用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜 形成薄膜晶体管的方法 【技术领域】
本发明涉及形成多晶硅的掩膜及利用该掩膜制造薄膜晶体管的方法，更具体地，涉及用于将非晶硅结晶成多晶硅的掩膜。
背景技术
通常，液晶显示器包括具有电极的两个面板，以及介于两个面板间的液晶层。这两个面板通过密封材料彼此进行密封，同时通过隔板彼此分隔开。将电压施于电极以便将液晶层中的液晶分子进行重新取向，从而控制光透射。在两个面板之一上设置薄膜晶体管，以控制传送给电极的信号。
在最普通地薄膜晶体管中，使用非晶硅形成半导体层。以非晶硅为基本成分的薄膜晶体管具有约0.5-1cm2/Vsec的电流迁移率。这种薄膜晶体管可以作为用于液晶显示器的开关电路使用。然而，因为薄膜晶体管具有低的电流迁移率，不适于在液晶面板上直接形成驱动电路。
为了克服这类问题，开发了电流迁移率为约20-150cm2/Vsec的多晶硅作为半导体层使用的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器。多晶硅薄膜晶体管具有较高的电流迁移率，所以可以制造在液晶面板内安装驱动电路的芯片内置玻璃。
为了形成多晶硅薄膜晶体管，建议采用高温下在基片上直接沉积多晶硅的技术、在基片上沉积非晶硅层且在约600℃下结晶沉积的多晶硅层的技术、或沉积非晶硅层且用激光热处理该沉积的非晶硅层的技术。然而，这些技术需要高温处理，因此很难在液晶面板的玻璃基片上适用。此外，由于不均匀地生成结晶颗粒系统，降低了薄膜晶体管之间相关电特性的均匀性。
为了解决这些问题，开发了可以人为调节结晶颗粒系统分布的连续横向凝固(或结晶)工序。这是利用了多晶硅颗粒在照明激光的液相区域和未照明激光的固相区域边界上对于其边界面垂直方向生长的事实。这时，激光束通过掩膜的狭缝图案透射区域，且完全熔化非晶硅，从而在非晶硅层上形成狭缝形状的液相区域。接着，将该液相非晶硅进行结晶同时被冷却，结晶从未照明激光的固相区域的边界对于其边界面垂直方向生长，颗粒的生长在液相区域中央相遇时就停止了。沿着颗粒生长方向移动掩膜狭缝，反复进行这种工序，连续横向结晶可以通过整个目标区域进行。
然而，当狭缝宽度很宽时，从狭缝边界面生长的结晶颗粒不能生长到狭缝的中央，狭缝的中央部分根据均匀的核化作用可以形成小粒子。为了解决这种问题，可以将狭缝图案分成两个不同区域，以便排列在两个不同区域的狭缝图案彼此偏离，从而制成所需要的结晶。
然而，虽然使用了这种技术，但结晶颗粒的大小不能超过狭缝图案的大小，因此，调节结晶颗粒的大小有一定局限性。
【发明内容】
本发明的目的，是提供一种用于制造薄膜晶体管的多晶硅型掩膜，可以适当方式控制多晶硅层的晶粒大小。
这种以及其它目的可以通过多晶硅型掩膜实现，该掩膜具有多个用于限定要照明激光束的透射区域的狭缝图案。这些狭缝图案的宽度沿预定方向顺次减小或增大。
狭缝图案至少分成两个以上不同区域进行排列，在每个区域中狭缝图案以相同宽度形成。在不同区域中按预定方向排列的狭缝图案位于同一中心线上。在每个区域中按预定方向排列的狭缝图案的宽度对于最小的狭缝图案的宽度具有倍数关系。
在利用这种掩膜制造薄膜晶体管的方法中，对于多晶硅层进行连续横向结晶工序，同时沿预定方向将掩膜移动各自狭缝图案区域宽度。
【附图说明】
本发明的更全面的评价，及其许多附带的优点，通过参照下列详细描述变得更易于理解，从而变得显而易见，且结合附图进行详细描述，在附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中：
图1示出了通过照明激光将非晶硅结晶成多晶硅的连续结晶工序；
图2示出了通过连续横向结晶工序将非晶硅结晶成多晶硅的过程中的多晶硅微观结构；
图3示出了将根据本发明优选实施例的用于将非晶硅结晶成多晶硅的多晶硅型掩膜结构平面图；
图4A至图4D示出了当利用根据如图3所示的多晶硅掩膜进行连续横向结晶工序时，非晶硅结晶成多晶硅的过程中的多晶硅微观结构；
