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1、10申请公布号CN104157599A43申请公布日20141119CN104157599A21申请号201410431073622申请日20140829H01L21/67200601H01L21/50200601H01L21/6020060171申请人昆山柯斯美光电有限公司地址215332江苏省苏州市昆山市花桥镇花安路169号72发明人季高明蒋维楠74专利代理机构昆山四方专利事务所32212代理人盛建德段新颖54发明名称半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法57摘要本发明公开了一种半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法，该封装机构包括半导体器件阵列和一基板阵列，所述半导体器件阵列包括一硬质载。
2、板、敷设于所述硬质载板的正面上的一层导电不干胶和呈陈列式排布于所述导电不干胶上的多个半导体器件；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200；所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元。通过该封装机构及封装方法能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本的目的。51INTCL权利要求书2页说明书4页附图4页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书4页附图4页10申请公布号CN104157599ACN104157599A1/2页21一种半导体器件阵列式。
3、倒片封装机构，其特征在于包括半导体器件阵列1和一基板阵列2，所述半导体器件阵列包括一硬质载板11、敷设于所述硬质载板的正面上的一层导电不干胶12和呈陈列式排布于所述导电不干胶上的多个半导体器件13；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200；所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元21。2根据权利要求1所述的半导体器件阵列式倒片封装机构，其特征在于所述硬质载板的材料为石英或玻璃或硅或金属。3根据权利要求1所述的半导体器件阵列式倒片封装机构，其特征在于所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。4根据。
4、权利要求1所述的半导体器件阵列式倒片封装机构，其特征在于所述硬质载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。5根据权利要求4所述的半导体器件阵列式倒片封装机构，其特征在于所述硬质载板与所述基板阵列的形状均为圆形。6一种半导体器件阵列式倒片封装的方法，其特征在于包括如下步骤A、准备一硬质载板，所述硬质载板的正面敷设有一层导电不干胶；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200。B、多个所述半导体器件呈陈列式排布于所述导电不干胶的正面上；所述半导体器件的背面接触所述导电不干胶的正面；C、准备一基板陈列，所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单。
5、元，每个所述半导体器件上的金属焊接点与对应的所述基板单元上的电路焊接点按照镜像11尺寸一一对应；D、所述硬质载板的背面通过真空吸附方式固定在一焊接设备的焊台上；E、所述基板阵列的背面固设于所述焊接设备的加工平台上，通过所述焊接设备识别所述基板阵列与所述硬质载板上的对位图形信息，并使所述硬质载板上的多个半导体器件与所述基板阵列的正面上对应的基板单元进行位置对准；F、通过所述焊接设备对每个半导体器件上的金属焊接点与对应的所述基板单元上的电路焊接点进行焊接；G、将多个所述半导体器件从所述硬质载板上脱离下来，并对所述基板阵列进行切割，形成单个半导体器件与对应的基板单元的封装单体。7根据权利要求6所述的。
6、半导体器件阵列式倒片封装的方法，其特征在于所述硬质载板的材料为石英或玻璃或硅或金属。8根据权利要求6所述的半导体器件阵列式倒片封装的方法，其特征在于所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。9根据权利要求6所述的半导体器件阵列式倒片封装的方法，其特征在于多个所述半导体器件由高精度机械手布置在所述导电不干胶上，所述半导体器件的背面接触所述导电不干胶的上表面。10根据权利要求6所述的半导体器件阵列式倒片封装的方法，其特征在于所述硬质权利要求书CN104157599A2/2页3载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。权利要求书。
