功率半导体器件 【技术领域】
本发明涉及一种用于功率控制的功率半导体器件。特别是，本发明涉及一种使用氮化物半导体的横向型功率FET、肖特基势垒二极管(SBD)等。
背景技术
功率半导体器件如开关器件和二极管都用于功率控制电路如开关模式电源和反相器电路。功率半导体器件需要下列特性，即，高击穿电压和低导通电阻。在功率半导体器件中在击穿电压和导通电阻之间存在由器件材料决定的折衷关系。根据近年来的先进技术，低导通电阻结束了主要器件材料的限制，即，在功率半导体器件中实现了硅。为了进一步减小导通电阻，必须改变器件材料。如GaN和AlGaN氮化物半导体或碳化硅(SiC)，宽带隙半导体用作开关器件材料。因此，可以改进由上述材料确定的折衷关系，并且实现了低导通电阻。使用氮化物半导体如GaN和AlGaN的HEMT(高电子迁移率晶体管)已经在下列文献中公开了。该文献是R.Coffie等人的“p-Capped GaN-AlGaN-GaN High Electron Mobility Transistors(HEMT)”，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，VOL.23，No.10，OCTOBER2002，第598-590页。
近年来，不断地在进行使用宽带隙半导体的功率半导体器件的研究。在氮化物半导体如GaN中，可以实现低导通电阻。但是，还没有考虑功率器件所特有的特性即雪崩承受能力而进行设计。这是因为基于GaN的器件是在射频(RF)器件基础上设计的。
顺便提及，在FET中，提供场板电极，由此实现了高击穿电压。上述技术已经在例如下列文献中被公开了：JPN.PAT.APPLN.KOKAI公报No.5-21793和2001-230263，公开的日本专利No.3271613。
【发明内容】
本发明的目的是提供一种功率半导体器件，它具有高雪崩承受能力和极低的导通电阻。
根据本发明的方案，提供一种功率半导体器件，包括：
非掺杂的AlXGa1-XN(0≤X≤1)的第一半导体层；
形成在第一半导体层的一个表面上的非掺杂的或n型AlYGa1-YN(0≤Y≤1，X＜Y)的第二半导体层；
选择形成在第二半导体层上地p型AlZGa1-ZN(0≤Z≤1)的第三半导体层；
位于第三半导体层两侧之一上并形成在第二半导体层上的第一电极；
在第三半导体层和第一电极之间、形成在与第三半导体层相邻的第二半导体层上的绝缘膜；和
形成在绝缘膜上的场板电极。
本发明的功率半导体器件通过组合AlGaN基异质结结构而产生具有高迁移率的两维电子气体，并在运载电流时使用如此产生的电子气体作为载体，由此可以实现低导通电阻。使用具有宽带隙的氮化物半导体，并且采用场板电极，可以实现高击穿电压。此外，p型AlGaN层形成在半导体层的表面上，由此当发生雪崩击穿时可以快速放电空穴；因此，可以获得高雪崩承受能力。发生雪崩击穿的位置存在于半导体中，即p-n结表面上，而不是半导体和钝化膜如场板电极的端面之间的界面处。为此，可以防止由热量引起的界面不稳定，因此实现了具有高可靠性的器件。
【附图说明】
图1是示意性地表示根据本发明第一实施例的功率半导体器件的剖面图；
图2是示意性地表示根据第一实施例的第一修改例的功率半导体器件的剖面图；
图3是示意性地表示根据第一实施例的第二修改例的功率半导体器件的剖面图；
图4是示意性地表示根据第一实施例的第三改性的功率半导体器件的剖面图；
图5是示意性地表示根据本发明第二实施例的功率半导体器件的剖面图；
图6A-6B是分别解释上述第二实施例的剖面图和特性图；
图7A-7C是分别解释上述第二实施例的剖面图和特性图；
图8是示意性地表示根据本发明第三实施例的功率半导体器件的剖面图；
图9是示意性地表示根据本发明第四实施例的功率半导体器件的剖面图；
图10是示意性地表示根据第四实施例的修改例的功率半导体器件的剖面图；
图11是示意性地表示根据本发明第五实施例的功率半导体器件的剖面图；
