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1、10申请公布号CN104218129A43申请公布日20141217CN104218129A21申请号201410495598622申请日20140924H01L33/10201001H01L33/02201001H01L33/0020100171申请人杭州士兰明芯科技有限公司地址310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号72发明人马新刚丁海生李芳芳李东昇江忠永74专利代理机构上海思微知识产权代理事务所普通合伙31237代理人郑玮54发明名称LED衬底结构及其制作方法57摘要本发明提供了一种LED衬底结构及其制作方法，首先，将图形化衬底技术和DBR技术有机地结合在一起。
2、，能更有效地提高LED的发光效率和发光亮度；其次，凹形结构或者凸形结构和DBR膜系位于衬底的同一表面上，且都是在衬底减薄前完成，便于加工和后续清洗处理，这无疑降低了LED加工过程中的隐形成本；再次，在做DBR膜系的窗口时，无需光刻，避开了微纳图形加工过程中光刻难对位的技术瓶颈；总之，本发明所提供的LED衬底结构的制作方法工艺简单、成本低廉，适于大规模商业化生产，LED衬底结构能够更有效地提高LED的发光效率和发光亮度，能够加快LED进入高端照明领域和寻常百姓家的产业化进程，符合LED可持续发展战略。51INTCL权利要求书2页说明书7页附图12页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请。
3、权利要求书2页说明书7页附图12页10申请公布号CN104218129ACN104218129A1/2页21一种LED衬底结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底上形成有周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构，所述凹形结构的内壁上形成有DBR膜系；或者所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面上形成有DBR膜系。2如权利要求1所述的LED衬底结构，其特征在于，所述凹形结构之间的衬底表面无DBR膜系；或者所述凸形结构的顶壁无DBR膜系。3如权利要求2所述的LED衬底结构，其特征在于，所述凹形结构之间的衬底表面便于连接GAN层；或者所述凸形结构的顶壁便于连接GAN层。4如权利要求1所述的。
4、LED衬底结构，其特征在于，所述凹形结构的剖面形状为三角形或者梯形；所述凸形结构的剖面形状为梯形。5如权利要求1所述的LED衬底结构，其特征在于，所述凹形结构的俯视形状为圆形、椭圆形或者多边形；所述凸形结构的俯视形状为圆形、椭圆形或者多边形。6如权利要求1所述的LED衬底结构，其特征在于，所述DBR膜系由SIO、SIO2、TIO2或者TI3O5中的至少两种材料层叠形成。7如权利要求6所述的LED衬底结构，其特征在于，每种材料按照/4N厚度交替生长，所述DBR膜系的生长周期为3个20个。8如权利要求17中任一项所述的LED衬底结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。9一种LED衬底结构的制作方法。
5、，其特征在于，包括提供衬底；刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构；在所述凹形结构的内壁上形成DBR膜系；或者在所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系。10如权利要求9所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构包括在所述衬底上形成掩膜层；利用光刻和刻蚀工艺，去除部分掩膜层，暴露出部分衬底；刻蚀暴露出的部分衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构；去除剩余的掩膜层。11如权利要求10所述的LED衬底结构的制作方。
6、法，其特征在于，在所述衬底上形成掩膜层中，所述掩膜层的材料为二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一种，所述掩膜层的厚度为01M1M。12如权利要求10所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，利用干法或者湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底。13如权利要求12所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，当利用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底时，选用的刻蚀液为硫酸和磷酸的混合液，所述混合液中硫酸和磷酸的体积比为31101，工艺温度为200300，工艺时间为1分钟60分钟。14如权利要求12所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，当利用干法刻蚀工艺权利要求书CN104218129A2/2页3刻蚀暴。