图5是根据本发明优选实施例的多晶硅薄膜晶体管的截面图；以及
图6A至图6E顺次示出了制造如图4所示的多晶硅薄膜晶体管的步骤。
【具体实施方式】
将参照附图说明本发明的优选实施例。
图1示出了通过照明激光将非晶硅结晶成多晶硅的连续横向结晶工序，而图2示出了通过连续横向结晶工序将非晶硅结晶成多晶硅的过程中的多晶硅微观结构。
如图1所示，在绝缘基片上形成非晶硅层200，并在非晶硅层200上通过具有狭缝图案的光透射区域310的掩膜300进行激光束照明。以局部方式将非晶硅层200完全熔化，而液相区域210在对应于掩膜300的光透射区域310的非晶硅层200上形成。这时，多晶硅颗粒在照明激光的液相区域210和未照明激光的固相区域220的边界中，对于其边界面垂直方向生长颗粒的生长在液相区域中央相遇时就停止。若沿着颗粒生长方向移动掩膜的狭缝图案，同时照明激光束，连续进行横向颗粒的生长，以便能够确定所需要的晶粒大小。
图2示出了当沿水平方向利用具有狭缝图案的掩膜进行连续横向结晶工序时的多晶硅颗粒结构。图中可看出颗粒垂直于狭缝图案生长。
本发明的优选实施例中，为了使颗粒大小在水平或垂直方向充分生长，在水平或垂直方向逐渐增加或减少狭缝图案的宽度。
图3示出了用于将非晶硅结晶成多晶硅的多晶硅型掩膜平面图。
如图3所示，掩膜100包括：第一狭缝区域101，在此多个水平狭缝图案11沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域102，在此多个水平狭缝图案12沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域103，在此多个水平狭缝图案13沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域104，在此多个水平狭缝图案14沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域101至104的狭缝图案11至14的宽度沿着垂直方向顺次以第一狭缝区域101的狭缝图案11宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域101至104的狭缝图案11至14的中心位于同一线上。沿着垂直方向在各自狭缝区域101至104排列的狭缝图案11至14以8*d间距彼此隔开。
可选地，第一至第四狭缝区域101至104可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。当然，也可以将狭缝区域的数目增加以具有4d以上宽度的狭缝图案，或者将狭缝区域的数目减少以具有4d以下宽度的狭缝图案。在这种情况下，在每个狭缝区域中狭缝图案之间的距离相应地变化。
利用这种根据本发明实施例的掩膜，在目标区的非晶硅层200上照明激光，进行连续横向结晶工序时，移动相当于掩膜长度1/4的相应狭缝区域101至104的宽度A。这时，非晶硅层200通过第一至第四狭缝区域101至104分别进行激光照明。利用激光照明，多晶硅层200的结晶颗粒垂直于狭缝图案的边界生长。现将该工序参照图4A至图4B进行具体说明。
图4A和图4B是在利用图3的多晶硅型掩膜的连续横向结晶工序中生长的颗粒结构按其工序图示的。
当通过第四狭缝区域104照明激光时，如图4A所示，对应第四狭缝区域104的非晶硅层200形成液相区域，而结晶颗粒自液相区域和固相区域之间的界面与其垂直生长到1/2*d。
接着，移动掩膜100狭缝区域宽度A，通过第三狭缝区域103照明激光时，如图4B所示，在以前工序中生长的粒子成为晶种，而结晶颗粒再生长相当于1/2*d，以便粒子长度成为d。
接着，将掩膜100移动狭缝区域宽度A，并且通过第二狭缝区域102照明激光。以相同的方式，将掩膜100移动狭缝区域宽度A，并且通过第一狭缝区域101照明激光。因此，如图4C及4D所示，在以前工序中生长的粒子成晶种，结晶颗粒分别生长1/2*d，以便粒子的长度成为3/2*d，并且最终成为2*d。