图12是示意性地表示根据第五实施例的第一修改例的功率半导体器件的剖面图；
图13A和13B是分别表示根据第五实施例的第二修改例的功率半导体器件的剖面图和顶部平面图；
图14是示意性地表示根据本发明第六实施例的功率半导体器件的剖面图；
图15是示意性地表示根据本发明第七实施例的功率半导体器件的剖面图；和
图16A和16B是分别解释上述第七实施例的剖面图和特性图。
实施本发明的最佳方式
下面将参照附图介绍本发明的实施例。所有附图中相同的参考标记表示相同的部分。
(第一实施例)
图1是示意性地表示根据本发明第一实施例的结型功率HEMT(高电子迁移率晶体管)的结构的剖面图。
HEMT设有沟道层1，该沟道层1包括作为非掺杂AlXGa1-XN(0≤X≤1)的GaN层(X＝0)。沟道层1的厚度设置为大约为1到2μm，以便获得600V的击穿电压。在沟道层1的表面(一侧)上形成作为n型AlYGa1-YN(0≤Y≤1，X＜Y)的阻挡层2，其厚度为0.02μm。阻挡层2包括Al0.2Ga0.8N层(Y＝0.2)，其中作为杂质掺杂了剂量为大约1013(原子/cm2)的Si。此外，半导体层3选择性地形成在阻挡层2上作为p型AlZGa1-ZN(0≤Z≤1)，其厚度为0.01μm。半导体层3包括其中作为杂质掺杂了Mg的Al0.1Ga0.9N(Z＝0.1)。
由Ti/Al/Ni/Au构成的漏电极(D：第一电极)4和源电极(S：第二电极)5彼此分开地形成在阻挡层2上的上述半导体层3的两侧。上述漏电极和源电极4和5分别与阻挡层2的表面电连接。
由Pt或Ni/Au构成的栅电极(G：控制电极)6形成在半导体层3上。栅电极6与半导体层3的表面电连接。
绝缘膜7形成得连续覆盖上述栅电极6和周围的阻挡层2。由Ti/Al/Ni/Au构成的场板电极8形成在绝缘膜7上，以便它可以设置在栅电极6和漏电极4之间。场板电极8与源电极5的表面电连接。
具有上述结构的HEMT作为结型FET操作，在所述结型FET中，形成在沟道层1的表面区中的耗尽层的深度是根据施加于栅电极6的电压控制的。因此，根据耗尽层的深度控制在源电极5和漏电极4之间的流动的电流。
在第一实施例的HEMT中，具有宽带隙的氮化物半导体如AlXGa1-XN、AlYGa1-YN和AlZGa1-ZN用作器件材料。因此，增强了临界场，从而可以实现器件的高击穿电压。场板电极8形成在确定击穿电压的栅电极和漏电极之间。因此，施加电压时，在栅电极6和漏电极4之间施加的电场再生，从而可防止击穿电压逐步下降。在包括阻挡层2和沟道层1的AlGaN/GaN异质界面中产生具有高迁移率的两维电子气体；因此，可实现低导通电阻。
p型半导体层3进一步形成在n型阻挡层2上。因此，如果在器件中发生雪崩击穿，则产生的空穴快速移动到p型半导体层3中，由此实现了高雪崩承受能力。
此外，p型半导体层3形成在阻挡层2上；因此，获得了下列效果，即减小了栅极泄漏电流。
在正常HEMT结构中，击穿电压由栅极的肖特基结中产生的电场确定。相反，在上述实施例的上述HEMT结构中，在p型半导体层3和n型阻挡层置之间的p-n结中产生的电场确定上述击穿电压。换言之，与肖特基结器件的特性非均匀性容易变大的结构相比，在半导体层中存在击穿点。因此，可防止下列效果，即击穿电压的非均匀性。
此外，在正常HEMT结构中，在肖特基界面、场板端部、半导体和钝化膜之间的金属界面等中产生高电场。为此，如果设计成在上述点中发生雪崩击穿，则很容易发生由热量引起的特性变化。相反，在上述实施例的HEMT结构中，击穿点存在于半导体层的pn结中。因此，雪崩击穿的稳定性增加，因此可以实现具有高可靠性的器件。
场板电极8与源电极5连接，因此其间的栅/漏电容变小；因此，可以实现高速开关操作。
通过晶体生长与沟道层1和阻挡层2一起均匀地形成包括p型Al0.1Ga0.9N的半导体层3。之后，可对半导体层3进行构图并通过刻蚀形成。此外，通过晶体生长形成半导体层3，之后，可以通过选择氧化工艺形成。此外，通过晶体生长形成沟道层1和阻挡层2；之后，可以通过选择生长在它们的层的表面上形成半导体层3。
