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1、10申请公布号CN104217995A43申请公布日20141217CN104217995A21申请号201410464908822申请日20140912H01L21/77200601H01L27/1220060171申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方显示技术有限公司72发明人白金超郭总杰丁向前刘晓伟刘耀张光明74专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健54发明名称阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板57摘要本发明公开一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板，涉及显示装置技术，解决隔垫物与阵列基板贴合时易产。
2、生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果的问题。阵列基板的制造方法，包括1，在基板上形成栅极；2，在栅极上依次形成栅极绝缘层，有源层以及源、漏极；3，在源、漏极上形成钝化层，并在相应位置形成过孔；4，在钝化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；5，对第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；6，沿第一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；7，对基板进行曝光、显影，去除第一图案化光刻胶层。本发明主要用于显示装置生产中。51INTCL权利要求书2页说明书5页附图8页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书5页。
3、附图8页10申请公布号CN104217995ACN104217995A1/2页21一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤1，在基板上形成栅极；步骤2，在所述栅极上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源层；步骤3，在完成步骤2的所述基板上形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成过孔；步骤4，在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；步骤5，使用掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；步骤6，沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；步骤7，使用掩膜版对完成。
4、步骤6的所述基板进行曝光、显影，去除所述第一图案化光刻胶层。2根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括步骤11，在所述基板上通过金属溅射工艺形成第一金属材料层，在所述第一金属材料层上涂敷第二光刻胶层；步骤12，使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二图案化光刻胶层；步骤13，沿所述第二图案化光刻胶层对所述第一金属材料层进行刻蚀，形成所述栅极，同时形成栅线；步骤14，剥离所述第二图案化光刻胶层。3根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤13中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。4根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤。
5、2具体包括步骤21，在所述栅极和栅线上通过气相沉积形成所述栅极绝缘层；步骤22，在所述栅极绝缘层上通过气相沉积形成有源材料层，在所述有源材料层上涂敷第三光刻胶层；步骤23，使用掩膜版对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，形成第三图案化光刻胶层，沿所述第三图案化光刻胶层对所述有源材料层进行刻蚀，形成有源层；步骤24，剥离所述第三图案化光刻胶层；步骤25，在所述有源层上通过金属溅射工艺形成第二金属材料层，在所述第二金属材料层上涂敷第四光刻胶层；步骤26，使用掩膜版对所述第四光刻胶层进行曝光、显影，形成第四图案化光刻胶层；沿所述第四图案化光刻胶层对所述第二金属材料层进行刻蚀，形成所述源、漏极，以及与所述。
6、源极连接的数据线；步骤27，剥离所述第四图案化光刻胶层。5根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括步骤31，在完成步骤27的所述基板上通过气相沉积形成钝化材料层，在所述钝化材料层上涂敷第五光刻胶层；步骤32，使用掩膜版对所述第五光刻胶层进行曝光、显影，形成第五图案化光刻胶层；步骤33，沿所述第五图案化光刻胶层对所述钝化材料层进行刻蚀，形成钝化层，同时在权利要求书CN104217995A2/2页3所述钝化层上相应位置形成所述过孔；步骤34，剥离所述第五图案化光刻胶层。6根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅材质。7根据权利要求5所述的。
