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OTP器件(三)
    【技术领域】

    本发明涉及一种用于半导体集成电路或分离元器件的OTP器件。

    背景技术

    在Single-Poly OTP器件(单层多晶硅一次可编程器件)设计中，如何提高编程前后的开启电压差，是直接决定器件开发成败的关键因数。现有技术中的Single-Poly OTP器件，均在电容型晶体管侧采用N+/NWell，P+/PWell或在Poly下做一层掩埋层的结构。《A Single Poly EEPROMCell Structure for Use in Standard CMOS Processes》(IEEEJOURNALOF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.24，NO.4，AUGUST 1989)、《Celland Circuit Design for Single-Poly EPROM》(IEEEJOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.29，NO.3，March，1994)等文献都介绍了这种结构的OTP器件。该Single-Poly OTP器件，通常在设计电容时，一般会按照设计规则使用Endcap(即Poly相对于扩散区有一段规定长度的延伸段)。实际上Endcap在OTP器件结构中是冗余Poly，它的存在不仅对电容特性没有正面贡献，而且使在编程过程中注入Floating-Gate(浮栅)的电子产生的电场密度降低，进而降低了编程前后的开启电压差，影响编程效率。图1是上面所述OTP器件的结构示意图。

    【发明内容】

    本发明解决的技术问题是提供一种可提高编程前后的开启电压差和编程效率的OTP器件。

    为解决上述技术问题，本发明OTP器件，减小poly面积，Endcap位于A、B处的Poly减小或缩至扩散区内。

    本发明在不改变器件基本特性的情况下，直接利用上述结构尽可能去除冗余部分的浮栅以减小浮栅总面积，可有效提高编程前后的开启电压差和编程效率。

    【附图说明】

    图1是现有技术的OTP器件结构示意图；

    图2是本发明OTP器件结构示意图。

    【具体实施方式】

    如图1、2所示，本发明OTP器件缩小A、B处的Poly尺寸，Endcap位于A、B处的Poly减小或缩至扩散区内。

    在不影响该器件可靠性的情况下尽量减小poly面积，使该Poly上注入等量电荷的情况下，在沟道区产生更大电场，这样可使晶体管开启电压有更大的偏移，在一定程度上缩小版图面积，达到更好的编程效果。本发明还具有如下优点：(1)无需改变任何设计方案、制造工艺及器件尺寸即可达到提高编程效果的目的。(2)对于缩小器件面积有很大意义。

    本发明可用于带浮栅结构的EPROM或OTP器件结构中。