(第一实施例的第一修改例)
图2是示意性地表示根据第一修改例的图1中所示的功率HEMT的结构的剖面图。在图1所示的功率HEMT中，介质层7形成得连续覆盖栅电极6和周围的阻挡层2，并且场板电极8电连接到源电极5。
相反，图2的功率HEMT具有下列结构。即，介质层7形成得位于半导体层3和漏电极4之间并与半导体层3相邻。栅电极6形成得除了半导体层3的上表面之外还延伸到介质层7。换言之，根据第一修改例，栅电极6同时用作图1所示的场板电极8。
该修改例的功率HEMT可以获得与图1相同的效果，此外，场板电极和栅电极可以一起形成。因此，可以获得下列效果；即，与图1相比简化了制造工艺。
(第一实施例的第二修改例)
图3是示意性地表示根据第二修改例的图1所示的功率HEMT的结构的剖面图。图3的功率HEMT不同于图1的地方在于栅电极6形成得延伸到与半导体层3的漏电极4一侧相邻的阻挡层2的表面。
即，在图3的功率HEMT中，栅电极6与阻挡层2形成肖特基结。
根据第二修改例，栅电极6与阻挡层2进行肖特基连接。但是，由于半导体层3与栅电极6连接，因此在雪崩击穿时空穴经半导体层3排放；因此，像图1的情况一样实现了高雪崩承受能力。此外，获得了与图1情况相同的效果。
(第一实施例的第三修改例)
图4是示意性地表示根据第三修改例的图1所示的功率HEMT的结构的剖面图。在图3的功率HEMT中，栅电极6形成得延伸到与半导体层3的漏电极4的一侧相邻的阻挡层2的表面。相反，在图4的功率HEMT中，栅电极6形成得延伸到与半导体层3的源电极5相邻的阻挡层2的表面。
根据第三修改例，栅电极6与阻挡层2形成肖特基连接。然而，由于半导体层3与栅电极6连接，因此在雪崩击穿时空穴经半导体层3排放；因此，与图1的情况一样实现了高雪崩承受能力。此外，获得了与图1的情况相同的效果。
(第二实施例)
图5是示意性地表示根据本发明的第二实施例的结型功率HEMT的结构的剖面图。在图1的功率HEMT中，包括p-AlGaN层的半导体层3形成为与栅电极6相同的长度。即，漏电极4一侧上的半导体层3的端部在位置上与漏电极4一侧上的栅电极6的端部对准。
相反，在第二实施例的功率HEMT中，形成包括p-AlGaN层的半导体层3，以便漏电极4一侧上的端部可以从漏电极4一侧上的栅电极6的端部延伸到漏电极4的一侧。此外，半导体层3形成为使得漏电极4一侧上的端部可以位于场板电极8的下面。
图6A是放大了图5的功率HEMT的半导体层3的端部的剖面图，图6B是表示当图5的功率HEMT工作时阻挡层2中的电场分布的特性图。
如图5所示，半导体层3形成得使得漏电极4一侧上的端部可以位于场板电极8的下面。借此，如图6B所示，场集中点存在于半导体层3的端部和场板电极8的端部。在图6B中，特性曲线(线)21表示形成厚到一定长度的绝缘膜7的情况；另一方面，特性曲线22表示形成薄到一定程度的绝缘膜7的情况。
更具体地说，场板电极8下面的绝缘层7形成得具有适当的厚度，由此在发生雪崩击穿的点即电场变为最大的点设置在半导体层3的端部。因此，在雪崩击穿时空穴快速排放，因而可以确保足够的雪崩承受能力。
下面介绍设置绝缘膜7的厚度的方法，以便电场在半导体层3的端部变为最高。图7A是放大了图5所示的功率HEMT的半导体层3的端部的剖面图。图7B是表示当图5的功率HEMT工作时在水平方向的电场分布的特性图。图7C是表示当图5的功率HEMT工作时在垂直方向的电场分布的特性图。在图7B和7C中，漏电极4一侧上的半导体层3的端部的点设置为A，场板电极8的端部下面的阻挡层2的点设置为B，并且场板电极8的端部上的点设置为C。上述点A-C的电场分别设置为EA、EB和EC。此外，从点A到B的距离即基场板电极8的长度设置为L，绝缘膜7的厚度设置为t。
在每个点的电场大小和每个元件的尺寸的基础上，由分别下列等式(1)和(2)表示点A和B之间的电压VAB以及点C和B之间的电压VCB。
