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1、10申请公布号CN104201177A43申请公布日20141210CN104201177A21申请号201410364401522申请日20140728H01L27/12200601H01L21/7720060171申请人合肥鑫晟光电科技有限公司地址230011安徽省合肥市新站区工业园内申请人京东方科技集团股份有限公司72发明人张九占王国磊74专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002代理人李相雨54发明名称阵列基板及制作方法、显示装置57摘要本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素，每个像素内包括透光区域和。
2、不透光区域，所述阵列基板上设置有公共电极层，所述阵列基板上还设置有位于所述公共电极层和数据线所在层之间的有机膜绝缘层，所述有机膜绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料。还公开了上述阵列基板的制作方法及包括上述阵列基板的显示装置。本发明的阵列基板上公共电极层和数据线之间的有机膜绝缘层只覆盖数据线对应的区域，未覆盖像素的透光区域，因此在不影响显示品质的情况下提高了显示装置的透过率。51INTCL权利要求书2页说明书4页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书4页附图2页10申请公布号CN104201177ACN10。
3、4201177A1/2页21一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素，每个像素内包括透光区域和不透光区域，所述阵列基板上设置有公共电极层，其特征在于，所述阵列基板上还设置有位于所述公共电极层和数据线所在层之间的有机膜绝缘层，所述有机膜绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料。2如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还形成有像素电极层，所述像素电极层上方设置有绝缘间隔层，所述公共电极层设置于所述绝缘间隔层上方。3如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有机膜绝缘层位于所述绝缘间隔层和数。
4、据线所在层之间。4如权利要求13中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有机膜绝缘层完全覆盖数据线对应的区域。5一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14中任一项所述的阵列基板。6一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤在衬底基板上形成包括栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素的图形，每个像素内包括透光区域和不透光区域；形成有机膜绝缘层，使得所述有机绝膜缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料；在所述有机膜绝缘层上方形成包括公共电极层的图形。7如权利要求6所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成有机膜绝缘层，使得所述有机膜绝缘层。
5、图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料的步骤具体包括形成有机绝缘材料薄膜；通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜。8如权利要求6所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成有机膜绝缘层，使得所述有机膜绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料的步骤具体包括形成缓冲层，并在所述缓冲层上形成有机绝缘材料薄膜；通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜；刻蚀。
6、暴露出的缓冲层。9如权利要求7或8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜的步骤具体包括通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，且只保留数据线对应区域的有机绝缘材料薄膜。10如权利要求6所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在所述有机膜绝缘层上方形成包括公共电极层的图形的步骤具体包括在所述有机膜绝缘层上方形成像素电极层；权利要求书CN104201177A2/2页3所述像素电极层之上形成绝缘间隔层；在所述绝缘间隔层之上形成所述公共电极层。权利。
7、要求书CN104201177A1/4页4阵列基板及制作方法、显示装置技术领域0001本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及制作方法、显示装置。背景技术0002目前，TFT显示领域飞速发展，显示器发展朝着轻薄化，高分辨率，高透过率等方向不断挑战着工艺以及设计的极限。从显示模式来看，目前主要有VA、TN、ADS及HADS等模式，相对而言，ADS和HADS两者具有高开口率高透过率而更受广大客户的青睐。0003图1A和图1B为一种典型的涉及有机膜技术的工艺的ADS或HADS阵列基板结构示意图，包括栅线110、数据线120、公共电极线130、第一电极像素电极140和第二电极条状公共电极150，第。
8、一电极140和第二电极150之间间隔有绝缘间隔层170。第二电极150通过过孔未示出连接公共电极线130。0004ADS和HADS显示模式由于其数据线120走线和公共电极150重叠面积较大，交叠电容就会大，使其数据线120上的负载比较大，从而影响了画面的显示品质，为克服该问题，许多产品都引入了有机膜工艺技术。如图1B所示，在数据线120所在层的之上形成有一层有机膜绝缘层160。0005上述结构中，黑矩阵如图1A中，虚线框形成的“井”字形区域为黑矩阵覆盖区域，井字形中间的区域为有效发光区所围成的有效发光区域内全部形成有有机膜，背光穿过时势会有所损失，一般结果表明，厚度为2UM的有机膜其单层透过率。
9、为96，在一定程度上降低了透过率。发明内容0006一要解决的技术问题0007本发明要解决的技术问题是如何在不影响显示品质的情况下提高显示装置的透过率。0008二技术方案0009为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素，每个像素内包括透光区域和不透光区域，所述阵列基板上设置有公共电极层，其特征在于，所述阵列基板上还设置有位于所述公共电极层和数据线所在层之间的有机膜绝缘层，所述有机膜绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料。0010其中，所述阵列基板上还形成有像素电极层，所述。