7、露出的部分衬底时，选用的干法刻蚀工艺为感应耦合等离子体干法刻蚀工艺。15如权利要求9所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，在所述凹形结构的内壁上形成DBR膜系；或者在所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系包括在所述凹形结构的内壁上以及凹形结构之间的衬底表面形成DBR膜系；或者在所述凸形结构的侧壁、顶壁以及凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系；在所述DBR膜系上形成光刻胶；刻蚀光刻胶和最先露出的DBR膜系，去除部分光刻胶以及凹形结构之间的衬底表面上的DBR膜系或者凸形结构的顶壁上的DBR膜系；去除剩余的光刻胶。16如权利要求15所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在。
8、于，所述光刻胶的厚度大于所述凹形结构的深度或者所述凸形结构的高度。17如权利要求916中任一项所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。18如权利要求916中任一项所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，所述DBR膜系由SIO、SIO2、TIO2或者TI3O5中的至少两种材料层叠形成，每种材料按照/4N厚度交替生长形成，所述DBR膜系的生长周期为3个20个。权利要求书CN104218129A1/7页4LED衬底结构及其制作方法技术领域0001本发明涉及半导体光电芯片制造技术领域，特别涉及一种LED衬底结构及其制作方法。背景技术0002随着人们生活水平的提高，环保意识。
9、的增强，对家居环境、休闲和舒适度追求的不断提高，灯具灯饰也逐渐由单纯的照明功能转向照明和装饰共存的局面，具有照明和装饰双重优势的固态冷光源LED取代传统光源进入人们的日常生活成为必然之势。0003GAN基LED自从20世纪90年代初商业化以来，经过二十几年的发展，其结构已趋于成熟和完善，已能够满足人们现阶段对灯具装饰的需求；但要完全取代传统光源进入照明领域，发光亮度的提高却是LED行业科研工作者永无止境的追求。0004在内量子效率已接近100可提高的空间有限的前提下，LED行业的科研工作者把目光转向了外量子效率，提出了可提高光提取率的多种技术方案和方法，例如图形化衬底技术、侧壁粗化技术、DBR。
10、技术、优化电极结构、在衬底或透明导电膜上制作二维光子晶体等。其中图形化衬底最具成效，尤其是2010年以来，在政府各种政策的激励和推动下，无论是锥状结构的干法图形化衬底技术还是金字塔形状的湿法图形化衬底技术都得到了飞速的发展，其工艺已经非常成熟，并于2012年完全取代了平衬底，成为LED芯片的主流衬底，使LED的晶体结构和发光亮度都得到了革命性的提高。0005当然，减薄后，在LED衬底的背面蒸镀DBR的技术也能在一定程度上提高LED的发光亮度。然而，减薄后，LED晶片已经很薄只有80UM左右，非常容易裂片，且一旦出现异常都不易于做返工处理，只能报废，所以DBR工艺的成本远不止材料和加工成本，更多。
11、的则是隐形成本。所以现阶段LED代替传统照明光源，进入照明领域，进入寻常百姓家，所遇到的问题不是亮度达不到的问题，而是物美价不廉的问题，而这种问题一般都是结构不够合理、工艺技术不够优化，造成制造成本不够科学所导致的。发明内容0006本发明的目的在于提供一种LED衬底结构及其制作方法，以解决现有的LED或者发光亮度不够，或者制作过程中容易裂片，成本较高的问题。0007为解决上述技术问题，本发明提供一种LED衬底结构，所述LED衬底结构包括衬底，所述衬底上形成有周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构，所述凹形结构的内壁上形成有DBR膜系；或者所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面。