7、阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体可以为步骤4，在完成所述步骤34的所述基板上通过气相沉积形成导电材料层，在所述导电材料层上涂敷所述第一光刻胶层。8根据权利要求1或7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述导电材料层为氧化铟锡膜。9一种阵列基板，其特征在于，使用权利要求18任一所述的阵列基板的制造方法制造而成。权利要求书CN104217995A1/5页4阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板技术领域0001本发明涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板。背景技术0002TFTLCDTHINFILMTRANSISTORLIQUIDCRYSTALD。
8、ISPLAY，薄膜晶体管液晶显示器具有高响应度、高亮度和高对比度等优点，备受人们的青睐，已成为显示装置中的主流产品。0003其中，TFTLCD显示器主要包括液晶盒，该液晶盒的下玻璃基板阵列基板上设置TFT，上玻璃基板彩膜基板上设置彩色滤光片，通过电场对液晶的作用以及TFT上信号的改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到显示的目的。现有技术中，彩膜基板上设有支撑液晶盒的隔垫物，该隔垫物通过在彩膜基板上涂敷光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影等工艺，从而形成隔垫物，以隔离出注入液晶的空间。0004然而，在阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶盒的过程中，由于隔垫物需要与阵列基板表面相贴合，则存在摩擦，易产生静电。
9、，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果，例如产生蓝点不良等。发明内容0005本发明提供一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板，解决了隔垫物与阵列基板贴合时易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果的问题。0006为达到上述目的，本发明采用如下技术方案0007一种阵列基板的制造方法，包括步骤1，在基板上形成栅极；步骤2，在所述栅极上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源层；步骤3，在完成步骤2的所述基板上形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成过孔；步骤4，在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；步骤5，使用掩膜版对所述第。
10、一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；步骤6，沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；步骤7，使用掩膜版对完成步骤6的所述基板进行曝光、显影，去除所述第一图案化光刻胶层。0008具体地，所述步骤1具体包括步骤11，在所述基板上通过金属溅射工艺形成第一金属材料层，在所述第一金属材料层上涂敷第二光刻胶层；步骤12，使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二图案化光刻胶层；步骤13，沿所述第二图案化光刻胶层对所述第一金属材料层进行刻蚀，形成所述栅极，同时形成栅线；步骤14，剥离所述第二图案化光刻胶层。0009其中，所述步。
11、骤13中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。0010具体地，所述步骤2具体包括步骤21，在所述栅极和栅线上通过气相沉积形成所说明书CN104217995A2/5页5述栅极绝缘层；步骤22，在所述栅极绝缘层上通过气相沉积形成有源材料层，在所述有源材料层上涂敷第三光刻胶层；步骤23，使用掩膜版对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，形成第三图案化光刻胶层，沿所述第三图案化光刻胶层对所述有源材料层进行刻蚀，形成有源层；步骤24，剥离所述第三图案化光刻胶层；步骤25，在所述有源层上通过金属溅射工艺形成第二金属材料层，在所述第二金属材料层上涂敷第四光刻胶层；步骤26，使用掩膜版对所述第四光刻胶层进行曝光、显影，形。
12、成第四图案化光刻胶层；沿所述第四图案化光刻胶层对所述第二金属材料层进行刻蚀，形成所述源、漏极，以及与所述源极连接的数据线；步骤27，剥离所述第四图案化光刻胶层。0011进一步地，所述步骤3具体包括步骤31，在完成步骤27的所述基板上通过气相沉积形成钝化材料层，在所述钝化材料层上涂敷第五光刻胶层；步骤32，使用掩膜版对所述第五光刻胶层进行曝光、显影，形成第五图案化光刻胶层；步骤33，沿所述第五图案化光刻胶层对所述钝化材料层进行刻蚀，形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成所述过孔；步骤34，剥离所述第五图案化光刻胶层。0012优选地，所述钝化层为氮化硅材质。0013其中，所述步骤4具体可以为步。
13、骤4，在完成所述步骤204的所述基板上通过气相沉积形成导电材料层，在所述导电材料层上涂敷所述第一光刻胶层。0014具体地，所述导电材料层为氧化铟锡膜。0015一种阵列基板，使用上述所述的阵列基板的制造方法制造而成。0016本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中，首先，在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层，以及源、漏极和钝化层，并在钝化层上相应位置形成过孔；然后，在钝化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；之后，使用掩膜版对第一光刻胶层进行曝光、显影，以在非像素区形成隔垫物，与此同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；最后，沿第一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀，以形成像素电极，并使用掩膜。
