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1、10申请公布号CN104104226A43申请公布日20141015CN104104226A21申请号201410345571922申请日20140720H02M3/15520060171申请人苏州塔可盛电子科技有限公司地址215000江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路1258号11栋72发明人费志瑾54发明名称一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置57摘要一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置，包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4、电容C3、MOSFET管和PMW控制器OB2269。与现有技术相比，本发明通过配置PMW控制器OB2269，其所具有的低待机功耗特。
2、性、低启动电流特性、低工作电流内置特性、前沿消隐内置特性和MOSFET软驱动特性等充分保证了电源的低损耗保护。输出过流、短路消除后，电源仍能正常输出，使得电源的工作效率大大提高。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图1页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图1页10申请公布号CN104104226ACN104104226A1/1页21一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置，其特征在于包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4、电容C3、MOSFET管和PMW控制器OB2269，所述MOSFET管的第2引脚连接PMW控制器OB2269的FB。
3、端,所述MOSFET管的第3引脚连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接电阻R9的一端，电阻R9的一端还与电容C3的一端连接，电阻R9的另一端与所述MOSFET管的第1引脚连接，所述电容C3的一端连接电阻R7的一端，所述电容C3的另一端连接电阻R7的另一端，所述电阻R6的一端连接所述电容C3的另一端，所述电阻R6的另一端连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R6的另一端还连接电容C4的一端，所述电容C4的另一端连接所述MOSFET管的第3引脚。所述电阻R6的另一端连接三极管Q1的控制极，所述三极管的发射极连接PMW控制器OB2269的VDD端；。
4、所述三极管Q1的基极连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，MOSFET管引脚与PMW控制器OB2269的VDD端之间连接有电阻R8；所述三极管Q1的基极连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R3的一端还连接电阻R4的一端；所述电阻R4的另一端连接稳压二极管U1的负极，所述稳压二极管U1的正极连接MOSFET管的第3引脚；所述稳压二极管U1的控制端还连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端还连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R1的一端还连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接MOSFET。
5、管的第3引脚。权利要求书CN104104226A1/3页3一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置技术领域0001本发明涉及电子技术领域，具体为一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置。背景技术0002现有技术中，很多开关电源都具有输出过流、输出短路保护功能，保护模式通常为打嗝保护。这类保护线路可以有效地保护输出负载设备，但由于打嗝保护的频率通常不容易控制，导致在保护线路被触发后，整个电源装置的损耗仍旧非常大。在长时间大损耗的保护状态下，电源装置的功率器件可能会因为损耗过大，温度过高而发生失效，进而造成电源装置失效。发明内容0003本发明的目的在于提供一种应用PMW控制。
6、器OB2269的能在过流、短路保护中实现低损耗、高可靠性的低损耗开关电源装置。0004为实现上述目的，本发明提供如下技术方案0005一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置，包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4、电容C3、MOSFET管和PMW控制器OB2269；所述MOSFET管的第2引脚连接PMW控制器OB2269的FB端,所述MOSFET管的第3引脚连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接电阻R9的一端，电阻R9的一端还与电容C3的一端连接，电阻R9的另一端与所述MOSFET管的第1引脚连接，所述电容C3的一端连接电阻R7的一端，所述电容C3的另一端连接电阻R7的另一端。
7、，所述电阻R6的一端连接所述电容C3的另一端，所述电阻R6的另一端连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R6的另一端还连接电容C4的一端，所述电容C4的另一端连接所述MOSFET管的第3引脚。所述电阻R6的另一端连接三极管Q1的控制极，所述三极管的发射极连接PMW控制器OB2269的VDD端；所述三极管Q1的基极连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，MOSFET管引脚与PMW控制器OB2269的VDD端之间连接有电阻R8；所述三极管Q1的基极连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接PMW控制器OB2。
8、269的VDD端，所述电阻R3的一端还连接电阻R4的一端；所述电阻R4的另一端连接稳压二极管U1的负极，所述稳压二极管U1的正极连接MOSFET管的第3引脚；所述稳压二极管U1的控制端还连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端还连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R1的一端还连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接MOSFET管的第3引脚。0006与现有技术相比，本发明通过配置PMW控制器OB2269，其所具有的低待机功耗特性、低启动电流特性、低工作电流内置特性、前沿消隐内置特性和MOSFET软驱动特性等充分保证了电源的低损耗保护。输出过流、短路消除后，电源仍能正常输出，使得电。
9、源的工作效率大大提高。说明书CN104104226A2/3页4附图说明0007图1为本发明提供开关电源的电路原理图。具体实施方式0008为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。0009如图1、所示的一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置，包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4、电容C3、MOSFET管和PMW控制器OB2269，所述MOSFET管的第2引脚连接PMW控制器OB2269的FB端,所述MOSFET管的第3引脚连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接电阻R9的一端，电阻R9的一端还与电容C3的一端连接，电。
10、阻R9的另一端与所述MOSFET管的第1引脚连接，所述电容C3的一端连接电阻R7的一端，所述电容C3的另一端连接电阻R7的另一端，所述电阻R6的一端连接所述电容C3的另一端，所述电阻R6的另一端连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R6的另一端还连接电容C4的一端，所述电容C4的另一端连接所述MOSFET管的第3引脚。所述电阻R6的另一端连接三极管Q1的控制极，所述三极管的发射极连接PMW控制器OB2269的VDD端；所述三极管Q1的基极连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，MOSFET管引脚与PMW控。
11、制器OB2269的VDD端之间连接有电阻R8；所述三极管Q1的基极连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R3的一端还连接电阻R4的一端；所述电阻R4的另一端连接稳压二极管U1的负极，所述稳压二极管U1的正极连接MOSFET管的第3引脚；所述稳压二极管U1的控制端还连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端还连接PMW控制器OB2269的VDD端，所述电阻R1的一端还连接电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接MOSFET管的第3引脚。0010PMW控制器OB2269通过特别的低功耗间歇工作模式设计不仅可以让整个系统在空载的状态下轻易达到国际能源机。
12、构最新的推荐标准，而且允许系统在较轻负载约1/30满载以下的情况下同样具有超低耗的性能。无噪声工作使用PMW控制器OB2269设计的电源无论在空载，轻载和满载的情况下都不会产生音频噪声。优化的系统设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。更低启动电流PMW控制器OB2269VIN/VDD启动电流低至4UA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时间。更低工作电流PMW控制器OB2269的工作电流约为23MA，可有效降低系统的损耗，提高系统的效率。PMW控制器OB2269内置前沿消隐内置前沿消隐LEB，可以为系统节省了一个外部的RC网络，降低系统成本。PMW控制器OB2269内置了OC。
13、P补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦，提高系统的性价比。PMW控制器OB2269集成了较完善的保护功能模块。PMW控制器OB2269的MOSFET软驱动可有效的改善系统的EMI。较少的外围器件PMW控制器OB2269外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。PMW控制器OB2269具有优良的EMI特性PMW控制器OB2269内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的EMI特性，同时可以降低系统的EMI成本。0011对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的。
14、具体形式实现本发明。因此，无论说明书CN104104226A3/3页5从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。0012此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。说明书CN104104226A1/1页6图1说明书附图CN104104226A。