VAB＝(EA+EB)L/2 …(1)
VCB＝Ect …(2)
场板电极8的电位大致等于半导体层3的电位；因此，电压VAB等于电压VCB。由于电通量密度继续，电场EB和EC之间的关系由下列等式(3)表示。
εi·EC＝εSEB …(3)
其中εi是绝缘层7的介电常数(相对介电常数)，εS是阻挡层2的介电常数。修改上述等式(1)-(3)，以便可以确定电场EA和EB之间的关系。上述关系由下列等式(4)表示。
EA/EB＝2εSt/εiL-1 …(4)
在这种情况下，电场EA设置得大于电场EB，由此雪崩承受能力变大。因此，由等式(4)表示的EA与EB的比设置得大于1。基于上述事实，当修改等式(4)时，获得下列等式(5)。
εSt＞εIL …(5)
因此，希望设置绝缘膜7的厚度t和场板电极的长度L从而可满足由上述等式(5)表示的关系。
如果场板电极的长度L设置为2μm，绝缘膜7由SiO2构成，并且包括AlGaN层的阻挡层2的成分比设置为0.2，介电常数εi和εS分别为3.9和9.3。因此，希望绝缘膜7的厚度设置为0.83μm或更大。
在宽带隙半导体如AlGaN和GaN中，临界场靠近绝缘膜介质击穿场。如果绝缘膜7的介质击穿电压小于雪崩击穿电压，则介质击穿电压确定器件击穿电压。在这种情况下，如果等于器件击穿电压的电压施加于器件，则器件被击穿。如果半导体层的临界场等于绝缘膜的介质击穿场，则图7C所示的点C的电场EC小于图7B所示的点A的电场EA。借此，可以避免介质击穿。
当修改上述等式(1)-(3)以便可确定EA和EC之间的关系时，上述关系由下列等式(6)表示。
EA/EC＝2t/L-εi/εS …(6)
由上述等式(6)表示的比例变得大于1，由此可以避免介质击穿。因此，希望设置绝缘膜7的厚度t和场板电极的长度L以便满足下列等式(7)。
2t/L＞(1+εi/εS) …(7)
同样，如果场板电极的长度L设置为2μm，绝缘膜7由SiO2构成，并且包括AlGaN的阻挡层2的成分比设置为0.2，则介电常数εi和εS分别为3.9和9.3。因此，希望将绝缘膜7的厚度t设置为1.4μm或更大。
(第三实施例)
图8是表示根据本发明第三实施例的结型功率HEMT的结构的剖面图。栅极和漏极之间的距离确定图1所示的横向型功率器件的击穿电压；因此，希望将上述距离设置为长一些。此外，缩短了与击穿电压没有关系的源极和栅极之间的距离。这对于减小导通电阻有用。在第三实施例的功率HEMT中，栅极和漏极之间的距离设置得比栅极和源极之间的距离宽，以便实现高击穿电压和低导通电阻。更具体地说，距离Lgd设置得比距离Lgs宽。即，距离Lgd是漏电极4一侧上的栅电极6的端部和栅电极6一侧上的漏电极4的端部之间的长度。距离Lgs是源电极5一侧上的栅电极6的端部和栅电极6一侧上的源电极5的端部之间的长度。
图8示出了漏电极4的一侧上的半导体层3的端部位于场板电极8的下面的情况。但是，第三实施例不限于上述设置，并且如图1所示，半导体层3可以形成为使得漏电极4一侧上的端部可以与栅电极6的端部对准。如图3和4所示，栅电极6可以形成得延伸到与半导体层3的漏电极4一侧相邻的阻挡层2的表面上，或者延伸到其源电极5一侧。
(第四实施例)
图9是示意性地表示根据本发明第四实施例的结型功率HEMT的结构的剖面图。图9中所示的功率HEMT不同于图1的地方在于下列方面。即，包括其中作为杂质掺杂了Mg的GaN层(W＝0)的半导体层9形成在沟道层1的背面，并作为p型AlWGa1-WN。(0≤W≤1)。由Pt构成的背电极10进一步形成在半导体层3的表面上。在这种情况下，背电极10与源电极5电连接。
在具有上述结构的功率HEMT中，当发生雪崩时产生的空穴经半导体层9和背电极10排放；因此，可以进一步增强雪崩承受能力。
(第四实施例的修改例)