如上所述，若将掩膜从左至右进行移动，同时进行第一次连续横向结晶，结果得到结晶颗粒长度为2d的多层结晶区，以及对应于狭缝图案之间且具有4d宽度的非结晶区。接着，将掩膜100沿垂直方向移动4d，使第一至第四狭缝区域101至104对应未结晶区。在这种情况下，进行第二次连续横向结晶，同时从左至右移动该掩膜。因此，在第一次连续横向结晶中形成的粒子成为晶种，在第二次连续横向结晶中颗粒长度再生长2d，从而使最终粒子的长度成4d。
当在掩膜中存在第n个狭缝区域且通过掩膜重复进行连续横向结晶工序时，所得到的多晶硅粒子具有n*d的长度。
现将详细说明利用该掩膜的薄膜晶体管制造方法。
图5是根据本发明优选实施例的多晶硅薄膜晶体管的截面图，而图6A至图6E是多晶硅薄膜晶体管制造方法按其工序图示的截面图。这些工序步骤可以很好地用于在液晶面板上设计驱动集成电路的半导体装置的制造方法中。
如图5所示，在具有多晶硅的绝缘基片10上形成半导体层20，同时具有通道区域21，而在通道区域21的两侧形成源极和漏极区域22和23。源极和漏极区域22和23掺杂n型或p型杂质。源极和漏极区域22和23可含有硅化物层。在基片10上形成覆盖半导体层20的氧化硅SiO2或氮化硅SiNx的组成的栅极绝缘层30。在通道区域21上的栅极绝缘层30上部形成栅极40。在栅极绝缘层30上形成覆盖栅极40的层间绝缘层50。栅极绝缘层30和层间绝缘层50具有露出半导体层20的源极和漏极区域22、23的接触孔52、53。在层间绝缘层50上形成通过接触孔52与源极区域22连接的源极62和以栅极40为中心与源极62面对并通过接触孔53与漏极区域23连接的漏极63。保护绝缘层70覆盖层间绝缘层50，同时具有露出漏极63的接触孔73。在保护绝缘层70上形成由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或反射性导电材料组成的像素电极80，通过接触孔73与漏极63连接。
在制造薄膜晶体管阵列基片的方法中，如图6A所示，在基片10上通过低压化学汽相沉积、等离子化学汽相沉积、或溅射方法沉积非晶硅层。
接着，如图6B所示，通过图3所示的掩膜在非晶硅层上照明激光束，从而在非晶硅层上形成液相区域。针对具有液相区域的非晶硅层进行连续横向结晶工序，同时生长结晶颗粒以形成多晶硅半导体层20。该多晶硅半导体层20的结晶颗粒具有足够大的尺寸，以便所制得的薄膜晶体管的电流迁移率可以最大化。
如图6C所示，将利用栅极40作为掩膜向半导体层20进行离子注入掺杂n型或p型杂质，并进行活化，从而形成源极和漏极区域22、23。将源极和漏极区域22、23之间区域限定为通道区域21。
如图6D所示，在栅极绝缘层30上形成覆盖栅极40的层间绝缘层50。层间绝缘层50与栅极绝缘层30一起制作布线图案，以形成露出半导体层20的源极和漏极区域22、23的接触孔52、53。
如图6E所示，在绝缘基片10上沉积金属层，并制作布线图案以形成源极和漏极62、63，以便通过接触孔52、53将源极和漏极62、63与源极和漏极区域22、23连接。
接着，如图5所示，在被源极和漏极62、63覆盖的层间绝缘层50上沉积保护绝缘层70，并制作布线图案，从而形成露出漏极63的接触孔73。然后，在保护绝缘层70上沉积诸如ITO或IZO这样的透明导电材料或反射性导电材料，并制作布线图案，从而形成像素电极80。将像素电极80通过接触孔73与漏极63连接。
如上所述，利用顺次增加的宽度的狭缝图案的多晶硅掩膜，将非晶硅结晶为多结晶，以便以适当方式调节所需粒子大小的多晶硅。这样，可以使多晶硅薄膜晶体管的电流迁移率变得最大。
尽管已经参照优选实施例对本发明进行了详细描述，但是对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化，凡在本发明的精神和原则之内，所作的各种修改和等同替换均应包含在本发明的保护范围之内。