用于低噪声下变频器的多层基片 【发明背景】
本发明涉及用于卫星广播、卫星通信等等的低噪声下变频器(以下称作LNB)，或其中结合的LNB基片单元。
背景技术描述
LNB是对具有多个信道的所接收的宽带信号进行低噪声放大同时将它们分批转换的较低频带的装置。
目前，为了处理诸如多信道卫星广播业务中增加的多样性，一个LNB接收多个微波或一个LNB通过多个信号输入端连接到调谐器。这种LNB具有较复杂的电路结构，造成在一个双面基片(双层基片)上构建电路的困难。因此，在常规LNB中，信号和电源线通过接合针等系在一起，使得可以使用超过一个双面基片。但是，使用超过一个双面基片导致具有信号和电源线由接合针系住的结构，导致较大、较重的LNB和更加复杂的制造过程。
对此的一种解决方法是用多层基片构建LNB。通过堆叠双层基片并用作为电介质层的粘合剂将它们结合来制成多层基片。
参考图31，LNB四层基片100置于机壳111上。LNB四层基片100由波导管孔113、探针114、天线图案115、第一到第三接地导电层116-118和电介质层131-133构成。机壳111连接到波导管121，而与波导管121通信的波导管孔113形成于LNB四层基片100中。探针114从LNB四层基片100突出并位于波导管孔113中。
在LNB四层基片100中，最上的导电层形成天线图案115。在从上向下数时，第一到第三接地导电层116-118分别由第二、第三和最下导电层形成。绝缘层131-133设置在天线图案115和第一到第三接地导电层116-118之间，并由它们夹住。
第一到第三接地导电层116-118通过连接通路(hole)(未示出)彼此电连接。因此，第一到第三接地导电层116-118处于和地电位的机壳111相同地电位。第一到第三接地导电层116-118所设置的级整体或部分地由导体构成。
在具有以上结构的常规LNB四层基片100中，沿波导管121承载的电波信号被引入波导管孔113，通过探针114发射而被输入天线图案15。
但是，在常规LNB多层基片中，位于其中的个接地导电层与使基片稳固的外壳(housing)电分开。这趋于在波通过期间特别是在以高频工作时影响波能量的损耗。当采用多层基片代替双面基片时，通过属性中的这种劣化会产生问题。
特别是，在LNB四层基片100中，第一接地导电层116通过第二和第三接地导电层117、118电连接到机壳111(地电位)。因此，第一接地导电层116与第二和第三接地导电层117、118电相互作用，因此不易于保持在地电位。同样，第二接地导电层117不易于保持在地电位。这导致电波信号的通过属性中劣化的问题。
发明概述
本发明的目的在于提供LNB多层基片，其中可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
根据本发明的用于低噪声下变频器的多层基片包括输送沿波导管承载的波信号的天线图案，和堆叠在天线图案上的两个或多个接地导电层，其中电介质层位于其间。在两个或多个接地导电层中的至少一个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。
本发明人发现一现象，即由于两个或多个接地导电层之间的电相互作用在靠近两个或多个接地导电层中波导管的区域中特别显著，所以两个或多个导电层中的每一个都不能保持在地电位。结果，在至少两个或多个接地导电层中的至少一个中在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用。结果，两个或多个接地导电层中的每一个保持在地电位，由此抑制了电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，在根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片中，在两个或多个接地导电层中的至少一个中且在天线图案正下方的区域中没有导体。
本发明人发现一现象，即由于两个或多个接地导电层之间的电相互作用在天线图案正下方的区域中特别显著，因此两个或多个接地导电层中的每一个都不能保持在地电位。结果，在天线图案正下方的区域中两个或多个接地导电层中至少一个中没有导体还抑制了两个或多个接地导电层之间的电相互作用。结果，两个或多个接地导电层中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中与从上起设置的第一和第二接地导电层中的至少一个处于相同的水平，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的区域中。此外，在从上起的第三接地导电层中，凹口(notch)设置在天线图案正下方的区域中。
因此，在从上起的第一和第二接地导电层中的至少一个中，在比天线图案更靠近波导管的区域中没有导体。此外，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的区域中没有导体。这可以进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。结果，三个接地导电层中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中绝缘层设置在从上起设置第一和第二接地导电层的相同水平中比天线图案更靠近波导管的区域中。
因此，在从上起的第一和第二接地导电层中在比天线图案更靠近波导管的区域中没有导电层进一步抑制了三个接地导电层之间的电相互作用。结果，三个接地导电层中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，在根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片中，设置波导管孔，它穿过两个或多个接地导电层和电介质层。此外，导电层还设置于设置两个或更多接地导电层的所有水平中的波导管孔周围。
这样，即使在设置两个或多个接地导电层的相同水平内存在没有导电层的区域时，导电层设置在一位置，其中在设置两个或多个接地导电层的每个相同水平中用围绕波导管孔的机壳确保充分接触。这可以抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用，同时保持波导管孔周围的地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中在从上起的第三接地导电层中，一凹口设置在天线图案正下方的区域中。