7、CN104157599A1/4页4半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法技术领域0001本发明涉及集成电路封装、光电器件封装领域，具体是涉及一种半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法。背景技术0002倒片封装FLIPCHIPPACKAGE技术为近几年来最被封装业广泛讨论及看好的技术焦点，由于未来电子产品强调轻薄短小、高速、高脚数等特性，以导线架为基础的传统封装型态渐不适用，应用范围也将仅限于低阶的产品。由于使用倒片封装技术可大幅缩小IC封装后的体积、减少信号延迟、避免噪声的产生以及更适用于高脚数IC的封装，因此在高阶产品的应用上，倒装片技术渐渐地取代传统的打线接合WIREBONDING技术，而。
8、成为IC封装技术中的未来发展重点。0003同样，在光电通信领域，光电转换器件与基板通过倒片封装，也同样能够起到在集成电路器件倒片封装中的所有好处，能改善信息高速传输性能。0004但现有倒片封装采用的都是器件封装，器件封装通常要经过基板定位、基板预热、器件对准、器件定位、键合等流程，生产效率比较低。且器件封装焊接时所需的设备为昂贵的高精密设备，器件封装单位生产成本较高。发明内容0005为了解决上述技术问题，本发明提出一种半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法，借助该封装机构，能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本。
9、的目的。0006本发明的技术方案是这样实现的0007一种半导体器件阵列式倒片封装机构，包括半导体器件阵列和一基板阵列，所述半导体器件阵列包括一硬质载板、敷设于所述硬质载板的正面上的一层导电不干胶和呈陈列式排布于所述导电不干胶上的多个半导体器件；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200；所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元。0008作为本发明的进一步改进，所述硬质载板的材料为石英或玻璃或硅或金属。0009作为本发明的进一步改进，所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。0010作为本发明的进一。
10、步改进，所述硬质载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。0011作为本发明的进一步改进，所述硬质载板与所述基板阵列的形状均为圆形。0012一种半导体器件阵列式倒片封装的方法，包括如下步骤0013A、准备一硬质载板，所述硬质载板的正面敷设有一层导电不干胶；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200。说明书CN104157599A2/4页50014B、多个所述半导体器件呈陈列式排布于所述导电不干胶的正面上；所述半导体器件的背面接触所述导电不干胶的正面；0015C、准备一基板陈列，所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元，每个所述半导体。
11、器件上的金属焊接点与对应的所述基板单元上的电路焊接点按照镜像11尺寸一一对应；0016D、所述硬质载板的背面通过真空吸附方式固定在一焊接设备的焊台上；0017E、所述基板阵列的背面固设于所述焊接设备的加工平台上，通过所述焊接设备识别所述基板阵列与所述硬质载板上的对位图形信息，并使所述硬质载板上的多个半导体器件与所述基板阵列的正面上对应的基板单元进行位置对准；0018F、通过所述焊接设备对每个半导体器件上的金属焊接点与对应的所述基板单元上的电路焊接点进行焊接；0019G、将多个所述半导体器件从所述硬质载板上脱离下来，并对所述基板阵列进行切割，形成单个半导体器件与对应的基板单元的封装单体。0020。
12、作为本发明的进一步改进，所述硬质载板的材料为石英或玻璃或硅或金属。0021作为本发明的进一步改进，所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。0022作为本发明的进一步改进，多个所述半导体器件由高精度机械手布置在所述导电不干胶上，所述半导体器件的背面接触所述导电不干胶的上表面。0023作为本发明的进一步改进，所述硬质载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。0024本发明的有益效果是本发明提供一种半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法，该封装机构通过将需要与基板单元焊接的多个半导体器件呈阵列式排布于硬质载板的导电不干胶上，形。
13、成一半导体器件阵列，并使该半导体器件阵列上的多个半导体器件与呈阵列式布置的基板阵列上的多个基板单元一一镜像对应，这样，在焊接封装时，能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本的目的。其中，导电不干胶的厚度小于01毫米，用以保证焊接过程中半导体器件的位置保持稳定；短期耐温性大于200，用以满足半导体器件与其封装的基板阵列的焊接工艺所需。此外，导电不干胶还具有可移除性，在半导体器件与基板阵列焊接完成后，需分离半导体器件与硬质载板。较佳的，硬质载板的厚度小于3毫米，以方便真空吸附。作为一种优选实施方式，硬质载板与基板阵列。