图10是表示第四实施例的修改例的剖面图。如图10所示，沟道层1的厚度设置得小于栅电极6和漏电极4之间的距离Lgd。借此，几乎不会在沟道层1和半导体层9之间的结处发生雪崩击穿；因此，沟道层1的厚度确定击穿电压。在这种情况下，沟道层1的厚度在晶体生长中控制；因此，可以制造几乎没有击穿电压变化的器件。包含在半导体层9中的杂质浓度很高；因此，快速释放空穴，并因此可以获得高雪崩承受能力。
在第四实施例和修改例的HEMT中，形成在沟道层1的背面上的接触件相对于半导体层9从衬底的背面引出。相对于半导体层9的该接触件可以从与源电极5相同的表面引出。在这种情况下，不需要导电衬底。
p型半导体层9快速排放在沟道层1中产生的空穴；因此，希望半导体层9具有与沟道层1相同或比其窄的带隙。为此，希望半导体层9的成分比W与沟道层1的成分比X相同或比其小。
(第五实施例)
图11是示意性地表示根据本发明第五实施例的横向型GaN-MISFET的结构的剖面图。
在第五实施例的MISFET中，给图5所示的HEMT增加栅极绝缘膜11。更具体地说，栅极绝缘膜11形成得连续覆盖半导体层3和周围的阻挡层2。栅电极6形成在为半导体层3上方的栅极绝缘膜11上。在这种情况下，栅极绝缘膜11部分地形成有开口部分，以便半导体层3可以经开口部分与栅电极6电连接。
在具有上述结构的MISFET中，根据施加于栅电极6的电压，沟道层1的表面形成有反向沟道。在源电极5和漏电极4之间流动的电流根据反向沟道的形成状态来控制。
在上述实施例的MISFET中，具有宽带隙的氮化物半导体如AlXGa1-XN、AlYGa1-YN和AlZGa1-ZN用作器件材料。这样，可以提高临界场，和在器件中实现高击穿电压。场板电极8形成在栅电极和漏电极之间以确定击穿电压。这用于在施加电压时解除栅电极6和漏电极4之间施加的电场；因此，可以防止击穿电压降低。在阻挡层2和沟道层之间的异质界面中产生具有高迁移率的两维电子气体；因此，实现了低导通电阻。
p型半导体层3形成在n型阻挡层2上。因此，当在器件中发生雪崩击穿时，产生的空穴快速移动到p型半导体层3中，由此可以获得高雪崩效应。
此外，p型半导体层3形成在阻挡层2上；因此，可以获得下列效果，以便减小栅极漏电流。
在上述实施例的结构中，p型半导体层3和n型阻挡层2之间的p-n结中的电场确定击穿电压。由于击穿点存在于半导体层中，因此可以获得下列效果，以便防止击穿电压的非均匀性。
在上述实施例的结构中，击穿点存在于半导体层的p-n结中。因此，稳定地增加了雪崩击穿，并且可以实现具有高可靠性的器件。
由于场板电极8与源电极5连接，因此栅电极和漏电极之间的电容变小；因此，可以实现高速开关操作。
半导体层3与栅电极6电连接；因此，可以获得下列效果，即可以使栅极漏电流很小。
(第五实施例的第一修改例)
图12示出了根据第五实施例的第一修改例的MISFET。从图12所示的MISFET看出，栅极绝缘膜11可以形成为没有开口部分，从而半导体层3可与栅电极6隔离。该MISFET具有上述结构，由此可以大大减小栅极漏电流。
在这种情况下，半导体层3不与栅电极电连接，因此它变为电位浮置状态，由此不会将空穴排放到半导体层3中。为此，在本修改例的MISFET中，源电极5形成得使它部分地延伸到半导体层3的上部。借此，半导体层3与源电极5电连接。因此，雪崩电流经半导体层3流进源电极5；然而，不流进栅电极6。这用于减小驱动栅电极6的栅极驱动电路的负载。
顺便提及，希望与半导体层3界面状态很小。为此，下列膜优选作为栅极绝缘膜11。这些膜包括氧化物膜如氧化AlGaN层的AlXGa2-XO3膜，绝缘膜如Al2O3、通过CVD工艺沉积的SiN等。
如果半导体层3的杂质浓度太高，这是使由施加于栅电极的电压产生的反向沟道的控制特性下降的因素。换言之，栅电极6的相互电容变小。相反，如果半导体层3的杂质浓度太低，则当放电空穴时放电电阻变大。因此，考虑到上述两个方面，希望半导体层3的杂质浓度设置成与阻挡层2的相同。
(第五实施例的第二修改例)
图13A和图13B是示意性地表示根据图12所示的功率MISFET的第二修改例的结构的剖面图和顶部平面图。在图12所示的功率MISFET中，半导体层3已经形成在栅极宽度方向的整个表面上。