12、上形成有DBR膜系。0008可选的，在所述的LED衬底结构中，所述凹形结构之间的衬底表面无DBR膜系；或者所述凸形结构的顶壁无DBR膜系。0009可选的，在所述的LED衬底结构中，所述凹形结构之间的衬底表面便于连接GAN层；或者所述凸形结构的顶壁便于连接GAN层。说明书CN104218129A2/7页50010可选的，在所述的LED衬底结构中，所述凹形结构的剖面形状为三角形或者梯形；所述凸形结构的剖面形状为梯形。0011可选的，在所述的LED衬底结构中，所述凹形结构的俯视形状为圆形、椭圆形或者多边形；所述凸形结构的俯视形状为圆形、椭圆形或者多边形。0012可选的，在所述的LED衬底结构中，所述。
13、DBR膜系由SIO、SIO2、TIO2或者TI3O5中的至少两种材料层叠形成。0013可选的，在所述的LED衬底结构中，每种材料按照/4N厚度交替生长，所述DBR膜系的生长周期为3个20个。0014可选的，在所述的LED衬底结构中，所述衬底为蓝宝石衬底。0015本发明还提供一种LED衬底结构的制作方法，所述LED衬底结构的制作方法包括0016提供衬底；0017刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构；0018在所述凹形结构的内壁上形成DBR膜系；或者在所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系。0019可选的，在所述的LED衬底结构的。
14、制作方法中，刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构包括0020在所述衬底上形成掩膜层；0021利用光刻和刻蚀工艺，去除部分掩膜层，暴露出部分衬底；0022刻蚀暴露出的部分衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构或者周期性阵列排布的凸形结构；0023去除剩余的掩膜层。0024可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，在所述衬底上形成掩膜层中，所述掩膜层的材料为二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一种，所述掩膜层的厚度为01M1M。0025可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，利用干法或者湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底。0026可选的，。
15、在所述的LED衬底结构的制作方法中，当利用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底时，选用的刻蚀液为硫酸和磷酸的混合液，所述混合液中硫酸和磷酸的体积比为31101，工艺温度为200300，工艺时间为1分钟60分钟。0027可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，当利用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底时，选用的干法刻蚀工艺为感应耦合等离子体干法刻蚀工艺。0028可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，在所述凹形结构的内壁上形成DBR膜系；或者在所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系包括0029在所述凹形结构的内壁上以及凹形结构之间的衬底表面形成DBR膜系；或者在所述凸形结构的。
16、侧壁、顶壁以及凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系；0030在所述DBR膜系上形成光刻胶；0031刻蚀光刻胶和最先露出的DBR膜系，去除部分光刻胶以及凹形结构之间的衬底表说明书CN104218129A3/7页6面上的DBR膜系或者凸形结构的顶壁上的DBR膜系；0032去除剩余的光刻胶。0033可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，所述光刻胶的厚度大于所述凹形结构的深度或者所述凸形结构的高度。0034可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，所述衬底为蓝宝石衬底。0035可选的，在所述的LED衬底结构的制作方法中，所述DBR膜系由SIO、SIO2、TIO2或者TI3O5中的至少两种材料。
17、层叠形成，每种材料按照/4N厚度交替生长形成，所述DBR膜系的生长周期为3个20个。0036在本发明提供的LED衬底结构及其制作方法中，首先，将图形化衬底技术和DBR技术有机地结合在一起，能够更有效地提高LED的发光效率和发光亮度；其次，凹形结构或者凸形结构和DBR膜系位于衬底的同一表面上，且都是在衬底减薄前完成，非常便于加工和后续清洗处理，这无疑降低了LED加工过程中的隐形成本；再次，在做DBR膜系的窗口时，无需光刻，避开了微纳图形加工过程中光刻难对位的技术瓶颈；总之，本发明所提供的LED衬底结构的制作方法工艺简单、成本低廉，适于大规模商业化生产，本发明所提供的LED衬底结构能够更有效地提高。
