介质谐振器材料八毫米波段测试专用谐振腔及测试方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200410026468.4

申请日:

2004.03.09

公开号:

CN1560959A

公开日:

2005.01.05

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2006.8.23|||授权|||实质审查的生效|||公开

IPC分类号:

H01P11/00; G01R31/12

主分类号:

H01P11/00; G01R31/12

申请人:

惠州学院;

发明人:

倪尔瑚

地址:

516001广东省惠州市西湖丰湖书院惠州学院电子信息系

优先权:

专利代理机构:

广州粤高专利代理有限公司

代理人:

罗晓林

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内容摘要

一种介质谐振器材料在八毫米波段的测试方法,以及为实施此法而设计的专用谐振腔。在谐振腔外有一只内径约为腔体1/4的TE01传播模波导,用以置入待测介质样品,并以全孔、同轴地与大尺寸TE01n模谐振腔耦合。本方法是在该腔外波导中置入终端短路、离耦合面的距离为s的介质样品;用调节s或测试频率,使该含样品腔外波导中所占的波长接近半波长的整数倍;测量它与谐振腔耦合时Q因子的降低,和在恒定频率下谐振长度的变化,或在恒定腔体长度下谐振频率的变化;按给出的腔外微扰数学关系式,用计算机迭代程序提取高介材料的复介电常数。

权利要求书

1、一种介质谐振器材料八毫米波段测试装置中的专用谐振腔,包括
TE01n模谐振腔,其特征是
大尺寸腔体的内径标称值是50mm,空腔有载Q因子高于100 000,
腔体的调谐活塞位置由粗调、细调装置调节,
在腔体圆筒下端调谐活塞工作区的侧壁上设置有开口。
2、根据权利要求1所述的专用谐振腔,其特征是在调谐活塞上同轴
地安放有一只可引入样品的腔外波导,该腔外波导与腔体以全孔直接耦
合,且该波导的内径为腔体内径的0.24~0.3倍,在空波导中的TE01模是
传播型。
3、根据权利要求1或2所述的专用谐振腔,其特征是借助腔体调谐
机构的粗调装置和侧壁上的开口,可顺畅地将腔外波导放进并推到腔体
工作区或从腔体中取出。
4、根据权利要求3所述的专用谐振腔,其特征是腔外波导中装有可
自由移动的、用于支撑介质样品和金属短路块的聚四氟乙烯短圆环;
当在波导中建立起介质样品前端面到耦合面的空气段长度为s、后端
面为短路状态时,实现微扰测量;
当短圆环只支撑金属短路块、并使其与耦合面处于同一平面时,则谐
振腔未耦合腔外波导,实现非微扰状态下的测量。
5、一种利用权利要求1所述的专用谐振腔在八毫米波段测试介质谐
振器材料的方法,其特征是该方法包括如下步骤:
1)谐振腔不耦合波导时的测量
在腔外波导中置入与其上端面同平面的金属短路块,用谐振腔调谐活
塞的粗调丝杆将其推进到腔体的工区,在恒定圆频率ω下,用调谐活塞的
细调丝杆调节谐振腔的长度,获得谐振后测得谐振长度L0和Q因子Q0,或

