双面覆晶薄膜 【技术领域】
本发明有关一种双面覆晶薄膜(Chip On Film，简称COF)，且特别是有关一种可增加弯折次数的双面覆晶薄膜。
背景技术
最早的封装技术是利用引线键合封装，即利用印刷电路板(PrintedCircuit Board，简称PCB)，然而其缺点是成本高与体积大，因此近年来随着便携式电子通讯及信息产品的兴起，以及半导体的高密度IC封装需求，使得利用软板封装技术成为目前封装技术的一大主流，例如将软板作为承载晶片的载板的晶片级尺寸封装(Chip Scale Package，简称CSP)或是应用在移动电话及个人数字处理器(PDA)。而软板封装技术先有载带自动焊(TapeAutomatic Bonding，简称TAB)技术，之后又发展了覆晶玻璃(Chip on Glass，简称COG)技术，但是其体积无法缩小，以及玻璃阻抗高无法承载无源元件等缺点。
因此，新一代的封装技术-覆晶薄膜封装技术呼之即出，此一技术除了具有连接面板的功能，又可承载有源无源元件。所谓的覆晶薄膜是一种将芯片倒装焊(Flip Chip Bonding)在柔性电路板(Flexible Printed Circuitboard，简称FPC)基材上的技术。也就是可将驱动IC及其电子零件直接安放于薄膜(Film)上，省去传统的印刷电路板，而达到更轻薄短小的目的。
目前为了配合日益复杂且密集的线路，又发展出一种双面覆晶薄膜，其结构如图1所示。
图1是现有一种双面覆晶薄膜的立体示意图，请参考图1，现有的双面覆晶薄膜100是由一可挠性基材102、位于基材102正面与背面的两铜箔104、位于基材102正面与铜箔104电相连的芯片(Die)106以及覆盖于铜箔104上的覆盖层(Cover layer)108所组成。双面覆晶薄膜100由于增加基材102背面的铜箔104作为线路的一部分，所以能应付日益复杂且密集的线路设计，使产品能朝小型化发展。
然而，由于这种双面覆晶薄膜的厚度较一般单面地覆晶薄膜厚度厚，所以其弹性较单面的覆晶薄膜大，而造成组装不易。而且，因为厚度较厚，所以会使弯折次数降低，进而使可靠性变差。
【发明内容】
因此，本发明的目的就是在于提供一种双面覆晶薄膜，可降低其厚度，而使弹性变小，进而增进组装的容易度。
本发明的再一目的是提供一种双面覆晶薄膜，以增加其弯折次数及其弯折容易度，进而使可靠性提高。
本发明提出一种双面薄膜芯片，包括一可挠性基材、位于基材正面与背面的两导体薄膜以及覆盖于导体薄膜上的覆盖层所组成。而且，双面覆晶薄膜具有一弯折区，此一弯折区是可挠性基材弯折时的弯曲区域，且导体薄膜与覆盖层并不会存在于弯折区的基材的背面。
于本发明的实施方式中，导体薄膜例如是铜箔，且覆盖层可配置于暴露出的基材背面。
本发明因利用弯折区的基材背面是用无导体薄膜与覆盖层的设计，因此可使弹性变小，进而增进组装的容易度，并且增加其弯折次数及其弯折容易度，而提高可靠性。
【附图说明】
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下，其中：
图1是现有一种双面覆晶薄膜的立体示意图；
图2A是依照本发明一优选实施例的一种双面覆晶薄膜的上视示意图；以及
图2B是图2A的II-II′剖面示意图。
附图中的附图标记说明如下：
100，200：双面覆晶薄膜
102，202：基材
104：铜箔
106，206：芯片
108，208a，208b：覆盖层
204a，204b：导体薄膜
210：弯折区
【具体实施方式】
本发明的双面覆晶薄膜可应用于各种半导体元件或产品上，或是应用在移动电话及个人数字处理器(PDA)上，主要是配合其中的液晶显示器(LCD)的模块封装技术。而本发明的优选实施例的双面覆晶薄膜如图2A与图2B所示。
图2A是依照本发明一优选实施例的一种双面覆晶薄膜的上视示意图，图2B则是图2A的II-II′剖面示意图，请参照图2A与图2B，本发明的双面覆晶薄膜200所采用的基材202是一种可挠性基材，其材料可选自于聚酰亚胺(Polyimide，PI)、特氟隆(Teflon)、聚酰胺(Polyamide)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、聚酯(Polyester)、聚酰亚胺-聚乙烯对苯二甲酯共聚合物(Polyamide polyethylene-terephthalatecopolymer)及上述任意二物质形成的混合物所组成的组中的任一种。而且，双面覆晶薄膜200具有一弯折区210，此一弯折区210是可挠性基材202弯折时的弯曲区域。
请继续参照图2A与图2B，本发明的双面覆晶薄膜200还包括位于基材202的正面与背面的两导体薄膜204a与204b以及分别覆盖于导体薄膜204a与204b上的两覆盖层(Cover layer)208a与208b，而且导体薄膜204b并不会存在于弯折区210的基材202背面，以使双面覆晶薄膜200的弯折区210厚度大幅降低。再者，可于此种双面覆晶薄膜200的基材202正面装置芯片(Die)206等。此外，虽然于图2A中未显示导体薄膜204a或204b，但是本领域技术人员应可轻易了解本发明所描述的导体薄膜204a与204b都是一种经由光刻工艺所制作出来的繁杂线路，而这种被覆盖层208保护住的线路可与芯片206上的接点电相连。
另外，于本实施方式中的导体薄膜204a与204b的材料可选自由金、镍、铜、钯、铂、钨、镍-金、钯-镍、钛-钯-金、钛-铂-金、铬-镍-金、钛-钨-金及其组合的其中之一，优选的导体薄膜204a与204b为铜箔(Copper Foil)，其材料例如是滚轧退火铜(Rolled Annealed Copper，简称RA铜)或是电沉积铜(Electro-deposited Copper，简称ED铜)，前述两者因制造原理不同而产生不同特性，其中因为滚轧退火铜较不易破裂，所以优选的铜箔材料以滚轧退火铜为主。此外，无接着剂铜箔积层板也可以是导体薄膜204a与204b的种类之一，其具有提高电气及热性质可靠度的优点。而覆盖层208a与208b的材料则可选自一环氧系与压克力系树脂其中之一或是感光型材料。此外，当导体薄膜204a与204b为铜箔时，因为覆盖层208b远比铜箔薄，所以本发明的双面覆晶薄膜中覆盖导体薄膜204b的覆盖层208b还可以将暴露出的基材202背面203一并覆盖住。
综上所述，本发明的特点就是采用弯折区的基材背面是用无导体薄膜与覆盖层的设计，因此可使弹性变小，进而增进组装的容易度，并且增加其弯折次数及其弯折容易度，而提高可靠性。
虽然本发明已以一优选实施例公开如上，但是其并非用以限定本发明，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以所附的权利要求所确定的为准。