18、LED的发光效率和发光亮度，能够加快LED进入高端照明领域和寻常百姓家的产业化进程，符合LED的可持续发展战略。附图说明0037图1是本发明实施例一的LED衬底结构的制作方法的流程示意图；0038图2图10是本发明实施例一的LED衬底结构的制作方法中所形成的器件结构的剖面示意图；0039图11是图4所示的器件结构的俯视图；0040图12是本发明实施例二的LED衬底结构的制作方法的流程示意图；0041图13图21是本发明实施例二的LED衬底结构的制作方法中所形成的器件结构的剖面示意图；0042图22是图15所示的器件结构的俯视图；0043图23是本发明实施例三的LED衬底结构的剖面示意图。具体实。
19、施方式0044以下结合附图和具体实施例对本发明提出的LED衬底结构及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。0045【实施例一】0046请参考图1，其为本发明实施例一的LED衬底结构的制作方法的流程示意图。如图1所示，所述LED衬底结构的制作方法包括0047步骤S10提供衬底；0048步骤S11刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凸形结构；0049步骤S12在所述凸形结构的侧壁和凸形结构之间的衬底表面上形成DBR膜系。说明书CN10421。
20、8129A4/7页70050具体的，请参考图2图11，其中，图2图10是本发明实施例一的LED衬底结构的制作方法中所形成的器件结构的剖面示意图；图11是图4所示的器件结构的俯视图。0051如图2所示，提供衬底20，优选的，所述衬底20为蓝宝石衬底。0052接着，如图3图6所示，刻蚀所述衬底20，以在所述衬底20上形成周期性阵列排布的凸形结构22。0053首先，如图3所示，在所述衬底20上形成掩膜层21。优选的，所述掩膜层21的厚度为01M1M。进一步的，所述掩膜层21的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等中的至少一种。0054接着，如图4所示，利用光刻和刻蚀工艺，去除部分掩膜层21，暴露出。
21、部分衬底20。在此，可相应参考图11，图11为图4所示的器件结构的俯视图。如图11所示，在此，衬底20的形状为圆形，剩余的掩膜层21为多个分立的圆形结构，其呈周期性阵列排布，其中，在衬底20的边缘位置，剩余的掩膜层21受限于衬底20的大小和形状，不是完整的圆形结构。在本申请的其他实施例中，剩余的掩膜层21也可以是多个分立的椭圆形结构、三角形或者多边形结构等，本申请对此不作限定。0055接着，如图5所示，刻蚀暴露出的部分衬底20，以在所述衬底20上形成周期性阵列排布的凸形结构22。在此，所述凸形结构22的剖面形状为梯形。0056在本申请实施例中，可以利用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底20，也可。
22、以利用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底20。具体的，当利用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底20时，选用的刻蚀液为硫酸和磷酸的混合液，所述混合液中硫酸和磷酸的体积比为31101，工艺温度为200300，工艺时间为1分钟60分钟。具体的，可根据所要形成的凸形结构22的高度做适应性选择，本申请实施例对此不再赘述。当利用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底时，选用的干法刻蚀工艺为感应耦合等离子体干法刻蚀工艺。具体刻蚀气体可选用本领域常规的刻蚀气体，例如氯气、三氯化硼或者氩气等。0057最后，如图6所示，去除剩余的掩膜层21，即将凸形结构22顶壁的掩膜层21予以去除。0058在形成了凸形结构22之后，接着将。
23、在所述凸形结构22的侧壁和凸形结构22之间的衬底20表面上形成DBR膜系，具体的，请参考图7图10。0059首先，如图7所示，在所述凸形结构22的侧壁、顶壁以及凸形结构22之间的衬底表面20上形成DBR膜系23；即形成一DBR膜系23，所述DBR膜系23覆盖所述凸形结构22的侧壁、顶壁以及凸形结构22之间的衬底表面20。优选的，所述DBR膜系23由SIO、SIO2、TIO2或者TI3O5中的至少两种材料层叠形成，每种材料按照/4N厚度交替生长，其生长周期为3个20个。例如，当所述DBR膜系23由TIO2和SIO2层叠交替生长形成，生长周期为3个时，即可以先生长TIO2形成/4NTIO2厚度的T。