在恒定腔体长度L下,调节微波信号的频率,测得谐振频率ν0和Q因
子Q0
2)谐振腔耦合含样品波导时的测量
在谐振腔工作区的活塞上置入厚度为d的样品,样品前端面离耦合面
距离为s,样品后端面为短路的状态,在不耦合时的同样圆频率ω下,用
调节谐振腔的长度,使其在L0近旁再次谐振,测得谐振长度Li和Q因子Qi
或者
在不耦合时的腔体长度L下,测得新的谐振频率νi和Q因子Qi
上述测量需满足下面条件:L≈L0≈Li和ν≈ν0≈νi且ω=2πν,还必须使
腔外波导中的电长度接近半波长整倍数,不然则要调节样品前端面到耦合
面的距离s或测试频率后重新进行测量;
3)按下式用计算机迭代程序计算材料的相位常数β2和相对介电常数
εr′的近似值,即
( a b ) 2 ΔL - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 = ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L Δν ν 0 - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 = tan β 1 s / β 1 + tan β 2 d / β 2 1 - β 1 tan β 1 s tan β 2 d / β 2 ; - - - ( 14 ) , ( 23 ) ]]>
式中
β 1 = ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 ; - - - ( 3 ) ]]>
β 2 = ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 ; - - - ( 5 ) ]]>
Xm和Rm分别是谐振腔端面的电抗和电阻,有
X m = R m = πνμ 0 / σ m ; - - - ( 11 ) ]]>
ΔL=L0-Li;Δν=ν0i;σm是谐振腔端面的电导率;μ0是真空磁导率;c
是空气中的光速;λ0=c/ν,是微波信号的波长;L0=nλg/2,λg是谐振腔
的波导波长,n是正整数;a,b分别为谐振腔和波导的半径;
4)按下面方程求解材料的衰减常数α2
β 1 L 2 ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m β 1 ωμ 0 = k 1 α 2 2 + k 2 α 2 q 1 α 2 2 + q 2 α 2 + q 3 ; - - - ( 18 ) ]]>
式中
k 1 = 4 β 1 d ( 1 + tan 2 β 1 s ) · ( 2 β 2 d - sin 2 β 2 d ) , ]]>
k 2 = 2 β 1 ( 1 + tan 2 β 1 s ) · ( sin 2 β 2 d - 2 β 2 d ) , ]]>
q 1 = 4 β 1 2 d 2 tan 2 β 1 s ( 2 - cos 2 β 2 d ) - 8 β 1 d tan β 1 s ( 1 + β 2 d sin 2 β 2 d ) ]]>
+ 2 ( 1 + cos 2 β 2 d ) + 4 β 2 2 d 2 ( 2 + cos 2 β 2 d ) , ]]>
q 2 = 4 β 1 2 d tan 2 β 1 s ( cos 2 β 2 d - 1 ) + 8 β 1 β 2 d tan β 1 s sin 2 β 2 d - 4 β 2 2 d ( 1 + cos 2 β 2 d ) , ]]>
q 3 = 2 β 1 2 tan 2 β 1 s ( 1 - cos 2 β 2 d ) - 4 β 1 β 2 tan β 1 s sin 2 β 2 d + 2 β 2 2 ( 1 + cos 2 β 2 d ) - - - ( 8 ) ]]>
从而获得材料的相对介电常数εr′,损耗角正切tanδ和相对损耗因子εr″分别

ϵ r = β 2 2 + ( 3.832 / b ) 2 - α 2 2 ( ω / c ) 2 ; - - - ( 19 ) ]]>
tan δ = 2 α 2 β 2 ( ω / c ) 2 ω r ; - - - ( 20 ) ]]>

          εr″=2α2β2/(ω/c)2。    (21)
5)或者用复数迭代程序按下式直接提取材料的复介电常数εr=εr′-jεr
[ ( a b ) 2 ΔL - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 ] - j [ L 0 2 ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m ωμ 0 ] ]]>
= [ ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L Δν ν 0 - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 ] - j [ L 2 ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m ωμ 0 ] ]]>
= tan β 1 s / β 1 + tanh γ 2 d / γ 2 1 - β 1 tan β 1 s tanh γ 2 d / γ 2 ; - - - ( 24 ) ]]>
式中, j = - 1 ; ]]>
γ 2 = α 2 + 2 = ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ( ϵ r - r ) . - - - ( 4 ) ]]>

说明书

介质谐振器材料八毫米波段测试专用谐振腔及测试方法

技术领域

本发明涉及一种介质谐振器材料的测试专用谐振腔及利用该谐振腔
的测试方法,尤其是指一种介质谐振器材料在八毫米波段的测试专用谐振
腔及利用该谐振腔的测试方法。

背景技术

在微波频段,介质谐振器材料的电学参数是设计介质元器件必不可缺
的数据,是研制相应材料和介质元器件的基础。对于高介电常数、低损耗
的介质谐振器材料,在微波频段国内外普遍采用TE011模介质谐振腔法,但
对材料研制过程中出现损耗较大的样品、以及当频率上升到毫米波段时,
该测量方法则难以实施。2003年Nakayama等采用不辐射的介质波导激励
介质谐振腔,使其运行在TE0m1模下,得出了单晶兰宝石、多晶Ba(Mg1/2W1/2)O3
和Mg2Al4Si5O18(堇青石)在5mm波段(60GHz和77GHz)的测量结果,但对
于目前国际上军事及通信、电子技术开发的重点频段八毫米波段
(26.5-40GHz),即在毫米波频率的低端,还未见报导。

