V为气体总流量，P为衬底偏压功率。