24、IO2膜，再生长SIO2形成/4NSIO2厚度的SIO2膜，此为第一个周期；接着再生长TIO2形成/4NTIO2厚度的TIO2膜，再生长SIO2形成/4NSIO2厚度的SIO2膜，此为第二个周期；最后再生长TIO2形成/4NTIO2厚度的TIO2膜，再生长SIO2形成/4NSIO2厚度的SIO2膜，此为第三个周期，即每种材料按照/4N厚度交替层叠生长形成3个周期的DBR膜系。接着，如图8所示，在所述DBR膜系23上形成光刻胶24，优选的，所述光刻胶24的厚度大于所述凸形结构22的高度。0060接着，如图9所示，刻蚀光刻胶24和最先露出的DBR膜系23，去除部分光刻胶24说明书CN1042181。
25、29A5/7页8以及凸形结构22的顶壁上的DBR膜系23。即凸形结构22的顶壁无DBR膜系23。0061最后，如图10所示，去除剩余的光刻胶24。由此，在所述凸形结构22的侧壁和凸形结构22之间的衬底20表面上形成了DBR膜系23。0062请继续参考图10，即形成了一种LED衬底结构，所述LED衬底结构包括衬底20，所述衬底20上形成有周期性阵列排布的凸形结构22，所述凸形结构22的侧壁和凸形结构22之间的衬底20表面上形成有DBR膜系23，便于更好地提高LED的发光亮度。在LED的后续制作过程中，可利用所述凸形结构22的顶壁220连接GAN层。从而实现LED衬底结构与GAN层之间更好地连接，。
26、进而提高GAN基LED的质量。0063综上可见，在本发明实施例提供的LED衬底结构及其制作方法中，首先，将图形化衬底技术和DBR技术有机地结合在一起，能够更有效地提高LED的发光效率和发光亮度；其次，凸形结构和DBR膜系位于衬底的同一表面上，且都是在衬底减薄前完成，非常便于加工和后续清洗处理，这无疑降低了LED加工过程中的隐形成本；再次，在做DBR膜系的窗口时，无需光刻，避开了微纳图形加工过程中光刻难对位的技术瓶颈；总之，本发明所提供的LED衬底结构的制作方法工艺简单、成本低廉，适于大规模商业化生产，本发明所提供的LED衬底结构能够更有效地提高LED的发光效率和发光亮度，能够加快LED进入高端。
27、照明领域和寻常百姓家的产业化进程，符合LED的可持续发展战略。0064【实施例二】0065请参考图12，其为本发明实施例二的LED衬底结构的制作方法的流程示意图。如图12所示，所述LED衬底结构的制作方法包括0066步骤S30提供衬底；0067步骤S31刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凹形结构；0068步骤S32在所述凹形结构的内壁上形成DBR膜系。0069具体的，请参考图13图22，其中，图13图21是本发明实施例二的LED衬底结构的制作方法中所形成的器件结构的剖面示意图；图22是图15所示的器件结构的俯视图。0070如图13所示，提供衬底40，优选的，所述衬底40为蓝宝石衬。
28、底。0071接着，如图14图17所示，刻蚀所述衬底40，以在所述衬底40上形成周期性阵列排布的凹形结构42。0072首先，如图14所示，在所述衬底40上形成掩膜层41。优选的，所述掩膜层41的厚度为01M1M。进一步的，所述掩膜层41的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等中的至少一种。0073接着，如图15所示，利用光刻和刻蚀工艺，去除部分掩膜层41，暴露出部分衬底40。在此，可相应参考图22，图22为图15所示的器件结构的俯视图。如图22所示，在此，衬底40的形状为圆形，去除的掩膜层41为多个分立的圆形结构，其呈周期性阵列排布，其中，在衬底40的边缘位置，去除的掩膜层41受限于衬底40的。
29、大小和形状，不是完整的圆形结构。在本申请的其他实施例中，去除的掩膜层41也可以是多个分立的椭圆形结构、三角形结构或者多边形结构等，本申请对此不作限定。0074接着，如图16所示，刻蚀暴露出的部分衬底40，以在所述衬底40上形成周期性阵列排布的凹形结构42。在此，所述凹形结构42的剖面形状为梯形。0075在本申请实施例中，可以利用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底40，也可以利说明书CN104218129A6/7页9用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底40。具体的，当利用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底40时，选用的刻蚀液为硫酸和磷酸的混合液，所述混合液中硫酸和磷酸的体积比为31101，工艺温度为2。