发明内容

本发明的目的是提供属于高介电常数,中、低损耗微波介质材料的相
对复介电常数εr=ε′r-jε″r=ε′r(1-jtanδ)测量用的专用谐振腔,以及在八毫
米波段各点频下使用该谐振腔的测试方法。

根据上述目的设计了一种介质谐振器材料八毫米波段测试装置中的
专用谐振腔,包括TE01n模谐振腔,其大尺寸腔体的内径是50mm(标称值),
空腔有载Q因子高于100 000,具有接近TE01n单模的特性;其腔体的调谐
活塞具有双丝杆粗、细调节功能,即活塞的位置由粗调及细调装置调整,
腔体圆筒下端、即调谐活塞工作区的侧壁有一开口处。此外,一只可引入
样品的腔外波导同轴地安放在调谐活塞上,与腔体以全孔直接耦合,该波
导的内径为腔体内径的0.24~0.3倍,在空波导中的TE01模是传播型。利
用腔体调谐机构的粗调装置和侧面开口处,不需拆开腔体,就能将腔外
波导放进并推进到腔体的工作区或从腔体中取出。该腔外波导中装有可自
由移动的、用于支撑介质样品和金属短路块的聚四氟乙烯短圆环,当在波
导中建立起介质样品前端面到耦合面的空气段长度为s、后端面为短路的
状态时,可实现微扰测量;而当短圆环只支撑金属短路块、并使其与耦合
面处于同一平面时,则谐振腔没有耦合腔外波导,可实现非微扰状态下的
测量。

为利用前述的专用谐振腔在八毫米波段测试介质谐振器材料的方法
包括如下步骤:

(1)谐振腔不耦合波导时的测量

在腔外波导中置入与其上端面同平面的金属短路块,用谐振腔调谐活
塞的粗调丝杆将其推进到腔体的工区,在恒定圆频率ω下,用调谐活塞的
细调丝杆调节谐振腔的长度,获得谐振后测得谐振长度L0和Q因子Q0,或
者在恒定腔体长度L下,调节微波信号的频率,测得谐振频率ν0和Q因子
Q0

(2)谐振腔耦合含样品波导时的测量

在谐振腔工作区的活塞上置入厚度为d的样品,样品前端面离耦合面
距离为s,样品后端面为短路的状态,在不耦合时的同样圆频率ω下,用
调节谐振腔的长度,使其在L0近旁再次谐振,测得谐振长度Li和Q因子Qi
或者在不耦合时的腔体长度L下,测得新的谐振频率νi和Q因子Qi

上述测量需满足下面条件:L≈L0≈Li和ν≈ν0≈νi且ω=2πν,还必须使
腔外波导中的电长度接近半波长整倍数,不然则要调节样品前端面到耦合
面的距离s或测试频率后重新进行测量;

(3)用计算机迭代程序计算材料的相位常数β2和相对介电常数ε′r
近似值;