14、的形状和尺寸相同，但不限于形状和尺寸相同，具体实施时，硬质载板的正面和背面的尺寸与需配合的基板阵列正面尺寸相近即可。作为一种优选实施方式硬质载板和基板阵列的形状均为圆形，但并不限于圆形，也可以为其他诸如方形和扇形等。附图说明0025图1为本发明中半导体器件阵列的结构示意图；0026图2为图1中A处放大结构示意图；0027图3为本发明中基板阵列的结构示意图；0028图4为图3中B处放大结构示意图；说明书CN104157599A3/4页60029图5为本发明中半导体器件阵列与基板阵列焊接后结构示意图；0030图6为图5中C处放大结构示意图；0031图7为本发明中单个半导体器件与对应的基板单元焊接后。
15、的封装单体的结构示意图。0032结合附图，作以下说明00331半导体器件阵列11硬质载板003412导电不干胶13半导体器件00352基板阵列21基板单元具体实施方式0036如图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7所示，一种半导体器件阵列式倒片封装机构，包括半导体器件阵列1和一基板阵列2，所述半导体器件阵列包括一硬质载板11、敷设于所述硬质载板的正面上的一层导电不干胶12和呈陈列式排布于所述导电不干胶上的多个半导体器件13；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200；所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元21。这样，通过将需要与基板单元焊接的多个。
16、半导体器件呈阵列式排布于硬质载板的导电不干胶上，形成一半导体器件阵列，并使该半导体器件阵列上的多个半导体器件与呈阵列式布置的基板阵列上的多个基板单元一一镜像对应，在焊接封装时，能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本的目的。其中，导电不干胶的厚度小于01毫米，用以保证焊接过程中半导体器件的位置保持稳定；短期耐温性大于200，用以满足半导体器件与其封装的基板阵列的焊接工艺所需。此外，导电不干胶还具有可移除性，在半导体器件与基板阵列焊接完成后，需分离半导体器件与硬质载板。0037优选的，所述硬质载板的材料为石英或玻璃。
17、或硅或金属。0038优选的，所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。以方便真空吸附和满足半导体器件阵列的焊接要求，提高焊接质量。0039优选的，所述硬质载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。作为一种优选实施方式，硬质载板与基板阵列的外形和尺寸相同，但不限于形状和尺寸相同，具体实施时，硬质载板的正面的尺寸与需配合的基板阵列的正面尺寸相近即可。0040优选的，所述硬质载板与所述基板阵列的形状均为圆形。作为一种优选实施方式硬质载板和基板阵列的形状均为圆形，但并不限于圆形，也可以为其他诸如方形和扇形等。0041一种半导体器件。
18、阵列式倒片封装的方法，包括如下步骤0042A、准备一硬质载板，所述硬质载板的正面敷设有一层导电不干胶；所述导电不干胶的厚度小于01毫米，短期耐温性大于200。0043B、多个所述半导体器件呈陈列式排布于所述导电不干胶的正面上；所述半导体器件的背面接触所述导电不干胶的正面；0044C、准备一基板陈列，所述基板阵列包括排布成阵列式并与多个所述半导体器件一一对应的多个基板单元，每个所述半导体器件上的金属焊接点与对应的所述基板单元上说明书CN104157599A4/4页7的电路焊接点按照镜像11尺寸一一对应；0045D、所述硬质载板的背面通过真空吸附方式固定在一焊接设备的焊台上；0046E、所述基板阵。
19、列的背面固设于所述焊接设备的加工平台上，通过所述焊接设备识别所述基板阵列与所述硬质载板上的对位图形信息，并使所述硬质载板上的多个半导体器件与所述基板阵列的正面上对应的基板单元进行位置对准；0047F、通过所述焊接设备对每个半导体器件上的金属焊接点与对应的所述基板单元上的电路焊接点进行焊接；0048G、将多个所述半导体器件从所述硬质载板上脱离下来，并对所述基板阵列进行切割，形成单个半导体器件与对应的基板单元的封装单体。0049优选的，所述硬质载板的材料为石英或玻璃或硅或金属。0050优选的，所述硬质载板的正面和背面的平整度均小于3微米，粗糙度均小于1微米，所述硬质载板的厚度小于3毫米。以方便真空。
20、吸附和满足半导体器件阵列的焊接要求，提高焊接质量。0051优选的，多个所述半导体器件由高精度机械手布置在所述导电不干胶上，所述半导体器件的背面接触所述导电不干胶的上表面。0052优选的，所述硬质载板的正面的形状和尺寸与所述基板阵列的正面的形状和尺寸相同。0053综上，本发明提供一种半导体器件阵列式倒片封装机构及封装方法，借助该封装机构及封装方法，能够经过一次焊接流程完成批量半导体器件的倒片封装，从而大幅度降低焊接所需占用的设备机时，进而达到减少封装流程，降低生产成本的目的。0054以上实施例是参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更，但不背离本发明的实质的情况下，都落在本发明的保护范围之内。说明书CN104157599A1/4页8图1图2说明书附图CN104157599A2/4页9图3图4说明书附图CN104157599A3/4页10图5图6说明书附图CN104157599A104/4页11图7说明书附图CN104157599A11。