10、像素电极层上方设置有绝缘间隔层，所述公共电极层设置于所述绝缘间隔层上方。0011其中，所述有机膜绝缘层位于所述绝缘间隔层和数据线所在层之间。0012其中，所述有机膜绝缘层完全覆盖数据线对应的区域。0013本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。0014本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括步骤说明书CN104201177A2/4页50015在衬底基板上形成包括栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素的图形，每个像素内包括透光区域和不透光区域；0016形成有机膜绝缘层，使得所述有机绝膜缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘。
11、材料；0017在所述有机膜绝缘层上方形成包括公共电极层的图形。0018其中，所述形成有机膜绝缘层，使得所述有机膜绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料的步骤具体包括0019形成有机绝缘材料薄膜；0020通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜。0021其中，所述形成有机膜绝缘层，使得所述有机膜绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料的步骤具体包括0022形成缓冲层，并在所述缓冲层上形成有机绝缘材料薄膜；0023通过掩膜板对。
12、所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜；0024刻蚀暴露出的缓冲层。0025其中，所述通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜的步骤具体包括0026通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，且只保留数据线对应区域的有机绝缘材料薄膜。0027其中，在所述有机膜绝缘层上方形成包括公共电极层的图形的步骤具体包括0028在所述有机膜绝缘层上方形成像素电极层；0029所述像素电极层之上形成绝缘间隔层；0030在所述绝缘间。
13、隔层之上形成所述公共电极层。0031三有益效果0032本发明的阵列基板上公共电极层和数据线之间的有机膜绝缘层只覆盖数据线对应的区域，未覆盖像素的透光区域，因此在不影响显示品质的情况下提高了显示装置的透过率。附图说明0033图1A是现有技术中的一种阵列基板结构示意图；0034图1B是沿图1A中AA向的截面示意图；0035图2是本发明实施例的一种阵列基板的截面结构示意图。具体实施方式0036下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。0037本发明实施例的阵列基板包括栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素，每个像素内。
14、包括透光区域和不透光区域不透光区域即未被黑矩阵遮挡的区说明书CN104201177A3/4页6域。所述阵列基板上设置有公共电极层。为了不影响显示品质且提高透过率，阵列基板上还设置有位于所述公共电极层和数据线所在层之间的有机膜绝缘层，所述有机绝缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料。该有机膜绝缘层减轻了由于数据线及位于其上方的公共电极重叠面积较大而导致的数据线上的负载比较大的问题，保证了显示品质，且该有机膜绝缘层只形成在数据线对应的区域，在像素的透光区域没有该有机膜绝缘层，从而提高了显示装置的透过率。0038本实施例中以ADS或HADS阵列基板为例，。
15、截面图如图2所示平面图可参考图1A，ADS或HADS阵列基板还包括公共电极层250和像素电极层240。公共电极层250和像素电极层240之间间隔有绝缘间隔层270即本实施例中像素电极层240上方设置有绝缘间隔层270，公共电极层250设置于绝缘间隔层270上方，公共电极层250和数据线220之间也间隔有绝缘间隔层270。其中，有机膜绝缘层260形成在公共电极层250和数据线220之间，该有机膜绝缘层260图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线220对应区域保留有机膜绝缘材料。本实施例中，为了尽量减轻对公共电极250和像素电极240之间的电场强度的影响，时液晶分子能够正常驱动，有。
16、机膜绝缘层260直接覆盖在所述数据线220之上，即位于绝缘间隔层270和数据线220之间的数据线220对应区域。0039对于其上没有公共电极层的阵列基板，如TN模式的显示装置中，公共电极通常位于与其对置的彩膜基板上，此时只要保证有机膜绝缘层位于阵列基板上对应数据线的上方即可，优选直接覆盖在数据线之上。0040进一步地，为了尽量避免由于数据线及位于其上方的公共电极重叠面积较大而导致的数据线上的负载比较大的问题，有机膜绝缘层完全覆盖数据线对应的区域。0041本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤0042在衬底基板上形成包括栅线、数据线及多个由所述栅线和数据线交叉围成的像素的图形，每个像。
17、素内包括透光区域和不透光区域；0043形成有机膜绝缘层，使得所述有机绝膜缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料；0044在所述有机膜绝缘层上方形成包括公共电极层的图形。0045本实施例中，形成有机膜绝缘层，使得所述有机绝膜缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料的具体步骤包括0046形成有机绝缘材料薄膜，该有机绝缘材是感光有机绝缘材料，即类似于光刻胶的一种材料。0047通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜。0048其中，形。
18、成有机膜绝缘层，使得所述有机绝膜缘层图案化为在透光区域中不存在有机膜绝缘材料但至少在数据线对应区域保留有机膜绝缘材料的具体步骤还可以为0049先形成缓冲层如SINX，即硅的氮化物，再在缓冲层上形成有机绝缘材料薄膜；之后通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜；最后刻蚀暴露出的缓冲层。由于在形成有机膜绝缘层时，薄膜晶体管TFT的沟道已经形成，形成缓冲层可以保护薄膜晶体管的沟道不被有机绝缘材料污染，以保持TFT特性。说明书CN104201177A4/4页70050进一步地，所述通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，。
19、去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，但至少在数据线对应区域保留有机绝缘材料薄膜的步骤具体包括0051通过掩膜板对所述有机绝缘材料薄膜进行曝光，去除所述透光区域的有机绝缘材料薄膜，且只保留数据线对应区域的有机绝缘材料薄膜。即使得有机膜绝缘层正好完全覆盖数据线。0052进一步地，在所述有机膜绝缘层上方形成包括公共电极层的图形的步骤具体包括在所述有机膜绝缘层上方形成像素电极层；所述像素电极层之上形成绝缘间隔层；在所述绝缘间隔层之上形成所述公共电极层。0053本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。该显示装置可以为液晶面板、电子纸、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。0054以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。说明书CN104201177A1/2页8图1A图1B说明书附图CN104201177A2/2页9图2说明书附图CN104201177A。