(4)求解材料的衰减常数α2,从而获得材料的相对介电常数ε′r,损
耗角正切tanδ和相对损耗因子ε″r

(5)或者用复数迭代程序直接提取材料的相对复介电常数
εr=ε′r-jε″r

本发明提供了一种易于推广的测试方法以及为实施本方法而设计的
专用谐振腔,来实现高介材料的介电常数ε′r和损耗tanδ或ε″r在八毫米波段
的测量。本方法基于腔外微扰原理,借助一只可引入介质样品、内径约为
腔体1/4的TE01传播模波导,以全孔、同轴地与大尺寸TE01n模谐振腔耦合,
即在腔外波导中置入离耦合面的距离为s、其终端为任意电抗状态的介质
样品,用调节s或测试频率,使该含样品腔外波导中所占的波长接近半波
长整数倍;测量它与谐振腔耦合时Q因子的降低和在恒定频率下谐振长度
的变化,或在恒定腔体长度下谐振频率的变化,再将含样品腔外波导耦合
端面处的输入阻抗与上述被测量联系起来,按给出的腔外微扰数学关系
式,用计算机迭代程序提取高介材料的复介电常数。只要合理设计腔体与
波导的耦合,以及合理安排波导中的介质样品,使其满足微扰条件:即由
于腔外含样品波导的耦合所引起空腔场的变化达到可以忽略、而又能够精
确测量的程度,就能得到可靠的材料参数。但本发明只限于介质样品终端
电抗为零,即短路终端的情况。

附图说明

附图1是本发明设计的腔外波导中含终端短路介质样品的示意图;附
图2是本发明的谐振腔以全孔、同轴耦合(含任意电抗终端样品)腔外波
导的示意图;附图3是附图1中部分的局部放大示意图。

具体实施方案

参照附图。图1、2描述了本发明所设计的专用谐振腔,实为TE01n
谐振腔8的一种变体。该谐振腔以内径50mm(标称值)、长度约200mm的
螺旋管(或分段铜管)为侧壁、改进的Bleaney耦合器7(用于微波信号
的馈入和输出)为顶盖、调谐活塞9为下端面构成。该腔体在八毫米波段
具有大尺寸、高Q因子(空腔有载Q因子大于100 000)和接近TE01n单模
的特性。本腔体的调谐活塞具有双丝杆粗、细调节功能;粗调行程大于
60mm,一圈为2.5mm;细调行程25mm,一圈为0.5mm,精度不低于
0.001mm。调谐活塞工作区的腔体圆筒侧壁有一开口处。变体谐振腔的主
要特点在于:一只可引入样品的腔外波导1同轴地安放在调谐活塞上,该
波导的内径约为腔体1/4,与腔体以全孔直接耦合;借用腔体调谐装置的
粗调机构和下端侧壁的开口处,不需拆开腔体,就能放进与取出该腔外
波导。

腔外波导的长度为20~30mm,内径为腔体内径的0.24~0.3倍,当腔
体内径取50mm时,腔外波导的内径为12~15mm。该波导中装有可自由移
动的聚四氟乙烯短圆环4(高2~3mm),支撑着介质样品2和/或金属短
路块3,以建立介质样品在波导中不同的前端空气长度s和短路的终端状
态。这时,含样品的腔外波导与谐振腔处于全孔、同轴耦合状态。当腔外
波导中的电长度接近半波长整倍数时,耦合较弱,用于微扰测试状态。而
当短圆环只支撑金属短路块、并使其与耦合面处于同一平面时,则谐振腔
没有耦合腔外波导,用于非微扰测试状态。

用于激励谐振腔的微波信号可以采用稳频的点频信号源、锁相信号源
或合成信号源;谐振探测-指示系统可以用纳瓦功率计或具有相似灵敏度
与动态范围的检波-放大装置。当然也可以采用微波网络分析仪作为腔体
的激励和接收系统。另外,图中标号5代表微波激励信号,标号6代表谐
振探测信号。

下面对本发明的测试方法作原理性说明。

如图1所示的样品终端短路情况下,根据传输线理论,当忽略波导本
身损耗时,可得含介质腔外波导耦合面处的归一化输入阻抗为:

Z ( 0 ) Z 1 = j tan β 1 s + β 1 tanh γ 2 d / γ 2 1 - β 1 tan β 1 s tanh γ 2 / γ 2 ; - - - - ( 1 ) ]]>

式中

Z1=ωμ01;                                           (2)

β 1 = ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 ; - - - - - - ( 3 ) ]]>

γ 2 = α 2 + j β 2 = ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ( ϵ r - j ϵ r ) . - - - - - ( 4 ) ]]>

当上式中相对复介电常数的虚部,即相对损耗因子ε″r≈0时,有

β 2 = ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 . - - - - ( 5 ) ]]>

这样,对于中、低损耗介质,式(1)的电抗分量是

X ( 0 ) Z 1 = tan β 1 s + β 1 tan β 1 tan β 2 d / β 2 1 - β 1 tan β 1 s tan β 2 d / β 2 ; - - - ( 6 ) ]]>