因此，在从上起的第三个接地导电层中，在天线图案正下方的区域中没有导体，从而可以抑制三个接地导电层之间的电相互作用并可以在波导管孔的周围保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中，它们位于从上起设置第一或第二接地导电层的相同水平中，电介质层设置于比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。
因此，在从上起的第一或第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。同时，在波导管孔的周围可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，在根据本发明用于低噪声下变频器的多层基片中，在两个或多个接地导电层中的至少两个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。
因此，在两个或多个接地导电层中的至少两个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用。同时，波导管孔周围可以保持地电位。结果，两个或多个接地导电层中的每一个可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，本发明的用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置第一接地导电层的相同水平，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。同样，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的至少部分区域中设置凹口。
因此，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的至少部分区域中没有导体。此外，在从上起的第一接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分中没有导体。因此，还可以进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。同时，可以在波导管孔周围保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，本发明的用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置第一或第二导电层的相同水平中，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。此外，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的区域中设置凹口。
因此，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的区域中没有导体。同样，在从上起的第一或第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。这样，可以进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。同时，可以保持波导管孔周围的地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，在本发明的用于低噪声下变频器的多层基片中，两个或多个接地导电层中的至少两个中，在天线图案正下方的区域中没有导体。
因此，在两个或多个接地导电层中的至少两个中，在天线图案正下方的区域中没有导体，由此进一步抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用。同时，可以在波导管孔的周围保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，本发明的用于低噪声块下之前的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置第一或第二接地导电层的相同水平，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中，且在从上起的第三接地导电层中，凹口设置在天线图案的正下方的区域中。
因此，在从上起的第三接地导电层中，在天线图案正下方的区域中没有导体。此外，在从上起的第一或第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。因此，在这两个接地导电层中，在天线图案正下方的区域中完全没有导体，由此进一步抑制了三个接地导电层之间的电相互作用。同时，在波导管孔周围可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，本发明的用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置第一和第二接地导电层的相同水平中，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。
因此，在从上起的第一和第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制三个接地导电层之间的电相互作用。同时，可以在波导管孔的周围保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，在本发明的用于低噪声下变频器的多层基片中，设置穿过两个或多个接地导电层和电介质层的波导管孔。此外，设置导电层，它在设置两个或多个导电层的所有相同水平中围绕波导管孔的整个周边。
这样，即使在两个或多个接地导电层中存在没有导体的部分时，也设置了导电层，用两个或多个接地导电层中的每一个中的波导管孔的整个周边中的机壳确保充分的接触。这样，可以抑制两个或多个接地导电层之间的电相互作用，并可以在波导管孔的整个周边中保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，本发明的用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置的第一或第二接地导电层的相同水平中，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。此外，在从上起的第三接地导电层中，凹口设置在天线图案正下方的部分区域中。