相反，在图13A和13B所示的功率MISFET中，半导体层3形成为在栅极宽度方向类似于矩形形状。半导体层3具有上述形状，由此可以控制栅极阈值电压和导通电阻。
半导体层3形成为矩形形状，由此形成二个部分，即其中半导体层3被形成以及不形成在栅极下面的两个部分。在形成半导体层3的部分中，栅极阈值电压很高，此外，沟道电阻以及栅电极和源电极之间的偏置电阻很大。相反，在半导体层3不形成在栅极下面的部分中，栅极阈值电压很低，此外，沟道电阻以及栅极和源极之间的偏置电阻很小。
在整个器件中，前者和后者部分并行操作；因此，阈值电压或导通电阻可通过改变矩形半导体层3之间的间隔和密度来控制。
(第六实施例)
图14是示意性地表示根据本发明第六实施例的横向型GaN-肖特基势垒二极管(SBD)的结构的剖面图。
SBD设有包括非掺杂GaN层的沟道层1，与图1所示的FET一样。包括n型Al0.2Ga0.8N层(Y＝0.2)的阻挡层2形成在沟道层1的表面上。此外，在阻挡层2上选择地形成包括p型Al0.1Ga0.9N层的多个半导体层3。
由Ni/Au构成的阳极(A：第二电极)12形成得连续覆盖上述半导体层3和周围的阻挡层2。绝缘膜7形成在阻挡层2上以便与阳极12接触。由Ni/Au构成的场板电极8形成在绝缘膜7上。场板电极8与阳极12电连接。此外，由Ti/Al/Ni/Au构成的阴极(K：第一电极)13形成在阻挡层2上并处于与上述阳极12绝缘的状态下。
在第六实施例的SBD中，与前述HEMT一样，采用包括阻挡层2和沟道层1的n-AlGaN/GaN异质结构。借此，可以实现高击穿电压和超低导通电阻。
包括p-AlGaN层的半导体层3形成在包括n-AlGaN的阻挡层2上。借此，当发生雪崩击穿时可安全地排放空穴；因此，可实现高电压效应。用上述方式形成半导体层3，由此可以减小使阳极12与阻挡层直接接触的肖特基结面积，和减小反向漏电流。
(第七实施例)
图15是示意性地表示根据本发明的第七实施例的肖特基势垒二极管(SBD)的剖面图。
在第七实施例的SBD中，半导体层3形成在肖特基结端部。在这种情况下，阴极13一侧上的半导体层3的端部位于阴极13一侧上的场板电极8的端部和阴极13一侧上的阳极12的端部之间。
图16A是放大的图15所示的半导体层3的端部的剖面图，图16B是表示当图15的SBD工作时阻挡层2中的电场分布的特性图。
如图15所示，形成半导体层3，以便阴极13一侧上的端部可以位于场板电极88的下面。借此，场集中点存在于半导体层3的端部和场板电极8的端部，如图16B所示。在图16B中，特性曲线23表示形成厚到一定程度的绝缘膜7的情况；另一方面，特性曲线24表示形成薄到一定程度的绝缘膜7的情况。
更具体地说，在SBD中，绝缘膜7的厚度t设置成可满足上述等式(5)和(7)，如在上述第二实施例的HEMT中所述的。借此，可以确保雪崩承受能力，和避免介质击穿。
前面已经在第一到第七实施例的基础上介绍了本发明。顺便提及，本发明不限于上述实施例，此外，本领域技术人员可以很容易进行各种修改。
例如，在空穴放电方面，希望用于放电空穴的包括p-AlGaN层的半导体层3具有比包括n-AlGaN层的阻挡层2的带隙窄的带隙。即，希望Al的成分比很小，并且可使用p-GaN层。为了减小相对于半导体层3的接触电阻，具有窄带隙的半导体层如InGaN层用作接触层。接触层可形成在栅电极6或阳极12和半导体层3之间。
在上述实施例中，AlGaN/GaN的组合用作器件材料。在这种情况下，可采用GaN/InGaN或AlN/AlGaN。
本发明不限于单极器件，如结型FET。在这种情况下，本发明很容易适用于双极器件如pin二极管和在MISFET的漏极侧设有p层的IGBT，只要该器件是横向型的即可。
工业实用性
如从上述说明中明显看出的，根据本发明，可以获得横向型基于GaN的功率器件，它具有高雪崩承受能力、高击穿电压和超低导通电阻。