其电阻分量可表示为:

R ( 0 ) Z 1 = k 1 α 2 2 + k 2 α 2 q 1 α 2 2 + q 2 α 2 + q 3 ; - - - - - ( 7 ) ]]>

式中

k 1 = 4 β 1 d ( 1 + tan 2 β 1 s ) · ( 2 β 2 d - sin 2 β 2 d ) , ]]>

k 2 = 2 β 1 ( 1 + tan 2 β 1 s ) · ( sin 2 β 2 d - 2 β 2 d ) , ]]>

q 1 = 4 β 1 2 d 2 tan 2 β 1 s ( 2 - cos 2 β 2 d ) - 8 β 1 d tan β 1 s ( 1 + β 2 d sin 2 β 2 d ) ]]>

+ 2 ( 1 + cos 2 β 2 d ) + 4 β 2 2 d 2 ( 2 + cos 2 β 2 d ) , ]]>

q 2 = 4 β 1 2 d tan 2 β 1 s ( cos 2 β 2 d - 1 ) + 8 β 1 β 2 d tan β 1 s sin 2 β 2 d - 4 β 2 2 d ( 1 + cos 2 β 2 d ) , ]]>

q 3 = 2 β 1 2 tan 2 β 1 s ( 1 - cos 2 β 2 d ) - 4 β 1 β 2 tan β 1 s sin 2 β 2 d + 2 β 2 2 ( 1 + cos 2 β 2 d ) . - - - ( 8 ) ]]>

对于电抗分量的测量,如图2所示,系统谐振时,有

         Z0tan[β0(L0-ΔL)]+ZR=0;                        (9)
式中


X m = R m = πνμ 0 / σ m ; - - - - ( 11 ) ]]>

ΔL=L0-Li,是耦合前后谐振长度之差;L0=nλg/2,λg是谐振腔的波导波
长,n是正整数;σm是谐振腔端面的电导率;μ0是真空磁导率;Z0=ωμ00
是谐振腔的波阻抗;ν是频率;ω=2πν;A=πb2,是腔外波导的截面积;c
是空气中的光速。

从式中(9)和式(10),我们得到

X ( 0 ) Z 1 = Z 0 Z 1 πa 2 A tan β 0 ΔL - X m Z 1 πa 2 - A A - - - - ( 12 ) ]]>

πa 2 A β 1 ΔL - X m β 1 ωμ 0 πa 2 - A A . - - - - - ( 13 ) ]]>

联合式(6)和式(13),考虑到A=πb2后,获得

( a b ) 2 ΔL - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 = tan β 1 s / β 1 + tan β 2 d / β 2 1 - β 1 tan β 1 s tan β 2 d / β 2 . - - - - - ( 14 ) ]]>

当满足腔外微扰条件时,上式可从测量值ΔL,按迭代法求解介质样品的相
位常数β2

对于电阻分量的测量,因有不耦合情况下的Q0和耦合情况下的Qi
别为:

Q 0 = ( λ g λ 0 ) 2 L 0 2 L 0 R m a ωμ 0 ( λ g λ c ) 2 + 4 R m ωμ 0 , - - - - ( 15 ) ]]>


Q i = ( λ g λ 0 ) 2 L 0 - ΔL 2 ( L 0 - ΔL ) R m a ωμ 0 ( λ g λ c ) 2 + 4 R m ωμ 0 - 2 R m ωμ 0 A πa 2 + 2 R ( 0 ) ωμ 0 A πa 2 . - - - - ( 16 ) ]]>

考虑到L0-ΔL≈L0,从上面两式可得

R ( 0 ) = ωμ 0 L 0 2 ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m ; - - - - ( 17 ) ]]>

式中,λ0是谐振腔的截止波长;λ0=c/ν,是微波信号波长;Rm和R′m分别
是谐振腔端面和侧壁的电阻。

联合式(7)和式(17),得到

β 1 L 2 ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m β 1 ωμ 0 = k 1 α 2 2 + k 2 α 2 q 1 α 2 2 + q 2 α 2 + q 3 . - - - - - ( 18 ) ]]>