因此，在从上起的第三接地导电层中，天线图案正下方的至少部分区域中没有导体。同样，在从上起的第一或第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体。结果，在两个接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制了三个接地导电层之间的电相互作用。同时，可以在全部三个接地导电层中波导管孔的整个周边内保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
较佳地，本发明的用于低噪声下变频器的多层基片包括三个接地导电层，其中它们位于从上起设置第一或第二接地导电层的相同水平中，电介质层设置在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中。
因此，天线图案正下方的区域中，从上起的第一和第二接地导电层中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，由此进一步抑制了三个接地导电层之间的电相互作用。同时，在波导管孔的整个周边中保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
从以下本发明的详细描述中结合附图，将使本发明的前述和其它目的、特点、方面和优点变得更加明显。
附图概述
图1是使用根据本发明第一实施例的LNB的卫星广播接收系统的框图。
图2是示出图1的LNB的框图。
图3是示出本发明第一实施例的LNB结构的分解透视图。
图4是根据本发明第一实施例的LNB四层基片的平面图。
图5是沿图4的V-V线获得的横断面视图。
图6到8分别是示出例如在根据本发明第一实施例的LNB四层基片4中的第一到第三接地导电层的平面图。
图9示出常规LNB和根据本发明第一实施例的LNB中的每一个中的通过属性和频率之间的关系。
图10到12分别是示出根据本发明第二到第四实施例的LNB四层基片的横断面视图。
图13示出常规LNB和本发明第四实施例的LNB中的每一个中的通过属性和频率之间的关系。
图14是示出根据本发明第五实施例的LNB四层基片的横断面视图。
图15是示出例如根据本发明第五实施例的LNB四层基片的第二接地导电层的平面图。
图16和17分别是示出本发明第六和第七实施例的LNB四层基片的横断面视图。
图18是示出例如本发明第七实施例的LNB四层基片的第三接地导电层的平面图。
图19示出常规LNB和本发明第七实施例的LNB中每一个中的通过属性和频率之间的关系。
图20是示出本发明第八实施例中LNB四层基片的横截面视图。
图21是示出例如根据本发明第八实施例的LNB四层基片中第二接地导电层的平面图。
图22和23分别是示出根据本发明第九和第十实施例的LNB四层基片的横截面视图。
图24示出常规LNB和本发明第十实施例的LNB中的每一个中的通过属性和频率之间的关系。
图25到27分别是示出根据本发明第十一到第十三实施例的LNB四层基片的横截面视图。
图28示出常规LNB和本发明第十三实施例的LNB中每一个中的通过属性和频率之间的关系。
图29和30分别是示出根据本发明的第十四和第十五实施例的LNB四层基片的横截面视图。
图31是常规LNB四层基片的横截面视图。
【具体实施方式】
现在参考附图描述本发明的较佳实施例。
第一实施例
参考图1，根据本实施例的卫星广播接收系统通常由室外部分和室内部分组成。室外部分由天线1和连接到天线1的LNB2组成。室内部分由室内接收器4和电视机9组成。
LNB2将来自卫星并在天线1处接收的电波放大并通过同轴电缆3将足够水平的低噪声信号提供给室内接收器4。室内接收器4由卫星直播(DBS)调谐器5、调频(FM)解调器6、视频和音频电路7和射频(RF)调制器8组成。通过同轴电缆3从LNB2提供到室内接收器4的信号在DSB调谐器5、FM解调器6、视频和音频电路7以及RF解调器8中进行处理。将被处理的信号提供给电视9。
现在将描述图1所示的LNB。参考图2，LNB2具有低噪声放大器(LNA)22、带通滤波器(BPF)23、混合电路24、中频(IF)放大器25、电源26和本机振荡器(LO)27。
LNA22连接到波导管21。LNA22还连接到BPF23，而混合电路24连接到LO27。LNA22和LO27由电源26供电。混合电路24连接到LO27。此外，混合电路24连接到BPF23和IF放大器25。IF放大器25通过线圈连接到电源26。
现在将描述LNB2的结构。
参考图3，LNB2由机壳11、LNB四层基片10、框架12和波导管21组成。LNB四层基片10由机壳11和框架12容纳。波导管21连接到机壳11。LNB四层基片10具有波导管孔13，而探针14位于该波导管孔内。
在LNB2中，通过探针14将沿波导管21和波导管孔13承载的波信号提供给LNB四层基片10的LNA22(图2)。机壳11使LNB四层基片10稳固，提供为外部端和LNB四层基片10共有的接地场并用作输送由天线反射的高频波信号的波导管。框架12将信号输送到与机壳11结合的基片电路，并与机壳11一起用作电波屏蔽和接地，并用来密封地封闭LNB变频器。
参考图4和5，LNB四层基片10置于机壳11上。LNB四层基片10包括波导管孔13、探针14、天线图案15、第一到第三接地导电层16-18和电介质层31-33。接口11连接到波导管21，而波导管孔13形成于LNB四层基片10内以便与波导管21通信。探针14从LNB四层基片10突出并位于波导管孔13内。
在LNB四层基片10中，天线图案15由最上的导电层形成。接地导电层16-18堆叠在天线图案15上，而电介质层31-33位于其间。更具体地，从上向下看时，第一接地导电层16由第二导电层形成，第二接地导电层17由第三导电层形成，而第三接地导电层18由最下的导电层形成。电介质层31设置在天线图案15和第一接地导电层16之间，电介质层32设置在第一和第二接地导电层16和17之间，而电介质层33设置在第二和第三接地导电层17和18之间。
第一到第三接地导电层16-18通过波导管孔13周围形成的连接通路19而彼此电连接。这允许第一到第三接地导电层16-18处于与处于地电位的机壳11相同的电位。