14、版对基板进行曝光、显影，以去除第一图案化光刻胶层。由此分析可知，本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中，在形成像素电极的过程中，通过对涂敷的同一光刻胶层进行曝光、显影，以同时形成隔垫物和导电材料层的图案化光刻胶层，并通过对导电材料层的刻蚀及图案化光刻胶层的再次曝光、显影，以最后形成像素电极；因此，能够将隔垫物固定设置在阵列基板上，从而在阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶盒的过程中，隔垫物固定在阵列基板表面，不存在摩擦静电，则不会对液晶的控制造成干扰，以保证显示效果；而且，本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中，通过对涂敷的同一光刻胶层进行曝光、显影，以同时形成隔垫物，即隔垫物的形成是使用了。
15、形成像素电极时的光刻胶，相比现有技术在彩膜基板上形成隔垫物，能够减少光刻胶的涂敷次数，从而能够减少光刻胶材料的使用量，降低显示装置的制造成本；同时能够减少曝光、显影、剥离等工艺流程，进而缩短了显示装置的制造周期，提高了产能。附图说明0017图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；0018图2图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程所对应结构的剖面示意图；说明书CN104217995A3/5页60019图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤1的流程图；0020图10A至图10D为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤1的流程所对应结构的剖面示意图。
16、；0021图11为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤2的流程图；0022图12为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤3的流程图；0023图13A至图13D为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中步骤3的流程所对应结构的剖面示意图。0024图中，1为基板；2为栅极、21为第一金属材料层、22为第二光刻胶层、23为第二图案化光刻胶层；3为栅极绝缘层；4A为源极、4B为漏极；5为有源层；6为导电材料层；7为第一光刻胶层；A为非像素区、B为像素区；8为隔垫物；9为第一图案化光刻胶层；10为像素电极；11为钝化层、111为钝化材料层、112为第五光刻胶层、113为第五图案化光刻。
17、胶层。具体实施方式0025下面结合附图对本发明实施例一种阵列基板的制造方法进行详细描述。0026本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，如图18所示，包括步骤1，在基板1上形成栅极2；步骤2，在栅极2上沉积形成栅极绝缘层3，在栅极绝缘层3上形成源、漏极4A、4B以及连接源、漏极4A、4B的有源层5；步骤3，在完成步骤2的基板上形成钝化层11，同时在钝化层11上相应位置形成过孔；步骤4，在完成步骤3的基板1上依次形成导电材料层6和第一光刻胶层7；步骤5，使用掩膜版对第一光刻胶层7进行曝光、显影，在非像素区A形成隔垫物8、同时在像素区B形成第一图案化光刻胶层9；步骤6，沿第一图案化光刻胶层9对导电。
18、材料层6进行刻蚀，形成像素电极10；步骤7，使用掩膜版对完成步骤6的基板进行曝光、显影，去除第一图案化光刻胶层9。0027本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中，首先，在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层，以及源、漏极和钝化层，并在钝化层上相应位置形成过孔；然后，在钝化层上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；之后，使用掩膜版对第一光刻胶层进行曝光、显影，以在非像素区形成隔垫物，与此同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；最后，沿第一图案化光刻胶层对导电材料层进行刻蚀，以形成像素电极，并使用掩膜版对基板进行曝光、显影，以去除第一图案化光刻胶层。由此分析可知，本发明实施例提供的一种阵列基板的制造。
19、方法中，在形成像素电极的过程中，通过对涂敷的同一光刻胶层进行曝光、显影，以同时形成隔垫物和导电材料层的图案化光刻胶层，并通过对导电材料层的刻蚀及图案化光刻胶层的再次曝光、显影，以最后形成像素电极；因此，能够将隔垫物固定设置在阵列基板上，从而在阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶盒的过程中，隔垫物固定在阵列基板表面，不存在摩擦静电，则不会对液晶的控制造成干扰，以保证显示效果；而且，本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法中，通过对涂敷的同一光刻胶层进行曝光、显影，以同时形成隔垫物，即隔垫物的形成是使用了形成像素电极时的光刻胶，相比现有技术在彩膜基板上形成隔垫物，能够减少光刻胶的涂敷次数，从而能够减少光。
20、刻胶材料的使用量，降低显示装置的制造成本；同时能够减少曝光、显影、剥离等工艺流程，进而缩短了显示装置的制造周期，提高了产能。0028此处需要说明的是，本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法，可以适用于说明书CN104217995A4/5页7TN扭转向列型面板、ADS边缘场效应型面板和VA垂直曲向阵列型面板等显示模式。0029具体地，如图910所示，其中，图10A图10D统称为图10，上述步骤1具体可以包括步骤11，如图10A所示，在基板1上通过金属溅射工艺形成第一金属材料层21，在第一金属材料层21上涂敷第二光刻胶层22。0030其中，第一金属材料层21可以为钼、锑、铝、铜等金属或合金，可以。