这样从测量不耦合与耦合情况下谐振腔的Q因子Q0和Qi,以及从式
(14)获得的β2,按式(18)和式(8),就可计算出介质样品的衰减常数α2
材料的相对介数电常数ε′r可从式(4)平方的实部获得,即

ϵ r = β 2 2 + ( 3.832 / b ) 2 - α 2 2 ( ω / c ) 2 . - - - - ( 19 ) ]]>

而损耗角正切tanδ和相对复介数电常数的虚部ε″r分别为

tan δ = 2 α 2 β 2 ( ω / c ) 2 ϵ r - - - - ( 20 ) ]]>


ε″r=2α2β2/(ω/c)2。                      (21)

当本发明的专用谐振腔采用微波合成信号源或锁相源作激励信号,
以及该谐振腔与微波网络分析仪联合使用时,除采用腔体长度调谐测量
法外,常采用频率调谐测量法,即在恒定谐振腔长度L下,用测量谐振腔
耦合波导后的谐振频率变化(Δν=ν0i)来替代在恒定频率ω下的谐振长
度变化(ΔL=L0-Li)。这时式(9)变成

Z 0 tan ( - ωLλ g c 2 Δν ) + Z R = 0 ; - - - - ( 22 ) ]]>

电抗分量的计算公式,式(14)变为

( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L Δν ν 0 - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 = tan β 1 s / β 1 + tan β 2 d / β 2 1 - β 1 tan β 1 s tan β 2 d / β 2 ; - - - ( 23 ) ]]>

而电阻分量的计算公式不变。

此外,也可以用测量值按复数迭代程序进行复数εr=ε′r-jε″r的直接计
算,这时从式(1),式(14),式(17)和式(23)得到

[ ( a b ) 2 ΔL - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 ] - j [ ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L 0 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m ωμ 0 ] ]]>

= [ ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L Δν ν 0 - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 ] - j [ ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m ωμ 0 ] ]]>

= tan β 1 s / β 1 + tanh γ 2 d / γ 2 1 - β 1 tan β 1 s tanh γ 2 d / γ 2 . - - - ( 24 ) ]]>

本发明的测量步骤

(一)长度调谐测量法

(1)谐振腔不耦合波导时的测量

在稳频的某固定频率ω下,在波导中放入金属短路块,使其与波导上
端面位于同一平面;再将该波导放在谐振腔的调谐活塞上,用粗调装置将
其推进到谐振腔工作区,记下粗调读数的位置M;利用细调装置调节腔
体长度,使其谐振,记下细调读数L0和测得的Q因子Q0

(2)谐振腔耦合含样品波导时的测量

从谐振腔中取出波导,装入如图1所示的样品安排,即样品终端短
路、前端空气段长度为s的状态,像不耦合波导时的情况下一样,将其推
入到谐振腔工作区,并使粗调位置的读数精确恢复到M;用细调装置调节
腔体长度,再次使其谐振,记下细调测微器读数Li和测得的Q因子Qi

当满足tanβ1s/β1≈-tanβ2d/β2时,即ΔL=L0-Li=±(0~5)×10-6m,这时
腔外含样品波导所含的波长数接近n个半波长,耦合面处的电场处于波节
附近,耦合较弱;耦合前后的电场基本不变,这样即满足了腔外微扰条件,
又有足够的测试灵敏度与精确度,能获得可靠的测量结果。如果上述条件
没有满足,则可在改变距离s下,重新测量Li和Qi。当β2d≈(2n+1)π/2
时,即式(14)、式(23)中的分母不能用调节s达到|β1tanβ1stanβ2d/β2|<<1
的情况下,则需稍微改变测试频率,重新进行上述测量。

(3)计算

在恒定频率ω下,用上述步骤(1)、(2)测量获得的ΔL(=L0-Li),按式
(14)以迭代程序用计算机获得β2;从测得的Q0,Qi按式(18)和式(8)求
出α2;再从式(19)、式(20)和式(21)分别得到ε′r,tanδ和ε″r