在本实施例中，第二和第三接地导电层17、18的结构应特别注意。特别是，参考图6，本实施例的第一接地导电层16由整个表面上的导电层40制成。该结构等同于常规接地导电层的结构。但是，参考图7，在设置本实施例的第二接地导电层的相同水平中，电介质层42被设置成跨过区域30，它比天线图案15更靠近波导管21。此外，参考图8，在本实施例的第三接地层18中，凹口34设置在天线图案15正下方的区域中。
本发明人计算了具有本实施例的LNB四层基片10的LNB中的通过属性和具有常规LNB四层基片100的LNB中的通过属性。在图9中，用于通过属性的纵坐标轴表示从波导管21到探针14的通过属性。
图9所示的结果示出在10.5-13GHz的频率处本实施例的LNB2具有较高的通过属性。
在本实施例的LNB四层基片10中，电介质层42设置于在设置第二接地导电层17的相同水平内比天线图案15更靠近波导管21的区域30中。此外，在第三接地导电层18中，凹口34设置在天线图案15正下方的区域中。
因此，在第二接地导电层17中，在比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。同样，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。这抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。结果，三个接地导电层16-18中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。
虽然本实施例示出LNB多层基片为四层基片10，但本发明不限于此且可以使用具有两个或多个接地导电层的任何多层基片。此外，虽然本发明示出电介质层42形成于在设置第二接地导电层17的相同水平中比波导管21更靠近天线图案15的区域30中，但本发明不限于此，且如果在两个或多个接地导电层中的至少一个中，在比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，也是足够的，且较佳地，在天线图案正下方的区域中没有导体。
第二实施例
参考图10，在根据本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图7的接地导电层形成，第二接地导电层17由图6的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图8的接地导电层形成。
其余的结构基本和图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第一接地导电层16中比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。同样在第三接地导电层18中天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。这抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。结果，三个接地导电层16-18中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第三实施例
参考图11，在根据本实施例的LNB四层基片10中，第一和第二接地导电层16和17由图7的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图6的接地导电层形成。
其余的结构基本和图1-4中所示的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第一和第二接地导电层16和17中比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体，还抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。结果，三个接地导电层16-18中的每一个都可以保持在地电位，由此抑制了电波信号的通过属性中的劣化。
第四实施例
参考图12，在根据本实施例的LNB四层基片10中，第一和第二接地导电层16和17由图6的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图8的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
本发明人计算了具有本实施例的LNB四层基片10的LNB中的通过属性和具有常规LNB四层基片100的LNB中的通过属性。
图13的结果示出，在10.5-13GHz的频率处本实施例的LNB具有较高的通过属性。
在本实施例中，在第三接地导电层18中天线图案15的正下方区域中没有导电层40的导体，由此抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。此外，在三个接地导电层16-18中，除了在天线图案15正下方的区域之外的部分第三接地导电层18由导电层40形成，从而在所有的三个接地导电层16-18中导电层40沿着波导管孔13的周边43。这样，可以在波导管孔13的周边43中保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
虽然本实施例示出第三接地导电层18中天线图案15正下方的区域中的凹口34，但本发明不限于此，如果导电层形成于所有三个接地导电层的波导管孔周围，也是足够的。
第五实施例
参考图14，在本实施例的LNB四层基片10中，第一和第三接地导电层16和18由图6的接地导电层形成，而第二接地导电层17由图15的接地导电层形成。
参考图15，在设置本实施例的第二接地导电层17的相同水平中，沿天线图案15正下方的区域之外的波导管孔13的周边43设置导电层40。此外，除导电层40的区域之外，电介质层42形成于比天线图案15更靠近波导管21的区域30中。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第二接地导电层17中，在波导管孔13的周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体，由此进一步抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，沿波导管孔13的周边43可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第六实施例
