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1、10申请公布号CN104091774A43申请公布日20141008CN104091774A21申请号201410339805922申请日20140717H01L21/6720060171申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号72发明人宋振伟74专利代理机构上海思微知识产权代理事务所普通合伙31237代理人王宏婧54发明名称一种用于湿法单片机的清洗装置57摘要一种用于湿法单片机的清洗装置，包括喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并在所述喷液端头上间隔设置通孔。本发明用于湿法单片机的清。
2、洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。51INTCL权利要求书1页说明书2页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书2页附图1页10申请公布号CN104091774ACN104091774A1/1页21一种用于湿法单片机的清洗装置，其特征在于，所述用于湿法单片机的清洗装置，包括喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液。
3、；喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并在所述喷液端头上间隔设置通孔。2如权利要求1所述的用于湿法单片机的清洗装置，其特征在于，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小根据各工艺制程要求设置。3如权利要求2所述的用于湿法单片机的清洗装置，其特征在于，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小为0105MM之间的任一数值取值。权利要求书CN104091774A1/2页3一种用于湿法单片机的清洗装置技术领域0001本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于湿法单片机的清洗装置。背景技术0002在半导体制造工艺技术领域，湿法清洗/刻蚀在集成电路制造中必不可少。现有成熟的湿法清洗制程是酸。
4、槽清洗，即硅片依次通过酸液槽、清洗槽最后经过干燥槽进行清洗/刻蚀。但是，所述清洗方式势必会造成各酸液槽之间的交叉污染，增加了硅片表面的缺陷，降低了清洗效率，不利于硅片器件性能和良率的提高。0003另一方面，单片机清洗由于其制程在各独立的腔室内完成，有效的避免了酸液之间的相互污染，提高了硅片的清洗效率，在4540NM以下的集成制程中被越来越多的应用。所述单片机清洗模式以在高速旋转的硅片上方喷射酸液，最后经过干燥完成。0004然而，现有的单片机喷射酸液的喷液管均为空心设计，例如HF、SPM酸等，所述设计导致在实际操作中很难通过调节酸液的压力来改善清洗或者刻蚀效果。如果酸液压力过大，则酸液流量大，酸。
5、液消耗大，而且对清洗效果改善有限；如果压力小，则酸液流量小，很容易产生缺陷。0005故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种用于湿法单片机的清洗装置。发明内容0006本发明是针对现有技术中，传统的单片机喷射酸液的喷液管均为空心设计，所述设计导致在实际操作中很难通过调节酸液的压力来改善清洗或者刻蚀效果等缺陷提供一种用于湿法单片机的清洗装置。0007为了解决上述问题，本发明提供一种用于湿法单片机的清洗装置，所述用于湿法单片机的清洗装置，包括喷液管壁，所述喷液管壁呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头，所述喷液端头设置在所述喷液管壁之端部，并。
6、在所述喷液端头上间隔设置通孔。0008可选地，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小根据各工艺制程要求设置。0009可选地，所述喷液端头上间隔设置的所述通孔之孔径大小为0105MM之间的任一数值取值。0010综上所述，本发明用于湿法单片机的清洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。附图说明0011图1所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之截面图；说明书CN1040。
7、91774A2/2页40012图2所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之立体结构示意图。具体实施方式0013为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。0014请参阅图1、图2，图1所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之截面图。图2所示为本发明用于湿法单片机的清洗装置之立体结构示意图。所述用于湿法单片机的清洗装置1，包括喷液管壁11，所述喷液管壁11呈柱状设计，并用于容置和传输酸液；喷液端头12，所述喷液端头12设置在所述喷液管壁11之端部，并在所述喷液端头12上间隔设置通孔121。0015作为本领域技术人员，容易理解地，较现有湿法单片机。
8、之清洗装置，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置1之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，改善了硅片清洗效果。0016为了更好的实施本发明之技术方案，作为具体的实施方式，所述喷液端头12上间隔设置的所述通孔121之孔径大小可根据各工艺制程要求设置。优选地，所述喷液端头12上间隔设置的所述通孔121之孔径大小为0105MM之间的任一数值取值。更优选地，为了保证酸液喷射的均匀性及喷液的流畅性，在每次酸洗后，对所述喷液端头12之通孔121进行清洗，防止其堵塞。0017综上所述，本发明用于湿法单片机的清洗装置通过在所述喷液管壁之端部设置喷液端头，且所述喷液端头上间隔设置通孔，在酸液压力条件一定的情况下，本发明所述用于湿法单片机的清洗装置之酸液喷射具有较大的压强，极大的增加了酸液达到硅片表面的速度，在不增加酸液消耗量的同时改善了硅片清洗效果，减少了缺陷，提高了产品良率。0018本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。说明书CN104091774A1/1页5图1图2说明书附图CN104091774A。