对于低损耗介质,当考虑到式(5)和式(3)后,也可从下式用计算机迭
代程序直接提取ε′r[见式(14)],有

( a b ) 2 ΔL - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 = ]]>

= tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 + tan [ ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 · d ] ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 1 - ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] tan [ ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 · d . - - - ( 25 ) ]]>

再从β2,Qi和Q0按式(18)和式(8)求解α2;最后从式(20)和式(21)获得tanδ
和ε″r

也可以从测得的ΔL,Q0,Qi直接按下式用复数迭代程序获得
εr=ε′r-jε″r[见式(24)、式(3)和式(4)],即

[ ( a b ) 2 ΔL - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 ] - j [ L 0 2 ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 ( 1 Q I - 1 Q 0 ) + R m ωμ 0 ] = ]]>

tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 + tanh [ ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r · d ] ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r 1 - ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] · tanh [ ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r · d ] . - - - - ( 26 ) ]]>

上面两式中的Xm,Rm按式(11)计算,其中端面电导率σm取国际标准退火铜
σ0=5.8×107s/m的80%-90%,视加工情况由测量决定。

(二)频率调谐测量法

(1)谐振腔不耦合波导时的测量

在某锁定(利用锁相环)频率ν0的微波信号激励下(也可以用合成
信号源),在波导中置入与其耦合面同平面的金属短路块,将该波导放在
谐振腔的调谐活塞上,用粗调装置推进到谐振腔工作区。这时,粗调装置
的读数为M;利用细调装置调节腔体到谐振,这时细调读数是L;用变频
率法(在锁定区间内微变)测得的Q因子是Q0

如果与网络分析仪联合使用时,则观察到的是谐振曲线,从谐振曲线
读出谐振频率ν0并测得Q0值。

(2)谐振腔耦合含样品波导的测量

在谐振腔工作区活塞上置入如图1的所示的含样品波导,并使粗调读
数M和细调读数L保持与不耦合波导时的情况精确一致,调节锁相信号源
(或合成信号源)的频率,使其在新的频率νi下再次谐振,并测出Qi值。

当使用微波网络分析仪作为信号源和谐振探测系统时,则可直接从谐
振曲线获得νi和Qi

(3)计算

在恒定长度L下,用上述步骤(1)、(2)测量获得的Δν(=ν0i),按式
(23)以计算机迭代程序获得β2;从测得的Q0,Qi按式(18)和式(8)求
出α2;再从式(19)、式(20)和式(21)分别得到ε′r,tanδ和ε″r

当用(λg0)2L·Δν/ν0替代式(25)左边的ΔL时,也可以对低损耗材料
的ε′r进行直接计算[见式(23)],有

( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L Δν ν 0 - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 = ]]>

= tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 + tan [ ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 · d ] ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 1 - ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] tan [ ( ω c ) 2 ϵ r - ( 3.832 b ) 2 · d . - - - ( 27 ) ]]>

从测得的Δν,Q0,Qi用复数迭代程序直接获得εr=ε′r-jε″r的计算公式
[见式(24)和式(26)]是:

[ ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L Δν ν 0 - X m ωμ 0 a 2 - b 2 b 2 ] - j [ ( a b ) 2 ( λ g λ 0 ) 2 L 2 ( 1 Q i - 1 Q 0 ) + R m ωμ 0 ] = ]]>

= tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 + tanh [ ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r · d ] ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r 1 - ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r tan [ ( ω c ) 2 - ( 3.832 b ) 2 · s ] · tanh [ ( 3.832 b ) 2 - ( ω c ) 2 ϵ r · d ] . - - - - ( 28 ) ]]>

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一种介质谐振器材料在八毫米波段的测试方法,以及为实施此法而设计的专用谐振腔。在谐振腔外有一只内径约为腔体1/4的TE01传播模波导,用以置入待测介质样品,并以全孔、同轴地与大尺寸TE01n模谐振腔耦合。本方法是在该腔外波导中置入终端短路、离耦合面的距离为s的介质样品;用调节s或测试频率,使该含样品腔外波导中所占的波长接近半波长的整数倍;测量它与谐振腔耦合时Q因子的降低,和在恒定频率下谐振长度的变化。

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