参考图16，在本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图15的接地导电层形成，而第二和第三接地导电层17和18由图6的接地导电层形成。
其余的结构通常与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号并不进一步加以描述。
在本实施例中，在第一接地导电层16中，在波导管孔13的周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体，由此进一步抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，可以沿波导管孔13的周边43保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第七实施例
参考图17，在本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图15的接地导电层形成，第二接地导电层17由图6的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图18的接地导电层形成。
参考图18，在本实施例的第三接地导电层18中，凹口35设置在波导管孔13的整个周边43以外天线图案15正下方的区域中。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
本发明人计算了具有本实施例的LNB四层基片10的LNB中的通过属性和具有常规LNB四层基片100的LNB中的通过属性。
图19的结果示出，在10.7-13GHz的频率处本实施例的LNB具有较高的通过属性。
在本实施例中，在第一接地导电层16中，在波导管孔13的整个周边43以外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。同样，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层16和18中比天线图案15更靠近波导管21的部分区域30中没有导电层40的导体，由此进一步抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，可以沿波导管孔13的周边43保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
虽然本实施例示出由图15的接地导电层形成的第一接地导电层16和由图18的接地导电层形成的第三接地导电层18，但本发明不限于此且如果在至少两个接地导电层中比天线图案更靠近波导管的至少部分区域中没有导体，也是足够的。
第八实施例
参考图20，在根据本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图6的接地导电层形成，第二接地导电层17由图21的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图8的接地导电层形成。
参考图21，在设置本实施例的第二接地导电层17的相同水平中，导电层40围绕波导管孔13的整个周边43。除了导电层40的区域之外，电介质层42形成于比天线图案15更靠近波导管21的区域30中。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。同样，在第二接地导电层17中，在波导管孔13的整个周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层17和18中比天线图案15更靠近波导管21的部分区域30中没有导电层40的导体，由此进一步抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，在波导管孔13的周边43中可以保持地电位。结果，可以抑制波信号的通过属性中的劣化。
第九实施例
参考图22，在本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图21的接地导电层形成，第二接地导电层17由图6的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图8的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。同样，在第一接地导电层16中，在波导管孔13的整个周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层16和18中比天线图案15更靠近波导管21的部分区域30中没有导电层40的导体，由此进一步抑制三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，可以沿波导管孔13的周边43保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第十实施例
参考图23，在根据本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图6的接地导电层形成，第二接地导电层17由图15的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图8的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
本发明人计算了具有本发明的LNB四层基片10的LNB中的通过属性和具有常规LNB四层基片100的LNB中的通过属性。
图24的结果示出在10.5-13GHz的频率处本实施例的LNB具有较高的通过属性。
在本实施例中，在第二接地导电层17中，在波导管孔13的周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。同样，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层17和18中天线图案15的正下方区域中完全没有导电层40的导体，由此进一步抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，在波导管孔13的周围可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