30、00300，工艺时间为1分钟60分钟。具体的，可根据所要形成的凹形结构42的深度做适应性选择，本申请实施例对此不再赘述。当利用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底40时，选用的干法刻蚀工艺为感应耦合等离子体干法刻蚀工艺。具体刻蚀气体可选用本领域常规的刻蚀气体，例如氯气、三氯化硼或者氩气等。0076最后，如图17所示，去除剩余的掩膜层41，即将凹形结构42之间的衬底40表面的掩膜层41予以去除。0077在形成了凹形结构42之后，接着将在所述凹形结构42的内壁上形成DBR膜系，具体的，请参考图18图21。0078首先，如图18所示，在所述凹形结构42的内壁上以及凹形结构42之间的衬底40表面形成DBR。
31、膜系43；即形成一DBR膜系43，所述DBR膜系43覆盖所述凹形结构42的内壁上以及凹形结构42之间的衬底40表面。优选的，所述DBR膜系43由SIO、SIO2、TIO2或者TI3O5中的至少两种材料层叠形成，每种材料按照/4N厚度交替生长，生长周期为3个20个。例如，当所述DBR膜系43由TIO2和SIO2层叠交替生长形成，生长周期为3个时，即可以先生长TIO2形成/4NTIO2厚度的TIO2膜，再生长SIO2形成/4NSIO2厚度的SIO2膜，此为第一个周期；接着再生长TIO2形成/4NTIO2厚度的TIO2膜，再生长SIO2形成/4NSIO2厚度的SIO2膜，此为第二个周期；最后再生长T。
32、IO2形成/4NTIO2厚度的TIO2膜，再生长SIO2形成/4NSIO2厚度的SIO2膜，此为第三个周期，即每种材料按照/4N厚度交替层叠生长形成3个周期的DBR膜系。0079接着，如图19所示，在所述DBR膜系43上形成光刻胶44，优选的，所述光刻胶44的厚度大于所述凹形结构42的深度。0080接着，如图20所示，刻蚀光刻胶44和最先露出的DBR膜系43，去除部分光刻胶44以及凹形结构42之间的衬底40表面的DBR膜系43。即凹形结构42之间的衬底40表面无DBR膜系43。0081最后，如图21所示，去除剩余的光刻胶44。由此，在所述凹形结构42的内壁上形成了DBR膜系43。0082请继续。
33、参考图21，即形成了一种LED衬底结构，所述LED衬底结构包括衬底40，所述衬底40上形成有周期性阵列排布的凹形结构42，所述凹形结构42的内壁上形成有DBR膜系43，便于更好地提高LED的发光亮度。在LED的后续制作过程中，可利用所述凹形结构42之间的衬底表面400连接GAN层。从而实现LED衬底结构与GAN层之间更好地连接，进而提高GAN基LED的质量。0083综上可见，在本发明实施例提供的LED衬底结构及其制作方法中，首先，将图形化衬底技术和DBR技术有机地结合在一起，能够更有效地提高LED的发光效率和发光亮度；其次，凹形结构和DBR膜系位于衬底的同一表面上，且都是在衬底减薄前完成，非常。
34、便于加工和后续清洗处理，这无疑降低了LED加工过程中的隐形成本；再次，在做DBR膜系的窗口时，无需光刻，避开了微纳图形加工过程中光刻难对位的技术瓶颈；总之，本发明所提供的LED衬底结构的制作方法工艺简单、成本低廉，适于大规模商业化生产，本发明所提供的LED衬底结构能够更有效地提高LED的发光效率和发光亮度，能够加快LED进入高端照明领域和说明书CN104218129A7/7页10寻常百姓家的产业化进程，符合LED的可持续发展战略。0084【实施例三】0085请参考图23，其为本发明实施例三的LED衬底结构的剖面示意图。如图23所示，所述LED衬底结构包括衬底50，所述衬底50上形成有周期性阵列。
35、排布的凹形结构52，所述凹形结构52的内壁上形成有DBR膜系53。本实施例三中的LED衬底结构与实施例二中的LED衬底结构的差别在于，本实施例三中的凹形结构52的剖面形状为三角形，而实施例二中的凹形结构42的剖面形状为梯形，此点可通过调节衬底的刻蚀工艺予以控制，本申请实施例对此不再赘述。关于本申请实施例中未提及的部分可相应参考实施例二，本申请实施例对此同样不再赘述。0086上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。说明书CN104218129A101/12页11图1图2图3说明书附图。
36、CN104218129A112/12页12图4图5图6说明书附图CN104218129A123/12页13图7图8说明书附图CN104218129A134/12页14图9图10说明书附图CN104218129A145/12页15图11说明书附图CN104218129A156/12页16图12图13图14说明书附图CN104218129A167/12页17图15图16说明书附图CN104218129A178/12页18图17图18说明书附图CN104218129A189/12页19图19图20说明书附图CN104218129A1910/12页20图21说明书附图CN104218129A2011/12页21图22说明书附图CN104218129A2112/12页22图23说明书附图CN104218129A22。