21、优选为采用金属溅射工艺在基板1上形成，当然也可以采用磁控溅射工艺、热蒸发或其它成膜方法在基板1上形成，在此不作限制。0031步骤12，如图10B所示，使用掩膜版对第二光刻胶层22进行曝光、显影，形成第二图案化光刻胶层23。0032具体地，第二图案化光刻胶层23形成时所采用的掩膜版，可以是包括透光区及非透光区的普通掩膜版，或具有透光区、非透光区、半透光区及部分透光区的灰阶掩膜版。0033步骤13，如图10C所示，沿第二图案化光刻胶层23对第一金属材料层21进行刻蚀，形成上述栅极2，同时形成栅线。0034进一步地，上述步骤13中的刻蚀工艺可以为干法刻蚀或湿法刻蚀，其中，干法刻蚀是通过电场将气体变为。
22、电浆后，再与相应的薄膜层或金属层发生反应来达到刻蚀目的，湿法刻蚀是通过化学液的腐蚀效果来达到刻蚀目的；本发明实施例中可以优选为采用湿法刻蚀。0035步骤14，如图10D所示，,剥离第二图案化光刻胶层23。0036具体地，第二图案化光刻胶层23的剥离可以采用药剂剥离技术，也可以采用其他合理的剥离技术。0037其中，如图11所示，上述步骤2具体可以包括步骤21，在上述栅极2和栅线上通过气相沉积形成栅极绝缘层3。0038步骤22，在栅极绝缘层3上通过气相沉积形成有源材料层，在有源材料层上涂敷第三光刻胶层。0039步骤23，使用掩膜版对第三光刻胶层进行曝光、显影，形成第三图案化光刻胶层，沿第三图案化光。
23、刻胶层对有源材料层进行刻蚀，形成有源层5。其中，掩膜版可以采用普通掩膜版或灰阶掩膜版。0040步骤24，剥离第三图案化光刻胶层。其中，第三图案化光刻胶层的剥离可以采用药剂剥离技术。0041步骤25，在上述有源层5上通过金属溅射工艺形成第二金属材料层，在第二金属材料层上涂敷第四光刻胶层。0042具体地，第二金属材料层可以为钼、锑、铝、铜等金属或合金，可以优选为采用金属溅射工艺在基板1上形成，当然也可以采用磁控溅射工艺或热蒸发工艺在基板1上形成。0043步骤26，使用掩膜版对第四光刻胶层进行曝光、显影，形成第四图案化光刻胶层；沿第四图案化光刻胶层对第二金属材料层进行刻蚀，形成上述源、漏极4A、4B。
24、，以及与源极4A连接的数据线。0044其中，掩膜版可以采用普通掩膜版或灰阶掩膜版；数据线也可以不与源、漏极4A、4B同层形成，在此不作限制。说明书CN104217995A5/5页80045步骤27，剥离第四图案化光刻胶层。第四图案化光刻胶层的剥离可以采用药剂剥离技术。0046此处需要说明的是，上述步骤2的具体步骤均为现有技术的常规方法，其构图工艺具体可以为MASK构图工艺，通常MASK构图工艺包括有4MASK、5MASK或者更多次MASK。其大致过程为首先在阵列基板上沉积相应的薄膜层或金属层，之后在最上一层涂敷一层光刻胶，通过使用特定的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，使其图案化，然后再通过刻蚀工。
25、艺在阵列基板上形成特定图案，最后通过剥离工艺去除光刻胶即可完成相应图案的制造。其中，在一次MASK工艺中，也可能需要进行多次光刻胶的剥离。0047其中，上述步骤2中的有源层5和源、漏极4A、4B还可以通过一次MASK工艺形成，具体地，首先在栅极绝缘层3上沉积有源材料层和第二金属材料层；之后再涂敷第三光刻胶层，并通过灰阶掩膜版对第三光刻胶层进行半曝光、显影，形成第三图案化光刻胶层；然后沿第三图案化光刻胶层对有源材料层和第二金属材料层进行相关刻蚀和灰化，形成有源层5和源、漏极4A、4B；最后剥离第三图案化光刻胶层。0048进一步地，如图1213所示，其中，图13A图13D统称为图13，上述步骤3具。
26、体可以包括步骤31，如图13A所示，在完成上述步骤27的基板1上通过气相沉积形成钝化材料层111，在钝化材料层111上涂敷第五光刻胶层112。0049步骤32，如图13B所示，使用掩膜版对第五光刻胶层112进行曝光、显影，形成第五图案化光刻胶层113。0050其中，掩膜版可以采用普通掩膜版或灰阶掩膜版，当然，也可以采用其它合理结构的掩膜版，在此不作限制。0051步骤33，如图13C所示，沿第五图案化光刻胶层113对钝化材料层111进行刻蚀，形成钝化层11，同时在钝化层11上相应位置形成过孔。0052优选地，上述钝化层11可以为氮化硅材质，当然也可以选用氧化物、氮化物或氮氧化合物，或也可以采用其。
27、他合理材料制成的有机绝缘膜。0053步骤34，如图13D所示，剥离第五图案化光刻胶层113。0054具体地，第五图案化光刻胶层113的剥离可以采用药剂剥离技术。0055其中，上述步骤4具体可以为在完成上述步骤34的基板1上通过气相沉积形成导电材料层6，在导电材料层6上涂敷第一光刻胶层7。0056优选地，上述导电材料层6可以为氧化铟锡膜，当然也可以为其他合理的电极材料，例如铝合金或铜合金。0057具体地，导电材料层6形成的像素电极10，可以通过钝化层11上相应位置的过孔，例如对应漏极4B位置处的过孔，从而与漏极4B相连，并与公共电极形成水平电场，进而改变液晶分子的排列状态，以达到显示目的。005。
28、8本发明实施例还提供一种阵列基板，具体地，该阵列基板通过使用上述实施例描述的阵列基板的制造方法制造而成。0059以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。说明书CN104217995A1/8页9图1图2说明书附图CN104217995A2/8页10图3图4图5说明书附图CN104217995A103/8页11图6图7说明书附图CN104217995A114/8页12图8图9说明书附图CN104217995A125/8页13图10A图10B图10C图10D说明书附图CN104217995A136/8页14图11说明书附图CN104217995A147/8页15图12图13A说明书附图CN104217995A158/8页16图13B图13C图13D说明书附图CN104217995A16。