虽然本实施例示出由图15的接地导电层形成的第二接地导电层17和由图8的接地导电层形成的第三接地导电层，但本发明不限于此且如果至少两个接地导电层中天线图案正下方的区域中没有导体，则也是足够的。
第十一实施例
参考图25，在本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图15的接地导电层形成，第二接地导电层17由图6的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图8的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第一接地导电层16中，在波导管孔13的周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。同样，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的区域中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层16和18中天线图案15的正下方的区域中完全没有导电层40的导体，由此进一步抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，在波导管孔13的周围可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第十二实施例
参考图26，在本实施例的LNB四层基片10中，第一和第二接地导电层16和17由图15的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图6的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
在本实施例中，在第一和第二接地导电层16和17中，在波导管孔13的周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层16和17中天线图案15正下方的区域中完全没有导电层40的导体，由此进一步抑制三个接地导电层16-18之间的电相互作用。同时，在波导管孔13的周围可以保持地电位。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第十三实施例
参考图27，在本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图6的接地导电层形成，第二接地导电层17由图21的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图18的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
本发明人计算了具有本实施例的LNB四层基片10的LNB中的通过属性和具有常规LNB四层基片100的LNB中的通过属性。
图28的结果示出在10.7-13GHz的频率处本实施例的LNB具有较高的通过属性。
根据本实施例，可以在所有三个接地导电层16-18中的波导管孔13的整个周边43中保持地电位。此外，在第二接地导电层17中，在波导管孔13的整个周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。此外，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的部分区域中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层17和18中，在比天线图案15更靠近波导管21的部分区域30中没有导电层40的导体，由此抑制三个接地导电层16-18之间的电相互作用。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第十四实施例
参考图29，在本实施例的LNB四层基片10中，第一接地导电层16由图21的接地导电层形成，第二接地导电层17由图6的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图18的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
根据本实施例，可以在所有三个接地导电层16-18中波导管孔13的整个周边43中保持地电位。此外，在第一接地导电层16中，在除波导管孔13的整个周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。此外，在第三接地导电层18中，在天线图案15正下方的部分区域中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层16和18中，在比天线图案15更靠近波导管21的部分区域30中没有导电层40的导体，由此抑制了三个接地导电层16-18之间的电相互作用。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
第十五实施例
参考图30，在本实施例的LNB四层基片10中，第一和第二接地导电层16和17由图21的接地导电层形成，而第三接地导电层18由图6的接地导电层形成。
其余的结构基本与图1-4中示出的第一实施例相同，且相同的部件具有相同的标号而不进一步加以描述。
根据本发明，可以沿所有三个接地导电层16-18中的波导管孔13的整个周边保持地电位。此外，在第一和第二接地导电层16和17中，在波导管孔13的整个周边43之外比天线图案15更靠近波导管21的区域30中没有导电层40的导体。因此，在两个接地导电层16和17中，在比天线图案15更靠近波导管21的部分区域30中没有导电层40的导体。从而抑制了三个接地导电层16-19之间的电相互作用。结果，可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。
虽然详细描述和示出了本发明，可以清楚地理解其仅作为说明和实例而不作为限制，本发明的精神和范围仅由所附权利要求书限制。